专利名称: 一种控制大尺寸钼铌合金单晶棒材等径生长的方法

专利申请号: CN201610850656

公开号: CN106381519B

申请日:2016.09.27

公开日:2019.01.08

申请人: 西北有色金属研究院

本发明提供了一种控制大尺寸钼铌合金单晶棒材等径生长的方法，包括以下步骤：一、选取多晶坯料和单晶籽晶为原料；二、将多晶坯料和单晶籽晶安装在位于电子束悬浮区域熔炼炉熔炼室内的夹持头上，然后调节多晶坯料与单晶籽晶之间的距离，之后进行相对逆向旋转，接着进行熔接处理，将熔接后的多晶坯料和单晶籽晶相对电子枪运动，得到等径生长的大尺寸钼铌合金单晶棒材。利用本发明方法得到的大尺寸钼铌合金单晶棒材，其直径为20～40 mm，长度为100～800 mm，晶体取向与单晶籽晶一致，晶向偏离角不大于3°，杂质元素总浓度不高于70 μg/g，直线度不大于1.0 mm/m。