寄生电容_参考网

基于氮化镓的高频LLC变换器研究

2.1 高频寄生电容的产生及影响在高频工作条件时，感性元件往往不是完全理想的元件。电感模型包括电感、寄生电阻和寄生电容，如图6a所示；变压器模型包括励磁电感、原副边漏感、高频等效寄生电阻、一次侧寄生电容、二次侧寄生电容、一次二次侧寄生共模耦合电容，如图6b所示。和电感模型相比，变压器中的寄生电容会对系统产生严重影响。图6 高频电感及变压器模型图Fig.6 Model diagram of high frequency inductor and transf

电气传动 2023年2期2023-03-02

大气压环境下的镜像电荷检测器仿真研究*

高、ICD的寄生电容更小，在保证无损特性的同时，达到了提高检测器灵敏度与信噪比的目的。1 理论与方法1.1 理论基础根据Shockley-Roma定理[1,2]，假定空间中共存在M个电极、N个带电粒子，其中,第i个粒子的带电量为qi,位置为si,速度为vi，那么此时第m个电极上的感应电流Im的大小为(1)式中Em(si)为位于位置si处的带电粒子与第m个电极几何耦合时的加权场，将第m个电极的电压设为1 V,其他所有电极的电压设为0 V，通过拉普拉斯方程可以

传感器与微系统 2022年11期2022-11-11

基于机器学习的快速时序校准方法*

分析计算中，寄生电容、电阻直接影响门单元延时、线延时和翻转时间。P&R工具和signoff工具的寄生参数相关性是影响这2种工具时序差异的主要因素之一。在P&R工具中可以设置提取缩放因子，对寄生电容、寄生电阻进行校准，校准原理为式中：——提取缩放因子；本文根据寄生参数校准原理，结合机器学习方法，提出一种高效的时序校准方法，时序校准流程如图1所示。图1　基于机器学习的快速时序校准流程图初始布线完成后，设计中存在具体的布线信息，同时还有很多时序违例未修复，需要大

自动化与信息工程 2022年4期2022-09-07

超薄FPC版图设计方法研究

C会出现较大寄生电容，产生的结果是直接导致信号质量变差，甚至无法正确传输信号。信号边沿速率被严重削弱，导致时序等信号完整性问题，而以往传统的FPC由于层间距较大（大约2mil），这个问题不会很严重。此外，目前FPC的版图设计方法中，大量的实测与仿真都已经证明无参考面单层超薄FPC或常规网格铜参考面超薄FPC都存在EMC性能较差，抗干扰能力差。综上，目前超薄FPC版图设计中的存在以下2个问题：（1）实铜参考面超薄FPC走线会产生较大的寄生电容，影响走线信号质

现代信息科技 2022年11期2022-08-26

保护环对双向可控硅静电防护器件电容特性的影响

硅;保护环;寄生电容;传输线脉冲测试系统静电释放（electro-staticdischarge，ESD）是集成电路（IC）的主要可靠性问题之一[1]，因此IC片上需放置静电防护器件，其端口的常规静电防护网络如图1所示。静电防护器件的设计首先应满足ESD窗口要求，此外，ESD防护器件的寄生电容（CESD）应尽可能小，避免器件寄生电容过大影响被保护电路的工作速度[2]。特别地，传送高频信号的IC端口对ESD器件电容更加敏感[3]。常规静电防护器件有二极管、三

电子产品世界 2022年6期2022-06-27

一种单级低开关应力无电解电容LED电源

漏感和开关管寄生电容之间发生谐振、出现电压尖峰，从而降低开关管开关应力。利用反向的漏感电流对开关管寄生电容进行反向充电，使其端电压下降为零，当开关管被触发时实现零电压开通。在对寄生电容反向充电的同时，反馈漏感能量、提高电源效率。文章详细分析了该变换器的工作模态，给出参数设计方法，最终搭建实验平台对所提方案的可行性进行验证。1 电源工作原理1.1 主电路拓扑单级低开关应力无电解电容LED电源主电路如图1所示。电源主要包括整流电路、单级部分、辅助回路。整流电路

电气传动 2022年9期2022-05-05

LLC谐振变换器的变压器绕组优化设计

对平面变压器寄生电容较为敏感的问题，采用磁集成技术对变压器的二次绕组进行优化设计，使得变压器寄生电容和绕组涡流损耗的综合效果最优。该文对平面变压器层间寄生电容的影响因素进行了具体分析，在极坐标系下建立变压器寄生电容的数学模型，并归纳出各影响因素在不同电流情况下的作用效果。该文提出了两种绕组形状的优化设计方案，从减小绕组正对面积的角度改善变压器的寄生电容。利用有限元仿真软件Maxwell，搭建变压器的3D仿真模型，根据仿真结果对比了采用不同优化方案时寄生电容

电工技术学报 2022年5期2022-03-11

三相交错LLC谐振变换器空载问题的研究

，将其统称为寄生电容，其表达公式为：图2 FHA下的电路等效模型在整流网络中器件都为纯阻性，因此电压与电流不存在相位差，则整流网络输出端的电流（IO）与输入侧电流的有效值（Ir）之间的关系为：中心抽头式变压器原边副边匝数比为n:1:1，将输出侧阻抗换算到原边，对输出侧阻抗进行归一化处理，得：得轻载工况下传递函数：则轻载工况下增益为：由图3可见，随着负载工况的减轻，寄生电容的影响会变得愈来愈明显，在谐振网络中会多出一个高频率的谐振点，而考虑到寄生电容因素影响

电子测试 2022年2期2022-02-24

推挽型隔离DC-DC变换器软开关条件分析

换器开关管的寄生电容进行谐振，满足开关管的软开关条件。首先分析变换器的增益特性和工作模态；其次基于变换器的等效电路模型，详细分析推挽型隔离DC-DC变换器的软开关瞬态过程，推导出变换器全部开关管软开关条件的参量表达式；最后通过仿真和实验结果验证了软开关条件的正确性。DC-DC变换器软开关推挽型隔离0 引言由于具有较高的安全性、较好的保护性和较小的体积，隔离型DC-DC变换器在电动汽车、新能源发电等方面得到广泛应用[1-4]，且智能电网和能源互联网中电

电工技术学报 2021年23期2021-12-22

过孔残根对信号完整性的影响

ub）产生的寄生电容不仅会影响阻抗的大小与时延，反射也会干扰信号的传输导致损耗的增加，为得到更好的信号传输质量，一个常用的方法就是对带状线（Strip line）的信号传输孔进行背钻，将残根进行钻除或减少，从而减少寄生电容和电感对信号传输的影响。本文主要就是从背钻对内层带状线过孔或不背钻与不同残根值时对信号传输时阻抗以及插损两个方面的影响进行研究。1 试验板试验采用12层电性测试板设计损耗及阻抗模块，选用低介质损耗等级材料Synamic6GX，设计2层背钻

印制电路信息 2021年10期2021-12-08

考虑寄生电容的长距离强电电流环通讯电路的研究

电源线间会有寄生电容产生，当连接线较短时，寄生电容较小，电容充放电对通讯线电平的影响较小，当连接逐渐加长后，寄生电容也随之增大，电容充放电对通信线电平的影响也将加大，当连接线加到一定长度后，寄生电容充放电引起的电平波动会干扰通讯线上有效电平的传递，从而导致通讯失败。所以传统电流环通讯的有效通讯距离往往都比较短，一般只有30～50 m，这也电流环通讯电路很少在需要长距离通讯的产品上使用的主要原因。为了实现100 m的有效通讯距离，本文在传统电流环电路的基础上

日用电器 2021年9期2021-10-18

LLC谐振变换型高压脉冲电源技术研究*

边也各自存在寄生电容,因为副边线圈匝数多、层数多,因此变压器副边的寄生电容对电路的影响因素更不可忽略,有必要深入分析寄生电容对变压器增益的影响。图1中,C1、C2分别为分压电容,两者的容量基本相等;S1、S2为采用IGBT的谐振开关,T为高升压比的高频变压器;Cr、Lr分别为附加的谐振电容和谐振电感;Cq1、Cq2分别是IGBT功率开关S1、S2的寄生电容;Lm是励磁电感,Cp、Cs分别是高频变压器一次、二次侧的等效寄生电容。2 寄生参数对开关管ZVS的影

河南工学院学报 2021年4期2021-09-27

某模/数转换器低温下输出异常失效分析

形成一较大的寄生电容，降低最高位D触发器的复位速度。如果最高位D触发器本身由于MOS管工艺偏差的原因，导致复位速度低于次高位[1]。同时低温环境下，温度越低，用于复位的PMOS管阈值电压越低，充电速度急剧下降，导致D触发器复位速度进一步降低。这几个方面影响的叠加，就会使对应的I107异或门出现较高的误脉冲，导致最高位电平触发器出现误动作，锁存错误结果。由于转换结束后比较器正处于复位状态，所以最高位会根据比较器的复位速度随机锁存数字“0”。其他的D触发器由于

环境技术 2021年2期2021-07-03

分布电容对高压电流互感器影响的仿真分析

1.3 结合寄生电容参数的电路仿真在电流互感器原理图的基础上，搭建无电屏蔽，考虑对地电容的电流互感器仿真电路。设置AC电流源幅值为500 A，频率为50 Hz，Rz1=100 Ω，通过Rz1将一次侧的电压抬升至有效值约35 kV[10]。此外，考虑4个绕组自身的电阻、绕组间的互感、绕组间的电容以及各绕组的对地电容。计算步长取1e-7s，即一个周期2×105个计算点，计算10个周期。2 计算结果与讨论2.1 寄生电容提取通过电磁场模型的求解，计算结果如表1所

通信电源技术 2021年5期2021-07-02

非隔离型并网光伏发电系统中漏电流的分析与保护

由光伏电源、寄生电容、T型三电平三相并网逆变器模块、LC滤波器、Y电容和电网等部分组成。图1 非隔离型并网光伏发电系统的漏电流路径Fig.1 Leakage current path of non-isolated grid-connected PV power generation system图1 中，Lcom为共模电感；L为滤波电感；C为滤波电容；Cac、Cdc分别为逆变器交流侧并网线缆和光伏阵列直流侧线缆对地的寄生电容，这2个值的大小均取决于线缆的

太阳能 2021年5期2021-06-03

非隔离型光伏并网逆变器漏电流分析

大地之间产生寄生电容与非隔离型光伏并网系统形成回路，从而形成共模电流，共模电流又称为漏电流，漏电流的产生不仅导致并网电流产生畸变，更主要的是对相关工作人员产生触电危险和对设备高可靠性工作产生安全隐患。目前扬中市居民用户安装的并网逆变器功率普遍小于10 kVA,根据NB32004-2013 标准，当逆变器额定功率小于或者等于30 kVA，漏电流大于300 mA时，整个逆变器并网系统必须在0.3 s 内将设备断切，因此对漏电流的抑制成为非隔离型光伏并网系统广泛

电力安全技术 2021年3期2021-05-27

寄生电容自适应抑制的飞法级电容传感器读出电路

护器件带来的寄生电容通常达到皮法(10-12F)量级。在此情况下,大寄生电容上产生的寄生电荷可以轻易干扰甚至吞没传感器电容上的信号电荷,从而严重限制了电容传感器读出电路的信号处理范围和精度[1-6]。传统的电容传感器读出电路通常采用周期调制方式[7]或双斜坡变换方式[8-9]。前者将传感器的电容变化量转换为方波信号周期的变化量,再用时间数字转换器(TDC)得到数字输出;后者通过积分实现电容-电压(C-V)转换,再通过模数转换器(ADC)得到数字输出。这两种

西安交通大学学报 2021年5期2021-05-11

反激式开关电源的电磁干扰建模及抑制方法分析

影响源主要为寄生电容所生成的共模及差模电流，这些都是通过开关电源高变化率的电位差所产生的[5]，图1示意了寄生电容耦合路径及形式，电流经整流桥、变压器初级、变压器次级与输出电缆间的寄生电容进行流动，进行骚扰电压测试的过程中，这些骚扰电流流过LISN导电回路中的测量电阻，从而在骚扰电压测试结果中体现出来。其中最主要的骚扰电流是通过变压器的初、次级间的内部寄生电容所产生的，在图中显示为Cw1、Cw2、Cw3、Cw4、Cw5、Cw6。这主要是由于变压器内大面积铜

家电科技 2021年2期2021-04-21

一种适用于全桥LLC 变换器的共模噪声抑制方法

变换器对地的寄生电容产生较大的位移电流，即共模噪声电流。 在隔离变换器中，共模噪声主要通过开关管漏极对散热器的寄生电容以及变压器原副边绕组间的寄生电容进行传播。全桥LLC 变换器原副边共4 个具有高dv/dt 的电压跳变节点， 包括原边桥臂中点电压VA和VB、同步整流管漏极电压VSR1和VSR2。 CpA、CpB分别是桥臂中点A、B 到散热器的寄生电容，Cps是变压器原边到副边的寄生电容，Cs1、Cs2分别是SR1、SR2到散热器到寄生电容，Cs是副边地到

电源学报 2021年2期2021-04-13

无线供电用植入式集成线圈建模

算介质环境的寄生电容影响，但是当介质环境复杂时就不再适用。在此基础上，本文采用多层介质叠加与拟合的方式，对植入体内的集成线圈在生物兼容材料和人体组织包裹下的寄生电容进行准确建模和仿真验证。1 植入式硅基集成线圈模型图1 硅基集成线圈的示意图及集总参数模型植入式硅基集成线圈的模型示意图如图1(a)所示，集总参数模型如图1(b)所示。线圈总阻抗Z和Q值的表达式如下：(1)Q=lm(Z)/Re(Z)(2)式中，LS为电感值，RS为串联寄生电阻，CP为并联寄生电容

杭州电子科技大学学报(自然科学版) 2021年1期2021-03-17

基于线性提升和高速低噪声比较器技术的10 bit 160 MSPS SAR ADC设计

浮空技术用于寄生电容电荷补偿，实现采样开关高线性度。使串联的两个寄生电容的容值变化方向相反，从而实现了容值的相互补偿，使输入管的寄生电容容值不随输入信号幅度变化，相较传统技术，采样开关的线性度得到进一步提高。另一方面，提出了一种高速低噪声动态比较器技术，减小了MOS管的导通电阻，增加了比较器速度，通过衬底自举技术，使比较器输入管的阈值电压明显降低，跨导增加，从而降低了比较器的等效输入噪声，解决了动态比较器速度和噪声之间必须进行折中的技术难点。为了验证上述技

电子产品世界 2021年12期2021-01-15

红外探测器IWR读出模式在搜索系统中残影现象分析

图7所示,设寄生电容的大小为Cjs,均分电荷结束后,保持电容的电压值为Vr-Vn,其中Vr是复位电压,Vn第n帧要读出的信号电压。积分电容复位结束后,积分电容电压值复位到Vr。由于积分电容和保持电容间有Vn的压差,为保持平衡,寄生电容的电压值将达到Vn。开始积分第(n+1)帧信号时,由于是抽电荷方式,所以积分电容的电压值会减小,为保持平衡,电荷会从寄生电容转移到积分电容,直到寄生电容的电压值正好为0 V。图7 第(n+1)帧开始积分的初态图8 第(n+1)

激光与红外 2020年11期2020-12-04

基于GaN器件的双向CLLC谐振变换器分析与设计

S2和S3的寄生电容充电，对S1和S4的寄生电容放电，变压器二次侧电压逐渐下降，当其变为负时，开关S6和S7反向导通，Cr2开始放电。在模态4，当寄生电容完成充放电时，开关S1和S4的寄生电容电压降为零，此时开关S1和S4的正向压降为零，为开关管的ZVS做好了准备；同时，开关S2和S3上的电流降为零，反向流过开关S1和S4的电流逐渐减小。以上为前半个周期，以下分析后半个周期。在模态5，开关S1和S4正向导通，Lr上的谐振电流按正弦规律反向增大，Lm上的电流

华南理工大学学报（自然科学版） 2020年10期2020-12-04

功率MOSFET管结电容测试条件研究

OSFET的寄生电容是决定动态参数的根本原因，能否准确测得各级间电容值对生产应用有至关重要的意义。通过对四种不同结构的MOSFET进行电容测试，发现电容与测试频率、电压的变化趋势，制定合理的电容测试的方法。关键字：结电容、反向传输电容、特征频率、负电容效应引言所有功率半导体的核心基于PN结设计制造的，当N型和P型半导体结合后，在结合面处的两侧形成空间电荷区，也称为耗尽层，当PN结两端的电压变化的时候，PN结的空间电荷区的电荷也发生改变。在MOSFET器件实

中国电气工程学报 2020年15期2020-11-16

基于GIS管道寄生电容的TV串联谐振升压方法研究与应用

再加上它存在寄生电容，利用传统方法检定需要的无功容量很大。因此，本文提出利用GIS管道寄生电容与可调电抗器串联谐振升压方法，并利用此方法对220 kV谷满变电站GIS套管中电磁式TV误差试验进行现场测试。为了解决现场单相寄生电容量小的问题，本文把GIS管道中A、B、C三相母线并联方式增大电容量，这样不仅充分利用了现场资源，而且减少了可调电抗器的数量。1 单元式GIS中TV的现场检定单元式GIS套管是把电源引入到变电站，再把TA和TV与其它一次设备连接起来的

云南电力技术 2020年5期2020-11-09

EMI滤波器的寄生效应分析

消除共模电感寄生电容的办法。关键词：EMI滤波器;寄生效应;共模电感;寄生电容0 引言对于电气设备而言，电磁环境污染已经成为了很重要的问题，任何电气电子设备对周围的环境而言都是潜在的噪声源，高幅度的扰动会导致位于共同环境的电气电子设备功能失效，只有电气电子设备在同一环境与其他设备可以相互容忍，此时才可认为做到了电磁兼容。为了实现电磁兼容，应降低设备或系统的电磁发射水平或者是提高设备的电磁抗干扰度。实践证明，滤波是一种很好的降低骚扰发射传导的办法。EM

机电信息 2020年21期2020-10-21

动态随机存储器的故障溯源

源的漏电流和寄生电容会引起DRAM的故障，在DRAM开发期间，工程师需仔细评估这些故障模式，当然也应该考虑工艺变化对漏电流和寄生电容的影响。从20nm技术节点开始，漏电流一直都是动态随机存取存储器（DRAM）设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常，DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。DRAM存储单元（如图1（a））在电源关闭时会丢失已存储的数据，因此必须不断刷新。存

软件和集成电路 2020年4期2020-05-25

漏电流和寄生电容引起的DRAM故障识别

因素是器件的寄生电容。DRAM开发期间应进行交流（AC）分析，因为位线耦合会导致写恢复时间（tWR）延迟，并产生其他性能故障。由于掺杂的多晶硅不仅用于晶体管栅极，还用于位线接触和存储节点接触，这会导致多个潜在的寄生电容产生（见图5 （a）），所以必须对整个器件进行电容测量。SEMulator3D内置AC分析功能，可测量复杂的模拟3D结构的寄生电容值。例如，通过模拟将交流小信号施加到字线WL2，SEMulator3D可以获取全新设计的DRAM结构中字线WL2

中国电子商情·基础电子 2020年6期2020-01-04

高速SMA 过孔阻抗设计优化∗

主要是由过孔寄生电容与寄生电感引起。寄生电容计算公式如下：其中D 为电地平面反焊盘直径，d 为过孔的焊盘直径，T为板厚，ε为PCB材料介电常数。寄生电感计算公式如下：其中h为过孔长度，d为过孔直径。在信号快速边沿的激励下，电容会呈低阻抗而寄生电感呈现高阻抗，一般信号过孔阻抗是由寄生电容与寄生电阻共同作用形成，当寄生电容效应大于寄生电阻时，过孔呈现低阻抗。PCB 材料介电常数在确定材料种类时已经确定；为了保证互连密度，过孔长度一般略小于板厚；由于信号孔长度取

计算机与数字工程 2019年11期2019-11-29

并联电路E类逆变器软开关特性研究

高频状态下的寄生电容[4-5]，但是这样的设计适合于在较低频率的系统中，在高频状态需要考虑寄生电容这些重要的非理想因素，以避免出现次优化的设计。文中基于并联电路E类逆变器进行分析研究。采用有限直流馈电电感的并联电路E类逆变器相比于采用无限大的扼流线圈的并联电容E类逆变器有明显的优点[6-8]，文献[6]通过分析表明采用较小的电抗代替LRFC扼流线圈能够输出更大的功率。在许多文献中，对于具有有限直流馈电电感的E类逆变器的设计采用长时间的迭代求解方法。采用合适

福建工程学院学报 2019年3期2019-07-01

寄生电容对电容式加速度传感器输出电压的影响

敏感结构间的寄生电容会对电容检测产生影响。文中根据电容式加速度敏感结构的组成，分析了敏感结构中的检测电容与寄生电容的分布情况。并根据电荷的放大电路的工作原理对寄生電容对传感器输出的影响进行了分析，并通过实验结果对理论分析进行了验证，实验结果与理论分析的结果相符合。关键词：电容式加速度传感器；寄生电容；电荷放大电路；输出引言本文分析了寄生电容对于一种梳齿式加速度传感器检测电路的影响。首先介绍梳齿式加速度传感器检测电路的基本原理，然后根据加速度传感器敏感结构的

科学与技术 2019年16期2019-04-16

用于脉冲放电的小型吸收水电阻的设计研究

测定水电阻的寄生电容值，本文以20nF云母电容充电5KVDC为例计算并实测其放电时间；综合给出本文设计的水电阻的性能。电容器作为脉冲功率技术中的核心器件、是重要的储能元件，由电容特性决定其需要一个吸能元件来吸收其残余电压、由于金属电阻容易发生局部烧毁因此通常都是用溶液体电阻作为吸收电阻，本文采用圆柱体设计方案并对设计方案进行理论计算、并且利用建模仿真以及实验测量加以验证。1.水电阻结构设计水电阻设计结构为圆柱体结构、其结构剖面如图1所示：图1 水电阻结构

电子世界 2018年21期2018-11-22

电路中寄生电容的估算方法

路一般都会有寄生电容，估算寄生电容的大小可以帮助分析寄生电容对实际电路功能的影响。本文总结了实际电路中寄生电容的来源，针对不同来源提出合理的模型，将实际电路中出现的电容抽象为平行板电容器、球形电容器和长直导线电容器，对寄生电容的量级进行估算，并分析寄生电容对实际电路的工作性能尤其是高频性能的影响。关键词：寄生电容；二极管；焊点；导线中图分类号：TM934.2 文献标识码：A 文章编号：1671-2064（2018）18-0150-021 引言电容作为重要的

中国科技纵横 2018年18期2018-10-27

寄生电容对LLC谐振变换器的影响分析

。在分析这些寄生电容对LLC变换器影响的基础上，可以通过合理控制寄生电容的方法，或者提出一些改进型电路设计方法或控制策略，避免寄生电容对电路正常运行的不良影响，从而设计出性能优良的LLC变换器[8-9]。本文从高频变压器分布电容的产生机理出发，在给出功率开关器件结电容的确定方法和高频变压器分布电容的相关改进措施的基础上，分析了分布电容对LLC变换器软开关过程的影响，并通过优化死区时间来提升变换效率[10-15]。同时，通过对考虑分布电容的LLC变换器的建模

电源学报 2018年2期2018-04-12

考虑寄生参数影响的高压叠层母线排优化设计

的叠层母线排寄生电容参数增加，滤波效果增强；寄生电阻和寄生电感大大减小，叠层母排的寄生参数进一步降低；减小回路中的过电压和降低回路中的差模/共模干扰与近场辐射，对降低电力电子装置中的传导电磁干扰具有重要意义。叠层母线排；寄生参数；传导干扰；近场辐射功率开关器件的高速通断导致了过高的du/dt和di/dt，由于过电压与di/dt和分布杂散电感成正比，当母线排电感量较大时，在通断瞬间产生的尖峰电压与直流回路电压叠加，会造成器件击穿，加剧回路的共模干扰，严重影响

电气传动 2017年7期2017-08-08

有源钳位正激变换器寄生参数对软开关和直流偏磁的影响

原边MOS管寄生电容、变压器激磁电感及漏感的影响，推导了钳位管ZVS开通的能量条件和时间匹配条件；建立了正激变压器直流偏磁与寄生参数的定量关系；指出了小漏感、大激磁感、大寄生电容条件会导致钳位MOS管无法实现ZVS开通，降低整机效率，影响控制器的可靠工作；同时还指出大漏感条件会导致变压器负向偏磁严重，降低磁心利用率。最后完成了50W有源钳位正激模块电源的仿真和实验验证，证明了理论分析的正确性。有源钳位正激变换器；寄生参数； ZVS；直流偏磁1 引言有源

电工电能新技术 2017年5期2017-06-06

磁环线圈匝数谐振频率测量及在抑制传导干扰中的应用

析得出电感和寄生电容是影响谐振频率的关键因素；其次使用阻抗分析仪测量不同匝数磁环的谐振频率、电感和寄生电容，量化线圈匝数引起的寄生电感和电容变化，进而确定线圈匝数增加导致谐振频率减小；最后，以电动汽车后视镜电机为例，分析了磁环线圈的接入对电磁干扰抑制效果的影响。试验证明，磁环匝数增加时，磁环抑制干扰的有效频段降低。磁环；阻抗；谐振频率；电感；寄生电容软磁铁氧体是一种广泛使用的有耗材料，包括镍锌铁氧体和锰锌铁氧体，在抑制电磁干扰方面有着极其重要的应用。磁环是

电源学报 2017年3期2017-06-05

基于二极管技术优化射频集成电路的ESD

中，ESD的寄生电容对射频性能将产生不可忽略的影响。基于二极管正向偏置对ESD电流的泄放能力，通过引入电感和电容对ESD脉冲的精确模拟，通过设计有效的有源RC电源钳位电路，考虑到版图电阻电容寄生对ESD的射频性能的影响，提出3种版图设计，对各种版图进行了仿真，分析ESD和射频性能，提出了最优的版图，满足射频集成电路应用的ESD保护电路。静电泄放；射频集成电路；二极管；电源钳位0 引言随着CMOS集成电路工艺发展，器件尺寸越来越小，结深越来越浅，在先进的工艺

无线电通信技术 2017年3期2017-04-24

高频LLC谐振变换器的效率优化

C中被忽略的寄生电容不仅会影响原边开关管的软开关过程而且还会使得谐振电流发生畸变。分析了寄生电容对变换器软开关的影响且对死区时间进行优化设计，以提高变换器的效率。研制了一台功率为250 W，工作频率为400 kHz的LLC谐振变换器原理样机，并进行了实验验证。LLC谐振变换器；寄生电容；软开关；死区时间；效率0 引 言随着功率半导体器件的发展，功率变换器逐渐向高频、高效率、高功率密度方向发展[1]。变换器的高频化，意味着开关损耗的增加，为了减小这部分损耗，

电气自动化 2016年4期2016-12-07

一种T-SCC脉冲发生器的研制*

统输出电压和寄生电容充放电速度，达到了脉冲上升沿压缩的目的。脉冲电源；固体开关；SSBM发生器；T-SCC发生器；寄生参数动态模型脉冲电源在加速器、材料表面改性、机械加工和环保等领域具有潜在的应用价值，不同应用领域，脉冲电源的实现方案不同［1-3］，最早产生等离子体的脉冲电源方案为PFN（Pulse Forming Network）脉冲形成网络技术［4］，由于拥有较好的方波波形输出、更宽的负载匹配以及超过10 000 h的使用寿命被沿用至今，但PFN脉冲形

电子器件 2016年5期2016-11-21

考虑寄生参数的LLC谐振倍压变换器优化设计

［5］只针对寄生电容在轻载条件下对电路的影响进行分析，没有考虑变压器漏感的影响且谐振参数的设计仍是经过仿真对比得出，设计过程比较复杂；文献［6］则主要通过对死区时间进行优化，得到固定频率内的最佳死区时间，而LLC谐振网络的其他谐振参数则主要依靠对比和调试得出，比较依赖工程师经验。本文针对以上不足，在参数优化设计时着重考虑变压器寄生参数对谐振倍压变换器的影响，推导出在寄生参数的影响下电路在宽负载范围内ZVS开通的约束条件及谐振电流与各谐振参数的关系，利用最优

电源学报 2016年3期2016-10-12

OTP存储器存储单元内寄生电容对读取阈值的影响

器存储单元内寄生电容对读取阈值的影响毛冬冬，曾昆农，李建军（电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都610054）在OTP存储器的设计中，基于得到OTP存储器存储单元编程后尽可能大的读取阈值的目的，以提高OTP存储器的编程效率和芯片成品率，采用了消除存储单元内寄生电容的方法，通过对OTP存储器存储单元内带寄生电容和不带寄生电容两种情况下的仿真以及对比，可以发现存储单元内寄生电容的存在会使OTP存储器编程后的读取阈值减少8 kΩ左右，所以在

电子设计工程 2016年2期2016-09-14

一种高效的交错并联Boost PFC研究

关键元件，其寄生电容的损耗会对系统的效率产生影响。作者针对传统升压电感存在寄生电容大、损耗高的问题，提出了一种具有寄生电容小、损耗低等优点的改进设计方法，设计了一个685W的带交错并联Boost PFC的样机系统。测试结果表明：较之传统方法，作者所提改进方法搭建的系统具有更高的效率，更能适应交错并联Boost PFC的高效发展。关键词：升压电感；交错并联Boost PFC；寄生电容；高效急剧增加的电力电子装置使得电网谐波污染日益严重，PFC电路是消除谐波污

遵义师范学院学报 2016年2期2016-07-14

新型低栅源漏电容射频LDMOS器件设计*

为了降低栅源寄生电容Cgs，提出了一种带有阶梯栅n埋层结构的新型射频LDMOS器件；采用Tsuprem4软件对其进行仿真分析，重点研究了n埋层掺杂剂量和第二阶梯栅氧厚度对栅源寄生电容Cgs的影响，并结合传统的射频LDMOS基本结构对其进行优化设计。结果表明：这种新型结构与传统的射频LDMOS器件结构相比，使得器件的栅源寄生电容最大值降低了15.8%，截止频率提高了7.6%，且器件的阈值电压和击穿电压可以维持不变。射频LDMOS；栅源寄生电容Cgs；Tsup

电子器件 2015年6期2015-12-22

高精度SAR ADC非理想因素分析及校准方法

及耦合电容的寄生电容影响,而高位寄生电容的影响可以忽略.建立了16位逐次逼近型模数转换器的高层次模型,验证了理论分析,并通过一种全数字的后台校准技术来减小电容失配和寄生电容的影响.仿真结果表明,校准后的有效位数在15位以上的概率超过90%.高精度模数转换器;逐次逼近型模数转换器;电容失配;数字校准;高层次建模逐次逼近型模数转换器（Successive Approximation Register Analog-to-Digital Converters,S

西安电子科技大学学报 2015年6期2015-12-22

微电容阵列检测系统的设计

，并探讨了其寄生电容产生的原因。测试结果表明，该检测电路克服了各种寄生电容对传感器的影响，提高了测量精度，能够应用于MEMS触觉传感器微电容阵列的测量。微电容阵列；触觉传感器；寄生电容；MS3110P电容式传感器由于具有结构简单、分辨力高、工作可靠、动态响应快、可非接触测量，并能在高温、高辐射和强烈振动等恶劣条件下工作等优点，已在工农业生产的许多领域得到广泛应用，如在触觉传感器系统中，电容传感器被用来获得压力信号。针对微电容单元的测量，国内外研究者进行了不

新乡学院学报 2015年3期2015-06-15

大尺寸金属氧化物TFT面板设计分析

布线技术和低寄生电容TFT器件结构是未来大尺寸AMOLED显示的关键技术。AMOLED；大尺寸；高分辨率； RC延迟1 引言大尺寸化、超清化以及3D显示是未来电视发展的重要方向。4K2K大尺寸电视具有前所未有的视觉体验，目前主要电视厂商把4K2K作为一个重点开发目标。对于提高视频画面显示质量和3D显示，一般要求显示面板的刷新频率不低于120 Hz[1-2]。被誉为梦幻显示器的“有源有机发光二极管”(AMOLED)显示具有高亮度、宽视角、低功耗以及响应

发光学报 2015年5期2015-05-05

一种改进控制电路在IGBT串联中的应用

T控制电路中寄生电容存在的主要原因，以及其对IGBT串联均压产生的影响；然后，提出了一种改进型控制电路，与传统的控制电路相比，改进型控制电路从主电路获取控制信号驱动IGBT所需功率，无需外接直流电源和电源隔离，减少了寄生电容的引入，能在一定程度改善IGBT的串联均压；最后，通过仿真和实验验证了该电路的有效性。在工程应用上具有一定的参考价值。串联；均压；寄生电容；门极驱动引言IGBT（insolated gate bipolar transistor）结合了

电源学报 2015年4期2015-01-09

逆变器寄生电容对永磁同步电机无传感器控制的影响

16）逆变器寄生电容对永磁同步电机无传感器控制的影响戴鹏，赵烨，苗文彬，董苏（中国矿业大学信息与电气工程学院，江苏徐州 221116）逆变器非线性特性会对基于高频注入法的永磁同步电机转子位置和速度观测产生影响，不利于电机的精确控制。在分析逆变器非线性特性中寄生电容效应及其对高频载波电流响应影响的基础上，提出了一种旨在减小此非线性影响的新颖补偿方法。此方法直接利用高频电流响应中的正序电流分量对包含转子位置信息的负序电流分量进行补偿，使作为位置观测器输入的误差

电气传动 2014年6期2014-04-28

功率MOSFET寄生电容劣化对开关瞬态响应的影响

与源极之间的寄生电容的存在会对输出信号的电压、电流、频率等存在影响。而在文献[4]中也有涉及到MOS器件沟道效应。由此可见，MOSFET的寄生参数的变化，会对MOSFET结构产生影响，更会对MOSFET的性能起到至关重要的作用。在功率MOSFET器件中，栅极对MOSFET的影响是十分关键的。在电压应力的情况下，栅极相对于其他极，能承受的电压相对较低，也更容易被击穿[5]。文献[6]指出，当MOSFET栅长缩小到纳米量级，很多应力效应对器件性能的影响也越发明

电源技术 2014年4期2014-04-23

电容式触摸屏中寄生电容原理及测量方法探讨

容式触摸屏中寄生电容的大小通常都是根据经验所得，一般设定在5～15pF［1］范围内，但是这种基于经验的设计在实践中会带来触摸精度不够高等问题。寄生电容的测量在以往的研究中讨论得比较少，但在触摸按键的设计过程中，如果能够通过实验准确测出寄生电容的大小，就可以为触摸按键的参数设计提供理论计算值，并且可以对触摸按键中的寄生电容值大小进行定量更改。下文介绍并分析了一种寄生电容的测量方法。1 寄生电容设计分析电容式触摸屏的结构如图1所示。图1 电容式触摸屏结构寄生电

机电信息 2014年24期2014-03-06

点火线圈寄生参数计算及建模方法

及绕组之间的寄生电容阻抗降低，为高频信号提供新的流通路径。所以，在建立点火线圈高频特性电路模型时，需考虑绕组的寄生参数。本文以重庆志阳的DQG1213型干式点火线圈为研究对象，计算寄生参数并建立等效电路模型。该点火线圈的基本参数见表1。表1 点火线圈基本参数1.1 绕组内寄生电容计算由图2（a）可知，对于绕组内部漆包线之间的寄生电容，由于绕组包含匝数很多，且漆包线直径很小，在现有计算能力下，建立每个绕组的物理模型直接计算相邻漆包线之间的寄生电容几乎不可能，

汽车工程学报 2013年1期2013-10-29

AC/DC变换器传导EMI实验分析

为原副边绕组寄生电容，Lp-leak、Ls-leak分别为原副边漏感，Cds为 MOSFET 漏极与源极间的寄生电容。图(b)为开关管断开时的等效电路图，此时二极管导通，输入与输出端可以认为分别连接在一个恒压源上，N2Ls-leak为副边漏感归算到原边的漏感。在MOSFET断开瞬间，变压器原边电流不会瞬间减小为零，并对Cds、Cp充放电，进而引起振荡。由于振荡为高频，直流源可以视为短路，所以图(b)可以进一步化简为图(c)，由图(c)可知振荡频率为由于Lp

电源学报 2013年3期2013-09-26

微机械加速度计中的寄生电容对噪声的影响*

输入端到地的寄生电容以及运算放大器等效输入噪声对系统噪声的影响[6]。但与变间距式加速度计不同，在变面积式加速度计中，敏感元件内部的两个铝电极之间存在寄生电容，并且该寄生电容对噪声存在影响，而之前的分析并没有考虑这一点。同时，之前的分析缺少实验验证。因此，本论文主要分析讨论了变面积式加速度敏感元件中铝电极之间的寄生电容对系统噪声的影响，并且分析了该寄生电容的来源，最后对分析进行了实验验证。1 加速度敏感元件结构图1所示是一种典型的变面积式梳状栅电容的结构示

传感技术学报 2013年1期2013-06-11

基于噪声抵消和线性度提高的差分LNA的设计

晶体管源端的寄生电容会对整个LNA的噪声特性造成影响。本文中，引入一对电感与交叉耦合电容相连，消除了共栅极噪声，一定程度上提高了LNA的线性度和增益。1 噪声抵消本文设计了一种差分形式的LNA，电路图如图1所示：图1 提出的LNA电路结构Lg，Ls主要完成输入端口的匹配，输出端增加一个电阻Rd以提高电路的稳定度，Rd，Ld，Cout1和Cout2完成输出端口的匹配，Cb，Cout1用于隔离直流信号，Vdd是电源接点，Vb1、Vb2分别为 M1、M2提供偏置

微型电脑应用 2013年3期2013-02-05

太阳电池阵寄生电容影响分析与对策

太阳电池阵的寄生电容增大［1-2］。由于寄生电容的存在，寄生电容瞬间放电产生较大峰值电流，会对分流管产生冲击，甚至导致损坏，并且使电源控制器的分流调节电路出现两级同时调整的过调制状态。过调制会导致母线纹波幅度和频率增大，也会导致电源控制器热耗增加，影响供电母线的稳定性［3-5］。本文给出了几种太阳电池阵寄生电容典型测量值；分析了太阳电池阵寄生电容瞬间放电及响应滞后分流控制过调制的影响；提出的峰值电流抑制电路可使放电峰值电流被抑制在可接受的范围内，降低分流管

航天器工程 2012年3期2012-12-29

多晶硅部分剥离技术对抗辐照VDMOS动态特性的影响

其本征电容和寄生电容共同决定的[2]。单从器件的开关特性考虑，我们希望栅氧化层厚度略大些[3]，因为寄生输入电容Ciss的大小随栅氧化层厚度的增加而减小。然而，在考虑VDMOS器件的抗辐照特性时，为了总剂量辐照加固的需求，需要减薄氧化层的厚度，这样势必增加器件的寄生输入电容。因而，如何有效减小VDMOS器件的寄生电容，成为抗辐照VDMOS器件设计的难题。图1为100V抗辐照VDMOS寄生电容随栅氧化层变化情况曲线。有由图可见，栅氧化层的厚度直接影响器件的寄

电子世界 2012年2期2012-04-27

新型双极性高压快脉冲源的基本理论和实验

、正负对称，寄生电容和输入电感的谐振可使开关器件软开通。1 基本结构与电路分析该双极性源由两个boost变换器交错并联而成，图 1是其基本结构。设滤波电容 C1、C2的电压为UC。当 M1导通、M2断开、D2续流时，负载 A端高出B端电位UC；反过来，负载端B高出A端电位UC；M1和M2均导通，则负载上无压降。通过控制两开关的切换，就能在负载上得到脉冲输出。图1 双极性源的基本结构Fig.1 Basic topology of the bipolar HV

核技术 2011年7期2011-03-24

面向可制造性设计的铜互连有源测试结构的设计与实现

进步，互连线寄生电容已经成为超大规模集成电路延时和噪声的主要来源。提出并实现了一种基于电荷测量技术的互连寄生电容测试结构。利用这种结构可研究互连线和相关介质的几何尺寸变化，并可反馈应用到器件的可制造性设计和工艺模型的建立中去。可制造性设计；铜互连；电容提取；测试结构设计0 引言在超大规模集成电路中，随着互连线密度和层数的成倍增加，互连线寄生所引起的时间延迟以及互连线之间的信号串扰已经成为影响芯片性能的主要因素。制造过程中的工艺波动引起的互连线宽度、间距、互

上海第二工业大学学报 2010年2期2010-09-05