势垒
- 利用Matlab软件对一维薛定谔方程的动力学可视化教学*
.本文结合一维方势垒模型的具体示例[3],利用Matlab仿真软件提供的强大模拟功能,旨在通过图像式直观教学拓展课程的深度和广度,并攻克知识难点和课程难点,以获得正确的量子力学图景.通过仿真软件的支持,我们可以更加直观地观察和分析一维方势垒模型的量子化行为[4].其次,通过Matlab仿真软件,我们可以更新方势垒模型的表达方式.学生可以灵活调整势垒高度、宽度和形状等参数,并实时观察波函数的变化.这种交互式的学习方式有助于学生深入理解势垒对波函数的影响,加深
物理通报 2023年11期2023-11-08
- 原子级控制的约瑟夫森结中Al2O3 势垒层制备工艺
森结中AlOX 势垒层是将高纯度氧气扩散到Al 表面进行,但该方式制备的势垒层氧化不完全,厚度难以精准控制.本文采用原子层沉积方式在金属Ti 表面逐层生长Al2O3 势垒层,并制备出三明治结构的Ti/Al2O3/Ti 约瑟夫森结.通过调节Al2O3 势垒层的沉积厚度和约瑟夫森结的面积研究了其相应的微观结构及电学性质.实验结果表明,原子层沉积方式生长的单层Al2O3 薄膜厚度约为1.17 Å(1 Å=10-10 m),达到原子级控制势垒层厚度,通过调节势垒层
物理学报 2022年21期2022-11-14
- 半开放系统中的粒子逃逸问题*
和多个 δ 函数势垒组成的半Dirac 梳模型,首先求解该模型的精确解析解,其能量本征函数可以用递推关系以封闭解析的形式给出.对单个势垒、多个势垒、无序势垒等不同情况,利用傅里叶积分计算了任意时刻单粒子波函数的明确表示,导出了由初态保真度定义的粒子生存几率闭合形式的表达式,重点研究了粒子生存几率对势垒高度、无序强度等系统参数的依赖,以及利用相关参数对衰减规律的操控及抑制.发现多个势垒将大幅度提高粒子的生存几率,无序的加入会极大地抑制其随时间的振荡.1 引言
物理学报 2022年16期2022-08-28
- 基于狄拉克方程推导求解一维势垒问题
]，薛定谔方程在势垒区域是否适用，既没有实验上的定量验证，也没有理论上的严格推导。通过以上式(5)和(6)的步骤，作者从理论上严格推导出了负动能薛定谔方程。并且论证薛定谔方程和负动能薛定谔方程的适用范围，如表1所示。薛定谔方程和负动能薛定谔方程结合成一对方程，使得相对论量子力学方程关于正负动能解的三个对称性在低动量运动得以保留[7]。第一个是正负动能解的对称性，如式(2)所示。第二个是正负动能解的流密度数值相同方向相反。第三个是如果势能取相反数，则方程的本
华北科技学院学报 2022年1期2022-05-25
- ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3异质结电子输运性质研究
a1-x)2O3势垒层为研究对象，考虑有限厚度的势垒层和异质结界面的自发极化和压电极化效应，给出ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3异质结结构的2DEG特性，在不同Al摩尔组分和ε-(AlxGa1-x)2O3势垒层厚度的情况下，研究它们对2DEG浓度、合金无序散射、界面粗糙度散射和极性光学声子散射的影响，研究结果对控制ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3异质结构中的2DEG浓度和提高电子迁移率具有一定意义。1 理论模型与计算方法1.1
人工晶体学报 2022年3期2022-04-14
- 一维双方势垒量子隧穿的研究及其数值模拟
入射粒子能量小于势垒高度，其仍然有一定的概率穿过势垒，出现在势垒后面的区域．而当入射粒子能量略微高于势垒高度，仍然有一定概率在势垒表面发生反射．这些现象用经典力学无法解释，必须借助于量子力学理论，其本质为微观粒子具有波粒二象性[1-4]．因此，量子隧穿现象是粒子具有波动性的表现．利用量子隧穿效应，能够非常好地解释放射性元素α衰变、热核聚变、金属电子冷发射、半导体p-n结、隧道二极管等．除此之外，量子隧穿效应的重要实际应用之一为扫描隧道显微镜，1993年利用
大学物理 2022年1期2022-01-13
- 具有卓越光输出效率的GaN基LED模拟研究
小组设计了不同的势垒结构，以实现高空穴注入和低极化效果。例如，梯度渐变的InGaN势垒，这种结构可以减少阱之间的极化效应，导致轻微弯曲，还将减少p型一端电子的积累。另一小组设计了InGaN/GaN超晶格势垒及渐变的铟成分阱和势垒，这种结构可进一步减小阱和势垒之间的极化效应，使有源区中的载流子浓度分布更均匀[2]。设计使用锯齿形的AlGaN EBL和齿形的InGaN/GaN势垒来进一步提升GaN基LED的光输出功率。1 结构设计和参数设置利用物理仿真软件进行
灯与照明 2021年3期2021-11-23
- 高工作温度红外探测器的研究进展及趋势
的前景。本文介绍势垒型探测器的结构特点，阐述构建势垒型探测器的材料结构类型与其对系统性能的影响，总结其他相关技术实现的高温探测器。最后对势垒型探测器目前的研究进展进行归纳，提出了几个高温探测器技术未来的研究方向。势垒型结构；高工作温度探测器；材料制备；热成像系统；光电器件0 引言与传统的光电系统相比，现代化光电系统逐渐向着体积更紧凑、功耗更低、成本更低的方向设计，也就是低SWaP（size, weight and power）应用。对于固态探测器来说，低S
红外技术 2021年8期2021-08-31
- 单晶二维材料势垒层磁性隧道结的偏压效应
/绝缘(半导体)势垒层/铁磁电极三层构成。1975 年,Julliere[3]在Co/Ge/Fe 磁性隧道结中发现了隧穿磁电阻(Tunneling Magnetoresistance,TMR)效应,即磁性隧道结的隧穿电阻明显依赖于两铁磁层的相对磁化方向。具体来说,当两铁磁层的相对磁化方向平行时,隧穿电阻小;当两铁磁层的相对磁化方向反平行时,隧穿电阻较大。20 世纪90 年代,磁性隧道结多以非晶氧化铝(Al-O)作为势垒层,但由于无序散射的原因,在室温下只能
电子元件与材料 2021年7期2021-08-06
- MgO基磁性隧道结温度-偏压相图的理论研究*
构建了适用于单晶势垒层磁性隧道结的理论.该理论将单晶势垒层视作周期性光栅, 利用光学衍射理论处理势垒层对隧穿电子的衍射, 因此可以很好地计入隧穿电子波的相干性.根据此理论, 同时计入温度和偏压的影响计算了MgO基磁性隧道结的温度-偏压相图.理论结果表明, 通过调节MgO基磁性隧道结的铁磁电极半交换劈裂能D、化学势µ以及势垒层周期势v(Kh)可以优化其温度特性和偏压特性.该结果为MgO基磁性隧道结的应用提供了坚实的理论基础.1 引 言在上世纪90年代, 磁性
物理学报 2021年10期2021-06-01
- 利用超高斯光模拟方势垒
即使粒子动能低于势垒高度仍能以一定概率穿过势垒的现象, 这是粒子波动性的直接体现. 1927年, Hund[1]首次注意到隧穿现象的几率问题; 同年, Nordheim[2]应用薛定谔方程计算了电子从多种不同表面反射的反射系数. 随后隧穿效应被广泛应用于原子分子物理、核物理和固体物理的研究. 例如, Oppenheimer[3]根据隧穿计算了外场作用下氢原子的电离率; Gamow, Gurney和Condon用隧穿来解释α粒子衰变[4-6]; Millik
华东师范大学学报（自然科学版） 2021年1期2021-02-06
- 不同元素掺杂对氯离子在TiO2膜扩散的影响研究
iO2膜内的扩散势垒，由此预测元素扩散对材料耐蚀性能的影响。研究结果可为筛选耐蚀性钛合金成分提供理论参考。1 实 验本研究采用基于密度泛函理论的VASP软件包进行计算[16-18]，电子交换和关联作用采用广义梯度近似泛函的Perdew-Burke-Emzerhof方案处理，平面波截断能设置为500 eV。晶体结构优化采用共轭梯度算法，其收敛标准设置为：能量的收敛精度10-4eV，力的收敛精度 0.1 eV/nm。布里渊区采用Monkhors-Pack的3×
钛工业进展 2020年6期2021-01-08
- 由薄层金属表面电子隧穿和逸出功研究金属表面结构
以越过金属的逸出势垒发射出，称为金属电子的冷发射[1]。根据金属电子的冷发射电流可以确定隧穿电子数目，得出隧穿概率和透射系数，由透射系数和逸出势垒的关系，可得金属表面逸出功。由逸出势垒、势垒宽度和金属电子能级的关系可以研究金属的表面结构。关键词：量子隧穿;势垒;逸出功;冷发射;隧穿概率;透射系数;金属电子能级中图分类号：O485 文献标志码：A 文章编号：2095-2945（2020）05-0050-03Abstract：
科技创新与应用 2020年5期2020-03-02
- 氮化物子带跃迁探测器材料结构对器件效率的影响*
任意调节势阱层和势垒层厚度,也不会改变影响光生载流子传输的势垒层极化电场分布.同时,降低台阶势垒层铝组分和适当增加其厚度可以提高光生载流子隧穿通过台阶势垒层的效率.本文仿真结果对于设计优化的氮化物子带跃迁探测器材料结构、提升器件性能具有指导意义.1 引 言基于氮化物体材料带间跃迁工作的短波长光电探测器凭借其全固态、紫外波段量子效率高[1]的特点在军用及民用领域得到广泛应用.随着外延技术的进步,薄层GaN/Al(Ga)N异质结材料结构的成功制备使得利用氮化物
物理学报 2019年22期2019-11-28
- 用背角准弹散射研究近库仑势垒能区重离子核反应
1004)近库仑势垒(近垒)能区重离子核反应涉及量子隧穿和耦合道效应等重要问题，是一个长期受关注但仍未解决的问题[1-3]。如对于熔合反应，还无法用耦合道理论同时再现16O+208Pb体系垒上和垒下能区的熔合截面和势垒分布，拟合垒上的熔合激发函数需用较大的表面弥散参数a(a=1.0 fm)，而拟合势垒分布则需要较小的a(a≈0.4 fm)[4]。熔合反应与背角准弹散射(QEL)经历了相同的核势并均含有反应机制的信息，是一对互补过程，即T+R=1(T为穿透势
原子能科学技术 2019年10期2019-10-30
- 锂离子电池正极材料Li2FeO2的电子结构性质和Li扩散*
低的Li离子扩散势垒.目前关于Immm结构的Li2FeO2在实验上还没有相关的报道.本文从理论上研究这种材料不仅可以进一步丰富对此类材料性质的认识,而且对这类材料的探索及材料性质的预测具有重要的意义.2 计算方法本文的计算基于密度泛函理论(density functional theory,DFT)的第一性原理方法,采用VASP程序包,交换关联能采用广义梯度近似(generalized gradient approximation,GGA)[14],采用了
物理学报 2019年15期2019-09-04
- 一维M形势垒透射系数的计算与分析*
跨越比其动能大的势垒，该类经典力学案例最常见的有两种，其一，小球克服重力势能跨越斜木板问题：斜木板顶端和底端的重力势能差大于小球初始动能时，从底端出发的小球不可能跨过斜木板；其二，带电粒子克服电势能跨越电容器的两个极板问题：电容器两极板的电势能差值大于带电粒子的初始动能时，从极板低电势能一端出发的带电粒子不能到达另一极板．从上面两个案例可知经典力学表现出很强的因果定律，在力的作用下，物体具有决定性的运动状态．但是同样的两个案例，如果将物体的尺寸都减小到微观
物理通报 2019年7期2019-06-29
- Dirac-Weyl 半金属结中电磁控制的克莱因隧穿和电荷电导
i等人利用一维电势垒调控了反转对称下的Weyl半金属中的电子隧穿并提出了波矢滤波器的模型[10]，随后，Jalil等人利用单磁势垒控制Weyl费米子角度依赖的克莱因隧穿，理论上获得了电子共振下的完美透射环[11].在此基础上，Cheng等人[12]进一步研究了Weyl半金属中双磁势垒作用下的电子隧穿，其结果表明，角度依赖的电子隧穿在双磁势垒的布局方式、门电压的高度以及费米能的调控下，可以实现动量空间波矢过滤.此外，新加坡Yesilyurt小组提出利用倾斜能
中南民族大学学报（自然科学版） 2019年2期2019-06-25
- Atom-pair Tunneling-induced Effective Schrödinger Cat State and Its Quantum-classical Transitions in the Extended Bose-Hubbard Model
色-哈伯德模型小势垒和大势垒隧穿的相图According to Eq(7,10),the phase diagram Fig.4 on decay rate withs=2 000 is obtained.We can distinguish three different situations in the phase-transition behavior of both barriers.In one region with a smallJand
山西师范大学学报（自然科学版） 2019年2期2019-06-17
- Pt/Au/n-InGaN肖特基接触的电流输运机理∗
aN肖特基接触的势垒特性和电流输运机理,结果表明,在不同背景载流子浓度下,Pt/Au/n-InGaN肖特基势垒特性差异明显.研究发现,较低生长温度制备的InGaN中存在的高密度施主态氮空位(VN)缺陷导致背景载流子浓度增高,同时通过热电子发射模式拟合得到高背景载流子浓度的InGaN肖特基势垒高度和理想因子与热电子场发射模式下的结果差别很大,表明VN缺陷诱发了隧穿机理并降低了肖特基势垒高度,相应的隧穿电流显著增大了肖特基势垒总的输运电流,证实热电子发射和缺陷
物理学报 2018年21期2018-12-02
- 势垒硅掺杂对GaN基LED极化电场及其光电性能的影响
nAlGaN作为势垒材料来调节多量子阱中的应力[3]，对InGaN多量子阱垒层掺杂Si来改善器件的光学及电学性能[4-6]。势垒层n型掺杂对于提升MQWs及LED器件的性能起着至关重要的作用。目前都通过调控垒层掺杂生长LED结构进行表征及光电性能讨论。但对势垒层Si掺杂的理论机理探讨研究报道较少。目前，李国强等通过垒层Si掺杂来改善lnGaN绿光多量子阱的界面质量和电流的扩展性提高LED光电性能[7]；郭志友等通过垒层的n和p型掺杂提高LED的光输出功率[
发光学报 2018年10期2018-10-26
- nBn型InSb红外器件性能仿真
n结构是一种单极势垒层探测器结构,其电极层以及吸收层均为n型材料,宽禁带的势垒层薄层嵌于电极层和吸收层之间,其能带示意图如图1所示。势垒层B会阻挡电极层中的电子向吸收区扩散,但不会阻挡吸收区的光生电子和空穴。在无光照时,器件内电流很小；当施加光照时,在吸收区由于光激发产生的电子空穴对分别在外加电场的抽取作用下运动,到达电极形成电信号。与传统pn结结构器件不同,nBn结构没有内建空间电荷区,其吸收层耗尽区宽度大大降低甚至完全消除,可以有效降低SRH暗电流、直
激光与红外 2018年7期2018-08-08
- 增强型AlGaN/GaN HEMT势垒层优化设计
要实现方法有：薄势垒层、槽栅结构、栅下区域氟等离子体注入、栅极注入结构等[3-7]。为进一步探索和优化P-GaN栅增强型AlGaN/GaN HEMT器件的电学特性，采用Atlas进行仿真模拟，研究了AlxGa1-xN势垒层厚度H及Al组分X对器件转移特性、输出特性、耐压特性的影响以及对增大漏极偏压时电流崩塌效应产生程度的影响。1 器件模型Atlas模拟软件是基于载流子连续性方程、漂移扩散输运方程、泊松方程，利用二维有限元的分析方法来得到器件的电学特性[8]
电子科技 2018年8期2018-07-23
- 影响AlGaN/GaN/AlGaN HEMT器件2DEG的因素
aN缓冲层一侧的势垒消失，能带也拉平，电子气在基态波函数扩展的很宽的范围内将几乎完全失去二维特性，其迁移率会大大降低，电学性能变差。而AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构，由于在GaN的另一侧加入了Al组分较低的AlGaN背势垒，提高了缓冲层一侧的势垒，增强了沟道量子阱中电子气的限制，从而提高了HEMT器件的夹断特性及输出特性。本文分析AlGaN/GaN/AlGaN双异质结构特性以及2DEG的分布情况，分析材料的个参数对2DEG的影响。2 AlGaN/
电子世界 2018年11期2018-06-19
- Effects of Three-dimensional Ehrlich-Schwoebel Barriers on Cu(111) and Cu(100) Homoepitaxial Growth
-083D ES势垒对Cu(111) 和 Cu(001)晶面同质外延生长的影响董贵仁，唐吉玉，崔 靖，刘 娟，何右青(华南师范大学 物理与电信工程学院，广东 广州 510006)三维3D ES势垒直接影响着层间扩散，在Cu(111) 和 Cu(100)面2D ES势垒和3D ES势垒是不同的。本文主要研究了基于(1+1)维KMC模型，在这两个特殊的晶面上Cu薄膜的同质外延生长。观察两个面的生长情况，发现随着温度的增加薄膜的粗糙度逐渐减小，由于Cu(111)
材料科学与工程学报 2017年3期2017-06-21
- 半狄拉克费米子势垒透射系数的计算
）半狄拉克费米子势垒透射系数的计算胡靖1程鲲2黄备兵2*（1.盐城工学院 电气工程学院，江苏盐城 224051；2.盐城工学院 数理学院，江苏盐城 224051）通过求解半狄拉克费米子势垒问题的定态薛定谔方程，得到了半狄拉克费米子的透射系数与其入射到势垒方向之间的关系。本文分别计算了势垒在 x和 y方向上半狄拉克费米子的透射系数。这些结果表明半狄拉克费米子可以同时展现单层和双层石墨烯的势垒透射行为，为研究半狄拉克费米子的输运行为提供了有价值的理论参考。半狄
中国科技纵横 2016年19期2016-11-19
- 一维等间距δ势垒中的波函数及其物理性质
)一维等间距δ势垒中的波函数及其物理性质洪云(重庆工商大学 计算机科学与信息工程学院，重庆 400067)利用透射矩阵方法，通过求解定态薛定谔方程，得出了一维等间距分布δ势垒中的波函数及其物理性质；通过数值分析，讨论了几种等间距分布的δ势垒中电子的透射系数和几率流密度随能量变化的特点。隧穿效应；δ势垒；透射矩阵；透射系数；几率流密度微观粒子的量子隧穿效应是量子力学的重要内容之一，是粒子具有波动性的表现。量子隧穿现象在微电子学、半导体器件、新型材料和介观物
重庆工商大学学报（自然科学版） 2016年5期2016-10-18
- 含有势垒的一维无限深方势阱的矩阵解法
2005）含有势垒的一维无限深方势阱的矩阵解法朱昌勇（韶关学院 物理与机电工程学院， 广东 韶关 512005）摘要：无限深方势阱是量子力学中一个非常重要的模型，采用矩阵力学的方法解出了含有势垒的一维无限深方势阱的归一化波函数和能级，并且讨论了势垒趋于�势垒时能级的情况.关键词：无限深势阱；波函数；势垒一维对称无限深方势阱是量子力学中最基本的问题之一，大部分的量子力学都有讲述，而且可以通过奇偶性求得其解析解［1-3］.但是对于含有方势垒的一维无限深方势阱
韶关学院学报 2016年2期2016-08-05
- 自旋波在十字交叉形磁性纳米线中的微磁模拟研究
视为一个自旋波“势垒”。文章通过微磁模拟方法研究了在不同交变频率外场激发的自旋波在十字交叉形坡莫合金纳米线中的传播特性，发现势垒对自旋波传播的影响与场源频率有关。关键词：自旋波；十字交叉形；磁性纳米线；势垒；微磁模拟 文献标识码：A中图分类号：TQ31 文章编号：1009-2374（2016）17-0013-03 DOI：10.13535/j.cnki.11-4406/n.2016.17.0061 微磁模拟我们设计的十字交叉纳米线如图1（a）所示。底部的坡
中国高新技术企业 2016年17期2016-06-21
- 电磁场中带电粒子的量子遂穿效应
沿X轴正方向射向势垒，则按量子力学原理，电子穿过势垒有一几率T （ E ，a ） 。但若同时在0＜x ＜ a 的区域内有一沿Y 轴方向的磁场B 和沿X 轴方向的电场E ，由于电子有自旋磁矩，在磁场B 中有一自旋能，它将影响电子的穿透几率；而电子在电场中又具有电势能，它同样也会影响电子的穿透几率。当自旋朝上，电场沿X 轴负方向，穿透几率随着磁场和电场的增大而增大；当自旋朝下，电场沿X轴正方向，穿透几率随着磁场和电场的增大而减小。关键字：电场 磁场 自旋 遂穿
数码世界 2016年5期2016-06-17
- 粒子与不对称双势垒相互作用的隧穿现象
）粒子与不对称双势垒相互作用的隧穿现象任 青，杨文平（山西大同大学物理与电子科学学院，山西大同037009）本文在非相对论条件下,计算了粒子与不对称双势垒相互作用的反射系数和透射系数,并计算了特殊条件下的反射系数和透射系数以及隧穿时间和相位,通过计算,对隧穿现象有了更深的理解。不对称双势垒;反射子数;透射子数;隧穿时间微观世界中的量子穿越，是量子力学中最基本，最重要的过程之一。在经典力学中粒子不能通过的区域，在微观世界中可以通过。在科研研究的多个方面，量子
山西大同大学学报(自然科学版) 2015年4期2015-11-08
- 单层和多层Ehrlich-Schwoebel势垒对薄膜粗糙度随温度变化的影响
chwoebel势垒对薄膜粗糙度随温度变化的影响崔婧， 唐吉玉*， 伍达将， 刘洋， 朱永安(华南师范大学物理与电信工程学院，广州 510006)以Cu为原型，利用动力学蒙特卡洛(KMC)方法模拟了在一定的沉积速率下，单层、多层台阶Ehrlich-Schwoebel(ES)势及温度对成膜质量的影响.结果表明，在一定沉积速率和ES势垒下，薄膜的粗糙度在一定范围内随着温度的升高而降低，当多层ES势垒大于单层ES势垒时，此温度范围受单层ES势垒的影响，而与多层E
华南师范大学学报（自然科学版） 2015年5期2015-11-02
- 基于Matlab的势垒贯穿透射系数研究
结论：当粒子透过势垒时，其透射系数与势垒宽度、粒子能量E和势垒高度U存在着一定的比例关系.若粒子能量与势垒高度保持恒定，粒子穿过势垒时对同样宽度的势垒进行两种透射方式：直接透射和n重依次透射（即让粒子直接透射宽度为n＊a的势垒和让粒子依次透射n个宽度均为a的势垒）.那么在这两种方式下透射系数有怎样的差别呢？2 问题的分析对于以上两种方式下势垒贯穿透射系数的研究用常规的解析方法比较复杂，且随着透射重数n的增加计算的复杂程度会很明显地加大，这就使得到的结果会出
物理与工程 2015年1期2015-07-02
- T3 晶格中无质量Dirac粒子的磁电约束和波导
霍尔效应[5]和势垒中的Klein隧穿[6]等.除了石墨烯外，还有不少二维材料的载流子也满足相对论无质量Dirac方程.例如dice晶格，也称为T3晶格.实验表明这种晶格能在 SrTiO3/SrIrO3/SrTiO3三层异质结构中实现[7].另外利用光学手段也能产生dice晶格，即T3光学晶格中的冷原子的行为也可看成准相对论无质量Dirac费米子[8]. 不过在T3晶格中载流子的赝自旋S=1， 而不像石墨烯晶格中的赝自旋S=1/2. 由于T3晶格中载流子具
中南民族大学学报（自然科学版） 2015年3期2015-06-27
- 附加δ势垒的一维半无限深势阱
36037附加δ势垒的一维半无限深势阱唐义甲，韩修林阜阳师范学院物理与电子工程学院,安徽阜阳,236037通过对添加δ势垒的一维半无限深势阱的薛定谔方程进行求解，得到了粒子运动的波函数和能级的相关公式。分析发现，δ势垒的添加以及它的强度与位置的变化对能级都有影响，附加δ势后,一维粒子的能量变大,能级变得复杂，束缚态增加，基态粒子受δ势影响较大；且能级越高的粒子受δ势影响越小，最后Mathematica作图显示了这一现象。δ势垒;一维无限深势阱;定态薛定谔方
宿州学院学报 2015年7期2015-06-23
- 势垒边界对共振透射的影响
学著作都会对一维势垒散射问题进行讨论.但长期以来，大部分的著作只是对透射系数和反射系数加以描述，对势垒中的微观粒子的概率分布几乎没有涉及，并且一些书中展示的示意图并不科学.2011年宫建平对一维势垒散射中粒子的概率分布进行了详细的数值研究[1]，发现当入射粒子能量大于势垒高度时势垒中的粒子概率在某些入射能量下会出现振荡现象，而不是单纯地衰减.本文探讨方势垒下振荡峰的个数与入射能量、势垒宽度的关系，并讨论势垒边界情况对振荡的影响.本文采用转移矩阵方法进行散射
晋中学院学报 2015年3期2015-04-01
- Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率
下专利沟槽型超级势垒整流 (Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP，能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流，并以较低的温度工作，有效满足充电器输出整流二极管的要求，从而易于处理36 kHz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5，以及为12.5 W平板电脑充电器而设的
电子设计工程 2015年2期2015-03-27
- Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率
des沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率Diodes推出两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR) 技术的器件——SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP，能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流，并以较低的温度工作，有效满足充电器输出整流二极管的要求，从而易于处理36 kHz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。新推出的两款器件包括适合10 W智能手机充电器的15
单片机与嵌入式系统应用 2015年2期2015-03-24
- 附加δ势垒对一维半无限深势阱影响的研究
37 )附加δ势垒对一维半无限深势阱影响的研究唐义甲，韩修林(阜阳师范学院 物理与电子工程学院，安徽 阜阳 236037 )摘要：通过对添加δ势垒的一维半无限深势阱的薛定谔方程进行求解，得到了粒子运动的波函数和能级的相关公式，分析发现，δ势垒的添加以及它的强度与位置的变化对能级都有影响。对比不含δ势垒的一维半无限深势阱的能级，探究δ势垒的添加对原能级产生的影响，并利用Mathematica作图来直观显示这一影响。关键词：δ势垒；一维无限深势阱；能级薛定谔
安庆师范大学学报(自然科学版) 2015年3期2015-03-11
- 金属二次电子发射能谱的表面吸附势垒模型
射能谱的表面吸附势垒模型虞阳烨,曹猛,张海波(西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室, 710049, 西安)为了改善加速器和高功率微波源中金属器壁的表面状况,采用数学建模并结合实验验证的方法,建立了二次电子能谱的吸附势垒模型。首先,以到达金属内表面二次电子为参考对象,分析金属壁的吸附过程,发现水蒸气吸附造成的能级扭曲会使金属表面势垒降低,由此建立了水吸附形态下的薛定谔方程,并求解得到吸附势垒的透射系数;然后,结合内二次电子能量分布建立吸附势垒模型,得
西安交通大学学报 2015年10期2015-03-07
- 表面栅静电感应晶体管沟道势垒形成机理研究
电感应晶体管沟道势垒形成机理研究93856部队 王富强 马行空 瞿宜斌为了研究静电感应晶体管（SIT）势垒形成机理，本文利用Silvaco Tcad软件模拟，仿真分析了沟道势垒对栅、漏极电压的依赖关系。通过改变反偏栅压和漏偏压，得出了器件沟道在完全夹断状态下，沟道势垒成马鞍型分布。反偏栅压影响着器件导通和关断状态，漏偏压影响着势垒的高低，且二者相互依赖，共同影响着沟道势垒的形成。静电感应晶体管；沟道势垒；鞍电势引言作为具有类三极管特性的静电感应晶体管[1]
电子世界 2015年16期2015-01-29
- 一种积累型槽栅超势垒二极管
率二极管和肖特基势垒功率二极管（Schottky Barrier Diode）为主。PIN二极管有着高耐压、大导通电流、低反向泄漏电流和低导通损耗等优点，但PIN二极管内建电势较高，约为0.7 V，电导调制效应在漂移区中产生的大量少数载流子降低了器件的关断速度，限制了二极管向高频化方向发展[1]。肖特基二极管正向开启电压小，且没有少子存储效应，开关频率高，但是反向泄漏电流大，且漂移区电阻与器件耐压成2.5次方的矛盾关系[2]，阻碍其在高压大电流范围的应用[
电子与封装 2014年3期2014-12-05
- 粒子在非均匀环上的量子行走
期望通过人为设置势垒来控制粒子的传播，研究等效量子势对量子行走的影响。1 单粒子在环上的量子行走离散时间量子行走在数学上与经典随机行走类似，首先执行一个硬币操作，然后根据硬币态决定粒子向哪个方向移动一步，如此不断循环。不同的是这里的硬币态不是仅处于头和尾两个态，而是可以处于它们任意的量子相干叠加态。系统的希尔伯特空间由硬币空间HC＝｛｜c〉：c＝1，2，…，d｝和位置空间HW＝｛｜x〉∶x＝1，2，…，N｝的直积构成。粒子每一步的演化算符U 由硬币算符C和
山西大学学报（自然科学版） 2014年2期2014-10-23
- 弱联接玻色爱因斯坦凝聚体中势垒宽度对非线性耦合及其动力学的影响
爱因斯坦凝聚体中势垒宽度对非线性耦合及其动力学的影响刘新建，李卫东(山西大学理论物理研究所，中国 太原 030006)利用解析与数值方法，对处于对称双势阱中的玻色爱因斯坦凝聚体中，势垒宽度对系统非线性耦合及其动力学的影响进行了研究．研究发现当势垒宽度较大时，系统的线性耦合强度可迅速减小；在势垒宽度大于0.3且非线性强度较大时，线性耦合强度远小于非线性耦合项，此时玻色约瑟夫森结模型的动力学特性由非线性耦合强度来决定．同时对势垒宽度对BEC约瑟夫森振荡的周期和
湖南师范大学自然科学学报 2014年3期2014-09-07
- NiCr势垒腐蚀工艺技术
032）NiCr势垒腐蚀工艺技术马洪江，刘昕阳（中国电子科技集团公司第四十七研究所，沈阳110032）传统的以NiCr为势垒层的肖特基产品在势垒合金完成后使用王水（硝酸：盐酸＝1：3）去除多余的NiCr，但此方法过程不易控制，形成的势垒区也不十分平坦，而使用硝酸铈铵溶液去除NiCr不仅过程容易控制，且成品率高。通过对两种方法去除NiCr的对比，找到了更合适的肖特基产品的NiCr势垒层腐蚀方法。硝酸铈铵；王水；NiCr1 引 言肖特基二极管（SBD）是利用金
微处理机 2014年5期2014-08-07
- 有质量手性费米子的势垒隧穿
费米子.电子通过势垒的隧穿是量子力学中的基本问题,满足Schrödinger方程的非相对论电子通过势垒时透射概率随势垒的高度和宽度指数衰减[1].因此电子完全通过极高和极宽势垒的现象被认为是完全不可能的,然而1929年Klein[2]发现满足Dirac方程的相对论电子可以完全隧穿势垒,这个效应叫Klein隧穿.对Klein隧穿的理解来自量子场论[3].势垒具有很强的电势从而排斥电子而吸引正电子,导致在势垒内部产生正电子态,它的能量与势垒外面的电子匹配,越过
中南民族大学学报（自然科学版） 2014年3期2014-08-06
- 多量子势垒电子阻挡层对UV LED 性能的影响
必须拥有够高的势垒。当AlGaN 的Al 组分确定时，由AlGaN 和GaN 组成的异质结的导带带阶是一定的［4］，随着势垒材料AlGaN 的Al 组分的增加，AlGaN/GaN 异质结的导带带阶会增加。p－AlGaN－EBL 和紧跟着的p 层所形成的异质结的导带带阶，是p－AlGaN－EBL的势垒高度的一部分，所以可以通过增加p－AlGaNEBL 的Al 组分来增加其势垒高度，以获得足够低的电子溢出比。Hideki Hirayama［5－7］的团队已经
电子科技 2014年6期2014-03-13
- 拓扑绝缘体表面台阶势垒的输运性质
直入射情况下穿过势垒可达到完全透射。正是由于这些迷人的重要特征，使拓扑绝缘体在未来的电子技术发展中有着巨大的应用潜力，所以研究拓扑绝缘体表面态的输运性质成为了人们目前关注的焦点。近几年来，人们研究了拓扑绝缘体表面上单势垒、双势垒和多势垒的电子输运性质。GAO等研究了拓扑绝缘体表面上单垒和双垒的隧穿性质，他们发现可以调节克莱因隧穿，甚至可以阻止克莱因隧穿，这些特殊的性质使控制“拓扑金属”中的电子束变成了可能[4]。在他们研究的基础上，像电子准直器、波矢滤波器
河北科技大学学报 2013年5期2013-11-13
- 基于一维间距调制型光子晶格的光传输现象*
格体系中引入一种势垒作用[14].例如,间距减小的不均匀波导阵列可以实现光波的无反射传输[14-16].这种波导全同但间距不均匀的波导阵列所形成的缺陷结构是一种非对角线无序的晶格体系.此类缺陷存在共轭的局域模式,而且支持光波的局域态传输[17-19].本文将非线性薛定谔方程(NLSE)作为理论基础,波导间距遵从两个正(负)双曲正割函数和正(负)矩形函数,并将两个函数极值形成的势垒中间部分作为势阱,研究窄高斯光束在正双曲正割(和正矩形)势垒处和势阱处入射时的
物理学报 2013年6期2013-09-25
- NiCr势垒肖特基技术
，SBD是肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的功函数差势垒原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种多数载流子输运的单极器件。在通常情况下，一般采用金属—半导体接触来形成肖特基势垒，但是由于金属与半导体接触时，接触界面之间SiO2层的存在，使得接触电阻和表面态密度明显增大，致使器件的性能大大
微处理机 2013年1期2013-06-13
- Vishay发布采用SlimSMA®封装的新款45 V TMBSTMTrench MOS势垒肖特基整流器
ench MOS势垒肖特基整流器——VSSAF3L45和VSSAF5L45。整流器采用高度0.95 mm的表面贴装SlimSMATMDO-221AC封装，正向电流为3 A和5 A。新的VSSAF3L45和VSSAF5L45在3 A下具有0.37 V的极低正向压降，可在低压高频DC/DC转换器、续流二极管，以及智能手机充电器等空间受限应用的极性保护中减少功率损耗，并提高效率。新整流器的最高工作结温为+150℃，MSL潮湿敏感度等级达到per J-STD-02
电子设计工程 2013年1期2013-03-24
- 无法从黑洞中逃逸吗？
个名词，一个叫“势垒”，一个叫“量子隧道效应”。势垒就是势能比附近的势能都高的空间区域，而量子隧道效应是由微观粒子波动性所确定的量子效应，又称势垒贯穿。粒子的运动过程中若遇到一个高于粒子能量的势垒，按照经典力学，粒子是不可能越过势垒的；但按照量子力学，则可以解出除了在势垒处的反射外，还有透过势垒的波函数，这表明在势垒的另一边粒子具有一定的概率，即粒子可以贯穿势垒。经典物理学认为，物体越过势垒有一阈值能量，粒子能量小于此能量则不能越过，大于此能量则可以越过。
飞碟探索 2012年5期2012-12-30
- Vishay发布12个采用不同封装的45V TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器
nch MOS 势垒肖特基整流器。 这些整流器在20 A电流下具有0.51 V的极低正向压降，适合在太阳能电池接线盒中用作起保护作用的旁路二极管。发布的产品包括单芯片 V（B，F）T1045BP、V（B，F）T2045BP、V（B，F）T3045BP 和 V（B，F）T4045BP。 每款器件均提供功率TO-220AC、ITO-220AC和TO-263AB封装。所有整流器在没有反向偏置（t≤1小时）的直流正向电流下的最高结温为200℃。器件符合RoHS指令
电子设计工程 2012年3期2012-03-31
- 自组装耦合量子点中的类氢杂质
0.3和γ=2、势垒宽t= 5 nm、10 nm和20 nm时，类氢杂质结合能随着量子点尺寸的变化情况。从图2(a)中可以看出，在垒宽为10 nm和20 nm时，杂质结合能随着量子尺寸的增大先增大后减小。这是因为在量子点尺寸较小时，波函数将会穿过势阱在边界势垒层分布，从而影响杂质中心对电子的束缚;随着量子点尺寸的增大，电子隧穿的几率减小，相应的结合能将会增加;然而当量子点尺寸进一步增大时，量子隧穿将逐渐退居次要地位，电子波函数将主要集中在一个量子点中，由于
河北工程大学学报(自然科学版) 2012年2期2012-03-17
- 粒子隧穿任意形状势垒透射谱的计算*
粒子隧穿任意形状势垒透射谱的计算*陈赛艳，覃 铭(百色学院物理与电信工程系，广西百色 533000）借助转移矩阵法，用数值计算研究了量子力学中粒子隧穿通过任意形状势垒的透射谱，给出了相关的数值计算方法.粒子隧穿;任意势垒;透射谱粒子隧穿不仅具有重要的科学意义而且具有潜在的应用价值，因而，激发了越来越多的研究.纳米结构中电子输运［1～4］问题，介观与纳观电子器件的分析［5，6］等涉及电子在限制势中的隧穿;半导体结构中的共震隧穿［7］，隧道结器件的高频特性［8
菏泽学院学报 2011年5期2011-12-22
- 思维创新热力学研究
果必须克服一定的势垒，才能完成创新思维成果。通过引入负熵的概念，把思维创新过程定量化。通过超过势垒能量的蓄积，达到预定成果的难度水平，即可以完成思维创新过程。[关键词]思维创新，创造力，热力学，势垒，能量差。[中图分类号]B804.4[文献标识码]A[文章编号]1005-4634(2006)04-0283-060引言胡锦涛在全国科学技术大会上的讲话指出：“动员全党全社会坚持走中国特色自主创新道路，为建设创新型国家而努力奋斗，进一步开创全面建设小康社会、加快
教学研究 2006年4期2006-08-17