本征
- (AlxGa1-x)2O3结构、电子和光学性质的第一性原理研究
性原理计算研究了本征缺陷对(AlxGa1-x)2O3电子和光学性质的影响。遗憾的是,该工作并未涉及Al浓度对结构和性能的影响研究,而Al掺杂浓度对于探究β-Ga2O3带隙变化原理至关重要。最近,Mondal等[15]从理论上确定了Ca掺杂α-Ga2O3的微弱p型电导率,为克服制备p型Ga2O3所面临的困难提供了新思路。然而,关于Al浓度与(AlxGa1-x)2O3性质之间的关系,尚缺乏深入研究。2014年,郑树文等[16]采用第一性原理方法分析了Al掺杂对
人工晶体学报 2023年9期2023-09-22
- Mn，Fe，Co掺杂GaAs电子结构与光学性质的第一性原理研究
研究时加入杂质在本征材料中，掺杂材料相较于本征材料而言，性能将得到一定程度的改善[4,5].就目前而言，未掺杂的GaAs性质有着诸多局限性，如对红外光的吸收率普遍较低，与热辐射器不能有效的相适应以及实际转换效率不高等问题[6-8]. 一些科研工作者对未掺杂和掺杂的GaAs化合物进行了理论和实验研究. 如Arabi等[9]利用第一性原理计算了四种结构(zinc-blende，sc16，cinnabar和Cmcm)的GaAs半导体材料的晶格常数、体积模量等.
原子与分子物理学报 2022年1期2022-12-07
- Generative Adversarial Network Based Heuristics for Sampling-Based Path Planning
布的旋转和SPP本征模表达式出发推导出几何相位.上述波导中的n阶SPP场量都具有如下形式：Fig. 4. The detailed structure of GAN model for promising region generation.B. Evaluation MethodsWe evaluate our model from two aspects. As an image generation problem, we evaluate the
- 深入理解VLAN 工作机制
标签的报文，打上本征 VLAN ID。对带VLAN 标签的报文，当VLAN ID 在接口允许通过的VLAN ID列表里时，接收该报文。发送报文：当VLAN ID 与本征VLAN ID 相同，且是该接口允许通过的VLAN ID 时，去掉VLAN 标签并发送该报文；当VLAN ID与本征VLAN ID 不同，且是该接口允许通过的VLAN ID 时，保持原有VLAN 标签，发送该报文。因为PC0 和PC2 之间需要通过trunk 链路，所以数据被打上PC0所接入
网络安全技术与应用 2022年9期2022-10-14
- 直链和单环共轭多烯本征行列式递推公式及本征能级的推导
链共扼多烯和轮烯本征多项式的一般表达式，找到了分子整体与其片段之间的分子图形和本征多项式的对应关系，获得了求解高阶久期行列式方法。由于唐-江方法涉及较多的群论、图论等数学知识，在本科教学中通常仅给出本征行列式的递推公式[4-7]，但教学过程中发现学生对公式表示难于理解，期望明白公式的来源。本文在早期工作的基础上[8-11]，用数学归纳法系统地对直链和单环共轭多烯本征多项式的递推公式及其三角函数表达式进行了重新推导，校正了一些常见的表达错误，推导过程仅需要初
大学化学 2022年7期2022-09-03
- 基于AKPCA 算法的井下WLAN 位置指纹定位
算法的关键环节是本征维数的计算与确定，本征维数选取的恰当与否直接决定了位置指纹定位系统的定位精度。 目前，对于本征维数的计算主要通过最大似然估计获得。 这一方式虽然计算效率高且无需准备大量经验数据，但由于该方法中的本征维数大小主要依赖于以数据中心点为半径的球形覆盖范围内近邻数据点固定个数L的取值，而L的取值又和井下定位巷道结构有一定的关系。 聚类划分后的位置指纹数据库被分为多个由不同巷道结构的参考点的位置指纹样本组成的子位置指纹图，如果此时设定相同的L，这
煤炭科学技术 2022年3期2022-04-29
- 基于第一性原理计算的ΙA族元素掺杂p型ZnO光电学特性研究*
第一性原理研究了本征ZnO和Li-N、Li-2N 共掺ZnO的电子结构, 发现共掺对载流子浓度提高很大，而对光学性质影响不大。然而，从理论上对于ⅠA族元素掺杂形成的p型ZnO光电学性质进行比较的相关研究并不多。本文利用第一性原理研究了Li、Na、K掺杂ZnO的光电学性质，对实现ZnO的p型转化具有一定的意义。1 模型及计算方法常温常压下，理想ZnO晶体结构是空间群为P63mc的六方纤锌矿结构，ZnO原胞模型中包含两个Zn原子和两个O原子，实验晶格常数为a=
功能材料 2022年2期2022-03-14
- Cu-N共掺β-Ga2O3的光电性质的第一性原理计算
所知，目前虽然对本征β-Ga2O3以及Mn、Ti等原子掺杂后β-Ga2O3体系的电子结构以及光学性质等物理特性已进行了相关的研究[10-13]，但对于Cu-N(N3-的离子半径与O2-相接近，是β-Ga2O3中很有前途的p型掺杂剂)共掺对β-Ga2O3的光学性质的研究目前还未被报道[14].因此本文利用第一性原理对本征β-Ga2O3以及Cu-N共掺后β-Ga2O3的晶格常数以及光电性质进行了相应的计算与研究，为后续的理论研究以及实验制备提供一定的理论参考.
原子与分子物理学报 2022年2期2022-03-04
- 含缺陷的二维CuI光电性质的第一性原理计算
计算上还未有人对本征CuI单层进行理论计算，为进一步探究二维CuI的基本物性，因此展开对二维CuI光电特性的研究显得尤为重要. 此外，由于γ-CuI在制备的过程中会不可避免的出现本征缺陷，进而影响材料的性能，因此探究本征缺陷对二维CuI的结构、光电特性的影响极具研究意义. 因此本文利用第一性原理计算并分析了本征缺陷对二维CuI的光电特性，为实验上进一步探究2Dγ-CuI提供一定的理论参考.2 计算模型与方法体相γ-CuI属于闪锌矿结构，其晶格常数为:a=b
原子与分子物理学报 2022年3期2022-03-04
- 面向本征图像分解的高质量渲染数据集与非局部卷积网络
级视觉问题，称为本征图像分解，该问题由Barrow和Tenebaum(1978)首次定义。在理想的漫反射环境中，一幅输入图像的每个像素可以分解为反照率和亮度的乘积。由于未知量的数目是已知量的两倍，从单个输入图像恢复场景的反照率成分和亮度成分是高度不适定的。但由于其巨大的应用潜力，这项任务一直受到学者们的广泛关注。之前的工作提出了各种基于先验和统计的模型，包括Retinex模型(Land和McCann，1971)、非局部纹理线索(Zhao等，2012)和全局
中国图象图形学报 2022年2期2022-02-28
- Be, Si 掺杂调控GaAs 纳米线结构相变及光学特性*
的生长方式制备了本征、Si 掺杂和Be 掺杂GaAs 纳米线, 对其结构和光学特性进行分析. Raman 光谱显示本征GaAs 纳米线存在一个明显的WZ 结构特有的E2 模式峰, 掺杂GaAs 纳米线的E2 模式峰明显减弱甚至消失. GaAs 纳米线的高分辨透射电镜(highresolution transmission electron microscope,HRTEM)及选区电子衍射(selected area electron diffraction
物理学报 2021年20期2021-12-23
- 扭转变形对掺金黑磷烯电子结构和光学性质的影响*
响.研究发现,与本征黑磷烯受扭体系相比,掺金黑磷烯体系的电子结构对扭转变形的敏感度提高.能带结构分析发现,本征黑磷烯是直接带隙半导体,金掺杂后,可实现其从半导体到金属的转变.掺金黑磷烯体系扭转1°后,带隙被打开,成为间接带隙半导体.随着扭转角的增加,本征黑磷烯体系的带隙增长缓慢,而掺金黑磷烯体系的带隙呈先减小后增加,再减小的趋势.从态密度分析发现,扭转角为0°—5°时,本征黑磷烯体系具有很强的sp 轨道杂化,s 轨道和p 轨道对导带和价带均有贡献,但p 轨
物理学报 2021年22期2021-12-09
- 基于APDL 语言的本征应变法重构激光冲击强化后的残余应力场
种应变被称之为“本征应变”或“固有应变”，是固体内部所有非弹性不可恢复应变的加和。Korsunsky 等[14]在此基础上提出本征应变的“可转移性”， 指出固体中的本征应变分布对于几何变化的敏感性要远小于对加工过程中参数变化的敏感性，即在保持加工参数不变的情况下，在简单几何体中得到的本征应变分布规律也适用于复杂几何体中，并根据本征应变分布重构了平板对接焊后的残余应力场，结果验证了“可转移性”的猜想。刘川等[15-16]使用本征应变法重构了搅拌摩擦焊后的铝合
电加工与模具 2021年5期2021-11-05
- Sc、Ce掺杂CrSi2的电子结构与光学性质的第一性原理
一性原理研究表明本征CrSi2是间接带隙半导体，能带计算结果为0.38 eV，La掺杂后带隙变为0.07 eV，掺杂后CrSi2的静态介电常数虚部介电峰向低能方向偏移且增强,光学吸收边向低能方向移动,吸收峰减小。据以往研究，掺杂Sc元素能有效提高材料的热电性质、光学性质和电导率[16-18]，Ce元素的引入能调控材料的磁学性质和导电性质[19-21]。本文采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法对Sc、Ce单掺、共掺CrSi2的几何结构、能带结构、态
人工晶体学报 2021年8期2021-09-22
- 随机势场对氢原子能量本征问题的影响
程得到体系的能量本征值及其对应的本征波函数,进而了解该系统中粒子的能量状态。但是大部分定态薛定谔方程无法精确求解,例如考虑外部干扰情形下的氢原子系统中电子的能量本征问题,数值解法的运用就显得十分重要。近年来,研究人员采用数值解法已求解了若干种外界影响下氢原子中电子的能级。其中,具有局部控制能力的B样条插值方法,通过调节其节点分布不但可以减少B样条基组数量,减少计算量,还可以设置重节点解决原子计算中遇到的奇点问题。作为一种强有力的数值解法,B样条插值方法一直
量子电子学报 2021年4期2021-08-17
- 基于深度学习的图像本征属性预测方法综述
于深度学习的图像本征属性预测方法综述沙 浩1，刘 越1,2(1. 北京理工大学光电学院，北京 100081；2. 北京电影学院未来影像高精尖创新中心，北京 100088)真实世界的外观主要取决于场景内对象的几何形状、表面材质及光照的方向和强度等图像的本征属性。通过二维图像预测本征属性是计算机视觉和图形学中的经典问题，对于图像三维重建、增强现实等应用具有重要意义。然而二维图像的本征属性预测是一个高维的、不适定的逆向问题，通过传统算法无法得到理想结果。针对近年
图学学报 2021年3期2021-07-12
- 再谈“PT 对称的非厄米体系的能谱性质”
是因为厄米算符的本征值为实数, 是可观测量. 而且量子态在厄米哈密顿量中随时间的演化是幺正变换, 保证几率守恒律[1], 然而对于PT对称(宇称-时间反演对称)的非厄米系统也可以具有实数本征谱[2]. 文献[3]基于PT对称的一维紧束缚模型讨论了体系虚数势能对其能谱的影响, 但文章只讨论了偶数格点系统能谱变化的特点. 本文在文献[3]的基础上, 对PT 对称的非厄米体系的能谱性质重新进行了讨论.1 PT对称的非厄米模型为了文章的完整性, 我们从文献[3]建
大学物理 2021年5期2021-04-27
- 物理气相沉积铜膜本征应力形成机制及影响因素研究进展
中，Cu膜会形成本征应力，导致Cu膜弯曲变形，这不利于后期对Cu膜的高精度加工和高可靠应用，在本征应力非常高的情况下，甚至会导致Cu膜开裂和脱落[5-8]。用PVD制备Cu膜的本征应力类型和高低随膜厚呈现出一定规律的变化[9-11]，本征应力会受到镀膜方法[12]、基底状态[13-14]、镀膜工艺参数[15-17]等的显著影响。科研人员研究了Cu膜本征应力的形成机制、演变规律和影响因素，为降低或消除Cu膜本征应力提供了理论依据和技术途径。本文根据近几年用P
真空与低温 2021年2期2021-03-29
- 任意形状热夹杂位移场的三角形单元离散算法1)
弹性应变统称为“本征应变”.如果本征应变只存在于基体的某局部区域,力学家Eshelby[3]将该区域命名为“夹杂”.Eshelby 夹杂问题[4]是固体力学中的一个经典课题,我国力学工作者在夹杂及其相关问题上的研究也取得丰硕成果[5-10].夹杂问题在固体力学及材料科学领域具有广泛应用.在真实的工程零部件材料中,夹杂形状各异,不规则形状夹杂的解析解通常不易获得.1961 年Eshelby[3]完成了无限大基体材料中椭球夹杂问题的开创性工作,并提出经典的Es
力学学报 2021年1期2021-03-24
- 一种适用于毫米波的InP HBT小信号模型与参数提取方法
器件的寄生参数和本征参数,但小信号模型适用的频率范围为250 MHz～65 GHz。文献[8]中李欧鹏等采用电磁仿真(EM)方法提取了InP HBT器件寄生参数,适用频率为0～325 GHz,但该方法实现复杂且不能对本征参数进行提取。文献[9]中Weimann等简化了EM方法并提取了寄生参数,但是同样缺乏对本征参数的提取和分析。综上所述,目前缺乏一种简单、高效且适用于毫米波频段的InP HBT寄生参数和本征参数的提取分析方法。为了解决上述问题,作者通过器件
电子元件与材料 2021年1期2021-02-05
- 基于经验模态分解的粒子图像测速流场重构研究
琪等基于速度场的本征正交分解后处理技术,通过迭代方法有效地实现了错误数据的识别与修复[8]。吴龙华等在对人脑判别PIV错误数据方式进行模拟的基础上,建立了可以进行准确错误数据识别的多证据推理Hopfield神经网络模型[9]。王晋军等引入不可压缩连续性方程对PIV测得的流场数据进行后处理,使得修正后的流场严格满足差分形式的连续性方程,实现了流场数据的准确修正[10]。阮晓东等采用Delaunay网格技术建立了基于流体连续性假设的自动检测PIV数据中错误数据
西安交通大学学报 2021年1期2021-02-01
- 本征边界积分方程法模拟含流体粒子固体的性能
by 等效夹杂和本征应变解的各种理论分析[7-8]和数值计算[9]的研究. 在各种物理问题中， 本征应变解可适用于非协调热应变、相变、塑性应变以及残余应力的固有应变[10]等问题. 通过对Eshelby等效夹杂物的替换， 本征应变还可用来处理固体基体中的异质体如夹杂粒子、孔洞[11]等问题. Eshelby 等效夹杂理论在材料科学、力学、物理、工程等问题中均有广泛的应用. 近年来， 通过将边界积分方程与Eshelby 等效夹杂理论相结合， 已有研究者提出了
上海大学学报（自然科学版） 2020年5期2020-12-10
- 升降算符在一维谐振子能级讨论中的应用
(10)2 能量本征值的推导(11)(12)(13)(14)(15)取本征矢|E′〉，并将其被算式(15)作用易得(16)E′，E′-ћω，E′-2ћω，…(17)对于基态的能量，根据式(10)(18)易得E0=ћω/2(19)根据式(8)和式(10)可得(20)(21)E′，E′+ћω，E′+2ћω，…(22)另外，由式(6)可以对式(10)做进一步的处理为(23)(24)3 能量本征波函数的推导设谐振子基态波函数为ψ0(x)，由于(25)根据式(3)和
商丘师范学院学报 2020年12期2020-11-10
- 铁（211）薄膜的反常霍尔效应
三项电导率分别是本征贡献（σint）、非本征的 skew scattering 贡献（σsk）和非本征的 side jump 贡献（σsj）.本征贡献是KARPLUS 和 LUTTINGER［4］提出的，从理论上完全忽略了杂质和声子等散射的情况，讨论了自旋轨道耦合作用对自旋极化载流子的输运影响.SMIT 认为，电子在外电场被加速运动的过程中，应该考虑到杂质和缺陷对反常霍尔效应的贡献［5］.自旋极化的载流子由于自旋轨道耦合作用，受到杂质的不对称散射，结果导致
通化师范学院学报 2020年8期2020-07-29
- 球坐标系下三维谐振子的本征问题研究①
振子哈密顿算符的本征值和本征波函数，为量子问题的代数解法提供理论支持。1 球坐标系下角动量平方算符的本征值和本征波函数(1)(2)令Y(θ,φ)=Φ(φ)Θ(θ)，则根据分离变量法，可以得到.(3)(4)(5)(6)所以式(5)得到Φ(φ)=eimφ(7)按照周期函数的性质，Φ(φ)满足周期性条件Φ(φ+2π)=Φ(φ)，即e2πim=1，所以m=0，±1，±2，…。令式(6)中x=cosθ，则(8)所以式(6)变为(9)进一步变形可以得到勒让德方程(10
佳木斯大学学报（自然科学版） 2020年2期2020-05-18
- 含硫氨基酸与本征及缺陷石墨烯表面的相互作用
作用, 目前已有本征石墨烯, 金属掺杂石墨烯作为气体传感器, 有效检测含硫的氨基酸[8, 13], 但据我们所知, 半胱氨酸和蛋氨酸吸附在缺陷石墨烯表面的特性目前尚未被详细研究.在这项工作中, 采用密度泛函理论方法探讨了本征及缺陷石墨烯对两种含硫氨基酸的吸附能力.通过吸附能, 态密度, 差分电荷密度详细地分析了它们之间的吸附机制.希冀这一结论能够对石墨烯传感器在含硫氨基酸的检测方面提供有价值的理论参考.2 模拟细节2.1 模型的建立半胱氨酸和蛋氨酸的模型:
原子与分子物理学报 2020年3期2020-05-15
- 金属-DBR-金属结构中光学Tamm态的弱耦合特性研究
的现象， 如出现本征模式分裂， 形成不同本征波长的OTS， 这为OTS的应用提供了新思路， 有着实际的或潜在的应用价值。2012年， 周海春等研究了对称DBR1-M-DBR2结构和非对称DBR1-M-DBR2结构中两个OTS的耦合作用引起的本征模式分裂和迁移现象[10]； 2013年， 蒋瑶等研究了非对称DBR1-M-DBR2结构中两个OTS本征模式耦合与本征波长失谐量的关系， 以控制两个OTS的迁移[11]； 同年， Zhang等构造的M1-QW-DBR
光谱学与光谱分析 2020年2期2020-02-25
- Co-Mo共掺杂Al2O3电子结构及透射率的第一性原理计算
晶体结构表1是本征及掺杂Al2O3优化后的晶格常数及掺杂结合能,可以发现掺杂后晶胞的晶格常数及体积均在增加. 这是因为Co(0.072 nm)和Mo(0.062 nm)的离子半径大于Al(0.053 nm)离子半径,形成的Co-O键和Mo-O键比Al键更长,同时,Co和Mo替换Al后,使得离子多余正电荷之间相互排斥力增大,系统能量增高而导致晶胞体积进一步增大[17].为了表征离子掺杂难易程度,引入掺杂结合能的概念,在电子在非自旋极化条件下,掺杂结合能的表
四川大学学报（自然科学版） 2020年1期2020-01-10
- 基于本征信息分解的植物叶片分类方法研究
准确率，所以进行本征信息分解十分必要。本文提出一种基于本征信息分解的植物叶片分类方法。将原始图像分解后，从反射率本征图像中提取叶片的颜色特征，光照本征图像中提取纹理特征和边缘特征，并将3 种特征按照一定的权重比例融合后用于植物分类。从而解决了不相关因素的干扰问题，有利于提高植物叶片分类效果，对维持多元物种，保护植物提供了一定的技术支持。1 材料与方法1.1 实验材料与方法概述本文采用Swedish 叶片数据集进行实验。在该数据中随机选择10 种植物叶片（欧
广东蚕业 2019年8期2019-12-23
- 氧空位对ZnO基(110)二维膜材料电子结构的影响研究
用[1-5]. 本征氧化锌体材料的载流子浓度约为1.7×1017，但是其载流子迁移率较高[3]. 文献报道中通过掺杂和结构优化来改善其体材料的载流子性质，优化其光电性能[6-8]. 此外，低维化的氧化锌也可作为一种功能材料在相关领域发挥作用. 李等人制备了氧化锌基薄膜并研究了其光电性能. 结果表明主族元素掺杂氧化锌薄膜的可见光透过率保持在 80%以上，其电性能也受制备条件影响，比如升高样品退火温度，载流子浓度和迁移率均增大，导电性能也增强[8]. 氧化锌块
原子与分子物理学报 2019年6期2019-12-06
- Fe,Co,Ni掺杂石墨烯表面吸附C2H4的第一性原理研究
计算对比和分析了本征石墨烯以及Fe、Co、Ni掺杂石墨烯表面吸附C2H4的作用过程，以期望对C2H4检测提供一种新的思路，并且可以为石墨烯材料的表面气体吸附及相关气敏元器件研究提供理论支持.2 计算方法与结构模型本文所有的计算都采用基于平面波的密度泛函理论DFT：(Density Functional Theory)的第一性原理下的DMol3软件包，利用密度泛函理论在广义梯度近似(Generalized Gradient Approximation, GG
原子与分子物理学报 2019年4期2019-09-17
- Bi0与石英光纤本征缺陷作用机制研究
易产生各种各样的本征缺陷，它们都有不同的几何结构、电子性质和光学性质。在铋元素掺杂的过程中，铋原子很有可能遇到这些本征点缺陷，导致这些本征点缺陷的局部结构发生很大的变化，进而会严重影响铋活性中心的电子性质和发光特性，使得研究掺铋石英光纤发光特性变得十分困难。通过调研得知，目前仍缺少关于Bi0与石英光纤中本征缺陷反应机制的系统理论研究，对于Bi0与Si—O网络的相互作用机制，其反应路径更加复杂，存在许多未解决的问题。本文主要采用第一性原理的方法从理论上研究B
西华大学学报（自然科学版） 2019年4期2019-07-11
- 零级Hamilton量二重简并的量子体系能级微扰法研究①
学中，体系的能量本征值能够精确求解的问题非常有限，除了少数体系(例如谐振子，氢原子等)外，往往不能严格求解[1]。因此，在处理各种实际问题时采用适当的近似解法，例如微扰论，变分法，自洽场方法，绝热近似，准经典近似等，其中最广泛的就是微扰论。设量子力学体系的Hamilton算符为H=H0+H′(1)(2a)(2b)(2c)(2d)(2e)等等。设微扰作用后，能级和本征态变成(3a)ψn=ψ(0)+ψ(1)+ψ(2)+…(3b)零级近似ψ(0)由两个简并态ψα
佳木斯大学学报（自然科学版） 2019年1期2019-02-15
- 时延自相关和ITD相结合的故障诊断方法
理缺乏自适应性。本征时间尺度分解（intrinsic time-scale decomposition，ITD）[4]是一种自适应时频分析方法。目前，本征时间尺度分解已经在旋转机械故障诊断中得到广泛应用，如文献[5]利用B样条改进本征时间尺度分解，将轴承故障振动信号分解成若干个固有旋转分量之和，然后利用相关系数等选择表征故障特征的分量重构，最后有效地提取了轴承故障特征；文献[6]利用三次样条改进本征时间尺度分解，对滚动轴承故障振动信号分解并计算表征故障特征
机械设计与制造 2018年7期2018-07-19
- 锥形二维光子晶体太阳电池数值模拟∗
构参数变化对电池本征吸收的影响[22−25].实际上周期陷光形貌在提升电池总吸收的同时,也会显著提升支持层的寄生吸收,由此导致所得的最佳形貌未必能显著提升本征吸收.此外,对于周期结构而言,其陷光效果主要取决于衍射角和对应的衍射效率,这二者又主要取决于周期尺寸和高度.在先前的研究中通常将周期尺寸和高度对电池短路电流密度的影响进行分立研究,因此获得的结论具有片面性,无法真正洞悉绒面形貌对电池光学吸收的影响规律[26,27].本文基于波动光学理论,采用时域有限差
物理学报 2018年2期2018-03-18
- Numerov算法和转移矩阵法的分析和比较
，打靶法可以搜索本征能量值。要求非零能量本征值。本征值小于零的解是束缚解，这时它表现的较像两端被固定的，在振动琴弦。波函数在经典力学允许的范围内是震荡的，在经典力学禁止的范围内为指数行为。由于波函数分为两个有不同行为的区域，直接积分会是交界区域不和谐或者数值不稳定。知道波函数的图像及其导数必须连续，也就是通常所说的平滑的曲线，可以通过从节分交界处向左积分，再向右积分。因为一定有一种归一化系数使两函数在交界处的值相等，所以只需要让其导函数连续便可。其中 ψ分
科学家 2017年22期2018-01-11
- 具有部分本征GaN帽层新型A lGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性分析∗
071)具有部分本征GaN帽层新型A lGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性分析∗郭海君 段宝兴†袁嵩 谢慎隆 杨银堂(西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071)(2017年4月11日收到;2017年6月5日收到修改稿)为了优化传统A lGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)器件的表面电场,提高击穿电压,本文提出了一种具有部分本征Ga
物理学报 2017年16期2017-09-07
- In、Ga掺杂SnO2的第一性原理研究
赝势方法，建立了本征SnO2、SnO2∶In、SnO2∶Ga和SnO2∶(In,Ga) 超晶胞模型并进行了几何结构优化，对其能带结构、态密度、电荷密度及光学性质进行了模拟计算. 结果显示，与SnO2∶In和SnO2∶Ga相比，SnO2∶(In,Ga)的晶格常数更接近于本征SnO2，可有效降低SnO2材料掺杂体系的晶格畸变. SnO2中In、Ga的掺入能够增大材料的带隙值，且能带结构向高能方向移动，材料呈现典型的p型半导体特性. SnO2∶(In,Ga)中，
华南师范大学学报（自然科学版） 2017年3期2017-06-27
- 基于材质稀疏的人脸本征分解
于材质稀疏的人脸本征分解郑期尹（四川大学计算机学院，成都 610065）本征图像分解是图像处理中的一个经典问题，给定一幅图像，需要分解出对应的材质本征图和光照本征图。本征分解得到的材质图和光照图可作为高层视觉算法的输入，如物体识别。通过引入材质稀疏先验，恢复人脸的材质图与光照图，并利用MATLAB编程给出算法的实验结果。本征分解；材质稀疏；人脸0 引言恢复本征图像的任务是将给定的输入图像分离成材质相关的被称为反照率或反射率的性质以及诸如阴影、光照、镜面高光
现代计算机 2017年8期2017-04-22
- 基于旋转微椭地球模型的内核平动振荡三重谱线理论模拟与实验探测
动振荡三重谱线的本征周期，理论上系统研究了地球内部介质(包括密度、地震波速等)分布异常对三重谱线本征周期的影响，计算了不同的内外核密度差和地核中的不同的P/S波速对应的内核平动振荡理论三重谱线周期；利用全球分布的9个超导台站，迭积每个台站长达54个月的高精度超导重力仪数据，在亚潮汐频段(0.162～0.285 cph)检测内核平动振荡三重谱线.结果发现，三重谱线本征周期对内外核边界的密度跳跃非常敏感，随着密度差的增加，以类似于双曲线的特征减小；无论是采用地
地球物理学报 2016年8期2016-09-29
- 基于变点分析思想的高维机械噪声数据本征维估计方法
高维机械噪声数据本征维估计方法梁胜杰1，张志华2，高绍忠1，胡俊波2，李大伟3（1.91697部队，山东 青岛 266405；2.海军工程大学 科研部，武汉 430033；3.91550部队，辽宁 大连116023）利用变点分析思想，针对高维数据协方差矩阵的特征值曲线特点，提出一种本征维估计方法：基于均值估计的特征值变点法，并应用于某双层圆柱壳体的机械噪声数据处理中。通过与其他现有常用方法的比较分析，验证了基于均值估计特征值变点法的可行性。结果显示：基于均
船舶力学 2016年11期2016-05-04
- 面向公差技术的几何要素自由度表示与操作及其应用
描述了几何要素的本征方向和本征自由度概念、几何要素自由度的表示方法和约束自由度的计算规则。根据基本几何元素的几何特征以及与基准要素的位置关系确定了几何要素的本征方向，根据几何量测量原理，提出了基准要素约束自由度的计算方法，建立了基准体系约束自由度的计算规则。根据公差类型与基准要素和目标要素的关系，建立了公差设计正确性、完整性验证的具体规则，提出了基于自由度分析的公差标注正确性验证方法。自由度；本征自由度；约束能力；公差验证0 引言点、线、面是构成零件形体组
中国机械工程 2015年11期2015-10-29
- 角动量算符的本征值
8）角动量算符的本征值高峰1，2，许成科1，2，张登玉1，2，游开明1（1.衡阳师范学院物理与电子工程学院，湖南衡阳 421002；2.衡阳师范学院南岳学院，湖南衡阳 421008）量子物理学中，角动量算符是一个十分重要的物理量，可以用它的本征值来表征微观体系的状态。本文根据对易关系，利用较为简便的方法求出任意角动量算符的本征值，并讨论了轨道角动量算符和自旋角动量算符的本征值。角动量算符；对易关系；本征值0 引言角动量是物理体系的一个重要物理量，它是确定体
衡阳师范学院学报 2015年6期2015-09-26
- 基于本征音子说话人子空间的说话人自适应算法
50000)基于本征音子说话人子空间的说话人自适应算法屈 丹*张文林(信息工程大学信息系统工程学院 郑州 450000)本征音子说话人自适应算法在自适应数据量充足时可以取得很好的自适应效果，但在自适应数据量不足时会出现严重的过拟合现象。为此该文提出一种基于本征音子说话人子空间的说话人自适应算法来克服这一问题。首先给出基于隐马尔可夫模型-高斯混合模型(HMM-GMM)的语音识别系统中本征音子说话人自适应的基本原理。其次通过引入说话人子空间对不同说话人的本征音
电子与信息学报 2015年6期2015-07-12
- 基于改进EMD和滑动峰态算法的滚棒轴承声发射信号故障特征提取
式分解，选取特定本征模分量，采用滑动峰态算法提取其中的冲击分量，即提取滚棒轴承声发射信号的故障特征分量。改进的EMD方法剔除了某些虚假本征模分量，更准确地表征原始信号。通过仿真信号验证，成功提取了混合信号中的冲击分量，证明了该方法对冲击信号提取的有效性。对外圈故障的滚棒轴承声发射信号进行分析，滚棒轴承的故障特征频率及其倍频明显，对轴承故障的诊断具有重要的意义并可推广到航空发动机主轴轴承的故障诊断。滑动峰态算法；滚棒轴承；声发射；小波包降噪；经验模式分解；故
沈阳航空航天大学学报 2015年2期2015-05-04
- 利用二次型理论精确求解双模耦合谐振子本征能级
解双模耦合谐振子本征能级林 蓉(菏泽学院 物理与电子工程系，山东 菏泽，274015)当两粒子在势场中运动时，由于两粒子之间存在相互作用，所以体系的哈密顿量必然会多出一项相互作用的耦合项.由于此耦合项的存在，使得体系本征能级的求解出现困难.本文主要介绍利用线性代数中的二次型定理，作一个线性变换消除其中的耦合项，并且此变换也不会引起本征能级的改变，也因此使其变成一个一般的二维势场问题，便可以精确求出其本征能级.二次型；对角化；变换矩阵；耦合项0 引 言在量子
商丘师范学院学报 2015年6期2015-03-03
- 基于稀疏组LASSO约束的本征音子说话人自适应
ession）及本征音(EV, eigenvoice)方法及其相应的拓展算法为代表。2004年，Kenny等[6]通过对SD声学模型中各高斯混元均值矢量相对于 SI声学模型的变化量进行子空间分析，得到一种新的子空间分析方法。该方法与说话人子空间中的“本征音”类似，因此称该子空间的基矢量为“本征音子（EP, eigenphone）”，该空间为“音子变化子空间”，但该方法采用“多说话人”声学建模技术，只能得到训练集中说话人相关的声学模型，对于测试集中的未知说话
通信学报 2015年9期2015-01-06
- 语音识别中基于低秩约束的本征音子说话人自适应方法
LLR)[2]及本征音(EigenVoice, EV)[3]说话人自适应方法。文献[1]和文献[4]提出了一种基于本征音子(EigenPhone, EP)的说话人自适应方法。与EV方法不同，该方法认为对于每一个说话人，其SD模型中不同高斯分量均值的变化(相对于SI模型)位于一个子空间中，称该子空间为“音子变化子空间(phone variation subspace)”，其基矢量称为“本征音子”，反映了说话人的个体特征，是说话人相关的；而不同高斯分量对应的坐
电子与信息学报 2014年4期2014-11-18
- Max-plus代数中analogy-transitive矩阵及其本征问题
us代数上矩阵的本征问题.一般情况下,解决这类本征问题的算法大小为O(n3)[1].继文献[1]之后,max-plus代数上矩阵的本征问题被很多学者关注并深入研究.特别地,对于一些特殊形式的矩阵,计算本征问题的算法复杂度较一般情况有所降低[5-14].因此从降低算法复杂度的角度考虑研究特殊矩阵的本征问题是有重大意义的.P. Butkovicˇ等[5]给出一个O(n2)的算法计算双值矩阵的极大圈平均.M. Gavalec等[6]给出一个O(n2)的算法计算M
四川师范大学学报（自然科学版） 2014年3期2014-02-03
- 基于EMD相关方法的电动机信号降噪的研究
号分解，得到各阶本征模函数（IMF）分量；然后对高频的IMF分量用小波相关滤波降噪方法进行处理，保留低频IMF分量；最后把处理的高频IMF分量和低频的IMF进行信号重构，得到降噪后的振动信号。这种方法形式简单，应用灵活方便，有较好的自适应能力，能有效地获得早期的轴承故障信号的特征值。经验模态；相关滤波；本征模函数1 引 言由于感应电动机具有结构简单、可靠、成本低等特点，所以在船舶上应用的非常广泛。感应电动机如果发生了故障，就会导致电力和动力系统无法正常工作
船舶力学 2014年5期2014-01-19
- 三氯氢硅本征电阻率（纯度）的测试方法
长不掺杂外延层（本征外延层）的方法来确定，即测量三氯氢硅本征生长后的外延电阻率来衡量其纯度。在硅外延的本征生长过程中，影响三氯氢硅本征电阻率参数的主要因素为系统内的自掺杂。增加硅外延层的厚度可以有效抑制系统自掺杂，但无限制地增加生长时间必然导致生产成本的增加。本文对衬底的选择、生长时间、生长前生产设备的状况等各个方面进行优化分析，选定了一个合理的生长工艺过程来准确评价三氯氢硅的本征电阻率。2 反应原理外延工艺是一种薄层单晶生长技术，在一定的条件下，在单晶衬
电子与封装 2012年10期2012-08-15
- 一种基于本征波匹配的EMD边界处理方法
形匹配预测法——本征波匹配预测法。但由于当时对该方法的有效性还有些怀疑，尤其是还不知道如何合理构造仿真信号来验证该方法，因此文献［10］只是提出了初步算法而没有进行深入的算例验证。本文最终弥补了这一重要不足，使文献［10］的研究得到较大程度地深化和完善。1 EMD及其边界处理问题EMD的主要内容是通过筛选将信号分解为有限个固有模态函数（IMF）和趋势项之和，其中IMF被认为是构成非线性非平稳信号的基本信号，它具有唯一的瞬时频率，而趋势项反映信号变化的趋势［
振动与冲击 2012年1期2012-02-12
- 不变本征算符法在含时二维双耦合谐振子系统中的应用
用量子力学的不变本征算符法处理系统的元激发能量和能级差.为此，本文利用不变本征算符法推导明显的系统的简正频率解析解表达式及严格波函数，并讨论不变本征算符法对于线性哈密顿量系统的退耦合方面的普遍性和简捷性.1 利用不变本征算符法对含时二维双耦合各向异性谐振子系统哈密顿量退耦合考虑一般的情形，令m1(t)≠m2(t)、ω1(t)≠ω2(t)且坐标与动量耦合强度也均含时的双耦合谐振子系统的哈密顿量为:因为［xi，pj］=i¯hδij，［xi，xj］=［pi，pj
沈阳化工大学学报 2011年4期2011-01-25
- 矢量波动方程的新瀑布型多重网格方法
和技术中，谐振腔本征值问题是最基本的问题之一．很多微波部件和系统的分析与最优化设计又往往以该问题的求解为基础．矢量有限元方法是近10年来在电磁场计算中应用比较广泛的一种方法．只要选择了合适的矢量基，所考虑结构的内部和外部边界都能够从数学上自然满足，就能够很好地解决伪解问题;又因为有限元方法的网格划分能很好地模拟实际结构，因此我们选择了矢量有限元对谐振腔进行离散计算．多重网格方法，对于求解由微分方程离散化得到的方程组来说，是目前最快速高效的方法之一，它的求解
云南民族大学学报（自然科学版） 2011年4期2011-01-25