纳米线_参考网

稀土元素Er掺杂的MoSe2垂直纳米线的光致发光性能研究

Se2多层膜和纳米线的发光增强的报道还很少。MoSe2的制备方法包括机械剥离、热蒸镀沉积、液相合成和化学气相沉积[19-21]。笔者研究比较了热蒸发法合成的未掺杂MoSe2纳米线和掺杂Er3+的MoSe2纳米线的光致发光特性（即用MoSe2粉末蒸发制备MoSe2纳米线，具有操作简单、转化率高、成膜均匀、污染少等优点），讨论了掺杂和未掺杂MoSe2纳米线的晶体结构、表面形貌、光吸收、发光特性及相关机理。1 实验及样品测试采用热蒸发方法在p-Si衬底上制备了垂

苏州科技大学学报(自然科学版) 2022年4期2022-11-28

透明导电银纳米线薄膜的制备及热稳定性研究

和高长径比的银纳米线，在柔性和光电性能等方面表现优异，且制备工艺简单，被视为最有可能替代传统ITO 的柔性透明电极材料之一［10-12］。银纳米线在许多溶剂中具有良好的分散性，故其薄膜可通过印刷、涂布、凝胶和真空过滤等技术来制备。近年来，银纳米线透明导电薄膜已在太阳能电池［13-14］、发光二极管［15-16］、触摸屏［17］、可穿戴设备［18-19］和柔性传感器［20］等领域展示了巨大的潜力。银纳米线的制备方法众多，包括多元醇法、紫外线照射法［21］、和

材料研究与应用 2022年3期2022-07-04

退火温度对电沉积FeNi纳米线阵列结构及磁性能的关联性研究*

0 引 言磁性纳米线阵列由于具有相互独立并垂直于基层独特的有序结构，在磁性储存、场发射器件、传感器、自旋电子学、磁性记录器件以及催化器件等领域具有潜在的应用前景[1-3]。FeNi纳米线因具有高磁导率和磁各项异性逐渐引起了广大研究者的兴趣。一般制备FeNi纳米线的常用方法有模板辅助电沉积法[4]、水热合成法[5]、磁控溅射法[6]、分子束外延法[7]和溶胶凝胶法[8]等。但是，采用有序多孔的阳极氧化铝(AAO)模板制备磁性纳米线是目前最常用的方法之一，该方

功能材料 2022年5期2022-06-02

B36团簇组装一维纳米线的密度泛函研究

管[9]以来，纳米线、纳米棒等一维结构材料因其独特的力学、热学、光学、电子输运等特性而备受瞩目[10-18]. 传统上制备纳米线的实验方法诸多，比如汽液固生长法、氧化物辅助生长法和碳热反应法等[19]. 近年来，团簇组装纳米线方法越来越多地引起研究者的关注，以高稳定团簇作为结构单元组成的一维纳米结构材料具有独特的性能和巨大的潜在应用价值[20,21]. 通常，单质纳米线自身的带隙过小，限制了其在纳米电子器件方面的应用，对此，可以通过掺杂和化学修饰等方式改变

原子与分子物理学报 2022年3期2022-03-04

一维氧化钨纳米线的研究进展及应用

掺杂后的氧化钨纳米线，则是在光电性质（如光响应和电化学氢离子储存）方面得到了显著提高，这说明氧化钨纳米线的改性可以从掺杂这方面进行必要性研究。而对于氧化钨纳米线的原位相变，则是与其结构息息相关。尝试建立起结构—性质的关系，在太阳能电池、超导、光催化和智能光学器件等方面能够提供重要指导。为了更好的介绍一维氧化钨纳米线的合成和应用，本文介绍几种氧化钨纳米线的合成控制方法、掺杂、相变以及实际应用，本文对一维氧化钨纳米线在未来的研究和发展提供了一定的指导作用。1.

当代化工研究 2022年21期2022-03-01

降低银纳米线薄膜接触电阻的方法研究

金属网格、以银纳米线为代表的金属纳米线等。其中银纳米线具有优异的长径比、高透光率、柔性等突出优势,被誉为最有希望取代ITO和实现商业化的导电纳米材料之一[1-5],在太阳能电池、显示器、透明加热器、有机发光二极管、触摸屏等光电领域有重要的应用价值。当然,任何材料都不是十全十美的,银纳米线也存在一些不足[6],如易氧化、环境稳定性差、接触电阻大、表面粗糙度大、与基底的黏附牢度差等。特别是接触电阻过大,严重影响了银纳米线透明导电薄膜的实际应用价值。一般来说,银

江苏科技信息 2022年13期2022-02-18

乙二醇热还原法制备超高长径比银纳米线的工艺条件研究

900)一维银纳米线在光学、电子学、热学和催化领域具有独特的性质和多种应用[1-6]，如纳米电子器件、纳米光学器件、导电膜、纳米传感器等[7-14]。银纳米线是制备柔性透明导电膜最有前途的替代材料之一[1,6-9]，在薄膜太阳能电池、有机发光二极管、传感器、电子纸等领域也有着广泛的应用[15-19]。相比于碳纳米管、石墨烯、导电聚合物等材料，银纳米线薄膜的导电性好，稳定性强，纯度高，并且成本可以控制在较低的水平[7-8,20]。根据文献[21-22]的报道

西南科技大学学报 2021年4期2022-01-15

Be, Si 掺杂调控GaAs 纳米线结构相变及光学特性*

. GaAs 纳米线因在光子集成器件中前景广阔而备受关注, 高质量GaAs 纳米线的可控制备是器件实用化的前提,过去的几十年里, GaAs 基纳米线的生长机制得到了广泛的研究, 通常GaAs 薄膜材料为立方闪锌矿(zinc blende, ZB)结构, 但随着尺寸的减小, 一维纳米材料中出现了六方纤锌矿(wurtzite, WZ)相[5]. WZ/ZB 混合相的存在对纳米线的电学和光学性能产生了严重的影响, 显著降低了纳米线中载流子迁移率和辐射复合效率[6

物理学报 2021年20期2021-12-23

碳纳米线圈用于微尺度物质输运的力学仿真

2］，在一维微纳米线上通过热泳法驱动水滴［3-5］和光势阱法驱动金属微粒［6］，等等。作为一种典型的一维纳米材料，碳纳米管（Carbon Nanotube，CNT）具有极大的长径比，具有原子级平整的表面，力学特性优异，还具有化学惰性，被视为制作“纳米传送带”的极佳候选材料之一。前人围绕碳纳米管的物质输运特性展开了诸多研究，指出碳纳米材料的物质运输速度可达几到几十米每秒，应用潜力巨大［7-10］。但是，由于碳纳米管的尺寸较小，较难实现重微粒或大尺寸液滴的远距

山西大学学报（自然科学版） 2021年4期2021-08-31

Si掺杂对GaAs纳米线发光特性的影响

2]。GaAs纳米线作为一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具有较高的光电转换效率和适中的直接带隙，因此在光电探测器[3-4]、场效应晶体管[5-6]、纳米激光器[7]等各种光电子器件中得到了广泛的应用。尽管目前的GaAs纳米线器件已经表现出了良好的性能，但是随着对下一代器件性能要求的不断增长，还需要提高其应用精度。众所周知，杂质引入对于提高一维纳米光电器件的性能起着至关重要的作用。GaAs纳米线具有大的表体比和高表面态密度，使得纳米线中载流子更趋向于填充

发光学报 2021年5期2021-06-08

金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线及其工艺参数优化

00124)硅纳米线是一维纳米结构的光电材料，因为尺寸非常小，所以具有量子限域效应[1]、非定域量子相干效应[2]、非线性光学效应[2]及库仑阻塞效应[3],并表现出了较好的光致发光性能[4]、场发射特性[5]以及较低的热传导率等. 具有特殊性质的硅纳米线在太阳能电池、锂离子电池、场效应晶体管等光电纳米器件的制备中有广泛的应用价值[6-9].研究之初，人们分别选用电子束平板印刷术与刻蚀技术结合法、扫描隧道显微镜方法制备硅纳米线[10-12]，但生产效率很低

北京工业大学学报 2021年2期2021-03-09

硅(001)图形衬底上锗硅纳米线的定位生长*

100049)纳米线的定位生长是实现纳米线量子器件寻址和集成的前提.结合自上而下的纳米加工和自下而上的自组装技术,通过分子束外延生长方法,在具有周期性凹槽结构的硅(001)图形衬底上首先低温生长硅锗薄膜然后升温退火,实现了有序锗硅纳米线在凹槽中的定位生长,锗硅纳米线的表面晶面为(105)晶面.详细研究了退火温度、硅锗的比例及图形周期对纳米线形成与否,以及纳米线尺寸的影响.1 引 言半导体量子点作为量子比特的载体,因具有扩展性好[1]、容易实现初始化[2,3

物理学报 2020年2期2020-02-18

氧化硅纳米线的研究现状

118）氧化硅纳米线是一种新型的半导体材料［1-3］，具有较为优异的光学性能和电学性能以及高表面活性，在科学界得到了广泛的应用和发展［4-8］。目前，制备氧化硅纳米线的方法很多，本文主要对各种制备方法及其生成的氧化硅纳米线的优缺点做了阐述。1 溶胶-凝胶法溶胶-凝胶法是指利用高表面活性的化合物作为前驱体，将原材料混合在一起，在溶液中形成溶胶，再经陈化作用使得胶粒之间缓慢聚合，形成凝胶。Xu Yajie等［9］以硅片作为先驱体，金属镍作为催化剂，采用溶胶-凝

无机盐工业 2020年11期2020-01-01

银纳米线透明导电薄膜的失效机理研究

10014)银纳米线(AgNW)是近年来广受重视的一种新材料,一般为单晶结构,平均直径在20～100 nm,平均长度在20～200 μm,长径比可达1000以上。银纳米线一般由多元醇还原法制备,随着研究的深入,银纳米线的直径和长度等已经可以在一定范围内进行调控,并且产率也稳步提高。由银纳米线涂布形成的网络,对可见光的透过率可以高达 90%以上,而连续网络可以形成有效的导电通道,其方块电阻可以低至30 Ω/□以下,并且随着银纳米线直径的减小,网络薄膜对于可见

无机材料学报 2019年12期2019-12-28

表面修饰对硅锗合金纳米线的内部键长分布及能带影响的机理研究

引 言一维的硅纳米线以成本低、工艺成熟、易产业化、易调控等特点在热电材料[1]、光电池[2]、传感器[3]方面都有应用. 为进一步调控其电子性质，通过研究表面钝化[4-6]、施加应力[7]、不同晶体取向、掺杂[8]等措施，有大量的研究成果和文献发表. 尽管如此，硅纳米线难以满足不同应用对独特性质的要求. 为更进一步调控纳米线电子性质，在硅中掺入锗形成硅锗合金纳米线成为一种调控策略，由于锗的窄禁带宽度，高的电子迁移率，使纳米线在电子能带结构和响应带速度能够得

原子与分子物理学报 2019年6期2019-12-09

AlN纳米线阵列的光学性质及第一原理计算*

近年来，半导体纳米线及其阵列因具有独特的光学性能、电学和热学等优异性能，在场发射、光电探测、电子和光电子器件等方面得到了广泛的应用[1-2].AlN作为一种Ⅲ-Ⅴ族半导体，具有超强的耐辐射性，较高的热稳定性和化学稳定性，因而AlN纳米线阵列是紫外光电探测器、发光二极管和激光器二极管的理想器件选择材料[3-4].目前，AlN纳米线已经应用于紫外发光二极管、激光器和一维MSM结构的紫外光电探测器中[5-6].AlN纳米线的制备方法有很多.Wang等利用分子束外

沈阳工业大学学报 2019年5期2019-09-19

NiCo2O4纳米线的原位透射电镜研究

NiCo2O4纳米线作为超级电容器电极材料，该电极材料在1.11 mA/cm2电流密度下的面积比电容高达3.12 F/cm2，且具有优异的循环稳定性；Yang等[12]在泡沫镍基底上制备了NiCo2O4纳米线作为锂离子电池电极材料，在100 mA/g的电流密度时,该材料放电比容量达到1 048.8 mA·h/g。然而，目前电极材料的研究主要集中在整体电极材料的微结构与性能上，而关于电极材料的单体性能研究目前报道较少。原位TEM技术是系统研究纳米材料单体的微

实验室研究与探索 2019年8期2019-09-03

硒化镉纳米线在应力作用下的第一性原理研究

 引 言半导体纳米线结构是研究在微纳尺度和纬度上材料的物理和化学性质的理想体系，其在光电探测器、太阳能电池、热电材料和场效应晶体管等方面具有十分广泛的应用前景。Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料硒化镉CdSe具有独特的光电特性，被认为是制作纳米线的优异材料，因而引起人们广泛地关注。由于CdSe纳米线具有较大的比表面积，因此，具有更好的电学特性[1]，其在半导体沟道器件领域具有很大的应用潜力[2]。CdSe是直接带隙半导体，其带隙约为1.74 eV[3-4]，载流子迁

人工晶体学报 2019年7期2019-08-22

C掺杂ZnO纳米线的磁性研究

不同尺寸ZnO纳米线的电子性质和磁性质.计算结果表明C原子趋于占据纳米线的表面位置.所有的掺杂纳米线都显示了半导体特性，并且可以观察到C、Zn和O原子p轨道的强杂化.2 计算方法计算采用了Dmol软件包中自旋极化的密度泛函理论.选择了全电子和DND基矢.交换关联势选择了GGA/PBE[12].自洽场计算时，总能量的收敛标准为10-6Ha，力的收敛标准0.002 Ha/Å，位置移动收敛标准为0.005 Å.Mulliken布局分析被用来分析电荷转移和原子磁矩

原子与分子物理学报 2019年3期2019-07-08

GaAs纳米线晶体结构及光学特性*

镓(GaAs)纳米线,对生长的纳米线进行扫描电子显微镜测试,纳米线垂直度高,长度直径均匀度好.对纳米线进行光致发光(photoluminescence,PL)光谱测试,发现低温10 K下两个发光峰P1和P2分别位于1.493 eV和1.516 eV,推断可能是纤锌矿/闪锌矿(WZ/ZB)混相结构引起的发光以及激子复合引起的发光; 随着温度升高,发现两峰出现红移,并通过Varshni公式拟合得到变温变化曲线.对纳米线进行变功率PL光谱测试,发现P1位置的峰位

物理学报 2019年8期2019-05-29

Mn掺杂ZnO纳米线磁性质的第一性原理研究

Gd掺杂ZnO纳米线的磁耦合性质，发现Gd原子处于相邻的位置时，它们之间的相互作用是铁磁性的[11]. Ghosh等人研究了Fe和Co共掺杂ZnO纳米线，发现掺杂纳米线的磁性依赖于Fe和Co的位置[12]. 张等人研究了Cr和Ni掺杂ZnO纳米线的电子结构和磁性质，发现纳米线的磁性依赖于掺杂位置以及纳米线的生长方向[13, 14]. 目前还没有Mn掺杂ZnO纳米线的相关理论研究工作. Mn原子掺杂后会对纳米线的结构和物性产生什么影响，需要进行详细的研究.本

原子与分子物理学报 2019年2期2019-04-29

水热法制备纳米线研究进展

要手段。其中，纳米线具有众多优势：易单晶化，可降低空穴-电子复合率；大比表面积，增加了边界效应，降低了电导率；有利于器件的小型化、集成化[1-3]。纳米线的制备总体上可分为物理法、化学法和综合法[4-5]，其中化学法又分为化学气相沉积法(CVD)[6-7]、水热法[8-10]、模板法[11]等。而水热法具有制备条件简单、适用面广、具有可控性和调变性等优点而备受青睐。水热法(又称高温水解法)是指将一定形式的前驱物放置在高压釜水溶液中，在高温、高压条件下进行反

人工晶体学报 2019年3期2019-04-17

水热法制备条件对ZnO纳米线形貌影响

-4]。ZnO纳米线阵列是一种新型的纳米一维阵列材料，具有单晶纳米线的优良品质，是大面积应用的理想结构形式。但由于ZnO纳米线的形貌特征对ZnO纳米线的性能起着决定性的影响，所以寻求最佳的反应条件以优化ZnO纳米线形貌具有重要意义[5-7]。本文研究水热法制备条件对ZnO纳米线形貌的影响，以获得最佳的ZnO纳米线制备条件。1 实验实验分为两步操作，第一步采取sol-gel法在硅基底上制备ZnO籽晶层，第二步采用水热法在籽晶层上进行ZnO纳米线的生长。生长步

长春师范大学学报 2019年2期2019-02-27

大连理工研制出新型GaN发表纳米线气体传感器

明的无漏电流“纳米线桥接生长技术”，解决了纳米线器件的排列组装、电极接触及材料稳定性问题，研制出高可靠性、低功耗及高灵敏度的GaN纳米线气体传感器，该传感器可推广至生物检测以及应力应变检测等。相较于传统体材料和薄膜材料，半导体纳米线具有许多独特优势。但是，纳米线器件的实用化还面临一系列问题，纳米线难于操控，排列定位难，电极接触面积非常小，造成电极接触电阻很大，比纳米线自身的电阻高出近两个数量级等等。为解决这些问题，2004年，惠普公司与加州大学合作发明了一

传感器世界 2019年6期2019-02-16

铜纳米线的合成、优化及其透明电极的应用

晶, 孙静﻿铜纳米线的合成、优化及其透明电极的应用王晓, 王冉冉, 施良晶, 孙静（中国科学院 上海硅酸盐研究所, 上海 200050）随着光伏产业、平板显示技术的发展, 市场对于透明导电材料的需求量迅速增加。传统的透明导电材料氧化铟锡(ITO)面临着资源不足、脆性大的问题, 无法满足市场需求。铜纳米线透明电极导电性好、成本低、柔性好, 是一种有潜力的新一代透明导电材料。近年来, 铜纳米线的合成及其在透明导电领域的应用引起了研究人员的关注, 并取得显著的进

无机材料学报 2019年1期2019-01-30

银纳米线表面等离激元波导的能量损耗∗

要意义.本文从纳米线表面等离激元的基本模式出发,介绍了它在不同条件下的场分布和传输特性,在此基础上着重讨论纳米线表面等离激元传输损耗的影响因素和测量方法以及目前常用的降低传输损耗的思路.最后给出总结以及如何进一步降低能量损耗方法的展望.表面等离激元能量损耗的相关研究对于纳米光子器件的设计和集成光子回路的构建有着重要作用.1 引言随着现代信息技术的飞速发展,人们对于集成器件的性能和传输速度要求越来越高,而传统半导体集成电路的进一步发展面临瓶颈.随着电子元件

物理学报 2018年24期2018-12-28

金辅助催化方法制备GaAs和GaAs/InGaAs纳米线结构的形貌表征及生长机理研究∗

为代表的半导体纳米线结构在新一代光电子器件的研究及制备领域具有广泛的应用前景[1−6],近年来一直是国内外的研究热点.在GaAs基材料中,InGaAs材料因其窄带宽、复合中心少及载流子迁移率高等特性而被以异质结的形式应用到纳米线结构中.然而,由于生长机理复杂、失配和应变等原因,会导致纳米线结构呈现“锥状”和“扭折”等现象[7−10],不利于控制样品形貌.为了获得高质量的纳米线结构,当前多采用遵循气-液-固(vapor-liquid-soild,VLS)机理

物理学报 2018年18期2018-10-26

基于硅纳米线的场效应晶体管电学性质仿真

料，而半导体硅纳米线具有优良的光电性质和成熟的制备技术。多年以来，人们对硅纳米线的制备及相关器件应用进行了大量而卓有成效的研究，取得了丰富的研究成果。研究结果发现，半导体硅纳米线在电子器件[1-2]、光电器件[3-4]、生物及化学传感器[5]、能量储存及转换等器件[6]方面都有非常广泛的应用前景。而基于半导体硅纳米线的光电器件、电子器件、传感器件应用是以硅纳米线的电学性质为基础的，因此硅纳米线的电学特性是其中关键因素。而硅纳米线的电学特性取决于纳米线制备过

电子世界 2018年17期2018-09-14

多晶面银纳米线拉伸形变的分子动力学模拟

4001)金属纳米线因其独特的机械性质、光电性质、热学性质和磁性质等，被广泛应用于电极材料、光学材料和催化材料等领域[1-5].这些优异的性能与纳米线中的表面结构密切相关，尤其当纳米线尺度小于10nm时，纳米线表面和界面应力将成为控制纳米线形变的主导因素[6-7].为了构建高强度纳米线，研究表面形貌对金属纳米线的形变影响显得十分必要.理论上通常借助分子动力学模拟来研究不同表面形貌对纳米线强度的影响机制.大量的模拟研究表明，表面形貌能控制金属纳米线的力学性质

复旦学报（自然科学版） 2018年4期2018-09-12

GaAs一维纳米结构生长控制及表面改性方面的研究进展

点的GaAs基纳米线具有比体材料更出众的光电性质，成了为近年来低材料研究中的热点。然而GaAs纳米线材料走向实际应用就必须要解决生长过程中的形貌可控以及高质量生长。在GaAs材料体系中，由于表面态引起的费米能级钉扎是影响材料光电性质的重要原因。在纳米线材料中，当材料的表面积体积比增大，表面态问题变得越加显著。本文中阐述了纳米线的核壳结构、表面钝化处理和量子点敏华处理的机理与应用。2 GaAs纳米线的生长控制1964年，Wagner和Ellis为了解释Au纳

电子世界 2018年4期2018-03-20

碳纳米线的拉伸应变传感特性

碳纳米薄膜和碳纳米线应变传感器方面的研究。基于碳纳米线的研究[8-10]已经显示出其作为原位传感器用于监测连续纤维增强复合材料耐损伤和应变的潜力。在国外，利用碳纳米线进行复合材料的结构健康监测大都采用铺层或黏贴方式[11-12]，未见有将碳纳米线与增强纤维共同编织对三维编织复合材料进行结构健康监测的报道；在国内，将碳纳米线用于三维编织复合材料结构健康监测的研究结果表明，作为一种新的综合和分布式技术，碳纳米线传感器应用于三维编织复合材料结构健康监测是可行的，

纺织学报 2018年3期2018-03-16

表面钝化效应对GaAs纳米线电子结构性质影响的第一性原理研究∗

效应对GaAs纳米线电子结构性质影响的第一性原理研究∗张勇1)†施毅敏1)包优赈1)喻霞1)谢忠祥1)‡宁锋2)1)(湖南工学院数理科学与能源工程学院,衡阳 421002)2)(广西师范学院物理与电子工程学院,南宁 530001)纳米线表面存在大量的表面态,它们能够引起电子分布在纳米线表面,使得纳米线的电学性质对表面条件变得更加敏感,严重地制约器件的性能.表面钝化能够有效地移除纳米线的表面态,进而能够有效地优化器件的性能.采用基于密度泛函理论的第一性原理计

物理学报 2017年19期2017-10-23

一种制备二氧化钛纳米线薄膜的方法

种制备二氧化钛纳米线薄膜的方法本发明涉及一种二氧化钛纳米线薄膜的制备方法。以钛粉（纯度99.5%~99.8%）为原材料，通过两次热蒸发在衬底上制备二氧化钛纳米线薄膜。二氧化钛纳米线密集且分布均匀，其长度为50~1 000 nm，直径为1~100 nm。采用热蒸发法制备二氧化钛纳米线，其制备工艺简单可控，制备的二氧化钛纳米线结晶性好，杂质元素少。可适用于涂料分散剂、光催化、染料敏化太阳能电池等领域。CN，105016383B

无机盐工业 2017年7期2017-03-10

锑化物纳米线研究取得重要进展

InAsSb）纳米线制备及机理研究方而取得了系列重要进展，为未来制备高度集成的III-V族纳米器件开拓了新的技术路线。相关研究成果发表在Nano Letters，2016，16（2），877-882上。III-V族半导体纳米线因其独特的准一维结构和物理特性可应用于纳米晶体管、纳米传感器和纳米光电探测器等方面，是当前国际研究的热点。其中，InAsSb纳米线不仅具有超高的载流子迁移率和极小的有效质量，还具有可调的带隙，是红外探测器的理想材料。日前，国际上广泛采

科学 2016年2期2016-05-30

纳米银和二氧化钛协同修饰氧化锌纳米线阵列及制备方法

协同修饰氧化锌纳米线阵列及制备方法本发明涉及一种纳米银和二氧化钛协同修饰的氧化锌纳米线阵列及制备方法，该阵列结构为：ZnO纳米线为内芯，在ZnO纳米线表面负载纳米Ag，纳米Ag最外部修饰TiO2膜层，其中ZnO纳米线阵列长为10 μm，二氧化钛层为5～10 nm。采用水热法制备ZnO纳米线阵列，以AgNO3溶液作为前驱体，通过光照还原法在ZnO纳米线阵列表面负载纳米Ag，然后将其放入六氟钛酸胺和硼酸的混合液中，采用浸没法在阵列表面形成TiO2膜层。该结构的

无机盐工业 2016年4期2016-03-15

硅基纳米线太阳电池电极接触性能的改善

1]。近年，硅纳米线结构因具有超低的光反射和较强的光吸收而受到了重视[2-5]。硅纳米线的制备方法主要包括：激光烧蚀[6]、气液固相沉积(VLS)[7-8]、反应离子刻蚀(RIE)[4，9]和湿法腐蚀等[10-11]。在300～1 000 nm光波长范围，硅纳米线阵列具有超低的光反射率(＜5%)。但与传统的金字塔结构晶硅电池相比，尽管纳米线结构具有超低的反射损失，纳米线晶硅太阳电池的转换效率仍不高[12]。这主要有两方面原因：一是纳米线具有大的表面积，从而

电源技术 2015年6期2015-11-21

压电纳米线尺寸与机电转换性能的有限元研究

2].利用压电纳米线受力应变时产生的压电势，可向外电路输出脉冲式的高电压信号并对LED和低功耗传感器等微纳器件进行供电，获得自供电系统［3-4].在微纳压电发电器件中，机电转换效率是影响器件电输出能力的关键因素.通过提高材料的性能参数、优化器件的结构构型，可对器件的机电转换效率进行优化.依纳米线形貌的不同，可将压电纳米线发电元件分为纳米线阵列、纳米线网络和纳米线复合物3种［5-7].受制于复杂的材料生长和器件组装工艺，有关器件结构与机电转换效率关联性的实验

湖北大学学报(自然科学版) 2015年3期2015-10-19

用高温氧化法制备氧化镍纳米线及氧化机制研究

化法制备氧化镍纳米线及氧化机制研究杨 攀，魏晓伟*，王 剑，羊 凡，郑晓宇(西华大学材料科学与工程学院，四川 成都 610039)为获得晶粒尺寸可控的氧化镍(NiO)纳米线，用高温氧化法制备NiO纳米线，并通过XRD、SEM、TGA和HRTEM的手段分析氧化机制。微结构分析表明，Ni纳米线在400 、600 、800 ℃氧化5 h获得的NiO纳米线的平均晶粒尺寸分别为12 、16 、21 nm，说明随着氧化温度的升高，晶粒尺寸增大。SEM分析显示，NiO纳

西华大学学报（自然科学版） 2015年3期2015-07-18

有限长金属纳米线调控纳米线波导的传输特性研究

9）有限长金属纳米线调控纳米线波导的传输特性研究庞绍芳1，屈世显2，张永元1，解 忧1，郝丽梅1（1西安科技大学理学院，陕西西安710054；2陕西师范大学物理学与信息技术学院，陕西西安710119）基于有限元方法，通过改变有限长金属纳米线的长度、半径、介质有效折射率以及有限长金属纳米线和波导之间的距离，研究了有限长金属纳米线对纳米线波导传输特性的调控效果。结果表明：沿有限长金属纳米线长度方向，表面等离极化激元在两金属纳米线耦合区域内形成共振。随着有限长金

陕西师范大学学报（自然科学版） 2015年5期2015-06-05

单根氮化硅纳米线压阻效应研究

4)单根氮化硅纳米线压阻效应研究毕精会(太原科技大学，太原 030024)为了实现恶劣环境下的精密仪器和精确测量，适应于恶劣环境下的压力传感器的需求大大增加。首次报道单根氮化硅纳米线的横向压电效应。在不同压力负载下，采用导电原子力显微镜(CAFM)对单根氮化硅纳米线进行压阻效应测量。计算得到横向压电效应的系数在1.8～7.5×10-11Pa-1范围内。压电电阻系数和负载压力之间的关系几乎是线性的。稳定和可重复的电流-电压曲线通过多次循环往复测量完成，表明氮

太原科技大学学报 2015年4期2015-05-25

Pt-Ag合金纳米线热力学性质的分子动力学模拟研究

Pt-Ag合金纳米线热力学性质的分子动力学模拟研究曾 冰, 王新强(重庆大学物理学院, 重庆 401331)基于原子嵌入势(EAM),采用分子动力学方法,对临界尺寸下的Pt0.95Ag0.05合金纳米线多边形结构的熔化行为进行了计算模拟.结果表明:径向尺寸对Pt0.95Ag0.05合金纳米线的熔点影响较为显著,而长度对其影响较小;引入林德曼因子得到的熔点和用势能-温度变化曲线找到的熔点基本一致;合金纳米线的染色原子由外向内运动;综合分析发现Pt0.95Ag

原子与分子物理学报 2015年6期2015-03-22

ZnO纳米线阵列生长参数及光学性质

定性等优点，其纳米线阵列在太阳能电池、探测器、光催化、发光二极管、纳米发电机等领域具有非常大的应用潜力［1-5］.ZnO纳米线阵列是构建ZnO基异质结构纳米线阵列的基础，异质结构具备单一ZnO材料不具备的特性，更具有使用价值［6-7］.为了实现ZnO及其异质结构纳米线阵列的应用，必须实现对ZnO纳米线阵列进行可控生长.本文报道利用水热法合成ZnO纳米线阵列，研究生长参数对样品形貌的影响，对样品的晶体结构及光学性质进行分析.1 实验方法将二水合乙酸锌溶于无水

大连交通大学学报 2015年1期2015-02-18

9,10-二(3,5-二氟苯乙烯基)蒽有机纳米线的制备与性质表征

乙烯基)蒽有机纳米线的制备与性质表征王颖1,2, 赵纪红1, 刘连庆2, 徐斌3(1.吉林大学电子科学与工程学院, 集成光电子学国家重点联合实验室, 长春 130012; 2.中国科学院沈阳自动化研究所, 机器人学国家重点实验室, 沈阳 110016; 3.吉林大学超分子结构与材料国家重点实验室, 长春 130012)利用再沉淀法制备9,10-二(3,5-二氟苯乙烯基)蒽(TFDSA)有机纳米线, 并通过扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(

吉林大学学报（理学版） 2014年6期2014-09-06

Al/CuO纳米线阵列材料的制备及表征

栋Al/CuO纳米线阵列材料的制备及表征孙 星， 张 方， 王燕兰， 张 蕾， 张植栋（陕西应用物理化学研究所应用物理化学国家级重点实验室，陕西 西安，710061）对基于热氧化法的CuO纳米线阵列的生长进行了研究，考察了热氧化温度、时间、镀膜工艺和热退火等因素对纳米线生长的影响，得到了适合CuO纳米线生长的最佳条件，并推测了可能的生长规律和生长机理。此外，将PVD技术和硅基平面工艺相结合制备了Al/CuO纳米线含能阵列，并进行了表征和点火测试。亚稳态分子

火工品 2014年1期2014-07-11

液相还原法可控高产率单晶铜纳米线制备方法

678000)纳米线由于自身的小尺寸效应以及结构上的各向异性，表现出许多不同于传统块体材料的物理化学性质。在众多的纳米线当中，金属纳米线因其金属属性，在用于微、纳装置的结构单元以及单元间的连接材料等方面具有潜在的应用前景[1]。由于铜具有比铝更好的导电性和抗电迁移性能，有利于提高装置运行频率，允许更大密度的电流通过，因而铜纳米线的制备引起了人们的广泛关注[2]。到目前为止，人们提出了很多制备铜纳米线的方法，主要有电化学反应[3]、固相还原法[4]、真空蒸发

湖北工程学院学报 2014年3期2014-04-24

不同成分和结构的CoCu纳米线阵列的沉积规律

法制备一维磁性纳米线具有设备简单、操作方便等优点而为人们经常采用［1］。目前，在磁性纳米线阵列的研究中，磁性特征优于一般单一成分的铁磁－非铁磁性合金系统(包括CoCu)引起了人们的广泛关注［2～11］。先前的工作报道表明，利用电化学沉积方法制备二元系统纳米线阵列的过程中，通过调节沉积条件可以得到不同成分和结构的纳米线阵列［3～7］。目前对于Co-Cu二元系统大多数的研究都集中在CoCu多层膜［8，9］和单一面心立方(fcc)结构的 CoCu合金上［10，1

河北科技师范学院学报 2014年4期2014-03-09

不同孪晶界密度银纳米线拉伸形变行为的分子动力学模拟

)1 引言金属纳米线的研究在基础物理学、微纳器件1和材料学等方面占有重要地位,是材料物理化学的重要分支.金属纳米线特殊的机械性质、2,3光电性质、4热力学性质5,6和磁性7等使其具有广泛的应用价值.构建高强度纳米线是研究的热点,孪晶界对金属纳米材料的物理化学性质影响显著,因此研究孪晶对纳米线形变的影响至关重要.在实验研究方面,目前研究较多的是观察孪晶对[111]晶向的铜、银和金纳米线强度的影响.8-10Lu等11-14用脉冲电沉积技术制备出铜孪晶结构样品,

物理化学学报 2014年11期2014-02-18

模板法制备GdMn x O y纳米线阵列及荧光性能

特性，纳米管、纳米线材料得到了世界的普遍关注，涌现出大量关于制备纳米管、纳米线材料的报道，例如Yuan等［2］通过氧化铝模板合成了NdxNi1－xOy纳米管阵列并研究了其磁性能;Wu等［3］使用水热法制备出了Y(OH)3和Y2O3纳米管并研究了其光致发光性能;Wang等［4］用溶胶凝胶法合成了Bi3.25La0.75Ti3O12纳米管.稀土元素拥有独特的4f电子构型，4f电子层有着很多未成对电子，同时稀土元素具有十分广泛的电子能级，电子可以在各个能级间跃迁

安徽大学学报（自然科学版） 2014年3期2014-02-10

选区发射在硅基纳米线阵列太阳电池中的应用

宇一 引言硅基纳米线阵列太阳电池是下一代新型高效太阳电池结构之一，作为国际光伏领域的研究前沿，得到了广泛关注[1～3]。硅基纳米线阵列太阳电池具有超低的表面反射率，能极大地提高传统晶体硅太阳电池的光吸收特性，并且其具有一维载流子输运特性，具备了未来高效晶体硅太阳电池的潜在特点。因此，纳米线阵列可取代传统电池结构中的金字塔结构形成纳米线阵列太阳电池。目前，关于硅基纳米线阵列太阳电池结构可根据p-n位置分为三类：硅纳米线阵列绒面晶体硅太阳电池、径向p-n结纳米

太阳能 2012年21期2012-10-22

温度对单根氧化锌纳米线真空传感器的影响*

维纳米结构，如纳米线［1］、纳米带［2］、纳米管等得到了更多的关注，大量文献报道了多种ZnO纳米结构的电致发光、光电探测、压电效应等特性［3-4］.由于纳米结构材料比表面积较大，所以有很高的灵敏度.正是由于这一点，许多研究者制备了气体传感器［5］、光传感器［6］、湿度传感器、真空传感器［7］.在对真空传感器的研究中，研究者对不同气体环境下的传感器的特性进行了研究［7］，但很少有研究者研究了温度对传感器的影响，特别是高温情况.该文主要阐述了ZnO纳米线的制备

哈尔滨师范大学自然科学学报 2012年5期2012-09-17

基于可控Cd掺杂In2O3纳米线的电学特性研究

掺杂In2O3纳米线的电学特性研究郭慧尔， 葛 焱， 王春来， 李琳珑， 于永强（合肥工业大学 电子科学与应用物理学院，安徽 合肥 230009）文章利用化学气相沉积法合成了不同摩尔比的Cd掺杂的In2O3纳米线，制备了基于单根In2O3纳米线的底栅场效应晶体管，并研究了其电输运特性。结果表明，相对未掺杂的In2O3纳米线，In2O3∶Cd纳米线的电导率有1～2个数量级变化，载流子迁移率高达58.1cm2／（V·s），载流子浓度高达3.7×1018cm－3

合肥工业大学学报（自然科学版） 2012年6期2012-07-18

Sb2S3纳米线合成和表征

黑色Sb2S3纳米线.1.2 测试和表征方法电镜制样过程为：取少量样品倒入适量酒精，在超声波处理下分散，然后滴在覆盖有碳膜的铜网上晾干.2 实验结果与讨论2.1 Sb2S3纳米线形貌和成分分析图1是两张样品的电镜照片，显示样品外观形貌.其中图1(a)是一张样品的低倍扫描电镜照片，从图中我们可以看到，样品中含有大量的一维线状物质，这些一维线状物质的长度达到几个毫米，为了进一步说明纳米线的形貌，我们选取其中的一根做透射电镜分析.图1(b)是单根样品的透射电镜照

陕西科技大学学报 2012年5期2012-02-16

热蒸发SiO大量合成硅纳米线及其可控p型掺杂

）0 引 言硅纳米线作为一种典型的准一维半导体纳米材料，与体硅材料相比，在电输运、表面活性、场发射特性和量子效应等方面具有与众不同的优异性［1－2］，因而在低维纳米器件的应用方面受到越来越广泛的关注。在过去数年间，随着Si纳米线场效应晶体管［3］、纳米生物传感器［4－5］、太阳能电池等一系列硅纳米原型器件的实现［6－7］，硅基纳米器件的制备和应用研究取得了引人瞩目的进展。Si纳米线的制备方法有许多种，从生长方式上可以大致分为物理法、化学法和综合法，如化学气

合肥工业大学学报（自然科学版） 2011年7期2011-03-26