抛光液_参考网

钛镍合金丝材电解抛光工艺的研究①

。 目前常用的抛光液体系为酸-醇体系［1-3］，如硝酸-正丁醇［4］、硫酸-甲醇［5］等，该体系抛光效率高、效果好，但腐蚀性强、危险系数高，在基础抛光液中加入如氟化铵［6］、柠檬酸［7］、乳酸［8］、三乙醇胺［9］等添加剂能进一步优化抛光效果。针对钛镍丝材粗糙表面引起的腐蚀、溶血问题，本文以酸-醇抛光液为基础抛光液、有机酸和醇为添加剂，研究抛光液成分对钛镍合金丝材抛光效果的影响，以获得适宜的抛光液成分，提高钛镍丝材的表面质量、抗腐蚀性和生物相容性。1 实验

矿冶工程 2023年6期2024-01-20

4-羟基苯甲酸对DSTI 化学机械抛光SiO2/Si3N4 去除选择性的影响

P 过程中要求抛光液对SiO2和Si3N4具有较高的去除选择性，以保证将沟槽外的HDP-SiO2层彻底去除，Si3N4层则被保留下来[5-7]。如图1 所示，传统STI CMP 工艺需要通过刻蚀将大块有源区去除，操作工序复杂，并且容易导致严重的碟形化现象。此外，传统STI 采用SiO2基研磨液，对SiO2/Si3N4的去除速率选择比(下文用N 表示)较低，直接浅沟槽隔离(DSTI)CMP 则采用CeO2基研磨液，具有较高的SiO2/Si3N4去除速率选择比

电镀与涂饰 2023年13期2023-08-05

指向“变化观念”的元素化合物教学

念；硝酸；抛光液；实验探究文章编号： 1005-6629（2023）02-0049-06 中图分类号： G633.8 文献标识码： B 化学乃变化之学，通过化学变化创造物质是化学学科的核心及价值所在，故而“变化观念”成为高中化学学科核心素养的主要内容之一。2020年秋投入使用的苏教版高中化学教材（以下称“新教材”）在编排顺序、内容选择和呈现方式等方面做了较大的调整，如何整合新教材内容，合理培育“变化观念”是我们需要面对并要解决的问题之一。

化学教学 2023年2期2023-03-08

工艺参数对GLSI铜互连阻挡层CMP抛光效果的影响

)铜CMP用的抛光液成分复杂，并且含有毒缓蚀剂苯并三氮唑(BTA)及其衍生物，给CMP后的清洗带来困难，也容易造成环境污染[10]。此外，现有抛光液还含有易分解变质的氧化剂H2O2等。因此开发组分简单、稳定、对环境污染小的抛光液及配套工艺极其重要。基于上述背景，本课题组研发了无缓蚀剂、无氧化剂的弱碱性阻挡层抛光液。本文主要研究了磨料质量分数、抛光液体积流量、抛头转速和抛盘转速对阻挡层材料和图形片抛光效果的影响。1 实验1.1 设备和材料采用华海清科股份有限

电镀与涂饰 2023年1期2023-02-06

基于响应面法的单晶硅CMP抛光工艺参数优化＊

CMP过程中，抛光液中的组分能够与晶片表面发生化学反应，提供主要的化学作用，而抛光工艺参数则决定了磨粒与晶片之间的机械作用，也是决定抛光效果的主要因素之一[8-9]。因此，要获得好的抛光表面质量和较高的材料去除率，需对抛光参数进行综合控制[10]。而CMP机理复杂，抛光参数彼此间具有交互作用，获得最佳工艺参数有很大的难度。莫益栋等[11]通过正交试验对TFT-LCD玻璃基板精细雾化抛光的工艺进行优化并获得了最佳工艺参数。季军等[12]采用四因素三水平的正交

金刚石与磨料磨具工程 2022年6期2023-01-28

不锈钢振动辅助力流变抛光

，且所用的化学抛光液与环境亲和度低。EP和ECMP需要复杂的加工装置，且电流扰动对加工过程影响大。为进一步提高抛光质量及效率，本课题组提出了剪切增稠抛光(shear-thickening polishing, STP)[7-8]。STP是一种基于非牛顿流体抛光液的剪切增稠特性的抛光方法，已在不同合金表面取得了较好应用[9-12]。近年来，针对更加复杂的超精密抛光需求，课题组在STP的基础上提出了力流变抛光(shear rheological polishi

哈尔滨工业大学学报 2023年1期2023-01-11

基于稳定pH值的硅衬底晶圆抛光液成分优化

值的硅衬底晶圆抛光液成分优化许宁徽，李薇薇，钱佳，孙运乾（河北工业大学 电子信息工程学院，天津 300401）目的 探究不同配比方案配制pH值相同的抛光液对抛光去除速率、抛光液寿命和表面粗糙度的影响，优化硅衬底晶圆抛光液，使其满足半导体产业的发展要求。方法 以二氧化硅水溶胶为磨料，通过设置有机碱、pH缓冲剂、pH稳定剂的不同配比来调节和稳定抛光液的初始pH值（11.0～12.0），在最佳工艺参数下循环使用抛光液对2英寸（1英寸≈2.54 cm）硅衬底晶圆进

表面技术 2022年12期2023-01-09

铜互连CMP工艺中缓蚀剂应用的研究进展*

CMP过程中，抛光液起着至关重要的作用，其各个组分发挥的作用不同，各化学添加剂的选择以及含量的变化都会极大地影响抛光效果。而抛光液中的缓蚀剂可以通过螯合成键、沉积保护、物理或化学等吸附方式，降低铜表面凹处的化学腐蚀与溶解，在凹凸区域形成去除速率差，进而实现铜互连的纳米级平坦化[8]。为了满足集成电路技术节点不断降低对抛后表面质量越来越高的要求，国内外科研人员对缓蚀剂的选择及其机制进行了大量的研究。本文作者首先介绍了铜互连CMP中缓蚀剂的作用机制，并阐述和归

润滑与密封 2022年12期2022-12-28

关于铜及铜合金化学抛光工艺的改进和提高探讨

目前铜合金化学抛光液主要分为以下几类：2.1 硝酸及硝酸盐系列该系列抛光液是将硝酸与铜进行氧化、还原，以达到光亮、腐蚀的目的。其基本原理是：硝酸首先将铜氧化，然后让一氧化铜与酸发生中和反应。抛光液中的硝酸可作为缓蚀剂，硝酸可以在铜及铜合金的表面生成一层液膜，使铜和铜合金表面的凹陷部分快速溶解，使其达到光滑平整的效果。其它酸性物质在抛光溶液中的作用是在加速溶解的同时增加表面亮度。为了解决“三酸”在抛光中所产生的“黄烟”，采用了一种新型的硝酸盐化学抛光溶液。在

科海故事博览 2022年32期2022-12-18

不同表面活性剂对铜互连阻挡层CMP 一致性的影响

大小、抛光垫、抛光液成分以及抛光工艺等因素都会影响晶圆表面的一致性及去除速率,可以通过调整抛光液成分和抛光工艺进行控制[8-9]。作为抛光液必要组分之一的表面活性剂,在抛光液的分散性、颗粒的吸附、抛光后清洗及金属离子污染等方面具有积极影响,因此合理利用表面活性剂可以提高晶圆表面的平坦化性能,提高传递速率[10-11]。李若津等[12]研究发现,在碱性抛光液条件下,表面活性剂在控制材料去除速率和蝶形坑修正等方面起到积极作用。Xu 等[13]研究发现适当浓度的

电子元件与材料 2022年10期2022-12-03

聚乙二醇对浅沟槽隔离中SiO2和Si3N4化学机械抛光速率选择性的影响

采用CeO2基抛光液，相对于SiO2抛光液而言，其具有较高的SiO2抛光速率，以及较高的SiO2和Si3N4去除速率选择比，但依旧难以满足SiO2和Si3N4去除速率选择比大于30∶1的要求[9-11]。所以需要在CeO2基抛光液中添加合适的添加剂，通过降低Si3N4的去除速率来实现高的选择比[12]。Cho等人[13]研究了阴离子表面活性剂聚丙烯酸(PAA)对STI CMP过程中SiO2和Si3N4去除速率选择比的影响，发现pH为6.5时随着PAA分子量

电镀与涂饰 2022年21期2022-11-25

锗化学机械抛光工艺中绿色环保氧化剂的研究

光是在不断喷淋抛光液下，对锗晶片进行机械抛光。抛光过程中，锗晶片的表面与抛光液中的氧化剂发生氧化反应，生成可溶解的氧化物；同时，在机械研磨的作用下，通过抛光垫、晶片和磨料的相对运动，把锗表面软的腐蚀层去除掉，使表面的锗材料在机械研磨作用下从基材上脱落，从而实现表面抛光的效果。当化学腐蚀作用和机械研磨作用达到平衡时，锗晶片表面呈现出表面粗糙度极低的光亮的镜面。由于化合物电池需要在锗单晶衬底上进行异质结外延GaAs等材料，所以对锗单晶抛光片的表面质量和几何精度

云南化工 2022年10期2022-11-05

精细雾化抛光TC4钛合金抛光液优化研究*

O2组成的简单抛光液。ZHANG等[9]研发了由氧化硅、去离子水、过氧化氢和柠檬酸组成的环保型抛光液，探究了过氧化氢含量和pH值对TC4钛合金CMP的影响，并利用电化学和X射线光电子能谱(XPS)研究了抛光机制。LIANG等[10]研究了TC4钛合金CMP中材料去除率随抛光压力、转盘转速和过氧化氢含量变化规律，并建立了等效电路来解释钛合金表面的动态氧化特性。抛光液是影响CMP质量的关键因素之一，其一般由磨料、氧化剂、络合剂、pH调节剂和表面活性剂等组成，各

润滑与密封 2022年10期2022-11-03

抛光工艺对晶片表面粗糙度的影响

光工艺参数，如抛光液粒度、抛光压力、抛光液流量和工作台转速等，最终达到降低抛光后晶圆的表面粗糙度。1 硅片表面粗糙度的评定晶片表面粗糙度是指晶片表面具有的较小间距和微小峰谷不平度。它属于微观几何形状误差，表面粗糙度越小，则表面越光滑；反之，则表面越粗糙。粗糙度轮廓的算术平均偏差Ra——在一个取样长度内纵坐标Z(x)值绝对值的算术平均值，如图1所示。图1 轮廓的算术平均偏差其计算公式为：式(1)中：Z(x)为取样长度内的硅片基体表面结构的轮廓曲线函数；Lr为

电子工业专用设备 2022年3期2022-09-09

5083铝合金绿色化学机械抛光液对表面粗糙度的影响及机理分析

金绿色化学机械抛光液对表面粗糙度的影响及机理分析宋晓明1，张振宇1,2，刘杰2，李玉彪2，赵仕程1，徐光宏2（1.齐鲁工业大学 机械工程学院，济南 250353；2. 大连理工大学，辽宁 大连 116024）为提高5083铝合金的表面质量，研制一种环境友好型化学机械抛光液，并分析5083铝合金化学机械抛光液对表面粗糙度的影响及作用机理。使用绿色环保的化学机械抛光液对5083铝合金进行化学机械抛光。采用单因素控制变量法，分析不同的pH调节剂类型、pH值以及过

表面技术 2022年5期2022-05-28

磁流变抛光液制备过程中的气泡动力学模型

024)磁流变抛光液是一种力学性能受磁场调控的固-液混合智能材料，具有绿色、环保和智能可控等优点，成为磁流变抛光、磁射流抛光以及多物理场辅助液体助喷射抛光的关键介质材料[1-2]。然而，磁流变抛光液制备时容易产生固相颗粒凝聚、结块及沉降等现象[3]，必须辅助以颗粒分散工艺进行均质。如何提升现有磁流变抛光液的制备理论及工艺已成为限制其发展的瓶颈问题。传统的物理分散方法如机械叶片搅拌和球磨搅拌等，耗时长、精度低、可控制差，很难将固相颗粒均匀地分散于基液中[4]

太原理工大学学报 2022年3期2022-05-24

新型抑制剂对铜膜CMP 后碟形坑与蚀坑的影响

MP 过程中,抛光液的组分是获得高质量晶圆表面的决定性因素[5-8]。铜互连布线本身存在的凹凸结构会导致CMP 后图形片表面产生碟形坑、腐蚀坑等缺陷,如图1 所示。这些缺陷会对产品良率造成极大的影响,因此如何解决这些缺陷至关重要,目前国际上通常采用在抛光液中加入抑制剂来解决这一难题[9-11]。苯并三氮唑(BTA) 是目前应用最广泛的抑制剂,在CMP 过程中,BTA 能够与Cu 结合形成一种吸附膜附着在Cu 表面,使Cu 表面的腐蚀效果大幅减弱[12]。但

电子元件与材料 2022年12期2022-02-08

超声波精细雾化抛光石英玻璃的抛光液研制*

不同工艺参数和抛光液组分对石英玻璃抛光的影响并分析了抛光过程中的材料去除机制。WAKAMATSU等[10]研究了抛光压力和抛光液浓度对石英玻璃基片去除率和表面状况的影响，并最终获得了高表面质量和高材料去除率的玻璃基片。但是这些传统的抛光方式存在一定的弊端，其抛光液用量大，废液处理成本高，回收后抛光液的抛光能力下降以及对环境污染严重等。超声波精细雾化抛光已在国内发展十余年，期间完成了陶瓷、硅片和蓝宝石等材料的超精密加工[11-13]，其可在低抛光液用量下实现

润滑与密封 2021年11期2022-01-17

C面蓝宝石抛光液组分优化

，如何通过改变抛光液成分等参数来提升这两个指标，是研究者们共同关注的问题。近年来，国内外学者对蓝宝石抛光液进行了诸多研究。陈国美等[4]研究了两性离子表面活性剂月桂酰胺基烷基甘氨酸(N-Lauroylsarcosine，NL)(上海国药产)在抛光液pH值为6～12时对A面蓝宝石晶片CMP抛光效果的影响，当抛光液pH值为12时，材料去除率达最大值2 202 nm/h，抛光表面的表面粗糙度为0.807 nm。崔雅琪等[5]研究了在抛光液中分别添加非离子表面活性

人工晶体学报 2021年12期2022-01-14

新型高硬度硅溶胶的制备及其在化学机械抛光中的应用

械平坦化工艺中抛光液起重要作用[4-6]。抛光液中普遍采用纳米SiO2水溶胶（简称硅溶胶）作为研磨料。张雷等[7]通过化学沉淀法对硅溶胶进行了铈锆改性，研究了不同铈锆掺杂量的CeO2/ZrO2硅溶胶复合磨料对蓝宝石的抛光效果。王丹、Sideq Salleh 等[8-9]研究了球形和非球形硅溶胶的尺寸和形状及其对蓝宝石和铝合金镀镍（Al-NiP）硬盘基板的抛光效果，发现非球形硅溶胶显示出明显更高的材料去除率。魏震等[10]介绍了硅烷偶联剂KH550 在酸性条

表面技术 2021年11期2021-12-09

化学机械抛光技术研究现状及发展趋势

，对抛光设备、抛光液、抛光垫的构成及主要作用和研究现状进行了综述，对CMP技术未来的重点发展方向进行了展望．1 CMP系统组成和工作原理与传统的纯机械抛光和纯化学抛光的工艺相比，CMP有效的结合了两者的优点，避免了由单纯机械抛光造成的表面损伤及单纯化学抛光造成的抛光速率低、表面平整度低和一致性差的缺点．CMP系统主要由抛光设备、抛光液和抛光垫三个部分组成，其工作原理如图1所示．图1 CMP工作原理示意图Fig.1 The operating princip

材料研究与应用 2021年4期2021-12-09

AEO表面活性剂EO加成数对铜互连阻挡层抛光液的影响

活性剂用来降低抛光液的表面张力[11]。Zhang等[12]研究FA/O I型活性剂抑制Cu表面的化学反应。Xu等[13-14]研究ADS和AEO可降低铜CMP中的WIWNU和表面粗糙度。Stoebe研究表面活性剂的亲水性和铺展性能会随着EO基团的增加而变差[15]。本文研究了AEO不同EO数对抛光液润湿性和分散性影响。1 实验部分1.1 材料与仪器硅溶胶(纳米SiO2，pH值约9，平均粒径约为 61.3 nm)，湖北金伟新材料科技有限公司；AEO表面活性

应用化工 2021年9期2021-10-18

柠檬酸钾对铜、钴和TEOS去除速率及选择性的影响

.2 抛光实验抛光液以5%的胶态二氧化硅作磨料，5 mL/L的过氧化氢，柠檬酸钾作络合剂，TT-LYK作抑制剂，抛光液的pH值调节剂选用了HNO3和KOH。采用E460抛光机进行抛光实验；抛光机配备了Politex抛光垫。抛光工艺参数见表1。每次抛光前后，使用硬毛刷和去离子水对垫冲刷清洗300 s，每种材料的抛光时间均为1 min，抛光后用氮气吹干。利用抛光前后晶圆片膜厚的差值计算其去除速率。表1 抛光工艺参数(1)其中，V为去除速率，h1指材料抛光前的厚

应用化工 2021年9期2021-10-18

抛光液添加剂协同作用对铜互连阻挡层CMP 后碟形坑及蚀坑的影响

剂的碱性阻挡层抛光液中,非离子型表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)能够有效控制碟形坑和蚀坑,提高晶圆表面的平坦化效果。在前人研究的基础上,本文研究了促进剂柠檬酸钾(CAK)和FA/O Ⅱ型络合剂协同作用对材料去除速率、碟形坑和蚀坑修正的影响;对比四种不同浓度的磨料、络合剂和柠檬酸钾(CAK)抛光液的材料去除速率,提出了其协同作用的机理,对降低碟形坑和蚀坑缺陷,提高CMP 后平整度具有重要意义。1 实验1.1 材料实验所用晶圆为直径12 英寸(30.48

电子元件与材料 2021年8期2021-08-29

磁流变抛光中表面彗尾状缺陷的生成与演变行为

粒与抛光颗粒的抛光液在磁场的作用下在抛光轮上形成柔性抛光缎带，抛光过程中柔性缎带作为抛光工具随抛光轮的旋转运动划过工件表面，通过抛光液缎带中的抛光颗粒与工件的微观剪切作用达到去除材料的目的。由于柔性接触，抛光过程中单个抛光颗粒所受的正压力约为10-7N，远小于传统抛光中所承受的正压力［7］。微小的正压力使磁流变加工脆性材料时的材料去除能保持在塑性域范围内，因而能最大限度地避免抛光过程中光学元件亚表面损伤的生成，保障表面质量［8］。磁流变抛光是一种新兴的超精

光学精密工程 2021年4期2021-07-03

不锈钢表面抛光质量的影响因素和改善措施

间存在的微米级抛光液研磨与腐蚀的共同作用，使被加工钢板获得光泽的表面[1-3]。化学机械抛光过程中影响表面质量的因素很多，要获得无表面缺陷、光泽度高和粗糙度低的加工表面，就需要对抛光过程中易产生的表面缺陷和过程参数进行控制[4-5]。本文通过对生产实践中抛光缺陷产生的原因进行分析，并通过技术改进解决和提升了抛光后的钢板表面质量。1 影响不锈钢抛光板表面质量的因素产生不锈钢冷轧BA板抛光质量差的主要原因为成品表面存在磨头花和暗纹，表面光泽度不够，表面粗糙度高

山西冶金 2021年2期2021-05-26

钇铝石榴石晶体化学机械抛光液成分优化研究 *

与硅溶胶的混合抛光液抛光YAG多晶，通过改变纳米金刚石磨料与硅溶胶的配比调整机械作用与化学作用强弱。结果表明：使用含0.67%(质量分数，下同)的纳米金刚石磨料和16.7%的硅溶胶混合抛光液对YAG多晶进行抛光，可以获得表面粗糙度为0.56 nm的光滑表面。该方法虽然同时兼顾了抛光后YAG晶体的表面质量和加工效率，但抛光后YAG晶体表面仍会存在较多的微划痕和较大的亚表面损伤，影响激光器性能。李军等[9]研究出了一整套的YAG晶体的加工工艺流程，首先采用28

金刚石与磨料磨具工程 2021年2期2021-05-25

一种电镀锡前处理工艺

品在电镀前通过抛光液对产品进行抛光，将产品铜材表面的油污、以及氧化层去除，能够使得铜材表面平滑光亮，达到镀层光亮，与基材结合力好、可焊性好的目的。目前市场上通常采用两种方式进行抛光：①除油→抛光；②抛光（内加除油剂）。这样的方式增加企业的运行成本，工艺也比较繁琐。本工艺则采用一种新型抛光液配制方法，其中内含：电镀锡废液、硫酸、冰醋酸。同时电镀废液再利用也降低污水排放，达到了节能降耗、工艺简化的目的。1 电镀锡前处理工艺流程1.1 抛光液的配制工艺抛光液的配

缔客世界 2020年8期2020-12-11

氮化硅滚子化学机械复合抛光工艺参数与表面粗糙度的关系

同温度的磁流变抛光液，探究主轴转速和磁流变抛光液的温度对氮化硅陶瓷滚子表面粗糙度的影响，确定各参数对氮化硅陶瓷滚子表面粗糙度。1 实验装置与原料1.1 实验装置针对氮化硅陶瓷滚子性能，采用化学—机械复合抛光实验机对氮化硅陶瓷滚子进行抛光处理。该复合抛光制粒机主要由超声振动系统、升降系统、磁流变抛光液存放系统及辅助抛光系统组成，结构简图如图1 所示。(1) 超声振动系统：由超声换能器、超声工具头组成，用于发射超声波对氮化硅陶瓷滚子进行作用。(2) 升降系统：

中国陶瓷工业 2020年5期2020-10-16

磨粒和抛光垫对铝合金化学机械抛光性能的影响

]。CMP是将抛光液中各种添加剂的化学腐蚀与磨粒及抛光垫的机械磨削相互作用的超精密加工技术，其基本原理是旋转的铝合金样品被压在旋转的抛光垫上，含有氧化剂、络合剂的抛光液与样品表面产生化学反应，生成一层较软的钝化层，磨粒与抛光垫对钝化层进行机械去除，样品表面材料在抛光液的化学作用与磨粒、抛光垫机械作用下交替进行，直到达到两者平衡。张泽芳等[3]研究了氧化铝单一磨粒对铝合金化学机械抛光作用的影响，随着氧化铝粒径的增大，铝合金表面的粗糙度将会增大，同时光泽度下降

科学技术与工程 2020年16期2020-06-30

3D玻璃抛光液的制备及其性能研究

目前3D 玻璃抛光液的制备有3 种技术方案：第1 种是CeO2抛光粉直接加水稀释至所需使用浓度；第2种是将抛光粉与分散剂、悬浮剂、表面活性剂、抛光助剂、pH 调节剂等配制成所需使用浓度的抛光液；第3种是将抛光粉与分散剂、悬浮剂、表面活性剂、抛光助剂、pH 调节剂等配制成浓缩液，再稀释成所需浓度。1 原理影响CeO2抛光效果的因素有：CeO2颗粒的粒径，形貌、硬度、晶型及颗粒在浆液中的悬浮性、分散性。带有棱角的片状CeO2颗粒对玻璃表面的磨削作用强，抛光效果

化工设计通讯 2020年4期2020-05-15

让铝合金闪闪发亮

1，将铝件放入抛光液，并将抛光液放入水浴锅进行抛光。用等离子水清洗铝件表面，出光。之后再用等离子水清洗铝件表面后用烘箱烘干，称量铝块质量 m 2。五、实验结果1. 酸的选择及酸含量比例对抛光液抛光效果的影响传统化学抛光液中含有硝酸，抛光时会产生氮氧化物气体，不仅影响人的健康，还会污染环境，所以我想改用双酸（即磷酸、硫酸）。通过查阅文献得知，双酸的含量比例决定了抛光溶液的效果。硫酸能使抛光更加平整化、均匀化，但过量会产生白色麻点，抛光效果不理想。而磷酸对实验

发明与创新·中学生 2020年2期2020-04-13

让铝合金闪闪发亮 ——铝合金表面形貌与结构调控工艺条件优化与性能测试

1，将铝件放入抛光液，并将抛光液放入水浴锅进行抛光。用等离子水清洗铝件表面，出光。之后再用等离子水清洗铝件表面后用烘箱烘干，称量铝块质量m2。称量药品五、实验结果1.酸的选择及酸含量比例对抛光液抛光效果的影响传统化学抛光液中含有硝酸，抛光时会产生氮氧化物气体，不仅影响人的健康，还会污染环境，所以我想改用双酸（即磷酸、硫酸）。通过查阅文献得知，双酸的含量比例决定了抛光溶液的效果。硫酸能使抛光更加平整化、均匀化，但过量会产生白色麻点，抛光效果不理想。而磷酸对实

发明与创新 2020年6期2020-01-09

单晶硅同质互抛实验研究

P)技术是利用抛光液中的化学成分与抛光件表面发生化学反应生成氧化层，并通过抛光液中磨粒的磨削作用去除硬度较小的氧化层，通过不断地重复上述过程，最终得到光滑的表面[6]。CMP技术几乎是目前唯一的全局平面化技术，且已得到了广泛的应用。尽管CMP技术发展的速度很快，但需要解决的理论及技术问题还很多，如CMP加工材料去除机理，以及抛光液、抛光垫、工件三者之间的物理化学作用、接触力学作用、化学腐蚀和氧化作用、润滑作用和机械作用的平衡关系等。关于硅衬底抛光工艺面临的

中国机械工程 2019年23期2019-12-17

硫系红外玻璃的抛光工艺研究*

抛光。通过分析抛光液pH值、抛光盘转速、抛光液磨料浓度、抛光压力、抛光时间和抛光液流量等参数对化学机械抛光的影响，得到ZnSe晶片抛光后的表面粗糙度Ra为0.578 nm，平面面形误差小于1.8 μm。文献[12]对硫化锌晶体进行磨削加工，采用正交实验法对影响加工参数进行优化，最终得到的硫化锌晶体表面粗糙度Ra最小值为7.6 nm，面形误差为0.185～0.395 μm。文献[13]使用化学机械抛光技术对硫化锌晶体抛光，抛光垫使用聚氨酯和毛毡，抛光液使用A

西安工业大学学报 2019年4期2019-08-05

水基抛光液的分散性改善方法和应用研究综述

料、水基性复合抛光液等。在化学机械抛光(CMP)中，纳米粒子的机械研磨作用与抛光液的腐蚀作用相协同，对材料表面进行超精密加工，可实现被加工器件表面的全局平面化。采用CMP技术时，抛光液的性能对抛光的表面质量有显著影响。目前，国内用于CMP的抛光液以进口为主，急需开发国产新型抛光液并提高抛光液的质量。水基复合抛光液是现在应用较多的环保型抛光液，主要由水、磨料和分散剂组成，有的还含有氧化剂、表面活性剂、络合剂、润滑剂、抑制剂等。很多光学器件、光伏材料、光学玻璃

中原工学院学报 2019年1期2019-03-15

雾化施液同质硬脆晶体互抛CMP工艺研究

果表明仅仅改进抛光液中化学物质的组分和改变抛光参数提高机械摩擦作用对无损伤超光滑表面的形成的帮助是远不够的[8]。事实上也证明，抛光液中磨料纳米颗粒的团聚划伤以及在抛光过程中基片上过量的抛光液的不均匀腐蚀作用，也正是造成基片表面质量不高的主要缘由之一，必须加以控制和改进[9]。针对传统化学机械抛光过程中存在的诸多问题如团的聚纳米浆料粒子易划伤抛光表面，抛光垫表面磨粒分布不均匀，被抛光工件表面残留浆料不易清洗，抛光成本高，浆料废液难处理、污染环境等[10]问

人工晶体学报 2019年2期2019-03-15

化学机械抛光（CMP）用抛光液中CeO2磨料专利申请趋势分析

光（CMP）用抛光液中CeO2磨料相关技术的全球专利申请及中国专利申请进行了分析，探讨了CeO2磨料在全球及中国的申请量趋势、全球及在华不同国家申请量比例和重点申请人的申请趋势及排名等，以期为国内研究者提供有价值的专利信息参考。关键词：化学机械抛光；抛光液；CeO2磨料中图分类号：TG580 文献标识码：A 文章编号：1003-5168（2018）07-0140-03Analysis of the Trend of Patent Application a

河南科技 2018年7期2018-09-10

化学机械抛光304不锈钢用抛光液成分研究

学机械抛光中，抛光液是重要组成部分，对抛光效果起关键作用，且其成本占总抛光成本的60%～70%。因此，研究环保高效的化学机械抛光液是化学机械抛光中研究的重点。目前，国内外对化学机械抛光不锈钢方面的研究，集中在温度、压力、转速、时间等抛光工艺参数，抛光液pH值，氧化剂，缓蚀剂等方面来提高抛光速率和表面质量[14-15]。本研究采用单因素实验研究不同氧化剂在不同pH值下的材料去除率和表面粗糙度，找出最佳的pH值；在此pH值下，研究各氧化剂含量对抛光效果的影响，

金刚石与磨料磨具工程 2018年2期2018-05-11

哈氏合金基带电化学抛光液的制备及性能

2500电化学抛光液。近年来，国内也研制出多种电化学抛光液[10-12]，但它们对这类带材合金的抛光效果较差，往往会出现弱抛或过抛现象，使哈氏合金基带产生较多的缺陷，抛光效果不理想。针对上述问题，笔者研制了一种用于第二代高温超导带材的电化学抛光液，并已获得专利授权[13]。本文在前期研究和查阅电化学抛光液相关文献[14-15]的基础上，采用自制抛光液对哈氏合金基带进行电化学抛光，并与EP2500抛光液的抛光效果进行了对比。1 哈氏合金基带的电化学抛光工艺1

电镀与涂饰 2018年8期2018-05-09

精细雾化抛光氮化硅陶瓷的抛光液配制参数优化

和水基二氧化铈抛光液浓度对氮化硅陶瓷表面粗糙度的影响[5]；邓朝晖等应用化学机械抛光在数控坐标磨床上对氮化硅陶瓷回转曲面零件进行了超精密加工工艺实验研究[6]。但是这些传统的抛光也存在着一些问题：抛光液的成本较高，消耗较大，造成资源的浪费；未经处理的抛光液大量排放到自然界会造成环境污染；抛光液在工件表面的团聚影响了工件表面的加工质量[7-8]。本课题组改进传统CMP的施液方式，提出了超声精细雾化CMP的工艺方法，其雾化抛光效果与传统抛光效果接近，但抛光液用

材料科学与工程学报 2018年2期2018-05-08

专利名称：一种Cr-Mo钢EBSD样品的制备方法

同粒度的金刚石抛光液以及三氧化二铝抛光液抛光，再采用线切割机将机械抛光后的试样厚度减薄为3 mm，用无水乙醇清洗去除试样上的油污，之后采用50 nm粒度的抛光液将上述试样的待测面继续抛光1～4 min，将抛光好的试样放入无水乙醇中清洗，吹干，得到用于EBSD分析的试样。本发明工艺简单，试样的制备只采用机械抛光即可，不需要专用电解抛光设备，制样成本低，样品符合EBSD分析要求。

中国钼业 2018年2期2018-01-30

不锈钢CMP抛光液的研制

CMP过程中，抛光液中的氧化剂会与工件的表面发生化学腐蚀，形成一层较薄且容易去除的膜，抛光液中的磨料和抛光垫可以与该薄膜摩擦，使其脱离工件表面，从而实现表面材料的去除。由于工件表面凸起和凹陷区域的机械作用有所不同，凸起处的摩擦作用大、去除率高，而凹陷处摩擦作用小、去除率低，从而逐渐达到表面平整光滑的效果。将CMP技术用于不锈钢的表面加工，可获得纳米甚至亚纳米级的表面粗糙度[3-4]。在CMP中，最为主要的耗材就是抛光液，它占整个工艺成本的百分之四十左右，是

机械设计与制造 2018年1期2018-01-19

医用镍钛合金的电解抛光进展

流行的三类电解抛光液体系:酸-酸体系、酸-醇体系和醇-盐体系以及其主要成分,分析了在不同电解抛光液体系成分下电解抛光液浓度、抛光温度和抛光电压等条件的改变对抛光效果(粗糙度、耐腐蚀)以及抛光效率的影响,进一步比较了不同电解抛光液体系的优缺点,并综述了电解抛光原理机制及其技术的新发展.镍钛合金; 电解抛光; 电解抛光液; 原理镍钛合金具有独特的形状记忆性、超弹性、良好的力学性能、耐摩擦、耐腐蚀性能以及生物相容性,使得其成为医学上制造血管支架的理想材料,日益受

有色金属材料与工程 2017年5期2017-11-13

用氟化钠脱除失效磷酸基抛光液中铝的研究*

脱除失效磷酸基抛光液中铝的研究*郭昌明，吴君，崔学民，黎铉海，韦柳团（广西大学化学化工学院，广西南宁530004）研究利用氟化钠与失效磷酸基抛光液中的铝形成难溶的氟化物，从而脱除抛光液中的铝使其再生。在反应温度为60℃、反应时间为40min、氟化钠用量为化学计量的1.3倍、静置时间为1.5 d条件下，失效磷酸基抛光液中铝的脱除率可达98%以上。该脱铝工艺操作简便，铝脱除率高，还可副产工业级冰晶石，具有良好的应用前景。失效磷酸基抛光液；氟化钠；铝磷酸基化学抛

无机盐工业 2017年6期2017-06-24

碲锌镉晶体化学机械抛光液的研究

镉晶体化学机械抛光液的研究敖孟寒1,2，朱丽慧1，孙士文2（1. 上海大学材料科学与工程学院，上海 200072；2.中国科学院红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083）本文以硅溶胶为磨料颗粒、次氯酸钠（NaClO）为氧化剂制备适用于CZT晶片的化学机械抛光液。采用XPS能谱分析CZT表面元素化学态，研究CZT化学机械抛光过程中抛光液的化学作用机理，使用激光干涉仪、原子力显微镜研究抛光液中NaClO含量对晶片抛光速率、晶片表面PV值及表面粗糙度Ra

红外技术 2017年1期2017-03-26

抛光介质对镁合金化学机械抛光的影响*

涉仪研究了碱性抛光液中不同有机溶剂与无机溶剂包括乙二醇、聚乙二醇、去离子水和1%磷酸氢二钠水溶液对镁合金化学机械抛光效果的影响，测试了材料的去除率。结果表明，当采用乙二醇、聚乙二醇等有机溶剂作为抛光液的抛光介质时，能够有效改善镁合金在抛光过程中的点蚀现象，但材料去除率较低；采用去离子水作为抛光介质时，虽然材料去除率较高，但抛光后镁合金表面点蚀现象严重；采用去离子水作为抛光介质并添加1%的缓蚀剂磷酸氢二钠时，能够在保证材料去除率的同时，有效改善镁合金抛光后的

制造技术与机床 2016年6期2016-09-13

铝栅化学机械抛光工艺

130）探讨了抛光液组成和机械抛光工艺参数(包括抛光压力、转速、抛光液流速和抛光时间)对铝栅化学机械抛光过程中铝的去除速率的影响，确定抛光液的组成为：氧化剂H2O2 1.0%(体积分数，下同)，螯合剂FA/O II 0.4%，非离子表面活性剂FA/O I 2.0%，纳米硅溶胶磨料12%，pH 10。粗抛工艺参数为：抛光压力3.0 psi，转速50 r/min，抛光液流速250 mL/min，抛光时间240 s。精抛工艺参数为：抛光压力2.0 psi，转速4

电镀与涂饰 2015年21期2015-12-29

铝合金弱侵蚀镜面化学抛光工艺研究

高抛光效果，而抛光液中铝离子含量对溶铝量及过腐蚀均有显著影响，铝离子含量高，抛光液粘度大，溶铝量小，抛光速度慢，过腐蚀的倾向下降。铝合金；化学抛光；工艺因铝合金具有质轻、易于加工、耐腐蚀性好等优点，使其成为民用制品尤其是电子电器框架、外壳等部件的主要材料[1,2]。电子电器产品的铝合金框架、外壳等多要求镜面光亮，这类产品的加工量大，特别适宜自动化生产[3,4]。机械抛光和化学抛光是提高铝制品光亮度的主要方法[5,6]，其中，化学抛光工艺简单、快速、处理面积

武汉纺织大学学报 2014年3期2014-12-24

磁流变抛光液磁性颗粒体积分数在线检测装置研制*

流失等，会造成抛光液中的水分损失，引起磁流变抛光液成分变化，进而导致抛光的去除函数变化，影响加工精度。文献[2]采用“标准”磁流变抛光液抛光3 h，水分质量分数降低约0.5 %，导致峰值去除率增加约9 %。因此，必须对磁流变抛光液的成分进行稳定控制，为磁流变抛光的确定性加工提供保障。水和磁性颗粒是磁流变抛光液的主要组成成分，二者体积之和占到抛光液总体积的95 %以上，其中磁性颗粒体积分数一般在35 %～40 %之间，所以,可以通过抛光液中水分或者磁性颗粒的

传感器与微系统 2014年3期2014-09-20

电解质等离子抛光液中硫酸铵含量的检测方法

中性盐溶液作为抛光液，抛光液中盐的质量分数减小后可以直接补充抛光盐循环使用，能有效解决电解抛光和化学抛光中可能存在的污染以及废液难于处理的问题［1-3］，可以取代很多传统的抛光方法［4-5］.电解质等离子抛光是将金属工件浸入一定温度的中性盐溶液中，并对其施加正极性电压(250～400 V)，抛光液首先进入电解状态，同时整个电路会形成瞬时短路，在极短的时间产生以水蒸气为主的大量气体，在工件周围形成环绕工件表面的气层.由于气层的电阻远大于工件和抛光液，形成局部

材料科学与工艺 2014年2期2014-09-16

黄铜保持架的电抛光工艺

1.2 电抛光抛光液的组成：磷酸 60%～65%，硫酸 6%～10%，钝化剂 4%～8%，光亮剂A 5%～8%，光亮剂B 8%～10%，蒸馏水余量。(1)抛光工艺配制抛光液→抛光液通电预处理→工件抛光→流动自来水漂洗→Na2CO3溶液中和残留的抛光液→蒸馏水漂洗→乙醇脱水→钝化处理→成品。(2)工艺参数温度：30 ℃以下，电流密度：4～7 A/dm2,抛光时间：5～10 min，阴极为铅板。(3)抛光液预处理新配制的抛光液需要在低电流(1～2 A/dm2)

轴承 2014年11期2014-07-21

一种研磨抛光机供液系统的设计

不断的提供研磨抛光液，才能使工件持续、均匀地进行研磨抛光[1-2]。而含有磨料的研抛液需要被压紧在工件被加工表面上，通过这些磨料对加工表面的研磨达到研磨抛光的效果。因此研磨抛光液中的磨料是否均匀对于工件的加工表面质量至关重要。由于研磨抛光液中含有磨料，当抛光液流动一段距离或者停止流动，这些磨料往往会沉淀到底部，这样就会造成抛光液中的磨料太少，研磨效果不够或者研磨抛光液磨料混合不够均匀，在抛光时工件表面加工力度不一[3]。研磨抛光机的供液系统，在其工作时要求

湖北开放大学学报 2013年5期2013-10-11

蓝宝石化学机械抛光液作用机制研究

蓝宝石化学机械抛光液作用机制研究邢星1,2,3,王良咏2,3,刘卫丽2,3,谢华清1,宋志棠2,3,蒋莉4,邵群4,程继4,熊世伟4,刘洪涛4(1.上海第二工业大学城市建设与环境工程学院,上海201209;2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050;3上海新安纳电子科技有限公司,上海201506;4.中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,上海201203)研究了以硅溶胶为磨料的蓝宝石化学机械抛光液在抛光过程

上海第二工业大学学报 2013年3期2013-08-16

CMP抛光液供给及分布系统的研究

光材料的特性、抛光液、抛光垫等多种因素相关，这些因素对CMP过程的影响并不是孤立的，而是一个复杂的交互作用过程[1，2]。在CMP加工过程中，抛光液是影响加工质量最为关键的因素之一，必须精准控制和严格的分析[3]。在绝缘材料和金属材料的化学机械抛光（CMP）工艺中，抛光液的供给及分布系统会直接影响其流速及颗粒造成的缺陷。因此根据产品的技术节点选择合适的抛光液供给系统是十分关键的。抛光液供给最基本的要求：(1)要求供给系统不能对抛光液造成额外的污染；(2)供

电子工业专用设备 2013年6期2013-08-09

SiC（0001）面和（000-1）面 CMP抛光对比研究

i面使用碱性的抛光液、C面使用酸性的抛光液更有利于提高材料去除速率，也未能给出合理的实验解释[5]。本文将着重研究SiC衬底（0001）Si面和（000-1）C面在CMP工艺过程中使用酸、碱性改性抛光液时表现出来的抛光去除率和表面质量的差异，并合理分析产生这种差异原因。1 实验CMP抛光实验用晶片规格为：直径75 mm，晶向On-axis，晶型6H。实验所用的SiC晶体材料由本单位自行研制。碳化硅晶锭经多线切割、研磨、金刚石机械粗抛光等工序处理后得到本实验

电子工业专用设备 2013年4期2013-08-09

静电自组装制备复合磨粒及其对铜的抛光特性研究

种高质、高效的抛光液。包含固、液两相的抛光液影响CMP的化学腐蚀效应和机械去除效应，是晶片全局平坦化的一个关键因素。Yano等[1]较早地采用基于静电吸附的无机/有机复合磨粒抛光液对Al、Nb材料进行了CMP试验，弥补了单一磨粒抛光液材料去除率低、表面容易产生划痕等不足。陈志刚等[2]则采用液相沉淀工艺制备了粒径在150～200 nm的CeO2/PS复合磨粒，用于硅热氧化片表面的抛光。Armini等[3]的研究表明，通过静电作用形成的PMMA/SiO2复合

中国工程科学 2012年10期2012-08-18

抛光液中硝酸的测定

215211）抛光液中硝酸的测定杨斌（艾诺曼帝（苏州）金属包装有限公司江苏215211）铝制品表面处理加工中抛光液的硝酸主要起到钝化作用，延缓铝制品在处理中的酸侵蚀，起到保护的作用。因而硝酸的分析方法就显得尤为重要。本实验主要是用硫酸亚铁铵标准溶液滴定生产中使用的抛光液中硝酸，以进一步考察确定此分析方法是否适用于抛光液中硝酸的测定。硝酸硫酸亚铁铵标准溶液抛光液我公司抛光液中硝酸控制在2%～4%。因此，本实验考察范围为2%～4%硝酸测定的可行性和重现性。化验

天津科技 2011年1期2011-10-13

氮化硅陶瓷回转曲面零件化学机械抛光工艺实验研究*

:水基CeO2抛光液浓度为(5%～20%);抛光轮转速为6 000～10 500 r/min;抛光液流量为0.4～1 L/min;抛光总时间为4 h，粗抛为聚氨酯抛光轮，抛光时间为3 h;精抛为无纺布抛光轮，抛光时间为1 h;抛光过程中粗抛和精抛选用相同的工艺参数。自旋工作台转速为100 r/min。抛光过程中抛光轮始终与氮化硅表面之间保持一定的接触。表1 氮化硅陶瓷力学性能实验检测设备如下:JB－4C精密粗糙度测试仪，测量精度达到0.001 μm，能实现

制造技术与机床 2011年6期2011-09-28

氮化钛阻挡层化学机械抛光液的研究

]。1 氮化钛抛光液的选择抛光液是影响CMP质量的决定性因素，它既影响CMP的化学作用过程，又影响机械作用过程。抛光液的化学成分，能控制CMP过程中的pH，影响氧化物表面的带电类型和电荷量，决定表面水和过程等化学反应的过程；抛光液中的磨料，在压力的作用下与表面摩擦，影响反应物的去除速率。总之抛光速率，抛光后的表面质量，平整度等关键参数都很大程度上依赖于抛光液成分的组成。所以抛光液的配置是CMP工艺中的重要组成部分。在国际上，按pH分类，主要采用两类，即酸性

电子设计工程 2011年16期2011-03-28