三氯氢硅
- 浅谈多晶硅生产中碳杂质的分布和去除
生二氯硅烷、三氯氢硅和四氯化硅的混合液，流程上首先要分离二氯硅烷和四氯化硅，因此甲基二氯硅烷几乎都混合在三氯氢硅中，甲基三氯硅烷都混合在四氯化硅中。三氯氢硅为了达到进入还原的纯度要求，还要经过2-4次脱轻脱重。于是甲基三氯硅烷就更多的富集在三氯氢硅首个脱重塔的塔釜液，甲基三氯硅烷会富集在四氯化硅脱重塔（部分工艺方案未设置该塔）的塔釜液。从2物化性质分析也可以看出，经过脱重后的三氯氢硅中不会有甲基三氯硅烷，但一定会有微量的甲基二氯硅烷。这些甲基二氯硅烷进入还
世界有色金属 2022年16期2022-10-20
- 多晶硅循环氢中氮含量升高原因及解决措施
艺是将电子级三氯氢硅与氢气按一定的物质的量比，在还原炉内的高温硅芯上发生化学气相沉积反应，生产硅棒；产生的尾气送至干法回收装置进行分离后重复使用[1]。循环氢中的氮含量影响干法回收循环氢质量。在非金属杂质中，硅中的C、N、O等轻质元素形成的SiC、Si3N4等非金属夹杂以及氧沉淀等，也对材料电学性能及机械性能产生不利影响[2]。本文重点分析循环氢中氮含量升高的原因，并提出各个生产环节工艺优化措施，从而降低循环氢中氮的含量，提升循环氢品质。1 还原尾气回收工
云南化工 2022年8期2022-08-16
- 电子级三氯氢硅中微量氯硅烷杂质检测应用
气体。电子级三氯氢硅主要用于制造硅酮化合物、电子级多晶硅、电子级单晶硅。三氯氢硅具有高腐蚀性、毒性，可与空气中的水等成分发生发应，在取样过程中极易被污染，其泄漏对环境造成污染、影响人体健康。三氯氢硅常温下为液体，所以将液态的三氯氢硅在密闭的管线中气化，其中管线需要伴热，防止已气化的三氯氢硅在输送到气相色谱仪进样口之前液化。通过线性分析，检测电子级三氯氢硅中痕量的氯硅烷杂质。2 实验部分2.1 实验仪器AGC NovaCHROM 1000气相色谱仪，搭载氦放
低温与特气 2022年3期2022-07-04
- 三氯氢硅，怎么就这么火？
董师傅当下，三氯氢硅概念十分火热。板块中既有三连板的，也有20%涨停板的，还有短时间股价翻倍的，各路投资者在其中进进出出，好不热闹。作为光伏最上游的三氯氢硅，怎么就这么火？三氯氢硅，是一种无机化合物，由金属硅粉和氯化氢反应合成，主要用于制造多晶硅、硅烷偶联剂等。其中，多晶硅为光伏的核心材料。据百川盈孚的数据显示，2021年三氯氢硅产能为56.6万吨，产量为34.62万吨，下游实际消费量为34.63万吨，其中32%用于多晶硅，25%用于硅烷偶联剂，剩余43%
电脑报 2022年24期2022-07-01
- 压力对氯硅烷精馏的影响研究
D)的方法将三氯氢硅(TCS)通过还原炉在 1100 ℃ 左右沉积而生成高纯的硅料。化学气相沉积过程会产生四氯化硅(STC)、二氯二氢硅(DCS)、氯化氢(HCl)、氢气(H2)、三氯氢硅等副产物和未完全反应的原料组成的混合尾气。这部分原料尾气，通过冷凝后，变成含有四氯化硅、三氯氢硅、二氯二氢硅和溶解了少量HCl组成的混合液相料。这部分液相料，在精馏工序中进行分离，得到高纯度的、组分单一的四氯化硅、三氯氢硅、二氯二氢硅，然后进行闭环回收再利用，可大大降低生
云南化工 2022年5期2022-06-17
- 树脂除碳技术在超纯三氯氢硅提纯工艺中的应用
0 引言高纯三氯氢硅（SiHCl3，简称TCS）是生产多晶硅的主要原料，也是半导体芯片生产中硅外延片用的主要硅源材料之一，对其中杂质的控制有很高的要求。改良西门子法工艺中，三氯氢硅中碳杂质主要来自硅粉，其中以甲基氯硅烷形式存在，特别是沸点与三氯氢硅相接近的二甲基氯硅烷和甲基二氯硅烷难以去除，在多晶硅和作为硅源的外延片生产中很容易发生沉积，形成晶格点缺陷，从而影响半导体材料的性能。大部分的杂质能在精馏系统高低沸中得以去除。然而，精馏产品中的微量杂质是不能通过
化工管理 2022年3期2022-02-18
- 多晶硅生产中以四氯化硅补氯方式探讨
产过程，包括三氯氢硅合成、还原、精馏、尾气回收、冷氢化等过程。不管采用何种工艺，精馏、还原、尾气回收和冷氢化等过程均会有硅、氯损耗，生产流程越长，硅、氯损耗越大。1.2 氯补充方式当前多晶硅补充氯主要采用2种方式，一是外购液氯与氢气进行氯化氢合成，再用氯化氢与硅粉合成三氯氢硅；二是直接外购三氯氢硅。对于多晶硅生产企业，外购液氯存在重大运输风险，且三氯氢硅合成过程经济效益不明显，主要目的还是消耗过程副产氯化氢，实现资源循环利用。以液氯补氯的工艺流程简图如图1
云南科技管理 2021年4期2021-10-19
- 三氯氢硅的安全生产
71023）三氯氢硅是光伏和集成电路制造过程中必不可少的原料[1-2]，尤其是高纯三氯氢硅作为半导体硅外延所需的反应气体，在硅外延片生产中得到了广泛的应用，硅外延片主要用于功率半导体器件和12英寸逻辑芯片，是集成电路的核心关键材料。然而，目前高纯度三氯氢硅基本依赖进口，发展高纯度三氯氢硅具有广阔的市场[3]。但是三氯氢硅的物化性质比较活泼，易燃易爆。制备过程风险系数较大，生产的安全把控尤为重要。1 物性特点三氯硅烷在常温常压下为具有刺激性恶臭、易流动、易挥
化工设计通讯 2020年12期2021-01-08
- 电子级多晶硅生产尾气中无定型硅的产生原因及预防措施
反应动向，而三氯氢硅的热稳定性较差，三氯氢硅开始分解的温度是400℃，随着温度上升，三氯氢硅分解加速，到550℃开始剧烈分解，这是因为三氯氢硅化学结构的不对称所致。三氯氢硅热分解产生的硅颗粒一般沉积在硅芯的表面或在炉内气氛中。当还原炉内温度达到900℃以上时，三氯氢硅才会在硅芯表面发生还原反应，在高热场中生成的硅颗粒沉积在硅芯表面。实际生产过程中，当炉内反应温度在900～1080℃时三氯氢硅以热分解为主，容易反应生成SiH2Cl2，而二氯二氢硅的化学性质非
化工管理 2020年34期2020-12-17
- 探讨三氯氢硅在空气中燃烧产物
考虑到可能的三氯氢硅泄漏燃烧事故。三氯氢硅在空气中燃烧产物的成分是制定防护措施的依据。一般的文献都会描述产物中包含氯气，但并未明确氯气产生的量。那么有三氯氢硅燃烧的环境，人员应使用正压空气呼吸器或者佩戴氯气专用的防毒面罩。事实上，多晶硅企业一般都没有配备防氯气中毒的物资而是主要防护氯化氢，行业内却鲜有听过氯气中毒事件。因此，探讨三氯氢硅在空气中燃烧产物是制定防护措施的重要依据。1 理论计算如果我们认为三氯氢硅在空气中燃烧将产生氯气，那么可以推断出燃烧条件下
世界有色金属 2020年12期2020-09-03
- 反应精馏技术用于硅烷生产工艺的研究
密结合，运用三氯氢硅两次歧化生成硅烷，该技术同时可以消耗西门子工艺中的副产物二氯氢硅，值得推广[1-3]。2 三氯氢硅歧化反应机理三氯氢硅歧化反应是可逆反应，在一定的温度压力条件下，催化剂作用下，三氯氢硅发生一系列歧化反应[4-7]，反应原理如下：总的反应方程式为：歧化反应过程中，在催化剂存在下，式（2）反应较为迅速，同时由于SiH3Cl极不稳定，一旦生成立刻分解产生硅烷，因此式（2） 和式（3）达到平衡所需要时间远小于式（1）。因此式（1）是该歧化反应的
云南化工 2020年3期2020-04-17
- 浅谈氯碱企业的发展规划，助推开元化工可持续发展
础，规划了向三氯氢硅、环氧氯丙烷、环氧树脂、氯化亚砜等材料产业扩建或延伸，打造多条产业生态链，将一条产业生态链的副产品用作另一个产业生态链的投入或原材料，通过废物交换、循环利用、清洁生产等手段，以最大限度地充分利用资源或减少负面环境影响，最终实现开元化工可持续发展的目标。关键词：氯碱; 三氯氢硅; 环氧氯丙烷; 环氧树脂; 氯化亚砜1929年，爱国实业家吴蕴初先生在上海建立了天原电化工厂，从此揭开我国氯碱工业发展的序幕。新中国成立后，氯碱工业经过70年的发
科学与财富 2019年29期2019-10-21
- 三氯氢硅精馏提纯塔的㶲分析
纯工艺是提高三氯氢硅纯度的关键，直接影响多晶硅产品的质量[2]。多晶硅生产过程中三氯氢硅精馏提纯工艺综合能耗约占总能耗的16%，主要为塔底再沸器蒸汽消耗，多晶硅生产中要求精馏产品纯度高、精馏能源消耗少、精馏产品质量稳定、系统操作弹性大。为降低精馏提纯工艺能耗，使用差压热耦合精馏技术，减少蒸汽消耗和塔顶循环水消耗[3]。传统的应用热力学第一定律分析问题的方法具有一定的局限性，只反映了能量在“量”上的关系，并没有体现出能量在“质”上的差异。分析方法的理论基础是
有色冶金节能 2019年4期2019-09-21
- 三氯氢硅生产技术的改进措施
重要中间体。三氯氢硅生产项目建设周期短，投资小，技术成熟，在国内快速发展。由于盲目过速发展，2012年三氯氢硅总产能已达到约85万t/a，与国内三氯氢硅50万t/a的需求量相比严重过剩。特别是近两年来光伏产业急剧萎缩，三氯氢硅市场价格严重下滑，三氯氢硅企业大部分亏损，甚至部分企业已经停产。在如此严峻的形势下，企业当务之急是提高自身管理水平，通过改进生产技术，降低各项生产消耗，实现企业在困境中发展。本文就三氯氢硅生产技术的改进措施展开探讨。关键词：三氯氢硅;
E动时尚·科学工程技术 2019年5期2019-09-10
- 多晶硅原辅料中碳杂质的分析
主反应为高纯三氯氢硅和氢气在1100下的还原反应，硅沉积在高纯硅芯表面上，随着沉积不断进行硅芯逐渐长大长粗，最终生长为120～150mm尺寸的硅棒产品。碳在硅中主要以替位式或间隙式的形式存在。其中间隙式的碳原子主要是在器件制造过程中，通过氧沉淀、离子注入或等离子工艺而引入的自间隙硅原子与替位碳原子位置互换形成。一定条件下，碳会成为氧沉淀的成核中心，促进氧的沉淀，氧的沉淀量依赖于碳含量的多少，而氧沉淀会诱发位错、层错等二次缺陷，这些会引发P-N结的软击穿、漏
云南化工 2019年1期2019-03-29
- 气相色谱-质谱法同时测定高纯三氯氢硅中4种甲基氯硅烷的方法研究
55000)三氯氢硅(沸点：33℃)是一种重要的硅化合物中间体，主要用于制造多晶硅或者有机硅材料。三氯氢硅中的主要含碳杂质是甲基氯硅烷[1]，常见的4钟甲基氯硅烷的化学性质极其活泼、沸点接近(一甲基二氯硅烷，沸点：41.9℃；三甲基一氯硅烷，沸点：57.7℃；一甲基三氯硅烷，沸点：66.4℃；二甲基二氯硅烷，沸点：70.5℃)，在精馏工序中较难分离去除。因此，要控制多晶硅中碳含量，必须严格控制三氯氢硅中甲基氯硅烷的浓度。三氯氢硅中4种甲基氯硅烷的分离具有相
分析仪器 2019年1期2019-02-20
- 电子级多晶硅制备过程中质量影响因素分析
的工艺主要有三氯氢硅氢还原法和硅烷热分解法两种[2-3]。全球90%以上的多晶硅企业采用三氯氢硅氢还原工艺(即改良西门子法)生产电子级高纯多晶硅，其特点是沉积速率较快，安全性好，产品纯度不仅能够满足太阳能级需求而且可以生产出高纯的电子级多晶硅产品，以该工艺生产的多晶硅产量一直占据主导地位。当然，也有部分公司采用硅烷热分解方法生产电子级区熔用高纯多晶硅棒，如美国REC公司，采用的是三氯氢硅转化为硅烷[4]，然后用硅烷在CVD炉中沉积生产区熔多晶硅棒。该工艺没
中国有色冶金 2019年6期2019-01-21
- 三氯氢硅制备技术进展
1000））三氯氢硅是制备有机硅、生产硅晶太阳能电池和半导体器件的重要原料[1，2]，也可用于外延硅片和硅烷的制备。目前三氯氢硅制备主要有硅氯氢化法、四氯化硅氢化和综合利用副产物的反歧化法。1 硅氯氢化法制备三氯氢硅硅氯氢化法是将无水氯化氢和硅粉放在流化床中于 280～320 ℃、0.20～0.40 MPa的条件下反应制得，必要时添加铜或铜盐作为催化剂，反应产物主要为SiHCl3和SiCl4，反应方程式如下：该反应为强放热反应，通常采用内置的换热管将反应热
中国氯碱 2018年9期2018-10-30
- 三氯氢硅生产中现存问题及发展前景
发展迅猛，而三氯氢硅则是光伏产业和有机硅产业中一个重要环节。本文通过对三氯氢硅生产中遇到的问题以及发展前景进行分析，针对这些问题，找到解决问题的办法，为我国三氯氢硅产业的发展提供参考。关键词：三氯氢硅；生产；存在问题；发展前景三氯氢硅不仅是制造硅烷偶联剂和其它有机硅产品的重要中间体，还是制造多晶硅的主要原料。我国三氯氢硅行业的发展，跟整个光伏产业的发展息息相关。同其他行业一样，也经历过初期、发展、高潮、低迷、稳定的各个阶段。本来基于解决氯碱生产中氯过剩问题
中国化工贸易·上旬刊 2018年4期2018-09-10
- 三孚股份延伸硅钾产业链布局高端
现已形成了以三氯氢硅、高纯四氯化硅、氢氧化钾和硫酸钾的“两硅两钾”为核心的循环经济模式，综合竞争力持续提升，打造了以精细化工产品为主线的产业链聚合。三氯氢硅生产系统的副产品氢气作为氢氧化钾生产所需能源，氢氧化钾生产系统的副产品氯化氢作为三氯氢硅生产所需原材料，硫酸钾生产系统的副产品盐酸可解析为氯化氢用作三氯氢硅生产所需原材料，三氯氢硅生产系统的副产品普通四氯化硅作为高纯四氯化硅生产所需原材料，余能余热回收副产蒸汽供应生产系统循环利用。目前三孚股份的募投项目
证券市场红周刊 2018年23期2018-05-14
- 三氯氢硅精馏过程的模拟与优化
基础材料，而三氯氢硅提纯是多晶硅生产的关键环节，并且这一环节的提纯效果直接影响着多晶硅产品最终的产品质量。同时，由于多方面因素的干扰和影响，目前三氯氢硅精馏生产流程仍存在着能耗偏高、三氯氢硅损失量较高等问题，制约着光伏产业的进一步健康发展。笔者即从三氯氢硅精馏入手，通过化工流程模拟软件，针对目前主流的三氯氢硅精馏双塔工艺流程进行了模拟计算，并相应提出了几点优化建议，以供相关人员参考。关键词： 三氯氢硅；精馏；过程模拟；优化近几年，我国社会经济发展迅速，带动
科学与财富 2018年5期2018-04-21
- 2018062 电子级多晶硅的制备方法
方法包括：将三氯氢硅液体和/或氯硅烷液体进行提纯，得到三氯氢硅，氯硅烷液体包括三氯氢硅；及采用氢气与三氯氢硅进行还原反应，得到电子级多晶硅，提纯步骤包括：对三氯氢硅液体和/或氯硅烷液体进行第一精馏过程，得到三氯氢硅粗产品；将三氯氢硅粗产品与络合剂发生络合反应，以使三氯氢硅粗产品中的杂质转化为络合物，得到中间产物，其中杂质包括B、P和Fe、Al组成的组分中的一种或多种；及将中间产物进行第二精馏过程，以去除络合物，得到三氯氢硅。将纯度较高的三氯氢硅原料与氢气发
中国有色冶金 2018年6期2018-02-02
- 多晶硅生产中三氯氢硅精馏节能工艺
多晶硅生产中三氯氢硅精馏节能工艺刘露(江苏索普工程科技有限公司，江苏镇江212006)多晶硅在我国拥有着广泛的生产市场和消费市场，为了实现能量的集成与过程的优化，可以采用化工模拟软件PRO进行模拟集成，减少设备投资，提高工业化程度。全球性的气候变化和能源安全使各国积极推进能源产业转型，我国光伏产能以70%的速度增长，位居世界前列，多晶硅的供应将直接影响光伏产业的发展。本文主要分析了多晶硅生产中三氯氢硅精馏节能工艺在我国的发展。多晶硅生产;三氯氢硅;精馏节能
化工管理 2017年30期2017-11-03
- 太阳能级多晶硅用三氯氢硅中金属杂质的检测方法
能级多晶硅用三氯氢硅中金属杂质的检测方法陈黎明 / 上海市计量测试技术研究院在洁净室里，采用在氩气保护下进行高纯三氯氢硅的挥发，然后用高纯酸溶解，用高分辨电感耦合等离子体质谱仪检测痕量金属杂质，方法的检出限为0.45～14.6 ng/kg，加标法回收率为89.6%～108.2%。前处理简单、快速，避免了在样品前处理时的污染问题，检测结果准确可靠。多晶硅；三氯氢硅；金属杂质0 引言高纯三氯氢硅不仅是制造硅烷偶联剂和其他有机硅产品的重要中间体，还是制造多晶硅的
上海计量测试 2017年3期2017-07-24
- 三氯氢硅合成工艺及系统
三氯氢硅合成工艺及系统申请(专利)号： 201510120467.4公开(公告)日：2016-10-19申请(专利权)人：内蒙古盾安光伏科技有限公司一种三氯氢硅合成系统，包括合成炉、为合成炉供应与合成炉内外加硅粉反应HCL的HCL储罐、用于冷凝合成炉尾气的第一冷凝器、接收来自第一冷凝器冷凝后氯硅烷液体的冷凝料储罐、接收来自于冷凝器的不凝气的缓冲罐，分离提纯来自于冷凝料储罐的氯硅烷的分离提纯装置、氯硅烷储罐、汽化器、混合加热器、流化床反应器、第二冷凝器。本发
低温与特气 2017年2期2017-04-14
- 气相色谱法测定高纯三氯氢硅中的总碳含量
谱法测定高纯三氯氢硅中的总碳含量刘英杰 刘新军 郑华荣 柯尊斌(南京中锗科技有限责任公司，南京 211165)将高纯三氯氢硅中的含碳物质在氢气还原炉内转化成甲烷，利用配备氢火焰离子化检测器的气相色谱仪进行测定，最后换算成总碳的含量。结果发现，高纯三氯氢硅中的甲基二氯硅烷、甲基三氯硅烷、二甲基二氯硅烷等可能的含碳物质在转化炉内均具有良好的转化率，转化率大于85%。样品中含碳量的测定结果之间重复性好，精密度较高，相对标准偏差均小于10%。方法简单、快捷，准确度
中国无机分析化学 2017年1期2017-03-27
- 三氯氢硅精馏提纯模拟和优化
K物性方法对三氯氢硅精馏提纯过程进行了模拟计算，得到了和实际相符的结果，并在保证产品质量的前提下进行了优化，降低了能耗，对生产实际具有一定的指导意义。【关键词】三氯氢硅；模拟；精馏迄今为止，多晶硅生产方法多采用改良西门子法工艺生产的，即氢气和三氯氢硅反应生成高纯硅。三氯氢硅的纯度是最终产品太阳能级多晶硅纯度的关键因素之一[1]。在现阶段工艺流程中，三氯氢硅的提纯方法主要采用精馏提纯的方式。精馏分离效果直接影响最终产品的质量，尤其是硼，磷等微量杂质，产品中要
科技视界 2016年22期2016-10-18
- 三氯氢硅生产工艺的优化
10007)三氯氢硅生产工艺的优化许保红(亚洲硅业(青海)有限公司, 青海 西宁 810007)三氯氢硅是有机硅偶联剂中最为基础的单体，且是制备多晶硅的主要原料，常常用来合成芳基、烷基、有机硅烷、有机官能团氯硅烷等。在我们的日常生活与生产中三氯氢硅有着非常重要的作用。然而现阶段我国三氯氢硅的生产工艺仍存在许多不足，急需改进。为此，本文将结合笔者实践经验，对三氯氢硅生产工艺及其相应的优化策略进行分析。三氯氢硅；生产工艺；优化1 三氯氢硅生产工艺(1)三氯氢硅
化工管理 2016年13期2016-03-15
- 浅谈影响三氯氢硅合成炉运行周期的因素
0）浅谈影响三氯氢硅合成炉运行周期的因素孔建梅（昆明冶研新材料股份有限公司，云南曲靖655000）三氯氢硅合成炉是生产三氯氢硅的核心设备，合成炉的运行周期直接影响三氯氢硅合成系统连续运行的时间。本文结合实际生产，经过理论分析，提出了如何延长三氯氢硅合成炉运行周期，从而保证三氯氢硅合成系统稳定生产。三氯氢硅；合成炉；因素当今太阳能级多晶硅的主要生产方法为改良西门子法［1］。三氯氢硅合成是闭环生产中的源头工序，三氯氢硅合成炉是多晶硅生产过程中合成三氯氢硅原料的
化工管理 2016年12期2016-03-14
- 三氯氢硅废气处理系统改造技术
55150）三氯氢硅废气处理系统改造技术张贺广（河北邢矿硅业科技有限公司，河北 邢台 055150）通过更换尾气吸收塔，增加塔高，提高循环泵的功率、扬程、流量，增加喷头的数量，增加中和池等，改善了尾气吸收塔堵塞的状况，并解决了由此带来的安全和环境问题。吸收塔；循环泵；中和池1 工艺过程简述河北邢矿硅业科技有限公司位于邢台市任县化工园区，拥有2万t/a三氯氢硅生产规模，生产工艺为沸腾氯化法能耗低、产品质量高，无污染。采用加压盐酸解析工艺，废水含酸控制在1%以
中国氯碱 2016年8期2016-02-09
- 氯化氢含氧量等技术条件对三氯氢硅质量、产量的影响
71000）三氯氢硅（TCS）合成的基本反应式为Si+3HCl=SiHCl3+H2，在生产过程中会有大约15%的副产物STC产生。目前，国内外基本通过生产有机硅、氢化生产TCS及白炭黑等工艺消耗STC，但从节能减排，降低成本的角度分析，提高三氯氢硅合成的效率依然是合成生产过程中控制的关键点之一。1 HCl含氧、H2O对TCS生成反应的影响在合成反应过程中，因为Si-O键比Si-Cl键更为稳定，所以反应生成的TCS在有氧及H2O存在的前提下极易发生副反应，降
化工管理 2015年12期2015-12-21
- 多晶硅副产物在生产系统内的循环利用
压条件下生成三氯氢硅，将三氯氢硅进一步歧化加氢生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。将硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅。此方法缺点是安全性差，危险性大，生产出的产品纯度不高。1.3西门子法1955年，德国西门子公司开发出以氢气还原高纯三氯氢硅在1 100℃左右的硅芯上沉积多晶硅的生产工艺，1957年这种工艺开始工业化生产，被外界称为西门子法。西门子法存在多晶硅转化率低、副产物排放污染严重等不足。1.4改良西门子法改良西门
无机盐工业 2015年12期2015-10-27
- 三氯氢硅生产装置设计及优化措施
侯松涛三氯氢硅生产装置设计及优化措施侯松涛上海华谊工程有限公司 （上海200235）摘要本三氯氢硅工业生产装置采用硅粉与氯化氢气体直接反应的常压沸腾床工艺。介绍了整个生产工艺流程；分析生产过程中的主要危险因素，提出避免危险因素出现的主要设计措施；分析了硅粉粒径、氯化氢含水量、合成炉反应温度、精馏效果对三氯氢硅产品的影响并提出优化措施。关键字三氯氢硅多晶硅生产工艺工业化设计优化三氯氢硅又称三氯硅烷，分子式为SiHCl3，可用于有机硅烷和烷基、芳基以及其他有机
上海化工 2015年8期2015-07-25
- 三氯氢硅生产工艺的优化
63305）三氯氢硅生产工艺的优化李雪瑛 （唐山三孚硅业股份有限公司，河北 唐山 063305）摘 要：本文针对三氯氢硅生产工艺中存在的问题，提出了具体的整改措施，并阐述了方案实施后取得的良好经济效益和环境效益。关键词：三氯氢硅；生产工艺；改造；优化1 概述唐山三孚硅业股份有限公司成立于2006年10月20日，以生产三氯氢硅﹑四氯化硅﹑氢氧化钾等产品为主，目前三氯氢硅生产能力6.5万吨/年﹑四氯化硅1.08万吨/年﹑氢氧化钾5.6万吨/年，该公司已经成为我
中国新技术新产品 2015年21期2015-07-19
- 高纯硅烷生产技术研究进展
化锂直接还原三氯氢硅来制备硅烷。在315～425℃下，在熔融氯化锂和氯化钾中，以氦气为载气将三氯氢硅引入反应器与氢化锂反应，得到硅烷。反应中必须不断地补充氯化钾，以保持氯化锂和氯化钾的比例为1∶1。涉及反应如下:存在问题:反应消耗大量氯化锂和氯化钾，原材料成本高;反应条件苛刻，因而难以形成大规模生产。1.3 氟硅法该技术以氢化铝钠直接还原四氟化硅来制备硅烷，是美国MEMC公司开发的技术。它用铝粉和液态金属钠与氢气反应制取氢化铝钠，氢化铝钠与四氟化硅反应制取
河南化工 2015年10期2015-06-21
- 硅粉活性对三氯氢硅合成的功效及其评定
催化反应合成三氯氢硅(多晶硅中间体)，进而制取多晶硅。硅扮演合成的载体，将其刚性的无机特性赋予柔性的高分子有机物，获得特异功能材料[1-3]，正像硅熔进钢中，炼得优质硅钢。作用明显，身价倍增，硅这种优化各类材料的“品格”值得称赞。2)借助优势，强化自身。硅优化了高分子材料，同时高分子材料也以自己特有的化学功能[4]，使硅得到纯化，达到9个9的纯度，开拓出多晶硅、单晶硅特异的光伏功效。硅就这样经历有机化和无机化，借助友好材料，得化工演变之机，发挥天赋的特异禀
太阳能 2015年7期2015-05-15
- 多晶硅生产系统内二氯二氢硅的产生与利用
硅氢化工序、三氯氢硅合成工序以及整个系统二氯二氢硅的生成量，对多晶硅系统副产二氯二氢硅的利用进行了讨论。多晶硅； 二氯二氢硅； 生产； 利用0 引言二氯二氢硅是一种高附加值产品，分子量101，沸点8.2 ℃，熔点-122.0 ℃，常温下存储于高压罐中，呈液化气体状态，25 ℃液体密度为1 250 kg/m3，极易水解，在空气中冒白烟，有盐酸气味，水分存在下有极强的腐蚀性。二氯二氢硅主要应用在外延硅和多晶硅的生长、硅化钨等的化学气相沉积及高性能太阳能电池等领
中国有色冶金 2014年4期2014-08-10
- 差压耦合联合热泵精馏在SiHCl3提纯过程中的模拟
多晶硅生产时三氯氢硅提纯过程能耗高的特点，运用化工模拟软件Aspen Plus，采用差压耦合联合热泵精馏技术对传统的三氯氢硅双塔提纯工艺进行的节能模拟分析。计算结果表明：在处理量相同的情况下，与传统精馏提纯工艺以及差压耦合精馏技术相比，能耗费用分别节约83.9%和68.1%。关键词：三氯氢硅；差压耦合；热泵精馏；节能中图分类号：TQ053 文献标识码：A 文章编号：1009-2374（2014）15-0057-02近年来，太阳能作为一种环境友好型的清洁能源
中国高新技术企业 2014年10期2014-07-02
- 气相色谱－质谱法测定三氯氢硅中甲基二氯硅烷的方法研究
－质谱法测定三氯氢硅中甲基二氯硅烷的方法研究沈立俊，杨红燕，赵建为（昆明冶研新材料股份有限公司，云南曲靖 655000）采用气相色谱－质谱（GC－MS）联用技术，以1，2－二氯乙烷为内标，用内标法对三氯氢硅（SiH3Cl）中的含碳杂质甲基二氯硅烷快速分离并进行了分析测定方法研究。实验结果表明，甲基二氯硅烷含量在0.1～100μg／mL范围内有良好的线性关系，相关系数r大于0.999 9。该方法重现性好，可用于多晶硅生产用三氯氢硅中含碳杂质甲基二氯硅烷的分析
湖南有色金属 2014年2期2014-07-01
- 三氯氢硅市场走出低谷
，拉动了上游三氯氢硅市场，使三氯氢硅行业逐渐走出低谷并渐入佳境。行业开工率从上半年的60%提升到现在的80%，一些龙头企业如唐山三孚、河南尚宇等产能已经开足开满，售价也从上半年的5400元(吨价，下同)逐步提高到目前的5700～5800元，市场逐步转向卖方为主导的销售格局。据预测，2014年全球新增光伏装机容量将达45 GW。其中，中、日、美等国光伏装机量将首次超过欧洲，成为光伏装机量新的增长点。近期国家能源局发布了《关于进一步落实分布式光伏发电有关政策的
低温与特气 2014年6期2014-03-23
- 外延用三氯氢硅精馏生产过程中各参数之间关系的研究
外延用电子级三氯氢硅主要是应用在硅衬底外延过程中的一种重用的气体材料，外延生长过程中通过精准掺杂与衬底形成PN型材料作为后道产业基础。纯度作为电子级三氯氢硅产品的重要的质量指标受到多了制造团队以及使用方的高度关注，本文将着重对外延用三氯氢硅的生产过程中各参数之间的关系进行分析研究。原理精馏作为一种分离技术，在电子级三氯氢硅的制造过程中被主要应用。它是以相互混合的体系中各组分在同样的条件下的沸点或者饱和蒸汽压的不同为依据，通过吸收或放出热量，使得混合物形成气
化工管理 2013年8期2013-08-15
- 热泵精馏在三氯氢硅提纯过程中的模拟
子法中，高纯三氯氢硅的提纯和精制是能耗很高的化工分离单元，国内一般用3 塔甚至是6 塔串联来提纯三氯氢硅，能耗极高，因此做好该单元的节能减排工作迫在眉睫。热泵精馏技术是有效的节能手段，目前广泛应用于丙烯-丙烷精馏过程中[4]，使能量费用急剧下降。本文作者将热泵精馏技术应用于三氯氢硅精馏过程中，并对热泵精馏的操作参数进行优化，给三氯氢硅热泵精馏工业化提供了设计参考。1 热泵精馏节能技术热泵精馏技术的想法最早是在20 世纪50年代由Robinson 和Gill
化工进展 2013年6期2013-08-02
- 四氯化硅氢化工艺研究与探讨
氯化硅转化为三氯氢硅的两种工艺：热氢化与冷氢化。对两种工艺的特点、过程能耗及发展方向进行了研究与探讨。四氯化硅；热氢化；冷氢化；三氯氢硅随着能源危机和环保压力的日益加剧，国内外在努力发展可再生、清洁能源。太阳能作为取之不竭、用之不尽的清洁能源得到了广泛关注[1]。多晶硅是太阳能行业的基础原材料，其主要生产工艺是改良西门子法和硅烷法。三氯氢硅还原制备多晶硅以及三氯氢硅歧化制备硅烷生产过程中会产生大量的四氯化硅副产物[2]。四氯化硅是无色透明有毒的液体，具有刺
石油化工应用 2013年3期2013-01-16
- 三氯氢硅合成尾气回收方法探讨
65环境保护三氯氢硅合成尾气回收方法探讨郑开学*华陆工程科技有限责任公司 西安 710065探讨三氯氢硅合成尾气回收方法，降低三氯氢硅生产成本，利于环境保护。多晶硅三氯氢硅尾气回收1 概述多晶硅是制造集成电路、光伏太阳能电池的关键材料，是发展信息产业和光伏新能源产业的重要基石。三氯氢硅又是生产多晶硅的重要原料，作为多晶硅生产工艺的重要组成部分，三氯氢硅生产成本和“三废”排放直接影响多晶硅的生产成本和环境。因此，改进三氯氢硅生产工艺对多晶硅生产有着重要意义。
化工设计 2012年2期2012-12-08
- 三氯氢硅气相色谱分析条件研究
工分析与测试三氯氢硅气相色谱分析条件研究杨 裴1，范国强1，白 莹1，郭永欣1，胡家啟2，叶世胜2（1.中海油天津化工研究设计院，天津 300131；2.浙江新安化工有限公司）对三氯氢硅气相色谱分析条件进行了研究，确定了三氯氢硅毛细管柱的色谱分析条件。采用确定的色谱分析条件进行了方法的线性范围测定，得到线性相关系数R=0.999 93。进行了方法的平行性和重复性试验，结果表明：方法的平行性好，重复性好，三氯氢硅质量分数的相对标准偏差（RSD）小于0.02%
无机盐工业 2012年9期2012-11-14
- 四氯化硅加氢及其催化剂的研究进展
化硅加氢生成三氯氢硅是处理多晶硅废物四氯化硅最理想的方法，四氯化硅在高温、高压、催化剂的条件下，与氢气反应生成三氯氢硅，而三氯氢硅是生产多晶硅的原料，这就从源头上避免了污染的产生。1 四氯化硅氢化的研究现状四氯化硅加氢制备三氯氢硅可分为热氢化和冷氢化，冷氢化根据是否加氯化氢可延伸出氯氢化法和等离子氢化法等。等离子氢化是四氯化硅转化率最高的方法，目前还处于实验阶段。下面就这几种方法作一简单的介绍。1.1 热氢化热氢化法是指四氯化硅与氢气在高温、催化剂条件下反
化工设计通讯 2012年6期2012-10-20
- 三氯氢硅合成炉运行总结
04000）三氯氢硅合成炉运行总结柯曾，张同荣（重庆三阳化工有限公司，重庆万州404000）分析了影响三氯氢硅合成反应效果的因素并对合成炉的技术改进提出了建议。关键词：三氯氢硅；流化床；料层；气速；硅粉粒度；反应温度三氯氢硅是重要的化工原料也是氯碱企业重要的耗氯、耗氢产品。重庆三阳化工有限公司1.5万t/a三氯氢硅项目于2010年6月投料试车，经过探索和调整运行参数，使装置突破了设计能力，产品质量居于国内同行业先进水平。1 工艺流程简述硅粉和HCl主要进行
中国氯碱 2012年6期2012-09-07
- 三氯氢硅尾气处理装置运行情况及技改效果
56800）三氯氢硅，又称硅仿、三氯硅烷、硅氯仿，常温常压下为具有刺激性恶性臭、易流动易挥发的无色透明液体。在空气中极易燃烧，在-18℃以下也有着火的危险，遇明火则强烈燃烧，燃烧时发出红色火焰和白色烟，生成 SiO2、HCl和 Cl2；沸点 31.8℃。 遇水极易分解，溶于二硫化碳、氯仿、苯等，广泛用于有机硅烷和烷基、芳基及有机官能团氯硅烷的合成，是有机硅烷偶联剂的基础原料，也是生产半导体硅、单晶硅的主要原料。1 三氯氢硅生产工艺简介工艺流程简图见图1。山
中国氯碱 2012年8期2012-08-16
- 三氯氢硅本征电阻率（纯度）的测试方法
8）1 引言三氯氢硅（SiHCl3）作为硅外延片的关键原材料，其纯度将直接影响着硅外延层的性能。一般三氯氢硅纯度的测试方法有两种，除采用化学分析方法测试外，通常用生长不掺杂外延层（本征外延层）的方法来确定，即测量三氯氢硅本征生长后的外延电阻率来衡量其纯度。在硅外延的本征生长过程中，影响三氯氢硅本征电阻率参数的主要因素为系统内的自掺杂。增加硅外延层的厚度可以有效抑制系统自掺杂，但无限制地增加生长时间必然导致生产成本的增加。本文对衬底的选择、生长时间、生长前生
电子与封装 2012年10期2012-08-15
- 湿法除尘技术在三氯氢硅生产中的应用
00072)三氯氢硅(SiHCl3)又称三氯硅烷、硅氯仿,为无色液体,易挥发易潮解,在空气中发生反应产生白烟,遇水分解,溶于苯和醚等有机溶剂,属一级遇湿易燃易爆物品。遇水反应产生氯化氢气体，遇氧化剂发生强烈反应，遇明火、高热时发生燃烧或爆炸,闪点为-13.9 ℃，属甲B类火灾危险等级。三氯氢硅是生产硅烷偶联剂、多晶硅和其它有机硅产品的主要原料。近年来随着我国电子信息产业和光伏产业的迅速发展，带动了半导体基础功能性材料多晶硅行业的快速发展，而做为多晶硅中间产
化学工业与工程 2012年5期2012-04-09
- 从反应活化能垒角度探讨多晶硅还原机理
4117）以三氯氢硅做为硅源，在常压高温下与H2发生还原反应是目前多晶硅企业中应用最广泛的方法，此方法是由德国西门子公司发明，因而命名为“西门子生产多晶硅方法”[1，2]。对此反应的研究已有较多报道，但从活化能角度看探讨三氯氢硅和H2反应最容易生产硅的原理还未见报道。本文基于密度泛函理论方法，模拟三氯氢硅还原反应过程，搜索各反应中可能出现的过渡态，从分子角度探讨多晶硅还原反应机理。通过软件Materials Studio5.0计算比较反应过渡态中的活化能垒
化学工程师 2012年5期2012-02-07
- 基于ChemCAD的三氯氢硅尾气处理过程模拟及优化
emCAD的三氯氢硅尾气处理过程模拟及优化吴 正 勇（四川化工职业技术学院，四川 泸州 646005）通过ChemCAD流程模拟软件对实际年产7000 t三氯氢硅的生产流程进行模拟、分析，改进三氯氢硅合成所产生尾气的处理。原工况为合成气深冷分离废气进入三废系统，新工况将原工况的深冷后的气体压缩后再次深冷分离。使废气的排放量减小至原工艺的 8%左右，减少了尾气排放的污染，产生了良好的经济和环境效益。ChemCAD；三氯氢硅；流程模拟；尾气处理三氯氢硅是一种用
化工进展 2011年10期2011-10-18
- 三氯氢硅生产过程的优化
00072）三氯氢硅生产过程的优化宋宝东，刘本旭（天津大学化工学院化学工程研究所，天津300072）阐述了三氯氢硅主要工艺过程，并针对现有工艺存在的主要问题提出了综合解决方案三氯氢硅；四氯化硅；多晶硅；尾气1 国内三氯氢硅生产现状太阳能做为一种清洁能源，因其具有“取之不尽，用之不竭”的特性，现在已经和风能一起成为受关注度高、增长快、建设项目大而多的能源种类，在新能源中占有重要地位。多晶硅是生产太阳能电池的最重要原料，近3～5年，多晶硅产业在全球特别是中国迅
中国氯碱 2011年3期2011-08-15
- 多晶硅的冷氢化工艺
内或俄罗斯的三氯氢硅合成、氯硅烷精馏、还原炉，配套热氢化的工艺技术生产太阳能级多晶硅，虽然工艺有较为可靠的技术来源，国内有运行的经验，但其普遍存在流程长，公用工程消耗高，三氯氢硅合成过程生成的四氯化硅不易处理或处理成本高等问题。而采用国外工艺，围绕冷氢化技术组织的多晶硅生产流程与热氢化流程相比有着显著的优越性：通过四氯化硅与硅粉的冷氢化反应，在完全转化还原反应副产的四氯化硅的过程中，除生成等物质的量的三氯氢硅，还有额外数量的三氯氢硅（即新鲜三氯氢硅）生成，
化学与粘合 2011年6期2011-07-19
- 浅谈三氯氢硅的发展
191)浅谈三氯氢硅的发展李 显(昊华宇航化工有限责任公司 ,河南焦作 454191)近年来,中国硅烷偶联剂和多晶硅产业,特别是多晶硅产业的快速发展,拉动了三氯氢硅的快速发展。由于三氯氢硅项目的盲目上马、扩建,三氯氢硅企业又面临着风险和挑战。三氯氢硅 ;合成三氯氢硅是有机硅烷偶联剂中最基本的单体,也是生产半导体硅、单晶硅、多晶硅的原料。我国经济的飞速发展,尤其是精细化工、有机硅产业、电子产品、光纤通讯等行业的快速发展,为三氯氢硅的生产和下游产品的开发提供了
河南化工 2010年16期2010-09-26
- 三氯氢硅氢还原法制多晶硅的自控难点及选型
制难点闭环式三氯氢硅氢还原法工艺生产装置主要有下列单元组成:制氢、氯化氢合成、三氯氢硅合成或氯化氢、三氯氢硅精馏、三氯氢硅还原、多晶硅整理、尾气分离以及工艺废气、废液处理。工艺流程如图1所示。图1 闭环式三氯氢硅还原法工艺流程示意该工艺的自动控制需要解决以下难题:a)固态物料(硅粉)的输送进料控制。闭环式三氯氢硅还原法生产多晶硅的重要原料三氯氢硅是由氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成而得。目前三氯氢硅合成为间歇式生产,需要频繁开启关闭阀门,加上硅粉硬度高,
石油化工自动化 2010年5期2010-01-12
- 全国最大“双料”生产基地落户河北邢台
化钾和4万吨三氯氢硅，分两期实施，一期建成后可实现年产3万吨氢氧化钾和2万吨三氯氢硅。项目建成后，加上现有氢氧化钾产能，届时邢矿集团将成为全国最大的钾碱生产基地和三氯氢硅生产基地之一。三氯氢硅是制造半导体和太阳能电池及多晶硅等光伏材料的基础原料。由于新能源太阳能光伏产业的迅速发展，以三氯氢硅为原料的新能源、有机硅产业成为国家鼓励支持的项目。据有关方面预测，全球对多晶硅的需求量与日俱增，造成三氯氢硅供应严重短缺。未来5年，我国三氯氢硅的消耗量将达到120万吨
中小企业管理与科技·中旬刊 2009年2期2009-04-26