光刻胶
- 一种基于光刻胶牺牲层的RF MEMS 开关制备方法*
比于上述材料，光刻胶作为牺牲层时具有厚度易控制、释放过程简单、材料兼容性好等优点［11～14］。此外，由于光刻胶的流动性好，能极大提高牺牲层表面的平整度，满足不同悬浮结构的制备要求。2017年，韦剑等人采用BP212 正性光刻胶作为牺牲层，制作了表面完整、梯度应力小的悬臂梁薄膜结构［15］；2020 年，Ashudeep 等采用AZ-4620 光刻胶作为牺牲层，成功制备了2um 厚的固支梁结构［16］；同年，Prem 等人研究了AZ-P4620 光刻胶作为
舰船电子工程 2023年3期2023-07-05
- 无惧断供！光刻胶国产化提速
颜媛媛光刻胶断供传闻不断一则传闻再次将光刻胶推到了风口浪尖。近期国内半导体产业传出继美国所属DuPont杜邦等公司开始逐步减少对国内光刻胶供应后，日系光刻膠大厂信越化学Shin-Etsu 可能存在限制或者断供国内中高阶晶圆制程光刻胶的可能性，引发争议。不过，目前该消息并没有得到明确的证实。然而，相对确切的消息是日本宣布解除了对韩半导体原材料的出口管制，其中也包含光刻胶这一项材料，这让不少市场人士认为“美日荷”联手搅动半导体市场的影响正在扩大，通过利益交换，
电脑报 2023年12期2023-04-04
- 基于SU—8光刻胶的微光学元件制备工艺研究*
型化。SU—8光刻胶作为一种新型的负性光刻胶，近几年来被广泛用于光通信和制作结构模具[6]，而作为光学传感器内部元件的研究则较少。目前,传统的光学仪器与传感器中，占用体积较大的则为内部的光学透镜模组以及复杂的光路系统，如Winkowski M等人[7]设计的光学痕量气体检测系统，其透镜间距达到了65 cm，透镜直径也大于5 cm。利用MEMS工艺的批量制备优势与SU—8光刻胶相结合，可以极大缩小光学透镜模组的体积；同时,复杂的光路也可以实现单次制备即可完成
传感器与微系统 2022年11期2022-11-11
- 金属基极紫外光刻胶
的光照射在涂有光刻胶薄膜的硅晶圆上，引发光刻化学反应，实现曝光区域溶解性的改变，经过后烘(post exposure bake,PEB)、显影、刻蚀等过程之后，将掩膜版上的图案转移到硅片基底上[2](图1)，最终经过后序工艺制备得到所需的微纳器件。图1 光刻工艺示意图Fig.1 Schematic illustration of the photolithography process光刻胶是光刻工艺的核心基础材料，主要成分由树脂、光敏剂、溶剂和其他助剂组
化工学报 2022年8期2022-09-13
- 基于分子动力学模拟的光刻胶转移机理分析
面雕刻，通过对光刻胶的曝光，实现超衍射极限分辨率加工［7］。但是，在近场光刻系统中，光刻胶的曝光环境非常复杂，以至于影响磁头与磁盘之间的飞行稳定性，进而导致光刻过程失败。分子动力学模拟（Molecular Dynamics Simulations，MD）是一种结合了物理、数学和化学的理论计算方法，主要依靠牛顿力学确定论的热力学计算方法，通过对不同状态的分子或原子系统抽取样本，进而计算体系的热力学物理量以及其他的宏观性质。同时，MD还可以配合OVITO（Op
实验室研究与探索 2022年4期2022-08-06
- 基于专利信息的半导体光刻胶领域发展与现状分析*
［1，2］。而光刻胶作为一种感光材料，是制造集成电路中的关键材料，也是光刻工艺中最关键的功能性化学材料［3-5］。光刻胶又称为光致抗蚀剂，主要由成膜树脂、光敏剂、溶剂和其他助剂组成［6］，按照应用范围可分为印刷电路板（Printed Circuit Board，PCB）光刻胶、液晶显示（Liquid Crystal Display，LCD）光刻胶和半导体光刻胶三大类。其中半导体光刻胶与另外两种光刻胶相比，技术壁垒较高，因而一定程度上能够反映出光刻胶技术的先
世界科技研究与发展 2022年3期2022-07-14
- 抛光液组分对3D微同轴中铜和光刻胶化学机械抛光速率选择性的影响
多余的铜，加之光刻胶旋涂时存在误差，在将铜大量去除后还需将铜和光刻胶同时去除5 μm左右，而化学机械抛光(CMP)是目前微电子技术领域唯一能够实现全局和局部平坦化的方法。因此，为满足微同轴的结构精度和性能要求，应对铜/光刻胶软质复合材料进行两步CMP[3]：第一步是去除电镀后多余的铜，第二步是以接近1∶1的去除速率选择比同时去除铜和光刻胶。微同轴加工所用的光刻胶是重氮萘醌系的正性胶，以酚醛树脂为光刻胶树脂，重氮萘醌为感光剂。酚醛树脂通常以苯酚和甲醛为原料，
电镀与涂饰 2022年7期2022-05-06
- 我国半导体光刻胶行业发展现状及对石化产业建议
卡脖子”难题。光刻胶是芯片最重要的原料，广泛应用于信息通讯、显示、新能源等多个“十四五”规划重点发展领域，市场潜力巨大[1-2]。我国高端半导体光刻胶几乎全部依赖进口。美国断供华为高端芯片，日本断供韩国光刻胶，导致华为、三星等知名企业陷入困境；半导体光刻胶目前已经关乎到国家战略安全，快速实现其国产化替代意义重大。国外化工巨头正积极布局半导体光刻胶，抢占战略制高点；而我国半导体光刻胶技术尚在起步阶段，与国外先进技术存在较大差距。在政策及市场的双轮驱动下，中国
当代石油石化 2022年3期2022-04-07
- 国内外光刻胶发展概述
分辨率的同时对光刻胶的研发提出了更高的要求。后续对紫外光刻胶的种类和发展历程进行重点分析。1 国外光刻胶研究、发展历程光刻胶是一种对光敏感的材料，可以将需要的图案转移到基底上。光刻胶在接触一定剂量的光辐照后发生相应的化学反应，溶解性/溶解速率发生变化形成反差以达到图形转移的目的[4]。随着曝光系统中的光源波长减小，随之配套的光刻胶也经历了不同时期的发展。1.1 酚醛树脂基光刻胶酚醛树脂基光刻胶作为一种常见的I-线、G-线光刻胶被广泛应用，它主要包含酚醛树脂
化工管理 2022年7期2022-03-23
- 关于解决晶背污染的方法研究
染，即圆背部被光刻胶沾污，主要发生在后道的图形化工艺过程中，产生的原因主要与光刻胶的特性有关：一种是光刻胶黏度值比较大，在旋涂过程中，在晶圆边缘由于旋转线速度过大，容易产生胶丝，沾染晶背；还有一种是光刻胶特别容易挥发，在光刻胶摊开铺满整个晶圆的过程中，自然挥发产生大量雾状颗粒，随后慢慢凝聚产生胶丝，从而污染整个晶背。上述两种是较为常见的晶背污染根源的产生方式，根据这两种晶背污染的产生方式，本文提出了以下两种解决晶背污染的实用办法，适用于大多数匀胶显影工艺生
现代工业经济和信息化 2022年10期2022-03-15
- 光刻胶涂胶厚度均匀性影响因素探究
性[2]。影响光刻胶厚度均匀性的因素有很多，如旋转速度、光刻胶的温度、冷板温度及排风压力等。本文针对掩模版的涂胶胶厚均匀性的影响因素进行深入研究，对掩模版的涂胶生产具有指导意义。1 光刻工艺1.1 光刻技术发展大多数IC模型从电路功能的定义开始。如果一个电路的作用很多很复杂的话，就可以将它分为多个方面的子功能。二级功能块放置在整体的布局和规划之中，为芯片分配空间以供未来规划。在这个阶段，设计人员应该建立芯片的高级功能作为模型，以执行功能检查和评估性能。然后
电子工业专用设备 2022年6期2022-02-17
- 热敏BARC 显影工艺时长影响因素研究
再到刻蚀、剥离光刻胶，最后表面检测、问题查找。其中，晶圆表面准备还包括，晶圆清洗、增黏剂涂底、光刻胶旋涂。匀胶工艺，即光刻胶旋涂过程，作为图形化工艺器件产品生产的基础中的基础，使用的光刻胶也多种多样。热敏BARC 作为一种新型BARC 光刻胶，不仅可以作为抗反射层，具有预防驻波效应的作用，还可以与其他PR 或PI光刻胶配合，进行曝光显影工艺。此外，热敏BARC光刻胶是一种对匀胶后烘烤，即软烘热盘的温度变化特别敏感的光刻胶，同时，它还对软烘热盘腔体环境内的气
现代工业经济和信息化 2022年3期2022-02-06
- 国内外光刻胶发展及应用探讨
崔杰 翟博涛光刻胶是由感光树脂、增感剂和溶剂为主要成分的一种对光特别敏感的混合液体，别名为“光致抗蚀剂”。光刻胶对光非常敏感，透过光线，其化学特性就会发生变化，因此把光刻胶涂敷在硅基片上，再经过曝光、显影、刻蚀等工艺，就可以将设计好的图形复刻到硅基片上，因此光刻胶成为了光电信息产业中图形复刻加工技术中的关键性材料，在其行业内得到了广泛的应用。随着电子工业中集成电路技术的不断发展，芯片器件的特征尺寸在不断的减小，芯片的集成度越来越高，同时体积也越来越小。作
新材料产业 2021年5期2021-10-29
- 水性丙烯酸醇酸树脂紫外光刻胶的制备与性能研究
紫外光固化水性光刻胶。用红外光谱表征了产物结构;用粒度分布仪测得不同pH下产品的粒径大小;用粘度仪测定产品在不同pH下的粘度。此水性丙烯酸醇酸树脂对石英玻璃或铝箔的附着力较好，可望用作制造集成电路芯片的光刻胶。关键词：植物油; 醇酸树脂; 水性胶粘剂; 紫外光固化; 光刻胶中图分类号：TQ437 文献标识码：A 文章编号：1001-5922（2021）06-0001-04Abstract：Waterborne alkyd resin was prepare
粘接 2021年6期2021-08-09
- 先进制程用光刻胶及TMAH 显影液的改进
，其进步离不开光刻胶及配套显影液试剂的不断发展。其中，光刻胶是一种被光源曝光前后，在显影液中溶解度会发生变化的有机物，是集成电路中微细图形加工的关键材料之一，其主要由感光化合物、基体材料和溶剂组成。光刻胶组分中的感光化合物具有一定的光敏特性，能够在曝光前后发生变化，并且对光刻胶在显影液中的溶解性产生影响；基体材料多为聚合物，在曝光前后，由于感光化合物的变化，其溶解度在显影液中也会有所变化；使用的溶剂一般为醇醚类有机溶剂。与光刻胶配套使用的显影液主要采用浓度
浙江化工 2021年7期2021-08-06
- 芯片缺货，怎么光刻胶火了？
上游传递，导致光刻胶跟着供不应求，成为资本市场新的焦点。芯片产业链上游材料那么多，为何是光刻胶首当其冲跟着紧缺？在国产替代背景下，哪些光刻胶企业受益匪浅？光刻胶为何吃香公开资料显示，光刻胶是一种对光敏感的混合液体，也是微电子技术中微细图形加工最重要的关键材料，光刻胶的质量对光刻工艺有着重要影响，其主要作用是在光刻过程中，起到防腐蚀的保护作用。粗看，似乎并未有特别之处。其实不然，光刻胶是一个技术门槛颇高的行业，主要由日本、美国的企业把持，日本合成橡胶、东京应
电脑报 2021年12期2021-07-01
- 国产Lift- Off 光刻胶在空间用太阳电池中的应用
，其特点是采用光刻胶材料，以光学加工的形式制备出特定光刻胶图形，最终制备出符合设计需求的金属图形，是制备空间用太阳电池上电极栅线的主要方式。Lift-Off光刻技术主要分为两种：一种是采用反转光刻胶的光刻技术[2]；另一种是采用负性光刻胶的光刻技术。反转光刻胶具有精度高、稳定性好的优势，长期以来在空间用太阳电池的生产工艺中广泛采用。本文采用的负性光刻胶体系具备工艺时间短的优势[3]，只需一次曝光，但是其工艺稳定性尚未在空间用太阳电池工艺中得到验证。因此，我
科学技术创新 2021年10期2021-04-26
- 基于纳米划痕的电子束光刻胶微观力学性能研究
EP-520 光刻胶（体积比为1∶1 的α-氯甲基丙烯酸酯和α-甲基苯乙烯混合试剂）由于具有高灵敏度、高分辨率的特性，而被广泛应用于电子束光刻[1-2]、集成电路制备[3]以及现代光测力学中[4]。在电子束光刻中，其所制备的最小孔径可达8 nm[5]，通过电子束直写技术所制备的高频正交光栅频率可达 14 832线/mm[6]。但在微纳米器件加工和光栅制备过程中，尤其在光刻胶工作尺度进入百纳米量级时，光刻胶胶层经常出现开裂和脱粘问题[3,7-8]。为提高光刻
表面技术 2021年3期2021-04-07
- 光刻胶国产替代的受益链
顾天娇光刻胶受限于人，国内相关概念公司股价缺乏支撑。2月13日，日本福岛东部海域发生7.3级地震，受地震影响，信越化学、瑞萨电子等半导体厂商在当地的工厂只能暂停生产。信越化学目前占据全球光刻胶市场份额超两成，如今其生产以及海外供货受阻，已有下游代理商考虑配合运输与相关成本提高，调涨新合约报价。因此，预计本次停产事件除了将加剧全球汽车芯片产能的紧张程度，还将对光刻胶供应造成负面影响。事实上，多次日本大地震都曾引发市场对于半导体产能不确定性的担忧，由此导致国内
英才 2021年3期2021-03-12
- TFT-LCD 四次光刻工艺中的光刻胶剩余量
其中，精确控制光刻胶剩余膜厚极为重要[7-8]，直接关系到导电沟道的宽长比 (W/L)，进而影响TFT的电学特性。在半光刻工艺中，减压干燥时间、预烘温度、曝光量、显影时间都直接影响半光刻区域光刻胶剩余量。一方面，光刻胶剩余量过大，易导致源漏金属层短接，形成亮点异常；光刻胶剩余量过小，则沟道处非晶铟镓锌氧化物可能被刻开，导致无法驱动，形成暗点。更为重要的是，阵列基板上AA区域(Active area)和GOA区域 (Gate on array)TFT的宽长比
液晶与显示 2021年2期2021-03-02
- 基于单色光干涉的光刻胶膜厚测量方法
测量纳米级别的光刻胶的厚度。传统的光刻胶膜厚测量方式是通过实验人员的个人经验，以及光刻胶供应商提供的光刻胶旋涂转速-胶厚关系表，来大致判断在某转速下光刻胶的厚度大小。由于在旋涂前需要稀释光刻胶才能使用，所以这种传统的测量方法仅能用于大致判断光刻胶的厚度范围，却不能得到精确的光刻胶信息。光刻胶的胶膜厚度是光刻工艺中重要参数之一，用高效精确的方法得到光刻胶厚度就能更好地控制调整曝光时间，从而得到更符合要求的元器件。为了精确测量光刻胶的膜厚，在此研究一种基于单色
机械与电子 2021年2期2021-03-02
- 彩色滤光片之光刻胶的特性探究与用量改善
的关键材料就是光刻胶。光刻胶的特性将直接决定产品的光学性能与产品品质，同时因为其价格昂贵，故对光刻胶的特性研究与用量改善对实际生产具有重要的意义。2 光刻胶的特性光刻胶在阵列图案化工艺中仅起到掩膜的作用，是正性光刻胶；在彩色滤光片图案化工艺中直接起到图案的作用，是负性光刻胶。主要组成是颜料、溶剂、分散剂、单体、聚合体和光起始剂等。颜料：是光刻胶呈现颜色的关键成分，色度由其决定。颜料的化学结构、粒径和粒子的聚集状态等，影响着光刻胶的性能。RGB 分别以RGB
科学技术创新 2021年1期2021-01-20
- 用于PolyStrata技术的光刻工艺探索研究
在硅基表面利用光刻胶制作电铸母型，电化学沉积在其上电铸金属Cu，利用研磨或抛光将基片表面平坦化处理，根据器件结构重复上述过程，最后释放光刻胶得到悬空的内导体及空气腔结构。微同轴器件一般通过五到十一层金属铜堆叠实现，图1以五层同轴传输线结构为例介绍PolyStrata技术的工艺流程。如图1所示，每层铜厚50μm～100μm，传输线截面宽高都在百微米左右，复杂结构根据器件需求在层数及尺寸上都有增加，但整体尺寸在毫米级。图1 基于PolyStrata技术的五层同
遥测遥控 2020年6期2021-01-12
- 极紫外光刻胶产气的定性和定量检测
t， EUV）光刻胶产气检测系统， 对以分子玻璃（Molecular glass）螺芴（9，9′-Spirobifluorene， SP）为主体材料的光刻胶薄膜体系Film A、B、C和D进行产气的定性和定量分析， 其中， Film A的主体材料外围取代基团为叔丁氧羰基（t-Butylcarbonyl， Boc）， Film B和C是在Film A光刻胶薄膜顶层覆盖不同厚度的保护层， Film D的主体材料外围取代基团为醋酸金刚烷酯（Adamantyl a
分析化学 2020年12期2020-12-25
- 萘酚基酚醛树脂的合成及其在lift-off光刻胶中的应用
芯片制造工艺对光刻胶的性能不断提出新的要求，其中的金属剥离工艺(lift-off process)较为典型[1]，该类工艺要求所使用的光刻胶经过曝光、显影后其剖面可以形成倒梯形或底切(undercut)形貌。通常lift-off光刻胶主要由成膜树脂(酚醛树脂或对羟基苯乙烯树脂)、光致产酸剂(PAG)、交联剂、吸光剂及溶剂组成。曝光区域的PAG产酸引发交联反应，这种体系一般属于负性光刻胶体系[2,3]。通过调整光刻胶配方中吸光剂的浓度可以得到倒梯形的侧面结构
影像科学与光化学 2020年4期2020-08-08
- 248 nm深紫外光刻胶用成膜树脂的研究进展
00)1 引言光刻胶又称作光致抗蚀剂[1]，广义上是指经过不同波长的光或电子束、离子束、X射线等照射或辐射后，在曝光区域发生交联或降解，从而改变其在显影液中的溶解度和亲疏水性的混合物。根据曝光后在显影液中溶解度的变化情况，可分为正型光刻胶(光降解型，所得图形与掩膜版相同)和负型光刻胶(光交联型，所得图形与掩膜版相反)。光刻胶的主要成分包括成膜树脂、感光剂、阻溶剂、溶剂和添加剂等。成膜树脂作为其中重要的组成部分，关系到光刻胶整体的性能。随着光刻工艺的曝光波长
影像科学与光化学 2020年3期2020-05-25
- 化学增幅型光刻胶材料研究进展
成度越来越高，光刻胶的分辨率也随之提高，对应的曝光波长越来越短。光刻技术已从G 线(436 nm)光刻、I 线(365 nm)光刻、深紫外线(deep ultraviolet，DUV)光刻发展到极紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻[4,5]，与之对应的光刻胶也随之发生变化。光刻胶中各组分相互作用，影响光刻胶的感度、分辨率、对比度、粘度、粘附性、耐热性、耐蚀刻性等性能[6]。光刻胶的感度是其性能中的一个重要参数，直接影响到芯片的生产效
影像科学与光化学 2020年3期2020-05-25
- 晶圆表面光刻胶的涂覆与刮边工艺的研究
路所用的载体。光刻胶是指通过紫外光、准分子激光束、X 射线、电子束、离子束等照射，能使溶解度发生变化的耐蚀刻高分子材料，主要被应用于集成电路和半导体分立器件的微细图形加工。近年来，随着红外技术的不断发展,光刻胶被逐步应用于光电子领域平板显示器的制作[1]。目前，客户现场没有自动设备，生产线滴胶、匀胶、刮胶等工艺流程完全由人工手工完成。滴胶量以及刮胶精度完全靠肉眼识别，精度较差，成品合格率较低。本文主要论述光刻胶的特性及其在碲镉汞红外探测器制造中的具体应用。
机械管理开发 2020年11期2020-04-15
- 国内外集成电路光刻胶研究进展
江洪 王春晓光刻胶又名“光致抗蚀剂”，是一种在紫外光等光照或辐射下，其溶解度会发生变化的薄膜材料。光刻胶的配方较为复杂，通常由增感剂、溶剂、感光树脂以及多种添加剂成分构成[1]，是集成电路制造的关键基础材料之一，是光刻技术中涉及到最关键的功能性化学材料[2]，广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及半导体分立器件的微细加工等过程[3]。光刻胶分为光聚合型、光分解型、光交联型、含硅光刻胶等种类。光刻胶的主要参数有分辨率、对比度、灵敏度、粘滞性黏度、抗蚀性、表面
新材料产业 2019年10期2019-12-23
- 基于SU-8厚胶光刻技术的爆炸箔加速膛工艺研究
要 SU-8光刻胶是厚胶工艺常用的光刻胶，它是一种基于EPON SU-8树脂的环氧型、负性、近紫外线光刻厚胶，由于曝光时SU-8光刻胶层能够得到均匀一致的曝光量，故使用SU-8光刻胶可获得具有垂直侧壁和较大高深宽比的厚膜图形。本文基于爆炸箔加速膛产品要求，研究了决定SU-8厚胶光刻后产品质量的主要工艺参数：胶厚与涂胶转速的关系、前后烘温度与时间、曝光量、显影时间等。获得了适用于片式薄膜爆炸箔加速膛的SU-8厚胶光刻方案。关键词 SU-8光刻胶 光刻工艺
科教导刊·电子版 2019年30期2019-12-12
- 基于支持向量机的光刻胶粘接芯片存储安全检测
刘芳摘要：光刻胶因其良好的性能被运用于芯片中，是芯片制作不可缺少的重要材料。對于保证光刻胶粘接芯片的存储安全，需要对其进行检测。文章将基于支持向量机检测光刻胶粘接芯片存储安全，为了提高检测的准确率，引入深度置信网络。通过仿真实验的方法，研究支持向量算法、深度置信网络算法、两者相结合的算法对光刻胶粘接芯片存储安全进行检测。研究结果表明支持向量算法的检测准确率低于深度置信网络算法低于两者相结合的算法，即两者相结合的算法检测光刻胶粘接芯片存储安全的准确率更高、误
粘接 2019年9期2019-11-08
- MOEMS器件的硅微透镜阵列制造工艺
效率低。(3)光刻胶热熔法：将光刻得到的圆柱图形加热至高于玻璃化转换温度，使光刻胶在表面张力作用下流动形成微透镜。Ph Nussbaum、Hiroshi Toshiyoshi和T.H.Lin等人先后对此进行了研究[6-10]。该方法制作微透镜工艺简单、成本低，且表面光洁，适于制作微米级的透镜，对毫米级的透镜制作则较为困难。对于焦平面阵列器件来说，尽管单个像元是μm级，但包含M×N像元阵列的芯片则达到了mm级，与此对应的单个透镜的有效通光口径也达到了mm级。
仪表技术与传感器 2019年10期2019-11-05
- 对彩色滤光膜RGB光刻胶性质的分析与研究
滤光膜中RGB光刻胶性质和功能进行了分析，以期为该技术的发展提供一些理论上的帮助和支持。关键词：彩色滤光膜;RGB;光刻胶在当下的信息化时代，液晶显示器已然成为主流显示器，彩色滤光膜通过光刻的原理在白玻璃上做出图形，其高对比度、高平整度、高透过率和色纯度、良好的耐受性等品质和性能在不断地提高。本文对彩色滤光膜RGB光刻胶性质进行了简要的分析和研究，以期为该技术的发展提供一些理论上的帮助和支持。1 RGB光刻胶光刻胶包括负性胶和正性胶，主要是依據化学反
科学大众 2019年8期2019-10-21
- 含POSS光刻胶材料研究进展
光致抗蚀剂又称光刻胶，是一种经过曝光后能发生光化学反应，引起曝光区溶解性能的变化，通过显影实现精细图形转移的材料。光刻技术是指利用光刻胶的曝光、显影、刻蚀、去胶等过程，实现将精细图形从掩膜板(mask)转移至基材上的技术[1]。光刻胶分为正胶和负胶：曝光后选择适当的显影液将曝光区显影除去，未曝光区保留下来，形成与掩膜板一致的图像为正胶；而未曝光区被显影除去，形成与掩膜板相反的图像，则为负胶。评价光刻胶性能的主要参数包括分辨率(resolution)、灵敏度
影像科学与光化学 2019年5期2019-09-25
- 光刻制程参数对光刻胶DICD和锥角的影响
光刻工艺制程后光刻胶的关键尺寸(Develop Inspection Critical Dimension，DICD)对FICD产生决定性影响[2]。光刻制程是一个图形转移的过程：曝光光源经过掩膜板(Mask)、透镜，将掩膜板图形成像于玻璃基板上，经过显影后，玻璃基板上的光刻胶形成与掩膜板一样的电路图案[3-4]。以正性光刻胶为例，形成图案的光刻胶宽度被称作DICD；同时，形成图案的光刻胶在截面方向形成锥角或坡度角，此锥角在TFT行业被称作Taper[5]
液晶与显示 2019年2期2019-03-26
- 4-Mask工艺Cu腐蚀分析及改善研究
半导体层干刻、光刻胶的灰化、第二次铜湿刻以及源/漏电极之间的欧姆接触层干刻，其中有源半导体层干刻和光刻胶的灰化通常在一个干刻反应腔内连续完成。铜是比较活泼的金属，在上述刻蚀过程中容易发生腐蚀从而造成不良[5-7]。本文针对4-Mask工艺铜数据线腐蚀造成的锯齿状不良现象进行系统研究，确定腐蚀发生的工艺步骤和发生机理，同时讨论了改善腐蚀的方法，成功解决了铜数据线腐蚀问题，为铜导线的广泛应用提供技术参考。2 铜腐蚀原因分析及机理研究2.1 不良现象确认本论文采
液晶与显示 2019年2期2019-03-26
- 我国正性光刻胶的制备与应用研究进展
730060）光刻胶是一类通过光束、电子束、离子束等能量辐射后，溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，在集成电路和半导体分立器件的微细加工中有着广泛的应用[1～5]。通过将光刻胶涂覆在半导体、导体和绝缘体材料上，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用蚀刻剂进行蚀刻就可将所需要的微细图形从掩膜版转移到待加工的衬底上，因此光刻胶是微细加工技术中的关键材料。跟据光化学反应机理不同，光刻胶分为正性光刻胶与负性光刻胶：曝光后，光刻胶在显影液中溶解性增加，得到与
粘接 2019年1期2019-02-21
- 基于MEMS结构的旋转式涂胶、喷雾式涂胶工艺的比较
.引言目前涂布光刻胶的工艺被广泛的应用于集成电路（IC）的领域当中对于一些微电子机械系统（MEMS）应用以及3D微结构中图案转移到形貌起伏很大的晶圆表面工艺需要在平面上和不规则面上均匀地涂布光刻胶。迄今为止，主要有两种光刻胶涂布工艺应用于MEMS设备中。旋转式涂胶工艺（spin coating）是最传统的涂胶工艺，由于其很难满足三维晶圆微结构的要求，因此适合在平坦表面均匀涂布抗蚀剂。相应的，人们提出了喷雾式涂胶工艺。喷雾式涂胶工艺则很好地克服了这些问题。它
电子世界 2018年22期2018-12-06
- 应用于MEMS及3D-IC封装中的喷胶技术
用AZ4620光刻胶，对375μm深的TSV孔进行雾化喷胶。引言：随着微电子机械系统（MEMS）与3D-IC封装技术应用的发展，为了满足不断发展的小尺寸和高集成度的器件要求，需要在非平整的表面上（具有沟道、V型槽以及深孔）覆盖共形的光刻胶。硅通孔技术（TSV）作为3D-IC封装中重要的工艺技术，通过芯片到芯片、晶圆到晶圆间的垂直互联，从而得到堆叠密度大、尺寸小、运行速度快、功耗小的高质量芯片。所以向具有不平整形貌的TSV结构涂覆光刻胶的需求越来越大，这就促
电子世界 2018年20期2018-11-14
- 匀胶胶厚均匀性的研究
图形印制在涂有光刻胶的电阻合金膜层上，曝光后被掩膜版覆盖的光刻胶部分得到保护，而未被掩膜版覆盖的光刻胶部分，被紫外光照射后光刻胶发生分解反应，后期在经过显影液的清洗，将曝光后的光刻胶去除，得到掩膜版上预期的图形，再经过湿法刻蚀去除没有光刻胶保护的电阻合金膜层，来得到想要的电阻图形实现阻值的提高。光刻工艺的优点是显而易见的，最主要的是图形分辨率高，还原度高，不像激光调阻使合金膜层受到高温影响，产品一致性及长期稳定性好，但是光刻工艺同样由于操作的复杂程度、选取
安徽电子信息职业技术学院学报 2018年1期2018-03-08
- 光刻胶：国产化势不可挡
长江证券 马太光刻胶：国产化势不可挡长江证券 马太光刻胶是在微电子制造业中实现精细线路及图形加工工艺的核心材料。光刻技术利用光刻胶在辐射前后溶解度的差异来转移图案，不同光刻胶及曝光光源的组合会得到不同精细度的线路图形，目前分辨率最高可达纳米级。根据应用领域分类，光刻胶可分为PCB光刻胶、LCD光刻胶、半导体光刻胶等。全球总需求不断增长中国产业信息网数据显示，2015年全球光刻胶市场规模为73.6亿美元，其中PCB光刻胶占比24.5%，LCD光刻胶占比26.
股市动态分析 2017年41期2017-11-01
- AZ4620紫外厚胶制备金属小零件工艺研究
Z4620紫外光刻胶在UV-LIGA技术基础上制备了高深宽比MESM微结构。研究曝光、显影关键工艺因素对图形微结构的影响，解决匀胶、烘培等关键工艺问题，优化了AZ4620胶光刻工艺，成功制作出了近30μm厚的AZ4620光刻胶微结构图形，并通过电铸铜得到了具有垂直侧壁和高深宽比的精细镀铜MESM微结构。关键词：光刻胶；烘焙；曝光；显影；电铸引言MEMS（微机电系统）是21世纪科技与产业的热点之一，而微细加工技术又是MEMS发展的重要基础。MEMS器件都需要
科技创新与应用 2017年16期2017-06-10
- 涂胶显影技术改进对光刻工艺的影响
光刻技术要应用光刻胶，它们作为一种聚合可溶解物被涂在衬底表面，然后光刻胶被烘焙除去溶剂，下一步再将其用受控的光线曝光，最后完成图形转移后就要被去掉。而涂胶显影技术的好坏对于光刻工艺来讲也有着重要的影响。1 涂胶显影技术改进对光刻工艺的影响1.1 光刻工艺光刻工艺制程涵盖非常广，光学，物理，有机化学等非常多的基础知识，本文仅从涂胶、曝光、显影、量测、后烘、去胶等共14个工艺步骤进行简述，如表1所示，可以了解光刻工艺的基本步骤。图1为TEL公司的光刻胶涂布显影
电子工业专用设备 2017年2期2017-04-25
- 光刻胶聚硅氧烷和硅倍半氧烷树脂的合成
261205)光刻胶聚硅氧烷和硅倍半氧烷树脂的合成冯心奕1，2刘运2周元基2向容2孙逊运2(1．潍坊市第一中学，山东 潍坊 261205；2．潍坊星泰克微电子材料有限公司，山东 潍坊 261205)介绍了用于高硅光刻胶的聚硅氧烷和硅倍半氧烷树脂的合成方法。探讨了温度、时间、搅拌等条件对合成结构的影响。该合成方法可操作性强，工艺简单成本较低。合成得到的聚硅氧烷和硅倍半氧烷树脂适合用于光刻胶原料，抗蚀性能非常优异。聚硅氧烷；聚硅倍氧半烷；光刻胶；刻蚀性能聚硅氧
化工管理 2017年24期2017-03-06
- 集成电路光刻工艺研究
；光刻；工艺；光刻胶DOI：10.16640/j.cnki.37-1222/t.2016.24.0111 绪论1.1 集成电路集成电路（Integrated Circuit，简称IC）是20世纪60年代初期发展起来的一种新型半导体器件。它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。使电子元件向着微小型化、低功耗、智能
山东工业技术 2016年24期2017-01-12
- MEMS器件刻蚀工艺优化
通过调整掩蔽层光刻胶的厚度，保持较高线宽分辨率的同时实现了硅片深沟槽的刻蚀加工；采用俄罗斯5026A型双面光刻机实现了硅片的对准套刻，成功实现了电容式传感器器件结构的刻蚀工艺，为用户提供了满意的产品，证明了该刻蚀工艺的可行性和实用性。关键词：MEMS器件；光刻胶；厚膜光刻；双面光刻；对准套刻；深沟槽刻蚀1 引 言MEMS将电子系统和外部世界有机地联系起来，它不仅可以感受运动、光、声、热、磁等自然界信号，并将这些信号转换成电子系统可以识别的电信号，而且还可以
微处理机 2016年2期2016-06-16
- 热压印光刻胶的研究进展
热压印光刻胶的研究进展综述了热压印光刻胶的主要分类，重点介绍了热固性光刻胶和热塑性光刻胶的研究进展，并介绍了2种光刻胶的应用情况，最后指出热压印光刻胶今后的发展方向。热压印；光刻胶；热固性；热塑性光刻胶是通过紫外光等光照或辐射后，使其曝光（或非曝光）造成部分降解并溶解于特定显影液的耐蚀刻薄膜材料。光刻胶成品一般由成膜树脂、光敏剂、溶剂和助剂等组成，将其涂布在印刷线路板、半导体基片、绝缘体或其他基材的表面，经曝光、显影、蚀刻、扩散和离子注入等工艺加工后，得到
粘接 2016年6期2016-03-24
- RZJ-304光刻胶压电雾化喷涂工艺及其应用
RZJ-304光刻胶压电雾化喷涂工艺及其应用翟荣安1，缪灿锋1，魏顶1，储成智1，汝长海1,2, *（1.苏州大学江苏省机器人与微系统研究中心，江苏 苏州 215123；2.苏州大学苏州纳米科技协同创新中心，江苏 苏州 215123）在自主搭建的压电雾化喷涂系统上，以 RZJ-304正性光刻胶为研究对象，圆形抛光硅片为基材，研究了稀释体积比、预热温度以及喷涂层数对光刻胶薄膜平均厚度及均匀性的影响，并得到最佳工艺参数。以具有方形结构的抛光硅片为基材，分别进行
电镀与涂饰 2016年20期2016-02-15
- 瑞红RZJ-304光刻胶光刻工艺研究
RZJ-304光刻胶光刻工艺研究庞梦瑶1，程新利1*，秦长发1，沈娇艳1，唐运海1，王冰2（1.苏州科技学院数理学院，江苏苏州215009；2.昆山双桥传感器测控技术有限公司，江苏昆山215321）利用光刻技术对瑞红RZJ-304正性光刻胶进行光刻工艺研究，用透射式光栅作为掩模版，通过改变光刻步骤中的前烘时间、曝光时间、显影时间等来研究光刻效果。实验结果表明，掩模版图形被成功地转移到了硅片基底上，显影后光刻胶厚度均匀，光刻胶线条呈周期性排列，得到了与掩模版
苏州科技大学学报(自然科学版) 2015年3期2015-02-06
- 光刻胶成膜树脂的研究进展
430062）光刻胶成膜树脂的研究进展冯 波 艾照全 朱 超 宋梦瑶（有机功能分子合成与应用教育部重点实验室，湖北大学化学化工学院，湖北 武汉 430062）光刻胶是集成电路和分立器件的基础工艺材料，主体成膜树脂是光刻胶的重要组分之一，不同的成膜树脂对光刻胶的性能有不同影响。主要综述了光刻胶的分类，影响光刻胶成膜树脂性能的因素，成膜树脂的发展，及光刻胶的主要技术参数。光刻胶；单体；成膜树脂；光敏度；化学放大光刻胶；有效含碳量光刻胶（photoresisit
粘接 2015年2期2015-01-28
- RRC工艺涂胶胶厚均匀性优化研究
生产成本，减少光刻胶的用量，需要在涂胶工艺上不断改进和提高。从原来传统的涂胶工艺到RRC（Reduced Resist Consumption）工艺，能够使光刻胶的用量减少，而随着光刻胶用量的减少，圆片上胶厚的均匀性也在发生剧烈的变化。同时光刻涂胶工序最重要的工艺要求就是胶厚和均匀性，它直接影响着后续曝光工艺的稳定性。在RRC工艺下，通过对喷胶转速、排风、喷胶速率等涂胶参数进行多次试验，最终找出影响胶厚均匀性的参数及其调整方法，来达到工艺要求的胶厚及均匀性
电子与封装 2014年8期2014-03-22
- 一种根据晶圆移动量精确预测光刻胶日用量的方法
有的化学品中，光刻胶是价格最贵的材料之一，但有效期却最短（80%以上的光刻胶进厂后有效期仅有90天）。为了避免不必要的浪费，精确地预测光刻胶的日用量对半导体工厂的正常运行非常重要。光刻胶的储存有效期一般为六个月的有效期，并要求低温冷藏。通常，在满载的Fab里面需要用到的光刻胶会有30多种。一般地，光刻胶从出厂到运输，经过进境报关和进口报关等一段时间后，剩余有效期仅为4～5个月，这对于安全库存量的设置提出了非常高的要求。当安全库存配置较高时，一旦客户的需求有
中国新技术新产品 2014年9期2014-03-17
- 海归博士的“光刻胶”国产梦
宝“对于中国的光刻胶市场，大约92%的产品来自国外，国内生产的不足8%，我所努力的就是这8%之外的光刻胶生产。”海归博士孙逊运说。光刻胶，又名光阻，是半导体芯片制造工业的核心材料，而芯片又是国防、航天、信息等多个领域的关键技术。目前，国内企业对于光刻胶的需求多数依赖进口。为了打破国外对高端光刻胶的垄断，2010年，加拿大达尔豪西大学博士、美国密苏里大学博士后孙逊运回到山东潍坊高新区创立了潍坊星泰克微电子材料有限公司，致力于光刻胶的研发和生产。光刻胶的实验和
神州学人 2014年2期2014-02-20
- L C D光刻胶涂布质量浅析
8）L C D光刻胶涂布质量浅析谭代木（南京华日液晶显示技术有限公司，江苏南京 210038）通过对液晶显示器制造过程中的关键工序——光刻胶涂布工艺、原理进行分析，对光刻胶涂布设备参数进行调整等，为生产LCD提高合格率提供参考。光刻胶；涂布；显示器；液晶平板显示，作为信息产业的重要构成部分。平板显示中液晶显示的生产技术不断提高，市场需求量急速增长，为了提高LCD产品质量，把好生产过程中的工艺关、光刻工艺中光刻胶涂布质量的好坏直接影响光刻质量从而影响LCD质
电子工业专用设备 2013年7期2013-09-17
- 不同衬底材料对光刻胶剖面的影响
对光刻工序而言光刻胶剖面控制是光刻工艺控制的关键点，光刻胶剖面影响着光刻CD的稳定性和精确性[2]。光刻胶剖面的影响因素有很多，光刻工艺条件包括涂胶、曝光、显影是最主要的影响因素[3]。除此之外，不同衬底材料对光刻胶形貌也有重要的影响，本研究通过对金属薄膜和SiN薄膜进行研究，就高反射率薄膜材料和透明薄膜材料影响光刻胶形貌的根本原因作了详尽分析，并提出了有效的解决方案，可以在科研开发和生产中推广应用。2 实验结果与讨论2.1 金属衬底光刻胶形貌一般的0.8
电子与封装 2013年8期2013-09-05
- 触控屏网版印刷型光刻胶
成本。网版印刷光刻胶在触控屏制造技术中，首先需要制作一个高精细的网版，通常用500目不绣钢丝网，丝径为18μm，用这块精细丝网空版，放置于ITO玻璃上进行满版印刷网版型光刻胶。印刷环境应该是在十分洁净的操作室内进行（室温在22℃左右，湿度为55～60%），在黄或红灯安全条件进行。网版印刷型光刻胶简称光刻胶，又称光阻液或光致抗蚀耐酸油墨等。光刻胶一般由感光剂、增感剂和溶剂组成。感光剂是一种对光敏感的高分子化合物，当它受到适当光波长的光照射时能吸收一定波长的光
网印工业 2013年5期2013-07-23
- 不同光刻胶作保护层对a-IGZO TFT性能的影响*
变化。本文采用光刻胶作为保护层，通过旋涂法快速成膜，不需要经过真空环境、Plasma轰击和高温处理，具有较好的抗酸碱性，制备工艺简单，低温、低成本。研究了不同光刻胶(正性胶和负性胶)作为保护层，对TFT器件电学特性及其稳定性的影响，探讨影响产生的原因。1 实验条件本研究中，采用脉冲直流(Pulsed DC，ENI RPG-50)方式溅射制作IGZO膜，IGZO靶直径为150 mm，功率为30 W，气压为0.5 Pa，溅射气体为单组份的Ar(纯度≥5 N)。
电子器件 2012年4期2012-12-30
- 硅通孔用光刻胶雾化喷涂技术
圆表面均匀涂布光刻胶，传统的旋转涂胶方法因为离心力很难满足三维微结构的要求，喷雾式涂胶是攻克这些挑战的一种有效方法。与电镀光刻胶不同，喷雾式涂胶技术不受待喷涂基底材料影响，既适用于导电基底也适用于绝缘基底。图1是硅通孔制作工艺流程图。图1 通孔制作工艺流程2 光刻胶雾化喷涂2.1 准备晶圆为实现硅通孔互联，需要先在200mm硅晶圆上制作高深宽比通孔。首先，经由前道工艺在硅晶圆正面制作微芯片，然后进入后道将硅晶圆键合在玻璃晶圆载体上，并对硅晶圆背面减薄至10
电子与封装 2012年2期2012-09-19
- 射频MEMS开关中金属剥离工艺研究
BP212正性光刻胶(浸泡氯苯)、AZP4620正性光刻胶(浸泡氯苯)、AZ5214E反转光刻胶光刻后的图形剥离金属的难易度及图形质量.用扫描电镜(SEM)观察不同光刻胶及浸泡氯苯后的侧壁图形，并分析不同侧壁图形的形成机理，找出最佳工艺参数，并应用于射频MEMS开关制作中的金属剥离.BP212;AZP4620;AZ5214E;氯苯浸泡;剥离Abstract:The lift-off processes of BP212 positive photoresi
苏州市职业大学学报 2012年2期2012-09-14
- AZ4620光刻胶的喷雾式涂胶工艺
槽）均匀地涂布光刻胶。喷雾式涂胶(spray coating)正是为了满足这些要求而开发的，它具有其它技术如旋转涂胶（spin coating）和电镀（electroplating）所没有的优势。沈阳芯源微电子设备有限公司KS-M200-1SP喷雾式涂胶机和用丙酮稀释的黏度分别为0.020，0.012，0.005 Pa·s的AZ4620光刻胶溶液应用在喷雾式涂胶实验中。本文分别对裸片及深孔尺寸为 75，150，250，375，425 μm 的晶圆进行喷雾式
电子工业专用设备 2011年12期2011-08-08