晶圆_参考网

基于离焦图像的晶圆表面缺陷检测*

略性产业[1]。晶圆是芯片的载体,晶圆的质量决定着芯片产量,所以晶圆缺陷检测是半导体芯片生产中重要的一环[2]。目前,晶圆缺陷检测多采用机器视觉方法[3],该方法通过采集待测物体表面图像,进行图像处理、分析和识别,具有无接触、抽检率高、实时性高等特点。基于机器视觉的晶圆缺陷检测,在检测过程中,都需对晶圆上每块区域进行自动对焦,然后采用晶圆缺陷检测算法来检测缺陷,检测结果的准确性会影响晶圆质量的评定。FAN等[4]使用二维傅里叶变换来分析含有关键参数的二维图

组合机床与自动化加工技术 2023年7期2023-08-02

基于CNN-LSTM的晶圆良率预测*

产品制造过程涉及晶圆制备、晶圆制造、芯片封装测试等主要阶段,其中晶圆制造是半导体制造企业资金、技术、人员投入最为密集的关键环节。在晶圆制造最后阶段,需对已完工产品进行晶圆允收测试(wafer acceptance test,WAT),以此对晶圆片是否合格验收进行决策判断。WAT过程需对集晶圆片大量电路采集各类电测参数,形成大规模测试数据。基于WAT数据分析测试电路参数与晶圆良率之间的关联,进而对晶圆良率进行预测,可揭示半导体工艺制程中影响晶圆良率的关键环节

组合机床与自动化加工技术 2023年7期2023-08-02

半导体制造领域的晶圆预对准系统综述

过程中，需要确定晶圆的圆心坐标。随着半导体制造工艺的提升，对晶圆圆心坐标的定位精度也不断提高。因此，在制造环节中需要晶圆预对准系统对晶圆中心进行对准。伴随着新技术的应用，晶圆预对准系统从传统的机械式不断发展出基于视觉的晶圆预对准系统以及光电式晶圆预对准系统。1 机械式晶圆预对准系统机械式晶圆预对准结构主要依靠机械结构推挤晶圆的边缘，实现晶圆对准。图1为夹持式机械预对准系统[1]，通过夹持气缸两侧的输出端分别连接对中块，两侧的对中块上分别均布有多个柱塞弹簧对

科学与信息化 2023年1期2023-01-31

基于质心调整的晶圆振动抑制方法

带动Chuck和晶圆（带FLAT定位边）一起高速旋转时，晶圆定位边的质量缺失所导致的晶圆的质心与Chuck的质心在轴线方向上产生偏移，这一原因会导致晶圆乃至主轴电机本体产生很严重的振动现象[1]。图1 运动示意图本文针对该问题从理论的角度进行了分析，并提出了对应的解决方案。经过实验验证，此方案可以有效解决因为质心偏移导致的振动问题。1 原因分析Chuck部分卡槽会通过销钉与主轴电机连接，所以该部分对质心在轴线方向的偏移影响很小，在分析时将此部分视为对称且均

科学与信息化 2023年1期2023-01-31

缓存区工位和调度系统在CMP设备中的应用

在CMP设备中，晶圆先要经过研磨工艺单元，然后进入清洗工艺单元，经过数次加工和传递后回到卡盒。在研磨工艺单元中最多可同时加工4个晶圆，晶圆加工完毕后，需要立即被传入清洗工艺单元，否则晶圆有长时间未被药液浸泡而受损的风险。在清洗工艺单元中，各个工艺工位中晶圆能够得到药液的浸泡，是安全的。用来传递清洗工艺单元的机械手不具备浸泡晶圆的功能，所以晶圆长时间停留在机械手上也会有受损的风险。在正常加工过程中，各个工艺单元能够保证晶圆的安全，但在有模块出现故障导致无法完

电子工业专用设备 2022年5期2022-12-30

磁流变抛光过程粒子行为仿真分析

需求增长，半导体晶圆市场的容量呈现爆发式增长。无论是制作集成电路还是功能器件，都要求晶圆具有极佳的平整度和超光滑表面，否则将直接降低产品性能[1-2]。目前，人们普遍采用化学机械抛光实现晶圆的超光滑加工。这种方法可获得较好的表面精度，但在实际应用中也显现出一定的缺点，例如：半导体晶圆为典型的硬脆材料，抛光过程中较大的机械力易造成其表面出现脆性破坏、裂纹、碎片等缺陷，同时晶圆较薄易翘曲变形；抛光后的工件表面会残留抛光浆料，难于清洗，而化学抛光浆液的后续处理会

电加工与模具 2022年5期2022-11-15

MEMS器件用Cavity-SOI制备中的晶圆键合工艺研究

tor,SOI)晶圆以其优良的器件层单晶材料特性和埋氧层绝缘特性而在微机电系统(MEMS)器件中得到了广泛的应用。在衬底层中经刻蚀形成腔体图形，并与器件层裸硅片直接键合可形成预埋腔体绝缘体上硅(Cavity-SOI)[1～3]。Cavity-SOI的发明可以使MEMS敏感结构与衬底之间形成大于埋氧层的垂直距离，有利于减少与衬底之间的寄生电容；同时在MEMS敏感结构加工时，器件层经过干法刻蚀即可实现可动结构的释放，可以省去常规SOI片制备MEMS器件时所需的

传感器与微系统 2022年3期2022-03-23

CMP 清洗传输机械手的优化设计

 100176)晶圆经过化学机械抛光（CMP）工艺后，会在晶圆表面残留少许的浆料 (抛光液)，需要通过CMP 后清洗将其清除，目的是把CMP 中的残留粒子和金属沾污减少到可接受的水平[1]。晶圆清洗是利用物理、化学或机械作用的方法使吸附在晶圆表面的污染物解吸而离开的过程，是化学机械抛光（CMP）后对晶圆进行处理的关键步骤。整个清洗工艺需要在不同的清洗工位完成，实现晶圆在不同工位之间的传输，机械手成为必不可少的机构。机械手在充满各种清洗液的槽体中的适用性和传

电子工业专用设备 2021年6期2022-01-06

Loadport控制系统设计

导体生产过程中，晶圆需要经常在洁净与超洁净环境间转换，转换过程中为保证晶圆不受微粒子附着，需要使用Loadport（晶圆装载端口）做为环境转换的输入输出端口。目前在Fab厂中Loadport已得到非常广泛的应用，但其仍需依赖进口。拥有Loadport相关技术的国家仍对我国进行技术限制，所以Loadport关键技术的研发就显得尤为重要。本文设计并实现了一种Loadport控制系统可以满足实际半导体产线应用需求。关键词：Loadport;控制系统;晶圆;Fou

智能建筑与工程机械 2021年4期2021-09-10

隐形划片技术及其在MEMS制造中的应用

电路制造过程中，晶圆划片是一项非常重要的工艺，它是采用机械旋转刀片或激光，沿集成电路设计时预留的切割道运动，将晶圆分离成一个个具有独立电气性能的芯片的过程。传统划片工艺多采用机械式旋转刀片切割方式，电路集成密度高的晶圆、高速低功耗芯片晶圆、有特殊结构芯片的晶圆多采用激光划片。MEMS（Micro-Electro-Mechanical System）即微电子机械系统，是指在几毫米乃至更小晶圆面积内，构造复杂的机械、电路结构，通过半导体工艺实现不同能量形式间转

电子工业专用设备 2021年4期2021-08-10

报告：中国大陆晶圆产能今年或超日本

告显示，以半导体晶圆工厂所属地区划分，预计中国大陆的晶圆产能今年将超过日本位居世界第三，仅次于中国台湾地区和韩国。据日本“电脑观察”网站15日报道，这份2021年至2025年全球晶圆月度产能报告中的产量排名以晶圆工厂所属地统计，而非生产商企业总部所在地。例如，韩国的三星公司在美国有一个晶圆工厂，其产量就属于美国晶圆的产能。报告显示，在全世界的晶圆产能排名中，中国台湾地区制造的晶圆市场占有率最高，为21.4%；其次是韩国，为20.4%。尽管日本以15.8%位

环球时报 2021-07-162021-07-16

单片式湿法刻蚀均匀性及药液回收率的相关性研究

通过化学刻蚀液与晶圆上所需刻蚀的材料发生化学反应达到刻蚀的目的,湿法刻蚀又包含两大类：槽式湿法刻蚀和单片式湿法刻蚀。槽式湿法刻蚀产能高,化学液消耗小,但是由于从硅片上清洗下来的污染会继续在化学液中残留,容易造成二次沾污。单片式湿法刻蚀由于不断地有新的化学液或者去离子水供应到硅片表面,可以有效的防止二次沾污现象的发生[1-2]。虽然在转移掩膜图形的保真性上湿法刻蚀与干法刻蚀存在一定的差距,但因其具有对器件损伤小、生产成本低、产能高和适应性强等特点,在去氧化硅

科学技术创新 2021年13期2021-05-16

自动对准定位算法技术在探针设备中的应用研究

能够对集成电路和晶圆上各种管芯的电参数及其功能完成自动测试。全自动探针台主要由主机和自动上下片系统组成，主机部分主要是控制XYZ 工作台的运动，完成承片台上晶圆的自动测试，自动上下片系统主要负责片盒与承片台间晶圆的传输。全自动探针台在接收到上下片系统传输的晶圆片后，完成晶圆自动对准和晶圆启测芯粒自动定位（即自动对准定位），然后进行晶圆的参数和功能测试，自动对准定位是全自动探针设备中的关键技术。全自动探针测试设备的自动对准定位系统框图如图1 所示。图1 全自

电子工业专用设备 2021年1期2021-03-10

基于改进的连续型深度信念网络的晶圆良率预测方法

共同发展的态势。晶圆良率是完成所有工艺步骤后测试合格的芯片的数量与整片晶圆上的有效芯片的比值[1]，由于集成电路产品生产投入大、损失代价高，提前预知晶圆生产的良率情况，对提升晶圆生产工艺、降低晶圆生产损失具有重要意义。传统的晶圆良率预测方法主要考虑晶圆的缺陷来源、缺陷数目、缺陷聚集程度与良率之间的关系，如：Raghavachari等[2]从统计学的角度，通过对晶圆单位面积的平均缺陷数进行分析，建立基于泊松分布的良率预测方法，但该方法未考虑晶圆缺陷的群聚特性

计算机集成制造系统 2020年9期2020-10-12

晶圆传输机械手结构浅析

片生产过程中，用晶圆传输系统来实现晶圆在不同工位之间快速、高效、可靠的搬运。随着晶圆生产的产量和尺寸的不断增加，对晶圆传输结构的速度、精度要求也日益提高。本文主要介绍R.θ型晶圆传输机械手的典型结构、使用条件、特点及注意事项。为晶圆输送系统的设计及选型提供一些参考依据。关键词： R.θ；机械手；晶圆；结构；洁净集成电路是电子信息产业的核心，是推动国民经济和社会信息化发展的高新技术之一。IC制造装备作为实现工艺制程的载体在其中发挥着重要作用。晶圆的生产、加工

科技风 2019年3期2019-10-21

硅晶圆的晶向偏离度测定方法探索

加工愈加精密，硅晶圆衬底参数的要求也愈趋于严格。一般硅晶圆衬底的晶向偏离的要求为±0.5°到±1°之间。由于晶向偏离度可能对后续的外延[1]等工序产生影响，部分厂家对晶向偏离度提出了更加严格的要求。由于后续加工对晶向的影响甚微，对经过线切割加工而成的晶圆的晶向的测量就可以得到出厂需要的晶向参数。二、晶向偏离度的测定方法半导体单晶晶向的测定方法一般分为两种：X射线衍射法定向法和光图定向法[2]。另外，贾陈平提出了一种通过对晶圆的预刻蚀加工而准确找到晶向方位，

产业与科技论坛 2019年7期2019-05-22

利用大数据计算产品在工序中搬送距离的方法

晶面板;半导体;晶圆中图分类号：TP39 文献标识码：A在液晶面板及半导体等制造、加工过程中，因为从素玻璃或硅片投入到液晶面板或晶圆的做成，这中间需要许多制程的支持，每一道制程有多台设备分布在不同位置且可能跨区块需要搬送系统连接，每个工厂规划搬送路径不可能唯一。持续搬送距离的监控可优化减少搬送距离，节省动力用力。持续进行动态搬送路径监控可及时发现路径设置的不合理之处，优化搬送路径，提高搬送效率。为了厘清问题根源，工程同时经常会调查产品在S

海峡科技与产业 2019年8期2019-04-22

半导体缺陷监控的一种智能取样派工方案

；②对等待监控的晶圆缺乏优先级排序，不能及时的覆盖全部机台表现；③对于前层缺陷重复扫描，造成时间的浪费；④缺乏对问题机台的实时派工调整，响应不及时。本文介绍了一种全新的针对缺陷监控的智能取样派工方案，通过不断自动调节实现高效快速的监控方式，来更好的提升工艺表现。1 智能缺陷监控方案智能缺陷监控方案是基于不同的工艺状态、机台情况等对取样率和晶圆优先级实现动态调整，同时对缺陷扫描进行自动优化并根据缺陷结果对生产机台进行派工调节。该方案通过四个模块实现四个功

自动化与仪表 2019年2期2019-03-06

超薄石英玻璃晶圆双面抛光过程中破裂的探究

1 引言石英玻璃晶圆因具有化学纯度高、抗热膨胀和热冲击性能强、抗拉强度高、耐辐射性能高、光传输效果好等一系列优点，被广泛应用于半导体产业，常用于光刻环节，也是MEMS及CMOS等传感器中的重要组成部分。2017年全球半导体用玻璃晶圆销量达到4.9亿美元，在未来五年将以每年6%的增速持续发展[1]。随着新型电子设备小型化及芯片制造量产化的发展趋势，厚度更薄尺寸更大的石英玻璃晶圆正成为半导体厂商采购的热点。我公司从事石英玻璃晶圆产品加工多年，长期出口欧洲半导体

中国建材科技 2018年6期2019-01-31

应用于MEMS及3D-IC封装中的喷胶技术

通过芯片到芯片、晶圆到晶圆间的垂直互联，从而得到堆叠密度大、尺寸小、运行速度快、功耗小的高质量芯片。所以向具有不平整形貌的TSV结构涂覆光刻胶的需求越来越大，这就促使了新的涂覆光刻胶技术发展。图1为采用TSV技术3D-IC封装SEM图片。图1 采用TSV技术3D-IC封装SEM图片旋转式涂胶工艺是最传统的涂胶工艺，但是由于旋涂过程中光刻胶所受离心力与重力的作用，常规的旋转式涂胶技术并不能在这些具有形貌的晶圆表面达到共形的光刻胶涂布。优化的电子束沉积光刻胶工

电子世界 2018年20期2018-11-14

晶圆直接键合技术发展分析

摘 要：晶圆直接键合是通过晶圆界面处的原子在外界能量的作用下，通过范德华力、分子力甚至原子力使晶圆键合成为一体的技术。该键合技术由于避免了中介层引起的污染也无需外部电场的作用而成为研究热点。本文结合专利文献统计情况，对晶圆直接键合技术的发展进行了分析，并从分析结果中得到了有益的结论。关键词：低温键合 直接键合 晶圆一、晶圆键合技术发展介绍20世纪80年代， 由美国IBM公司的Lasky和日本东芝公司的Shimbo等人提出了硅晶圆直接键合技术，该技术是把两片

西部论丛 2018年10期2018-10-25

晶圆传输过程中自动扫描算法的实现

能化的发展需求。晶圆自动传输是集成电路(IC)生产设备实现自动化的关键工艺环节，而晶圆自动上下片机构是自动化生产设备的关键单元，其在设备中的地位越来越高。在IC制造晶圆自动传输过程中，需要随时检测片盒内的晶圆存放状态，以确认晶圆在片盒内的摆放位置，如斜放、双片、空片等不符合传输要求的情况，确保顺利提取晶片。传统的晶圆位置检测分有两种形式，一种为片盒固定，检测装置上下移动扫描，检测片盒内晶圆位置；一种为检测装置固定，片盒上下移动，检测片盒内晶圆状态。由于检测

电子工业专用设备 2018年2期2018-04-19

清洗系统在晶圆减薄后的应用

尺寸的器件需求，晶圆直径在逐步增大，同时封装用的晶圆厚度逐步减小。由于市场需求的不断更新，芯片厚度减薄的趋势越来越快，导致薄晶圆的加工风险越来越高，对晶圆减薄设备的技术要求也越来越高[1]。在进行晶圆减薄抛光后，晶圆表面不可避免地残留有大量的抛光液以及磨削产生的颗粒污染物，不能以湿法状态进入下道揭膜工艺，更不能满足后续的划切、通孔电镀及硅通孔（TSV）封装的材料工艺要求。必须通过专门的清洗工艺对抛光后的晶圆表面残留的抛光液以及磨削产生的颗粒污染物进行有效去

电子工业专用设备 2018年1期2018-03-16

半导体刻蚀工艺的晶圆背面颗粒研究

干法刻蚀工艺需要晶圆背面与设备接触，把晶圆固定和支撑住，掌握晶圆背面颗粒状态对半导体工艺制程相当重要。本文主要研究前段刻蚀工艺后晶圆背面颗粒的状态、对工艺制程的影响以及降低这种影响的方法。前段刻蚀工艺由于稳定性、精确性和准确性的高要求，需要在每片晶圆作业完后对刻蚀腔体进行自身清洁和聚合物再淀积，以此来保证每片晶圆都有一致的刻蚀环境，刻蚀腔体中的静电吸盘（ESC）表面会覆盖聚合物，此聚合物的反应对温度非常敏感，由于ESC本身硬件的特性，表面聚合物淀积不均匀，

科技资讯 2017年24期2017-09-15

晶片的初始宏观形变对硅-硅直接键合的影响

系；理论分析认为晶圆键合前有必要根据弯曲变形量来匹配键合晶圆，并通过试验进行了验证。键合；弯曲变形；翘曲度晶片直接键合技术是指不需要中间粘附层，将表面平整洁净的晶片对直接粘合在一起，而且粘合强度与晶片体材料断裂强度相近。键合过程依赖于室温下晶片界面的短程分子力的作用达到预键合，然后通过热处理来加强键合的强度.键合工艺在集成新材料方面具有极大的自由度和完整性，目前已广泛应用到微电子、传感器、功率器件、MEMS、光电子器件等领域[1-3]。晶圆直接键合质量的好

电子工业专用设备 2017年4期2017-09-03

晶圆表面等离子蚀刻均匀性控制技术的进步

arik泛林集团晶圆表面等离子蚀刻均匀性控制技术的进步Stephen Hwang，Keren Kanarik泛林集团随着半导体的特征尺寸越来越小，其设计的复杂度日益增加。这就要求蚀刻工艺必须在更高粒度化层面具备复杂的调节能力，以满足更严格的均匀性要求。在工艺均匀性管理工作链中，晶圆表面等离子蚀刻的控制是一大关键因素，这些均匀性管理工作包括减少管芯间、晶圆间以及蚀刻腔间的差异性。正如本文讨论的，在晶圆表面的许多“微区”内独立调节关键参数的能力不仅能够控制各个

电子工业专用设备 2017年4期2017-09-03

采用新型活化氢技术进行大规模无助焊剂晶圆凸点回流焊

行大规模无助焊剂晶圆凸点回流焊C.Christine Dong1*，Richard E.Patrick1，Gregory K.Arslanian1，Tim Bao1，Kail Wathne2，Phillip Skeen2(1.Air Products and Chemicals，Allentown，PA 18195-1501，USA；2.Sikama International，Inc.，Santa Barbara，CA 93101-2314，USA)介绍

电子工业专用设备 2017年3期2017-07-31

晶圆盒中晶圆位置检测技术的研究

 201114）晶圆盒中晶圆位置检测技术的研究刘劲松1,2，朱志强1，时 威2（上海理工大学 机械工程学院，上海 200093；2.上海微松工业自动化有限公司，上海 201114）晶圆盒自动开盖机构（Load Port）是半导体工业自动化中的核心设备之一，晶圆盒（Cassette）中晶圆位置检测（Mapping）过程的好坏直接决定了Load Port的优劣。通过简要介绍晶圆自动开盖机构检测的原理，阐述了由于晶圆弯曲对检测过程影响。然后把晶圆抽象为一个密度不

制造业自动化 2017年4期2017-04-27

晶圆边缘检测技术研究

的提升，人们对于晶圆的研究逐渐深入。晶圆的特征尺寸缩小的同时将会产生很多的微小缺陷。通过晶圆的边缘检测技术能够实现对晶圆缺陷的检测。在本文中利用边缘提取技术以及模式识别技术，对晶圆的缺陷等进行有效识别，对边缘检测技术进行研究。【关键词】晶圆 边缘检测技术 研究应用晶圆边缘检测技术，需要对晶圆表面的缺陷种类以及成因进行分析。然后根据晶圆图像，对其中的直线几何特征进行提取，有助于对于晶圆进行相关的缺陷检测。晶圆缺陷检测技术，综合了机器视觉、数字图像处理等技术，

电子技术与软件工程 2016年15期2017-04-27

采用晶圆传送机器人的晶圆预对准方法

1114)﻿采用晶圆传送机器人的晶圆预对准方法刘劲松1，2，王 森1，褚大伟1(1．上海理工大学 机械工程学院，上海 200093；2．上海微松工业自动化有限公司，上海 201114)针对传统的晶圆预对准控制系统成本高和体积大的不足，设计了基于晶圆传送机器人的晶圆预对准装置，并提出了高效、高精度的晶圆圆心和缺口定位算法。采用交换吸附的方式通过预对准装置一维旋转和晶圆传送机器人空间平移实现晶圆预对准。误差分析及预对准实验研究结果表明，晶圆圆心的定位精度晶圆预

电子科技 2016年11期2016-12-19

一种探针台自动定位方法的研究与实现

人工对准，就能从晶圆的第一个晶粒(第一点)开始检测，然而晶圆上片后，探针下方的开始位置往往并不是第一点；为了让第一点快速的移至探针下方，对平台的运行轨迹进行了研究，提出了螺旋定位法的概念，以平台上开始位置为中心，螺旋式步进运行，配合镜头的图像识别技术，一步一识别，逐步扩大范围，直至在镜头视野中找到晶圆中唯一的特殊晶粒(特殊点)；由于第一点与特殊点的位置相对固定，所以找到了特殊点即找到了第一点；此方法经过算法分析及整合编程后，进行了多次试验，并交付客户使用，

计算机测量与控制 2016年2期2016-03-17

清洗系统在晶圆减薄后的应用

01)清洗系统在晶圆减薄后的应用刘玉倩，高津平(中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京101601)根据集成电路晶圆的不同用途，分析了晶圆减薄后，残留的污染物对后续工艺的影响；提出了一种集成在减薄机内部的清洗系统，根据清洗目标，配套了完整的清洗方案。晶圆；减薄后；清洗系统从集成电路的发展趋势看，出于终端应用特别是移动设备对更高性能、更低成本、更小形状因子的器件需求，晶圆片直径在逐步增大，同时封装用的晶圆厚度逐步减小。由于市场需求的不断更新，芯片厚度减薄的

电子工业专用设备 2016年12期2016-02-10

影响硅片倒角加工效率的工艺研究

，利用不同尺寸的晶圆，不同的倒角吸盘转速，不同甩干程序对晶片进行倒角程序加工并统计其加工时间，进而分析不同加工条件对倒角边缘磨削加工效率的影响，从而进行最大的改善、优化和提升。倒角边缘磨削；晶圆尺寸；吸盘转速；甩干；磨削效率一、引言在半导体晶圆的加工工艺中，对晶圆边缘磨削是非常重要的一环。晶锭材料被切割成晶圆后会形成锐利边缘，有棱角、毛刺、崩边，甚至有小的裂缝或其它缺陷，边缘的表面也比较粗糙。而晶圆的构成材料如Si、Ge、InP、GaAs、SiC等均有脆性

中国新技术新产品 2015年17期2015-07-20

CMP承载器背压发展历程

点越来越严苛，对晶圆的局部和全局平整度提出了越来越高的要求，化学机械抛光技术（CMP）是满足晶圆表面形貌的关键技术。承载器是CMP设备的关键部件，通过研究历代承载器的背压施加方式和区域压力控制方式对晶圆表面全局平整度的影响，发现随着技术节点的提高，承载器施加越来越多路背压且背压控制精度越来越高。因此，国产CMP设备为了满足集成电路的严格要求，其承载器必须具备施加多区域背压，且控制精度越来越高。化学机械平坦化；背压；多区域控制；承载器；保持环化学机械抛光（C

电子工业专用设备 2015年3期2015-07-18

晶圆产品测试地点转移程序的概述

针对集成电路产品晶圆测试地点的改变所遵循的使测试产品达到合格标准的操作程序。关键词：晶圆；测试；地点转移由于降低成本，平衡产能等业务需要，晶圆测试的测试地点会有所改变。将一个集成电路产品转移到新的晶圆测试工厂进行测试，需要该产品的产品工程师，器件工程师，市场事業部，品质部，工厂企划部，转出厂和转入厂的晶圆测试工艺工程师，设备工程师，探针卡工程师，数据系统工程师的共同参与，并需要经过以下相关性评测。·KAPPA（对比测试结果的一致性）·ILD（层间介质）的破

卷宗 2015年3期2015-05-13

晶圆测试生产线晶片操作的方法

：本文主要研究在晶圆测试生产线上是正确地操作晶片和正确地使用晶片操作设备的方法。关键词：晶圆；测试生产线；晶片操作半导体行业对于晶片制造过程中，晶片的接触、输送等操作都有着非常严格的要求，对所有接触晶片的人员、装置和设备，做了明确而详细的规定和指导，以确保晶片在制造过程中的清洁和安全。1. 晶片操作设备操作人员在任何时候操作晶片时，都必须遵守洁净室规范，并且按规定正确使用晶片操作设备。无论是一片或是多片晶片，必须使用片匣存储或传送，而装有晶片的片匣必须存储

卷宗 2015年4期2015-05-12

ams推出专为物联网应用优化的传感器技术

（艾迈斯）宣布其晶圆代工业务部推出专为物联网应用优化的传感器技术，为晶圆代工客户提供一整套用于开发先进传感器解决方案的工具，迎合如今电子行业的快速发展需要。ams晶圆代工服务不仅提供完整的PDK及IP模块系列产品和先进的制程技术，同时具备产品质量检验和供应链管理能力，帮助客户开发用于不同领域的先进解决方案，如环境监控、基础设施建设、能源管理、工厂及家庭自动化、交通、可穿戴设备、医疗及健康状况监测系统。诸如用于创建MEMS驱动器IC和开关的高压CMOS、用于

单片机与嵌入式系统应用 2015年6期2015-03-26

带驻留约束的双臂集束型设备群的调度方法

随着300 mm晶圆制造技术的问世，集束型设备群正在被越来越广泛地应用于半导体制造过程中.目前，如何优化半导体集束型设备群的调度问题，已成为提升半导体制造系统整体效率的关键途径.对单个集束型设备调度的研究已比较成熟.例如 Perkinson 等［1］和 Venkatesh 等［2］对单个单臂和双臂集束型设备稳态下的产能进行了分析，建立了单臂、双臂集束型设备的分析模型，提出了基础调度周期（fundamental period，FP）的计算方法，并建立了单臂机

哈尔滨工业大学学报 2014年1期2014-09-21

影响晶圆划片质量的重要因素

摘 要：在一片晶圆上，通常有几百个至数千个芯片连在一起。它们之间留有80um至150um的间隙，此间隙被称之为划片街区（Saw Street）。将每一个具有独立电气性能的芯片分离出来的过程叫做划片或切割（Dicing Saw）。目前，机械式金刚石切割是划片工艺的主流技术。在这种切割方式下，金刚石刀片（Diamond Blade）以每分钟3万转到4万转的高转速切割晶圆的街区部分，同时，承载着晶圆的工作台以一定的速度沿刀片与晶圆接触点的切线方向呈直线运动，切割

卷宗 2014年7期2014-08-27

晶圆测试复测介绍

摘 要：晶圆测试是半导体制程中的重要步骤，其准确性影响产品成本和质量，复测对保证其准确性发挥了重要的作用。晶圆制造和测试中都可能出现异常，情况复杂，复测可以帮助判定和消除这些异常。针对不同情况，复测也有不同种类，分类有多种标准。即时复测是比较复杂的复测方式，需要考虑多方面的因素。关键字：晶圆测试；复测；即时复测1 晶圆测试简述芯片制造流程中，电性测试是重要的组成，通常包括参数测试（Parametric probe）、晶圆测试（wafer probe）和最终

卷宗 2014年7期2014-08-27

晶圆测试方法的研究

的是针对集成电路晶圆进行测试的各种方法及对其如何生成最后的结果图进行阐述性分析。其中包括一般性常规测试、抽样测试、对测试次品的复测检验三种方式。另外，对于在测试过程中发现的划伤、缺陷进行目测，将其受影响的芯片在最后的结果图中去掉的过程。关键字：晶圆；测试；抽样；复测1 测试概述对于晶圆的测试是在晶圆制造厂之后，封装之前的一个步骤，其目的是将不良品在前期及时发现并剔除出去，进而大大减少后期封装的费用。这样不但节约成本，减少了不必要的浪费，还极大地提高了生产效

卷宗 2014年7期2014-08-27

承载器残余真空分析

广泛应用在IC 晶圆及其衬底材料的平坦化过程中[1]。在CMP 过程中，晶圆被固定在承载器和抛光台之间，通过控制晶圆承载器和抛光台的相对位置和运动，在机械摩擦和化学刻蚀的共同作用下去除晶圆表面定量的材料，以此实现晶圆全局平整度[2]。1 承载器晶圆承载器作为CMP 设备的关键部件，其性能直接决定晶圆的抛光质量。依据承载器采用的背膜，可将承载器分为Film 型承载器和Membrane 型承载器。承载器以真空方式吸附晶圆，以压缩空气卸载晶圆。1.1 承载器功能

电子工业专用设备 2014年9期2014-07-04

浅谈晶圆超薄化

ackage），晶圆级封装WLP（Wafer Level Packaging），硅通孔TSV（Through-silicon Vias）技术以及倒装FC（Flip chip）技术等。但是，无论采用哪种堆叠形式和焊接方式，在封装整体厚度不变甚至需要降低的趋势下，叠层芯片的厚度就不可避免地要求更薄。一般情况下，较为先进的叠层封装所使用的芯片厚度都在100 μm以下。随着封装技术的发展和电子产品的需求，堆叠的层数越来越多，芯片的厚度将越来越薄。因此，晶圆超薄化在

电子工业专用设备 2014年4期2014-07-04

提高晶圆扫描效率的方法研究

m(8 英寸)的晶圆上(如图1 所示)。设备的工作原理：在晶圆的正面，有两个X、Y 方向的电机带动探针组件运动，在晶圆的背面，另有两个X、Y 方向的电机带动镜头运动。测试时，探针组件和镜头定位到同一个芯片的正反面，与测试板通讯来进行测试，测试过程与手动测试类似。测试完成后再定位到下一个芯片。由于芯片的正反两面在测试过程中均需要使用，晶圆必须采用环型夹具来悬空固定。夹具在正反两面都高出晶圆表面约5 mm；而在移动过程中，探针脱离凸点的距离在0.3～0.5 m

电子工业专用设备 2014年3期2014-07-04

基于Petri Net的双臂组合设备故障响应策略的研究*

 510006）晶圆制造的加工工艺日趋复杂，组合设备加工模块中存在严格的逗留时间约束以及频繁的故障，因此研究其生产调度，排除出现的故障成为至关重要的问题。通过分析双臂组合设备的并行模块及其加工流程模式，建立能够描述系统的稳态特性的Petri Net模型。基于该模型，当双臂组合设备并行模块出现故障时，分析系统的可调度性，对可调度情况提出有效的运行控制策略，使得晶圆不违反严格的逗留时间约束。最后通过实例验证该控制策略的可行性。晶圆制造；双臂组合设备；故障响应；

机电工程技术 2014年10期2014-02-10

晶圆预对准系统误差仿真分析*

819)0 引言晶圆预对准是晶圆搬运以及整个IC 制造过程中的重要环节，晶圆的定位与识别都需要预对准机(Prealigner)的参与。晶圆预对准的目的是计算晶圆的偏心并找到其缺口(notch)，进而补偿其偏心并将缺口转到预设方向，为下一步的晶圆识别或处理做好准备。文章［1］～［6］对晶圆偏心及缺口的识别方法进行了理论计算和实验，验证了晶圆预对准方法的有效性，其不足之处在于，对晶圆预对准误差分析不能反映出包括转动中心偏置、晶圆初始放置状态等因素在内的其他误差

组合机床与自动化加工技术 2013年2期2013-12-23

基于earliest调度策略对带驻留时间约束单臂组合设备的暂态分析

导体制造中，由于晶圆直径越来越大，加工工艺复杂，组合设备被广泛的用来加工晶圆。组合设备是一类集成制造设备。在这样的一台设备中，有几个加工模块（Processing Module，PM），一个机械手以及真空锁（Loadlock）。机械手分为单臂机械手和双臂机械手，如图1所示为单臂机械手，因此叫单臂组合设备。此系统的工作过程大致如下：一批装在一个卡盒中待加工的晶圆首先放入真空锁中，然后由机械手从卡盒中抓取一枚晶圆放到AL中，经AL的视觉系统进行校准后，由机械手

机电工程技术 2013年11期2013-11-06

国产PLC晶圆低价中寻求突破

对于国内的PLC晶圆厂商而言，多数厂商的产能仍然有限，国产PLC晶圆所占的市场份额微乎其微，整个市场仍处于供不应求的局面，当务之急主要在于扩大产能，提高市场份额占比。今年下半年，整个ODN市场遭遇惨淡时期，运营商集采量的减少导致诸多ODN厂商利润增长放缓，国内的相关光通信产业也遭受波折。而作为ODN的上游芯片环节也随之受创，PLC晶圆是光分路器的核心芯片，此前晶圆的制造工艺一直被日韩等企业所垄断，直至今年国内才有部分厂商突破，然而在当前行业发展不景气的情况

通信世界 2012年42期2012-07-10

2015年300 mm（12英寸）晶圆产量将增长近1倍

使用300 mm晶圆的半导体生产将进入新的时代，2010-2015年产量将增长近1倍。到2015年，代工厂商和集成设备制造商(IDM)将利用300 mm晶圆生产87.53亿平方英寸的硅片，而2010年是47.994亿，5年的复合年度增长率为12.8%。今年，IDM将利用300mm晶圆生产大约56.085亿平方英寸的硅片。最初，300 mm晶圆生产主要面向最先进的产品。但最近两年情况发生了变化，代工厂商和IDM现在都认为，300 mm晶圆是用于生产成熟产品的

电子工业专用设备 2011年10期2011-08-15

SEMI发布硅晶圆出货量预测报告

-2013年期间晶圆的需求前景。结果表明，2011年抛光和外延硅的出货量预计为91.31亿平方英寸，2012年预计为95.29亿平方英寸，而2013年预计为99.95亿平方英寸。晶圆总出货量预期在去年高位运行的基础上会有所增加，并在未来两年会保持平稳的增长态势。SEM I总裁兼首席执行官Stanley T.Myers表示：“由于2011年上半年惊人的出货势头，2011年的总出货量预期将保持在历史最高水平。虽然现在正处在短期缓冲阶段，但预期未来两年仍将保持积

电子工业专用设备 2011年10期2011-06-04

用于3D 集成中的晶圆和芯片键合技术

Shari Farrens(SUSS MicroTec,228 Suss Drive,Waterbury Center,VT 05677,U.S.A.)1 INTRODUCTIONThe basic processing steps that transcend all three stacking options are alignment and bonding.Aligned bonding allows for interlayer connect

电子工业专用设备 2010年10期2010-10-24

Crossing Automation获得四项关键半导体生产自动化专利

利。这些专利涉及晶圆生产设备前端的Loaport(晶圆装载端口)，晶圆输送机器手臂和晶圆输送机器手臂的终端操作器，进一步拓展了Crossing在晶圆输送环节自动化技术领域的领先地位。这些重要专利为Crossing的Express ConnectTM产品系列增添了新的功能，并将被Crossing主要的半导体生产设备市场采用。展望未来，Crossing已经开始把这些专利应用于其它市场的生产设备，包括发光二极管(LED)和光伏(PV)等绿色技术以及生命科学领域。

电子工业专用设备 2010年7期2010-04-03

晶圆级摄像头的测试

及中芯国际等都将晶圆级摄像头(WLC)作为下一代低成本手机摄像头制造的终极技术，纷纷推出各自的量产扩产计划，以求取得领先地位。所谓晶圆级摄像头(WLC)就是所有组件在200mm晶圆上制造，之后将光学晶圆与CMOS晶圆贴装在一起，最后将该堆叠的晶圆切成大约2000～3000个摄像头模块，该模块随后一面与镜头实体组装，另一面直接安装在PCB基板上，成为成品摄像头。晶圆级摄像头的测试就是在晶圆堆叠后，划切前进行的一项不可或缺的工艺。生产线上该工艺目前为手工操作，

电子工业专用设备 2010年7期2010-03-23