Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes推出两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR) 技术的器件——SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP，能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流，并以较低的温度工作，有效满足充电器输出整流二极管的要求，从而易于处理36 kHz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。

新推出的两款器件包括适合10 W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5，以及为12.5 W平板电脑充电器而设计的20 A SBRT20U50SLP。SBRT15器件在15 A的电流下，正向电压为0.47 V；SBRT20器件则在20 A的电流下达到0.5 V的正向电压，加上+90 ℃的工作温度，可尽量减少导通损耗并提高充电器效率。SBRT15及SBRT20在+125 ℃的高温下，分别达到105 mA和100 mA 的低反向漏电流，有助于把阻断模式损耗降到最低。