多晶
- 基于弱取向外延生长多晶薄膜的OLED研究进展
1,3-10]、多晶薄膜 OLED[11-16]、有机发光晶体管（Organic light-emitting transistors,OLET）[17-21]、有机光电泵浦激光[22-24]和光电性质研究[25-33]等。弱取向外延生长（Weak-epitaxy-growth,WEG）[34-36]是2007年闫东航研究组提出的一种基于真空物理气相沉积技术制备有机多晶薄膜的方法。如图1所示，WEG是在有机半导体和非晶衬底（如SiO2、导电聚合物等）之间引
发光学报 2023年1期2023-02-16
- 一种多晶冰糖煮糖二次蒸汽的回收工艺
要包括单晶冰糖、多晶冰糖（即“土冰”）、冰片糖，以及根据客户需求制作成的其他冰糖品种，如咖啡冰糖、冰糖粉等[3-4]。冰糖可直接食用，也可以用来烹羹炖菜或制作甜点，著名的“冰糖湘莲”是八大菜系中的湘菜珍馐；另外还有如“冰糖雪梨”、“冰糖燕窝”等滋补品。冰糖还可用于高级食品甜味剂，配制药品浸渍酒类和滋补佐药等，广泛用于食品和保健行业作为高档补品和保健品[5]。此外，中医认为，冰糖味甘、性平，入肺、脾经，有补中益气和润肺的功效；冰糖养阴生津，润肺止咳，对肺燥咳
甘蔗糖业 2022年5期2022-12-29
- 纳米晶CoNiCrFeMn 高熵合金力学性能的原子尺度分析*
对纳米晶(单晶、多晶)CoNiCrFeMn 高熵合金的力学性能评估有助于理解高熵合金材料物性,更好地服务于核反应堆包壳管、航空发动机、喷气涡轮叶片等国防应用领域发展.本文提出对纳米晶CoNiCrFeMn 高熵合金微结构演化与力学性能间的相关性展开研究.基于纳米压痕法,研究了纳米晶高熵合金和纳米晶镍的变形行为与力学性能,比较了使役温度对纳米晶CoNiCrFeMn 高熵合金和纳米晶Ni的力学性能与微结构演化差异.结果表明: 单晶高熵合金力学性能(最大承载荷、硬
物理学报 2022年19期2022-10-16
- 界面增强多晶点阵结构的耐撞吸能性能
不同取向组成宏观多晶体构型，宏观晶界也可以起到阻碍剪切带扩展的作用，从而避免变形过度集中，有利于提高结构材料的承压强度和吸能性能。随后，一些学者也研究了包含第二相夹杂或孪晶界的点阵结构的力学性能，如Yin 等[18]、Xiao 等[19]、Lu 等[20]研究了第二相粒子对吸能性能的增强作用。Ma 等[21]借助机器学习方法研究了混杂点阵材料的力学性能优化问题。Vangelatos 等[22]将octet 结构沿滑移面方向的胞元进行了局部替代，得到了具有更
高压物理学报 2022年2期2022-04-20
- CH3NH3PbI3多晶薄片的制备及性能表征
3NH3PbI3多晶薄片的制备从前期制备的CH3NH3PbI3单晶中筛选出生长小且不规则的单晶废料,然后将CH3NH3PbI3单晶废料放入研钵中进行充分的研磨,再将粉末放入模具,将模具放入压片机中,先将压力设置为5 MPa,开始升温,升温至200 ℃后,将压力增加到10 MPa,保温30 min后取出模具,得到CH3NH3PbI3多晶薄片,具体制备示意图如图2所示。图2 CH3NH3PbI3多晶薄片制备示意图Fig.2 CH3NH3PbI3 polycry
沈阳师范大学学报(自然科学版) 2022年6期2022-03-21
- 六方氮化硼直接转化合成多晶立方氮化硼的研究*
，于是人们开发了多晶立方氮化硼(PcBN)。目前，PcBN 主要采用cBN微粉并以金属或陶瓷材料为黏结剂，在5～6 GPa、1 300～1 400 ℃的高压高温条件下烧结制成[3-6]。烧结时，cBN粒度大小、黏结剂组分及其含量要根据具体应用情况进行调整。此外，还可以采用cBN微粉或者六方氮化硼(hBN)在超高压高温条件下(压强大于7.7 GPa、温度大于2 000 ℃)直接烧结或转化为无结合剂的PcBN，其硬度可达80 GPa并具有优异的耐磨性。SOLO
金刚石与磨料磨具工程 2021年3期2021-07-21
- 高镍多晶和高镍单晶混合正极材料对三元电池性能的影响
二次颗粒以团聚、多晶的形式构成。高镍材料中，随着Ni含量的增加，材料的克容量也随之升高，但高镍二次颗粒材料还存在以下问题：1)由于以二次团聚体形成的高镍正极材料的堆积密度低，制成的极片压实密度低，进一步降低了电池的比能量；2)在通过增加压实密度来提高比能量时，其极易导致二次颗粒材料破碎、材料的比表面积增加、电池副反应增多、电池产气严重等问题[2-5]。然而，高镍单晶正极材料可有效改善二次颗粒形成的多晶材料存在的高温性能差、压实低、电池产气等问题。原因：1)
机械设计与制造工程 2021年6期2021-07-14
- 室温铁磁性Sr3YCo4O10.5+δ多晶有序化的烧结工艺及电磁性能
4O10.5+δ多晶，发现变形钙钛矿Sr3YCo4O10.5+δ属于四方相结构，I4/mmm空间群，晶格常数a=b=0.762 38 nm，c=1.531 44 nm[2-8]。c轴方向上，Sr2+、Y3+按-Sr-Y-Y-Sr-顺序排布，缺氧CoO4.25+δ四面体层与富氧CoO6八面体层交替堆垛[12-15]，4层一周期使c轴长度为原始钙钛矿型晶胞的4倍，a、b轴长度为原始晶胞的2倍。ab面内 Sr2+和Y3+比值为3∶1。目前对Sr3YCo4O10.
人工晶体学报 2021年6期2021-07-12
- C12A7∶Yb3+/Eu3+多晶粉制备及上转换光学性能的研究
u3+/Yb3+多晶粉，并对其晶体结构和光学性能进行了研究．1 实验部分1.1 合成C12A7∶Yb3+/Eu3+多晶粉采用高温固相法合成C12A7∶Yb3+/Eu3+多晶粉．首先称取摩尔比为r(Ca)∶r(Al)=12∶14的CaO和Al2O3，以及摩尔百分比x(Yb3+)∶y(Eu3+)分别为1∶1，2∶1，5∶1，8∶1，5∶0.2，5∶0.5，5∶2和5∶5的Yb2O3和Eu2O3．将原料在球磨机中以180 r/min转速充分球磨12 h，球磨完毕
材料研究与应用 2021年2期2021-07-02
- 单晶、多晶铜油滑动磨损行为及浸泡腐蚀行为对比研究
萌，商 剑单晶、多晶铜油滑动磨损行为及浸泡腐蚀行为对比研究刘思萌，商 剑（辽宁工业大学 材料科学与工程学院，辽宁 锦州 121001）对比考察了多晶及单晶铜与钢配副，在油润滑条件下，不同载荷和速度下的摩擦磨损性能；3.5%NaCl溶液中的耐腐蚀性能。研究表明，润滑油条件下单晶铜与多晶铜的摩擦系数差别不明显，但多晶铜的磨损量相对较小，磨损表面塑性变形较轻，即多晶铜的耐磨性能优于单晶铜。多晶及单晶铜在3.5%NaCl溶液中浸泡腐蚀后，腐蚀速率随着腐蚀时间的增加
辽宁工业大学学报(自然科学版) 2021年2期2021-04-27
- 多晶硒化锌的制备方法
本公开提供了一种多晶硒化锌的制备方法，其包括步骤：将厚度为30mm～50mm的多晶硒化锌片的表面进行处理，得到粗糙度小于Ra20的硒化锌抛光片，将硒化锌抛光片等离子清洗后置于石墨衬底上；步骤二，将锌料安装在坩埚内；步骤三，将石墨衬底沉积器安装在石墨坩埚上，再置于化学气相沉积真空炉内；步骤四，在室温下，化学气相沉积真空炉通氩气；步骤五，坩埚升温，石墨衬底沉积器升温；步骤六，锌开始蒸发，向石墨衬底沉积器内通入氩气携带的硒化氢气体，向坩埚内通入氩气；步骤七，锌蒸
低温与特气 2021年5期2021-04-04
- 专利名称: 一种控制大尺寸钼铌合金单晶棒材等径生长的方法
下步骤：一、选取多晶坯料和单晶籽晶为原料；二、将多晶坯料和单晶籽晶安装在位于电子束悬浮区域熔炼炉熔炼室内的夹持头上，然后调节多晶坯料与单晶籽晶之间的距离，之后进行相对逆向旋转，接着进行熔接处理，将熔接后的多晶坯料和单晶籽晶相对电子枪运动，得到等径生长的大尺寸钼铌合金单晶棒材。利用本发明方法得到的大尺寸钼铌合金单晶棒材，其直径为20～40 mm，长度为100～800 mm，晶体取向与单晶籽晶一致，晶向偏离角不大于3°，杂质元素总浓度不高于70 μg/g，直线
中国钼业 2021年4期2021-04-04
- 大面积碘化汞多晶薄膜的气相沉积生长和成像探测器
获得纯度约5N的多晶HgI2粉体；通过在小面积(1 cm2) ITO玻璃上的沉积，生长了厚度100～1 000 μm、电阻率1 010～1 011 Ω·cm的薄膜，获得了成熟可靠的薄膜沉积工艺。通过自行设计和精密加工的大面积沉积设备，采用优化工艺，严格控制薄膜沉积温度变化范围(0.5～1 ℃)，成功的生长了36 cm2的大面积碘化汞多晶薄膜。在北京某公司制备的成像探测器性能测试中，采用80 keV的射线(工作电流4 mA)，曝光时间5 ms，成功地获得了不
西安工业大学学报 2020年1期2020-12-09
- 准单晶电池片生产工艺研究
需要大量资金，而多晶市场逐渐退出市场，在多晶设备的基础上改造同样需要大量资金。对部分企业来说，如何寻求最优的发展生存路线是关键，准单晶也是一个研究方向。单晶硅是通过直拉法制得，制得的单晶硅片每片只有一个晶粒，具有低缺陷和高的转换效率，但成本高、产量小。而多晶硅片往往含有大量的晶界及缺陷，转换效率较低[1]。准单晶[2]是基于多晶铸锭的工艺，在长晶时通过部分使用单晶籽晶，获得外观和电性能均类似单晶的多晶片。相较于多晶，准单晶硅片晶界少，位错密度低；相较于单晶
山西化工 2020年3期2020-07-16
- 多晶石墨烯纳米带热电性能的理论研究*
个积极的效应, 多晶石墨烯纳米带的热电转换性能得到了显著的增强.在室温下, 多晶石墨烯纳米带的热电品质因子约为0.3, 较完美石墨烯纳米带(约为0.05)提升了6倍左右.并且发现晶界的数量和系统的长度还能进一步提升多晶石墨烯纳米带的热电性能, 但系统的宽度对其影响有限.这些结果表明, 多晶结构可以显著提升石墨烯纳米带的热电转换效率.这将为设计和制备基于石墨烯纳米带的热电器件提供新的途径.1 引 言热电材料作为能将热能和电能进行相互转换的一种功能材料, 其应
物理学报 2019年24期2019-12-24
- 纳米多晶铜单点金刚石切削亚表层损伤机理
的系统研究。纳米多晶金属材料具备纳米级晶粒和高强度晶界，可将高强度、高硬度和高韧性集于一身，具有广泛的应用前景。目前，关于纳米多晶材料的研究多集中在缺陷演化行为[6-7]、材料变形机理[8]及晶粒尺寸对材料性能的影响[9]，研究发现，多晶材料变形过程中会产生孪晶变形[10]，且当孪晶界间距减小到临界值时，多晶材料的强度会降低，塑性韧性会提高[11]。针对纳米孪晶材料变形的相关研究[12]发现，随着孪晶界间距逐渐减小到某一临界值时，Hall-Petch强化效
中国机械工程 2019年23期2019-12-17
- 大面积碘化汞多晶薄膜的气相沉积生长和成像探测器
获得纯度约5N的多晶HgI2粉体；通过在小面积(1 cm2)ITO玻璃上的沉积，生长了厚度100～1 000 μm、电阻率1 010～1 011 Ω·cm的薄膜，获得了成熟可靠的薄膜沉积工艺。通过自行设计和精密加工的大面积沉积设备，采用优化工艺，严格控制薄膜沉积温度变化范围(0.5 ℃～1 ℃)，成功的生长了36 cm2的大面积碘化汞多晶薄膜。在北京某公司制备的成像探测器性能测试中，采用80 keV的射线(工作电流4 mA)，曝光时间5 ms，成功的获得了
西安工业大学学报 2019年6期2019-02-21
- 药物多晶型转变因素的研究进展
70)最早发现的多晶现象是1798年克拉普罗特发现的方解石和文石的组成都是碳酸钙，从此多晶型开始走进人们的视线。物质在结晶的过程中，各种外界以及内部因素的影响使得分子内或分子间键合方式改变，造成了分子或原子在晶格空间上排列不同，从而形成不同分子结构，即同一种物质具有两种或两种以上的晶格空间排列方式或晶胞参数，形成多晶型的现象被称为多晶型现象[1]。药物多晶型在18世纪20年代进入人们的视线，到上世纪60年代后对其研究才迅猛地开展。Mc Crone在1965
天津药学 2018年6期2019-01-22
- 铝中气泡在电子束辐照下的异常放热现象∗
斑点衍射花样变为多晶衍射环.这一现象的原因可能是气泡在电子束辐照过程中发生了放热反应,使气泡附近铝熔化后再结晶产生多晶,从而在电子衍射花样中观察到了多晶衍射环.然而,氦气泡在80 keV电子束辐照下氦气泡形貌和选区电子衍射花样保持不变,辐照后衍射花样中无多晶衍射环产生;氦氩混合气体气泡在200 keV电子束辐照下气泡形貌和选区电子衍射花样同样保持不变;这可能与电子束能量和气泡内气体压力有关.1 引 言核反应堆环境中存在的大量气体离子进入材料时,会在材料内部
物理学报 2018年21期2018-12-02
- 基于Al诱导结晶在SiO2衬底上生长（111）晶向平面多晶Ge薄膜的研究
000）高质量的多晶Ge薄膜在制备半导体材料中具有非常广泛的应用，例如，可以用来制备薄膜晶体管或具有高光电转换效率的太阳电池的有源层［1］。如果是大颗粒的并且是（111）晶向平面比例非常高的多晶Ge薄膜，用其来制备半导体材料的有源层就更为理想了，该薄膜非常适合用作III-V族化合物半导体材料外延生长的模板层［2］。尤其是多晶Ge薄膜的（111）晶向平面能够提供很高的载流子迁移率，在低温生长过程中可以当作半导体材料外延层的模板［3］。对于在SiO2衬底上生长
佛山科学技术学院学报（自然科学版） 2018年4期2018-10-22
- 纳米多晶金刚石微结构及塑性形变机制的研究进展*
30081)纳米多晶金刚石是指晶粒尺寸小于100 nm的金刚石晶粒直接结合而形成的金刚石多晶材料。实验研究显示，纳米多晶金刚石不仅硬度超过了金刚石单晶，其断裂韧性、耐磨性和热稳定性也优于金刚石单晶及传统金刚石烧结体[1-8]。因此，纳米多晶金刚石不仅可以用于传统金刚石材料几乎所有的应用领域，而且已经在远红外相机ZnS菲涅尔透镜、碳化钨硬质合金等脆硬材料超精细加工中也表现出优异的性能，具有极大的应用价值[9-11]。制备纳米尺度金刚石常见的方法有动高压法(爆
金刚石与磨料磨具工程 2018年4期2018-09-14
- 多晶面银纳米线拉伸形变的分子动力学模拟
{111}表面的多晶面孪晶纳米线比普通的孪晶纳米线具有更高的屈服应力和屈服应变.Sun等[13]也证实了多晶面孪晶纳米线是一种有效的孪晶界-表面硬化材料，其高强度是以牺牲其延展性来实现的.Gao等[14]设计了内部含有孔洞缺陷的多晶面单晶Ag纳米线，通过与普通方形纳米线对比发现，多晶面纳米线的机械强度容易受到孔洞缺陷的影响.Zhang等[15]发现表面形貌可决定孪晶界的引入对纳米线起到强化作用还是弱化作用.其研究表明，当纳米线为圆柱形时孪晶界表现为弱化作用
复旦学报（自然科学版） 2018年4期2018-09-12
- 纯净的晶体 -候选药物晶型的选择
同的结晶形式或者多晶型。多晶型不同的物理性质不仅对药品的生产过程有着重要的影响而且也对药品的药效有着重要的影响，因此，多晶型晶态变型的初步检验分析是可能导致错误结论的，因为通过晶化结晶可以改变，诸如溶解速率或者生物活性等药品性质。在药品研发过程中对药物活性成分不同晶态结构进行的多晶型检测就是一个必不可少的重要步骤。而在多晶型检验中检测到的数据则可以用来优化活性化合物的物理性质，从而保证其功效、配方和药品生产。图1 在药品研发过程中可以利用Genevac公司
实验与分析 2018年2期2018-08-09
- 砷化镓多晶表面清洗技术的研究
升温将预先投入的多晶料熔化，而后缓慢降温，实现熔体的凝固和单晶的生长。在实际工业生产中，制备GaAs单晶所用到多晶料的主要来源包括：一次合成料、二次及多次复拉料等。其中，一次合成料是指通过合成工艺直接制得 GaAs多晶，二次及多次复拉料是指生长出的晶体(单晶或多晶)经切削加工后，从晶体的剩余部分中得到的回收料。由于多晶料的来源不同，它们表面所附着的杂质的种类和数量也有着很大的差异。在后续的单晶生长过程中，这些杂质的存在对于单晶质量和性能产生较大的影响，因此
天津科技 2018年4期2018-05-04
- 直接转化法合成大尺寸纯相多晶金刚石
韧性不足。而纳米多晶金刚石(nano polycrystalline diamond，NPD)的硬度高于单晶金刚石且宏观表现为各向同性[1-6]，被视为新一代超硬材料。BUNDY[7]在约13 GPa、3300 K的条件下，使用金刚石对顶砧装置首次观察到无触媒参与下，石墨向金刚石的直接转化。IRIFUNE[2]发现，多晶石墨在12～25 GPa、1600～2200 ℃的条件下可发生相变，直接转化成NPD，其努普硬度高达120～140 GPa，高于单晶金刚石
金刚石与磨料磨具工程 2018年1期2018-03-12
- 单晶六方SiC和多晶化学气相沉积SiC的常温辐照肿胀差异性∗
单晶六方SiC和多晶化学气相沉积SiC的常温辐照肿胀差异性∗臧航†黄智晟 李涛 郭荣明(西安交通大学核科学与技术学院,西安 710049)(2016年11月17日收到;2016年12月22日收到修改稿)SiC具有耐辐射、低感生放射性、耐高温等特点,在先进核能系统中具有重要的应用.用1.5 M eV的Si离子在常温下注入单晶六方SiC和多晶化学气相沉积SiC,注量分别为1×1014—2×1016cm−2和1×1015—2×1016cm−2,利用X射线衍射(X
物理学报 2017年6期2017-08-03
- 向西挺进，开发新“乌金”多晶聚能腐植酸正在研发中
——记上海通微生物技术有限公司
，开发新“乌金”多晶聚能腐植酸正在研发中 ——记上海通微生物技术有限公司2016年4月，上海通微生物技术有限公司（以下简称“上海通微”）年近八旬的张常书高级工程师，应邀担任清华启迪科技园新疆涵龙生物科技有限公司首席科学家，从事“多晶聚能腐植酸”的研发工作。多晶聚能腐植酸，是一种全新概念的新型肥料产品，是国内乃至国外腐植酸产品中的创新产品。目前，该产品研发项目已在新疆沙湾县立项，初步定名为“沙湾聚能1号”多晶聚能腐植酸。本品是用具有高能微波共振的多晶聚能矿粉
腐植酸 2016年4期2016-12-16
- 一种改善器件性能的Halo工艺
工艺波动，比较了多晶条宽变化对器件参数的影响。为了增加不同条件的可比性，以室温下的饱和电流作为基准，通过调节注入剂量，使不同Halo注入条件在室温下的饱和电流都相等。结果表明，对于130 nm多晶栅长，注入倾角60°，注入能量100 KeV时器件特性有最好的温度稳定性和工艺容宽。Halo；短沟效应；离子注入；掺杂分布；多晶条宽1 引言随着集成度的不断提高，器件特征尺寸不断减小，出现了一系列新的物理效应和有待解决的问题。当沟长不断缩小时，栅压引起的沟道耗尽区
电子与封装 2016年9期2016-10-26
- 冰糖，表面透明的好
来说，大块冰糖叫多晶冰糖，它是未经过深加工处理，比较原始的冰糖。个头小的，一粒粒很整齐的叫单晶冰糖，它的加工工艺相对复杂。二者在口味上有差异，单晶冰糖比多晶冰糖甜。我们发现市面上的冰糖有深黄色、浅黄色、白色的，那到底哪种好？其实，颜色不同只是在制作过程中添加了不同的原料或食品添加剂。想买到好冰糖可以记住以下几个原则：1.选择表面透亮、无杂质的；2.多晶冰糖最好买呈柱状、有棱角，看起来像好多个单晶冰糖粘在一起的那种，用手抹一下，不掉渣，颜色不深的就行；3.单
恋爱婚姻家庭 2016年18期2016-07-23
- 多晶体电子衍射花样的标定
336000)多晶体电子衍射花样的标定宋宝来(江西宜春职业技术学院,江西宜春 336000)论述了多晶电子衍射斑点的形成原理，并对多晶电子衍射花样的标定方法进行了分析，总结出各种标定方法的优点和不足｡并采用CAD法对多晶衍射花样进行了测量，计算与标定。多晶电子衍射花样；标定；测量1 形成原理多晶相当于是由随机的无定向分布的微晶（单晶）组成的。每一个单晶中一组（hkl）晶面对应一个倒易点．这种取向混乱的单晶集合体，也可以看作是一个单晶围绕一点在三维空间内作
中国铸造装备与技术 2016年5期2016-05-11
- 常规多晶与高效率n型晶体硅太阳电池组件光谱响应趋势及原因分析
两种：一种是常规多晶太阳电池组件，一种是高效率n型晶体硅太阳电池组件。由于两种组件在设计原理上存在很大差异，导致它们对光谱响应时间的要求也是各自不同。文章通过对两种电池组件在不同光谱响应时间内进行I-V测试，分析两种组件对光谱响应时间上的需求情况以及原因分析。关键词：多晶;n型晶体硅;太阳电池组件;光谱响应0 引言太阳电池是基于空间航天器应用发展而来的，其材料是利用晶体Si制作成电池。这种电池具有较高的电池转换效率以及稳定的工作状态。其工作寿命大于25年。
中小企业管理与科技·上旬刊 2015年6期2015-05-30
- Trench VDMOS制造流程中多晶相关工艺问题研究
程中，Poly（多晶）的相关工艺，目的是完成栅极的制作。具体步骤如图1所示，当沟槽刻蚀完成，并且栅氧化层生长以后，进行多晶的淀积、回蚀。将沟槽内部填满多晶，沟槽外部区域的多晶全部去除。图1 Trench VDMOS 多晶栅极的制作过程这些工序中，如果工艺控制不好，有些问题非常容易出现，且会对器件的部分电学参数（如Vth、Igss等）产生严重的影响，造成良率损失[1]。2 多晶的淀积多晶淀积有两处需要重点关注：（1）多晶的生长速率要控制，如果生长太快，则容易
电子与封装 2014年7期2014-12-05
- 一种用于亚微米多晶栅TiSi电阻优化的方法
越重要。重掺杂的多晶硅由于自身杂质固溶度的限制，使得RC延时变长从而限制了特征尺寸的进一步减小。为了克服这一限制，发展了低电阻率的硅化物工艺[1]。CMOS超大规模集成电路的关键就是降低源漏区与栅电极的寄生电阻，而自对准硅化钛工艺可以在有效降低电阻的同时保存基本的多晶硅栅MOS结构[2]。但是在实际半导体工艺流程中，由于受到光刻设备工艺能力的限制，0.6 μm及以下工艺的多晶栅条上套刻精度无法保证。这导致了后续源漏注入剂量在多晶栅上有所偏差，工艺容宽较小，
电子与封装 2014年1期2014-09-19
- 多晶型药物研发与制剂新研究进展探讨
任红燕 杨晓琴多晶型药物研发与制剂新研究进展探讨任红燕 杨晓琴目的 通过对多晶型药物的研究考察, 阐明多晶型药物的重要性, 指导实际生产多晶型制剂, 并合理安全用药。方法 80例患者随机分为对照组和实验组, 每组40例, 给予其不同晶型药物作为研究, 观察药物的显效情况。结果 无味氯霉素的B型有较高的自由能, 溶出速度快, 血药浓度高达A型的7倍, 起效例数高达38例, 而A型无一例起效。但法莫替丁A、B两种晶型, 药效几乎没差别。结论 多晶型药物对药效有
中国现代药物应用 2014年17期2014-07-18
- 美国开发将温室气体转为工业原料新型催化剂
转化工艺中，常用多晶银作为电化学催化剂。为了使上述转化制备过程更高效，特拉华大学的专家研制出一种新型催化剂——纳米多孔银，其内表面面积很大且高度弯曲，其内表面面积是多晶银的约150倍，固有活性是多晶银的约20倍。而在将二氧化碳转化为一氧化碳的反应过程中，纳米多孔银的电化学催化活性是多晶银的3 000倍。如此生成的一氧化碳可用作生产某些合成燃料的工业原料。此外，一氧化碳还可用作冶金还原剂。参与该研究的专家认为，从理论上讲，上述转化工艺有助于研究如何把发电厂、
石油炼制与化工 2014年6期2014-04-07
- 单晶多晶之争：是否最终将回归单晶市场？
单晶多晶之争：是否最终将回归单晶市场？谁将领导晶硅电池市场，单晶还是多晶？这是一个业内经常被问到的问题。回到2007年的时候，单晶和多晶硅片产量是一半一半，而这个比例现在已经变成了三七分成，因为多晶由于成本优势推动抢占的大型电力项目市场以及帮助降低组件成本而受到大多数人青睐。即使这样，有关于哪一种技术未来能够提供更大的价值仍然是存在争议的。单晶硅片能够使电池效率比多晶硅片的电池效率基本上升2%，然而，标准的单晶硅片的卖价高于多晶硅片在30%左右。但是，由于
电子工业专用设备 2014年8期2014-03-24
- 醋酸乌利司他假多晶型分子热分解机理及动力学
)醋酸乌利司他假多晶型分子热分解机理及动力学雷绒绒1，朱 亮1，沙作良1，王彦飞1，王 海2(1. 天津市海洋资源与化学重点实验室，天津科技大学海洋科学与工程学院，天津 300457；2. 华润紫竹药业有限公司，北京 100024)通过冷却结晶实验制备醋酸乌利司他以乙醇为溶剂的假多晶型晶体．热重实验结果表明醋酸乌利司他假多晶型在升温过程中包含溶剂脱除与分子热分解2个过程．利用非等温热重法对醋酸乌利司他假多晶型的分子热分解过程机理及其动力学进行研究．基于不同
天津科技大学学报 2014年1期2014-02-27
- 硅化钛场板的工艺条件与特性研究
衬底－SiO2－多晶－硅化钛－金属。针对该结构的特点，分析其不同工艺条件下电容特性、BT CV特性、电阻特性的变化，可以更深入地了解该场板结构的内部性质，从而对工艺进行条件优化，达到产品设计的需求。2.1 SiO2层制备工艺、多晶层厚度对场板CV特性的影响2.1.1 样品制备采用N＜100> 5-9Ω·cm为衬底材料片，分别采用LPCVD与PECVD进行100 nm的SiO2淀积，再完成40 nm与200 nm的LPCVD多晶硅淀积；然后再用PVD淀积金属
电子与封装 2013年10期2013-09-05
- 多晶发射极结构三极管抗总剂量能力研究
035）1 概述多晶发射极三极管结构和传统三极管结构相比，具有很多优势，包括极大的放大倍数、更高的响应频率和更小的尺寸结构，这些优势使得该结构在亚微米和深亚微米BiCMOS工艺中完全取代传统三极管结构而被广泛采用。实际上，在和传统三极管结构比较中，我们比较容易忽略多晶发射极结构三极管的另外一个优势，那就是多晶发射极结构具有更强的抗总剂量辐照能力。2 三极管总剂量机理分析总剂量辐照效应是由于伽马射线入射到SiO2介质中，产生能量沉积，形成电子空穴对。由于电子
电子与封装 2012年7期2012-12-05
- 多晶拉伸试样表面各晶粒滑移带研究
530004)多晶拉伸试样表面各晶粒滑移带研究石艳柯1，张庆华1，张克实2(1.华北水利水电学院，河南郑州 450011;2.广西大学，广西南宁 530004)采用建立在晶体塑性理论基础上的晶体塑性有限变形计算方法，针对多晶铜试样单轴拉伸过程中晶体滑移造成试样的滑移痕迹进行了数值研究，并对拉伸过程中材料内部的应力、应变的不均匀分布进行了初步统计分析.利用三维有限元模拟多晶铜试样的拉伸变形，通过晶体塑性滑移面与试样观察面交线的几何分析，得到了不同滑移系启动
华北水利水电大学学报(自然科学版) 2012年2期2012-07-15
- 消除区熔硅单晶生长中“硅刺”的研究
或者操作不当，在多晶硅棒的固液交界面的边缘容易留下不熔化的小柱状体，通常称为“硅刺”，如图1 所示。硅刺一旦形成，由于其吸热慢，散热快，便不容易熔化，随着区熔过程的进行，迅速长大，无法再熔化，直至触到加热线圈，导致中途停炉。特别是生长75 mm(3 英寸)以上直径的单晶，如果不采取有效措施，几乎难以正常生长单晶。本文就通过对FZ 硅单晶生长过程中，经常出现的“硅刺”现象进行研究，着重分析了“硅刺”产生的原因，并采用了有效防止“硅刺”产生的措施。图1 多晶边
电子工业专用设备 2012年5期2012-07-04
- 天然与Fe－C（H）系高温高压合成金刚石多晶的光学属性对比研究及意义（下）①
天然与合成金刚石多晶的红外光谱图中均包括金刚石双声子峰、氢相关峰和氮相关峰三大类吸收峰。其中金刚石峰是由双声子作用所引起的［14］；氢相关峰分别包括由亚乙烯基团（＞C＝CH2）的伸缩振动、弯曲振动所引起的3107cm－1或3111cm－1、1402cm－1处的吸收峰，由sp3杂化C－H键的反对称、对称伸缩振动所引起的2935cm－1、2848cm－1附近的吸收峰［14］，H2O的反对称、对称伸缩和弯曲振动所引起的3637cm－1（3597cm－1）、324
超硬材料工程 2012年1期2012-01-25
- 改进的两温区气相输运法合成碘化铅(PbI2)多晶
化铅(PbI2)多晶赵 欣＊,1金应荣2贺 毅2(1中国民用航空飞行学院研究生处，广汉 618307)(2西华大学材料科学与工程学院，成都 610039)采用改进的两温区气相输运合成方法(MTVTM)合成PbI2多晶原料，简化了合成工艺，有效避免了合成安瓿爆炸。XRD分析结果表明：新方法合成的PbI2多晶原料纯度高，具有2H结构，P3ml空间群，晶格常数a=b=0.4560 nm，c=0.6979 nm。以此为原料，用垂直布里奇曼法(VBM)生长出电阻率达
无机化学学报 2011年2期2011-09-15
- 天然与Fe－C（H）系高温高压合成金刚石多晶的光学属性对比研究及意义①
1004）金刚石多晶，虽然不如金刚石单晶那样受到人们的广泛喜爱，但是却受到了材料科学、地球科学等领域专家的高度关注。究其原因，一方面，金刚石多晶中晶粒随机定向、晶粒边界高密度发育，这有效地阻止了金刚石单晶中｛111｝解理的传播，使其硬度、韧性及耐磨性等比金刚石单晶还大，这也正是金刚石多晶被广泛应用于钻头、切削刀具、拉丝模具及各种耐磨器件等的关键性原因。当前，合成金刚石多晶研究已成为国际上超硬材料研究方面的热点和前沿领域，尤其是在如何提高其硬度、韧性等方面备
超硬材料工程 2011年6期2011-01-25
- 0.8 μm多晶栅等离子刻蚀研究
决定特征尺寸的是多晶栅，所以在半导体器件的制造中，多晶栅刻蚀是最关键工序之一。在当今流行的MOS器件中，作为介电材料的多晶栅是由LPCVD掺杂生长的。但多晶硅是较难刻蚀的结构，它必须对下层的栅氧化层有高的选择比并有非常好的均匀性，同时多晶栅的侧面倾斜角度必须控制在合理范围内。首先过刻蚀会导致栅氧化层击穿，需要刻蚀的高度各向异性；其次多晶硅栅的宽度决定着器件有效沟道的长度，所以要将倾斜的角度严格控制在合理的范围内。本文主要采用DOE正交实验来研究多晶栅刻蚀的
电子与封装 2010年8期2010-04-20
- 药物多晶型现象研究进展
的晶体，称为药物多晶型现象。药物多晶型自18世纪20年代开始引起人们的关注，20世纪60年代以后随着相关学科的发展和实验分析手段的提高，如热分析、红外吸收光谱、X-射线粉末衍射等分析方法的运用，药物多晶型研究进展快速[1]。人们对药物多晶型现象以及药物多晶型对药物的物理化学性质、稳定性、生物利用度[2]和安全性的影响，有了全面深刻的理解。药物多晶型一般认为有4种类型：构象多晶型、构型多晶型、色多晶型、假多晶型。晶体中分子在晶格空间的排列不同形成的晶体称为构
化学与生物工程 2010年10期2010-04-11
- 多晶硅真空区熔提纯技术研究
制过程中，需要对多晶硅进行真空区熔提纯。通过真空区熔提纯，可以对多晶硅的电阻率、型号及外型等参数加以控制，是成功研制真空单晶的关键步骤之一。1 实验条件多晶提纯设备：L4375-ZE型区熔硅单晶炉。真空区熔提纯时的炉内真空度≤1×10-2Pa。原料：美国ASiMI多晶硅料，基硼电阻率≥9000 Ω·cm，基磷电阻率≥1000 Ω·cm，少子寿命≥1000μs，原始电阻率≥3000Ω·cm，直径50mm。热场：单匝平板线圈。线圈为偏心结构，内径短轴28mm、
电子工业专用设备 2010年8期2010-03-23