厚膜
- 添加剂和溶剂退火协同优化制备高性能厚膜有机太阳能电池
同优化制备高性能厚膜有机太阳能电池杨航1，凡晨岭1，崔乃哲1，李肖肖1，张雯婧1，崔超华1，2（1. 苏州大学先进光电材料重点实验室, 苏州市新型半导体光电材料与器件重点实验室，材料与化学化工学部, 2. 江苏省先进负碳技术重点实验室, 苏州 215123）通过溶剂添加剂1-氯萘(CN)和二硫化碳(CS2)溶剂退火(SVA)协同优化了基于窄带隙小分子受体的厚膜活性层形貌, 揭示了该策略对共混膜形貌的调控机理, 研究了其对活性层中的载流子动力学以及器件光伏性
高等学校化学学报 2023年9期2023-10-10
- 微型PZT厚膜超声电机定子的制备及分析*
中的应用。PZT厚膜（10～100 μm）厚度介于块材和薄膜之间，兼具了块材和薄膜的优点，具有低驱动电压、大驱动力、工作频率范围宽、机电耦合系数高等特点[11]，且易与MEMS工艺兼容，具备制备微型化高性能压电器件的潜力，因此本文将高性能的PZT厚膜作为微型超声电机定子的压电陶瓷材料。电流体喷射打印（简称电流体喷印）技术是基于电流体动力学的非接触式的增材制造技术[12-13]，通过电场力的作用，将喷印材料从喷头内“拉”至基底表面。本文采用电流体喷印工艺在弹
机电工程技术 2022年12期2023-01-10
- LTCC厚膜电阻尺寸效应研究
集多层布线技术、厚膜技术及多层共烧技术于一体，可以与导体布线、互连通孔、电极、电阻等一次烧成，既提高组装密度，又简化工艺，是电子设备实现小型化、轻量化、多功能和高可靠性的较有效的技术途径，在航天、航空、雷达、通信、计算机等领域发挥着重要的作用[1-2]。电阻(器)是电子产品中应用较多的重要元件，表贴分立电阻无疑将占用基板表面许多空间。在LTCC基板上将电阻做成厚膜电阻成膜在基板表面或埋置于基板内部，可以节约基板表面面积；并且由于厚膜电阻不需焊接，减少了组装
中国电子科学研究院学报 2022年4期2022-07-12
- 基于厚膜传感器技术监测机油劣化程度的研究
学方法，通过设计厚膜电极开展机油酸值检测技术研究，并根据机油中酸值的变化来监测机油的劣化程度，实现对机油性能的在线检测。2 机油氧化过程分析在120 ℃以下，基础油氧化过程分为4个阶段，包括自由基链反应的初始阶段，不可逆自由基链的生长阶段，支链阶段和自由基链终止的最后阶段[11]。在早期生长阶段，第二阶段或链状烷基自由基与氧早期反应生成氧自由基，然后由另一个从过氧化氢中提取氢的烃和另一个自由基形成。随着过氧化氢的产生和积累，油的最终氧化过程终止。同时，羧酸
兵器装备工程学报 2022年4期2022-05-09
- 微型压电厚膜执行器的仿真与实验研究
度上可分为薄膜、厚膜、块材3类，其中块材尺寸减小困难，且所需驱动电压较大；压电薄膜由于厚度太小，易受到表界面效应的影响从而影响压电陶瓷的压电、介电性能，且基于压电薄膜的微型驱动器驱动力矩过小[6-9]。因此本文采用基于压电厚膜的微型执行器作为执行元件，PZT 压电厚膜的厚度是介于薄膜和块材之间，兼具薄膜和块材的优点，与薄膜相比较，PZT 压电厚膜具有性能受界面、表面的影响小、产生的驱动力大等优点；与PZT 块材相比，厚膜的尺寸更小，所需的驱动电压小。本文提
机电工程技术 2022年1期2022-02-24
- 镍基合金基板厚膜发热元件的铂浆烧结工艺
东来镍基合金基板厚膜发热元件的铂浆烧结工艺李志强，雷萍，尤俊衡，李廷华，韩敬美，吕茜，王浩，尚善斋，朱东来(云南中烟工业有限责任公司技术中心，昆明 650231)采用印刷-烧结工艺在GH783合金表面制备微晶玻璃绝缘层和铂浆厚膜电阻层，制备GH783合金基板厚膜发热电路。通过SEM观察铂浆厚膜电阻层的表面与截面形貌，并测定厚膜电阻层的电阻，研究烧结温度和保温时间对电阻层微观形貌和电阻的影响，得到最佳的烧结工艺参数。测定GH783合金厚膜发热电路的电阻温度系
粉末冶金材料科学与工程 2021年6期2021-12-22
- 压电半球冲击传感器的仿真与分析研究
引言PZT压电厚膜具有良好电学性质和机械性质，其厚度介于薄膜和块材之间，具有驱动能力强，灵敏度高等优点[1]。可广泛应用于加速度传感器[2]、能量收集器[3]、换能器[4-6]、超声马达等器件[7-9]。目前压电材料作为功能层大多使用平面结构，同时凹球面结构和薄壁球壳状也有应用于医学上聚焦超声换能器[10]和海洋监测中的水换能器，将曲面压电结构应用于传感器还可以增加传感器灵敏方向，其具有响应快、结构简单、可靠性强等优点。为获得性能良好的压电半球冲击传感器
机电工程技术 2021年9期2021-10-25
- 一种星载微波接收机应用的全集成厚膜电源设计①
另一种是采用标准厚膜电源和厚膜EMI滤波器搭积木方式设计，虽然单个标准模块体积和重量很小，但整个电源需要多个标准厚膜模块，同时还需外围控制电路和结构壳体，因此体积和重量也很大。要实现微波接收机电源小型化和轻量化目标，需采用全集成厚膜集成方式进行设计，同时在厚膜集成设计中需采用布线密度高的陶瓷基板以及应用轻质的金属材料制作电源盒体。厚膜集成技术是集电子材料、多层布线技术、表面微组装及平面技术于一体的微电子技术。厚膜材料是有机介质渗入微细金属粉、玻璃粉或陶瓷粉
空间电子技术 2021年2期2021-06-24
- 晶面及液体环境对氧化镓研磨过程摩擦学特性的影响研究
撑CVD 金刚石厚膜的硬度接近天然金刚石，具有优异的力学、电学、光学等性能，本人前期的研究是将CVD 自支撑金刚石厚膜作为工具来研磨蓝宝石晶片，获得了较高的研磨效率和优良的研磨质量[22]。在本研究中，将自支撑金刚石厚膜作为工具对氧化镓晶片进行研磨，研究了氧化镓晶体晶面及液体环境对其研磨过程中摩擦学特性的影响，对不同晶面的氧化镓晶体的精密加工起到借鉴与指导作用，为氧化镓精密加工工艺及方法提供新的研究思路。1 实验采用热丝化学气相沉积（HFCVD）法制备自支
表面技术 2021年5期2021-06-05
- 宽周期掩膜法HVPE侧向外延自支撑GaN的研究
位错密度的GaN厚膜，使用SiO2制成高掩膜宽度的宽周期掩膜(窗口宽度20 μm/掩膜宽度280 μm)侧向外延GaN，得到了325 μm的GaN厚膜。通过二维的Wulff图分析这些不同生长温度下的GaN截面图，研究了其生长过程中晶面变化趋势。宽周期掩膜使得GaN在侧向外延过程中在衬底界面处留下了一层空气间隔，这可以用胶带将GaN厚膜自主剥离，得到了位错密度降低的连续平整自支撑GaN厚膜。1 实 验1.1 SiO2掩膜的制作通过磁控溅射的方法将SiO2沉积
人工晶体学报 2021年3期2021-04-17
- 硼掺杂金刚石厚膜电极对高浓度工业废水的降解实验研究
。自支撑BDD 厚膜电极由于BDD较厚且没有脱落问题，可以避免上述电极失效问题的发生，但其制备困难，故国际国内对BDD 厚膜电极应用的报道少之又少。本文利用直流电弧等离子体喷射法制备BDD 厚膜电极，对其结构和电化学性能进行表征，并利用BDD 厚膜作为电解阳极对高浓度模拟废水（葡萄糖溶液）和实际工业过程产生的橡胶助剂废水进行电化学氧化处理，探索BDD 厚膜电极阳极氧化处理高浓度有机废水方案的可行性。1 试验1.1 BDD 电极厚膜材料的制备BDD 厚膜材料
表面技术 2021年3期2021-04-07
- 高精度厚膜电阻的设计和制作研究
本文讲述了高精度厚膜电阻图形设计的方法：材料选取、设计图形、使用环境的考虑;制作上：印刷注意事项和激光调阻方法。【关键词】厚膜電路;制作研究随着厚膜电路常规产品逐渐被制作成本更低的PCB电路板和贴片电阻的组合替代，厚膜电路产品更多的向一些专用领域发展，例如：液位传感器厚膜片、专用加热电路、传感器电路、高精度电阻网络电路等。其中高精度电阻网络电路，主要应用与仪器仪表的标准电阻，例如万用表内各量程的标准电阻和一些比例运算器电路中比例电阻;另外就是一些充电器、充
科学导报·学术 2020年85期2020-11-08
- 曲面压电厚膜电流体喷印制备研究
4）0 引言压电厚膜是厚度介于薄膜和块材之间的一种膜结构，具有结构尺寸小、质量轻、压电驱动能力强、灵敏度高[1]等特点。在以微型化、便携化、高集成度为需求的现代工程系统背景下，压电厚膜作为功能部件被广泛应用于传感器[2]、执行器[3-4]、换能器[5]、能量收集器[6-7]等器件中。虽然目前，压电器件中作为功能单元的压电陶瓷厚膜多为平面结构，但医学上HIFU 治疗技术中的聚焦超声换能器[8]利用凹球面压电陶瓷将超声能量聚焦于病灶，以实现无创伤治疗；海洋监测
机电工程技术 2020年9期2020-10-26
- PLZT反铁电厚膜温度场致相变行为研究
了PLZT反铁电厚膜，其材料结构如下图1所示，为ABO3钙钛矿型[1]，PLZT的化学表达式为7Pb1-2/3XLaXZrYTiZO3，其中，X=0%～30%，Y+Z=100[2].本文研究的PLZT材料组分在室温下位于图2相图中的反铁电相区域.PLZT反铁电材料在外界因素的诱导下会出现一定的相变行为，例如温度场和电场等外部场激励下会产生相变效应，若两场共同激励，则会使其产生更加复杂的相变效应[3].对于PLZT反铁电厚膜在外场(温度场、电场)激励下的相变
河北建筑工程学院学报 2020年1期2020-07-13
- XX- 34F 大气温度传感器高温无输出故障分析
敏感元件选用的是厚膜铂电阻。(产品的结构图如图1 所示)XX-34F 传感器使用铂电阻作为敏感元件,基于金属铂的温度- 电阻特性,其电阻与温度的变化成线性对应,任意一个温度值对应唯一电阻值,这样,传感器将温度信号转换成了电阻信号,供后续电路采集。1.2 初步分析取下插座,导线与插针压接可靠,无脱落现象,如图1 所示产品内部灌胶可靠,插座两端导通性正常(电阻均为0.1Ω)。将基座组合与探头分隔开,并将灌胶体(Eccobond104)取出,产品内部灌胶可靠,结
科学技术创新 2020年11期2020-05-19
- 脉冲激光沉积制备CsPbBr3厚膜及其蓝-绿光转换性能
sPbBr3微米厚膜在空气下放置18 d后仍具有良好的稳定性。基于优良的光谱特性，CsPbBr3厚膜具有应用在液晶显示领域的潜力，以获得更广的色域。2 实 验2.1 CsPbBr3厚膜的制备实验中，首先使用丙酮、无水乙醇、去离子水依次对石英衬底超声清洗10 min，每块衬底单独清洗，避免同时清洗时由于相互摩擦，破坏衬底表面结构；其次用去离子水反复清洗，用高纯N2流吹干；最后在紫外臭氧环境下照射8 min。将清洗好的衬底放入真空室，采用PLD技术沉积CsPb
发光学报 2020年5期2020-05-10
- 采用双辉等离子表面冶金技术在金刚石厚膜表面制备钽涂层的性能
制备的多晶金刚石厚膜具有硬度高、热导率高、耐磨性好、介电常数低、面积大、厚度可控等优点，广泛应用于刀具、磨具、散热器件、光学窗口、微波输能窗口等方面[1-2]。金刚石厚膜在应用时，需要先从硅或钼等基底上剥离下来，然后与硬质合金、铜等金属材料进行连接；但是由于其具有很高的表面能和化学惰性，直接与金属焊接或封装时，形成的接头强度较低[3-4]。在金刚石厚膜表面制备与之形成化学键合的钛、镍等金属涂层，能够有效降低其表面能，改善其浸润性[5-8]。电镀、化学镀和磁
机械工程材料 2020年3期2020-03-31
- LTCC钌系厚膜电阻电性能影响因素研究综述
为军LTCC钌系厚膜电阻电性能影响因素研究综述魏 红，王 震，张为军*(国防科技大学 空天科学学院，长沙 410073)钌系厚膜电阻具有阻值精度高、稳定可靠性高、工艺重复性好等优点，在厚膜混成电路制造中占据重要的地位。综述了钌系厚膜电阻电性能的影响因素，阐述导电相、粘接相、改性剂及有机载体与共烧电阻体电性能的关系，并针对国内高品质钌系厚膜电阻浆料面临的主要问题，提出原料粉体性能可控性制备，浆料制备工艺的优化设计与表征，浆料与生瓷带共烧匹配以及浆料无铅化等研
贵金属 2020年3期2020-02-02
- 二次集成的高压驱动电路的研制
内达到预定转速。厚膜混合集成电路采用丝网印刷方法，把各种电子浆料通过漏印网板印刷在陶瓷基板上，经过烧结、阻值激光修调等工序，制成具有预定电性能的膜式厚膜芯板。电容采用贴焊组装，半导体芯片采用专用工艺进行金丝键合微组装，形成具有一定电路功能的混合集成电路，并按照GJB2438A-2002要求，严格进行一系列筛选试验，使产品具有很高的稳定性和可靠性。厚膜电路的主要工艺有成膜工艺、微组装工艺和封装工艺。成膜工艺中，需控制的主要参数有膜层质量、三维布线密度、膜式元
通信电源技术 2019年11期2019-11-27
- AEC-Q200厚膜电阻器
AEC-Q200厚膜电阻器。Bourns®CRxxxxA-AS系列芯片电阻器提供8种不同的封装尺寸，从小型0201（0603公制）至2512（6432公制），额定功率从0.05W～1W。新型表面贴装芯片电阻还具有1欧姆至20百万欧姆的宽电阻范围，非常适合各种应用。Bourns设计的此类型电阻器可在某些恶劣环境及较高硫污染中运行，使用印刷在陶瓷基板上的厚膜组件制造，依据ASTM B809-95方法测试暴露于潮湿硫蒸气金属涂层的孔隙率。CRxxxxA-AS系列
传感器世界 2019年8期2019-10-28
- 基于COMSOL的声表面波器件三维结构仿真
指厚度，此次仿真厚膜比为0.017 5～0.037 5，间隔为0.002 5。图5、6分别为Al、Cu和Au的厚膜比-反对称模态频率曲线图和厚膜比-对称模态频率曲线图。随着金属电极厚度的增加，反对称模态频率和对称模态频率都呈下降趋势，且每种材料的下降比例不同，具体参数如表2所示。图5 厚膜比-反对称模态频率曲线图图6 厚膜比-对称模态频率曲线图材料对称模态频率最小频率/MHz最大频率/MHz下降比例/%反对称模态频率最小频率/MHz最大频率/MHz下降比例
压电与声光 2019年4期2019-08-29
- 25团在番茄上使用超厚膜及列当畏抑制瓜列当的配套技术及存在的问题探索
年二十五团应用“厚膜加列当威”防治列当危害配套种植技术面积2695.7亩，占总种植面积的85.7%。2017年二十五团番茄种植面积3147亩，平均单产为6.52吨，比上年度增产1.22吨，其防效达到了50%。通过一年的应用为二十五团今后有效防控列当危害积累了初步经验。现就二十五团使用厚膜抑制番茄瓜列当及列当药剂防治高产种植配套技术及存在的问题做如下总结：1、2017年番茄施用厚膜后膜中间的瓜列当能控制住，番茄窝子跟前的瓜列当还是大量发生。2、使用列当畏药剂
农民致富之友 2019年24期2019-08-20
- Fabrication and Planar Cooling Performance of Flexible Bi0.5Sb1.5Te3/Epoxy Composite Thermoelectric Films
树脂柔性复合热电厚膜的制备及其面内制冷性能李鹏, 聂晓蕾, 田烨, 方文兵, 魏平, 朱婉婷, 孙志刚, 张清杰, 赵文俞(武汉理工大学 材料复合新技术国家重点实验室, 武汉 430070)利用丝网印刷法在聚酰亚胺基板上制备了Bi0.5Sb1.5Te3/环氧树脂柔性复合热电厚膜, 通过优化Bi0.5Sb1.5Te3粉末含量提高了其电输运性能。复合厚膜在300 K时的最优功率因子达到1.12 mW·m-1·K-2, 较前期报道的数值提高了33%。抗弯测试表明
无机材料学报 2019年6期2019-07-09
- 用于压力传感的无铅压电厚膜研究进展
近快速发展的陶瓷厚膜压电式传感器替代压阻式气压传感器，它具有适用温度范围宽、噪声低、频率响应快、集成度高和不需外加电源等优点[1]。压电材料受到压力作用时能在两端面间产生电压从而实现力-电信号转换，主要包括晶体、陶瓷、薄膜和厚膜四种类型，可用来测量最终可变换为力的各种物理量[2]。一方面，对于压电陶瓷(厚度>100μm)以及压电薄膜(厚度 无铅压电材料是当前热点和未来发展趋势[4]。传统的锆钛酸铅Pb(Zr,Ti)O3(PZT)是一种含铅的压电陶瓷，其主要
材料科学与工程学报 2018年5期2018-11-02
- PZT厚膜的电雾化沉积与溶胶渗透研究*
域[1]。PZT厚膜兼具PZT块材的性能优势与PZT薄膜的尺寸优势，且易于系统集成，已成为近年来压电材料与器件领域的研究热点。厚度介于10～100 μm之间的PZT厚膜由于其具有驱动能力高、工作频率范围宽且灵敏度高等优点，可用于制备微型泵[2]、高频超声波传感器[3]、微能量收集器[4]等MEMS压电器件。为实现MEMS压电器件的优良性能，需制备具有较高致密性与压电性能的PZT厚膜。近年来，国内外学者已经对多种PZT厚膜制备技术展开了研究。丝网印刷技术通过
机电工程技术 2018年9期2018-10-09
- 单向拉伸对P(VDF-HFP)膜结晶相、介电和储能特性的影响
VDF-HFP)厚膜结晶度降低,结晶区发生了从α或γ相到β相的相变,介电常数稍有下降。但经拉伸处理后,HFP摩尔含量为4.5%的P(VDF-HFP)厚膜耐击穿电场强度高达900 MV·m-1,单向电滞回线结果表明该厚膜可释放能量密度接近28 J·cm-3。1 实 验1.1 实验原料PVDF和P(VDF-HFP)共聚物(HFP摩尔分数分别为4.5%、12%、15%和17%)分别从美国Solvay and Sigma Aldrich公司购得,N,N-二甲基甲酰
西安理工大学学报 2018年2期2018-07-20
- 厚膜电阻的阻抗与驻波比频率特性的新测量方法*
100083)厚膜电阻的阻抗与驻波比频率特性的新测量方法*张逸松1,林福民1*,曾柳杏1,张 俊2(1.广东工业大学物理与光电工程学院,广州 510006;2.广东风华高新科技股份有限公司,广东 肇庆 100083)随着电子信息技术和移动通信技术的发展,厚膜电阻的应用越来越广泛。然而,如何准确测量厚膜电阻的阻抗和驻波比频率特性成为了一个难点。建立和分析微带线终端加载厚膜电阻的电路模型,使电阻在电路中匹配,再对应地建立终端短路的电路,最后联合求解出厚膜电阻
电子器件 2017年5期2017-11-03
- “三防”对片式厚膜电阻器阻值的影响探讨
）“三防”对片式厚膜电阻器阻值的影响探讨龚国刚，陈德舜，张弦（中国振华集团云科电子有限公司，贵州贵阳550018）院通过对不同性质的三防材料和涂敷工艺对片式厚膜电阻器阻值的影响开展分析和试验验证，提出了三防材料选用和涂敷工艺改进建议，供使用者参考，以提高片式厚膜电阻器在三防环境下的使用可靠性遥院片式厚膜电阻器曰三防曰热膨胀系数0 引言近年来，屡有线路板野三防冶后其片式厚膜电阻器的阻值发生变化的现象出现，究其原因，70%以上与三防材料的选用和三防涂敷工艺[1
电子产品可靠性与环境试验 2017年3期2017-07-10
- 额外维与厚膜模型简介
0715额外维与厚膜模型简介刘玉孝1，钟渊2，杨科31兰州大学物理科学与技术学院理论物理研究所，兰州7300002西安交通大学理学院，西安7100493西南大学物理科学与技术学院，重庆400715额外维概念的提出已有近百年的历史，但直到最近二十余年，人们对额外维物理的认识才发生了实质性的转变。例如，人们开始注意到额外维的尺度可以达到TeV-1量级甚至是无穷大的，而不与当前的实验观测相违背。一些额外维模型还可以对粒子物理学中的规范层次问题以及宇宙学中的暗物质
物理学进展 2017年2期2017-04-21
- 延伸阅读
先后经历了薄膜和厚膜的发展阶段，初期的ADD理论、RS理论都是薄膜理论，着重解决了等级问题，也揭开了膜理论发展的序幕。不过薄膜理论忽略了膜本身的厚度，是数学上的一种理想化，而现实的膜应该是有厚度的，因而厚膜理论得到了发展。在厚膜理论中，通过引入背景标量场，使得膜的能量密度沿額外维有了一定的展宽，而且因为没有限定标量势的具体形式，厚膜世界的解具有多样性。膜理论认为， 标准模型中的粒子都被束缚在膜上，引力可以在膜之外的时空传播。在膜理论中，时空的维度是大于四维
飞碟探索 2017年4期2017-04-12
- 厚膜型MCH电加热元件制造工艺研究
136001)厚膜型MCH电加热元件制造工艺研究谷云峰，高红梅(四平市吉华高新技术有限公司，吉林 四平 136001)系统阐述了厚膜型MCH电加热用厚膜电路的设计与制造工艺，通过对厚膜微电子工艺所应用材料特性的研究、固化烧结温度的影响、产品耐压能力及过载能力测试等实验结果进行全面分析后获得一种新颖的厚膜型MCH电加热元件产品。该产品具有温度均匀恒定、TCR小、热效率高好、环保节能、安全可靠等特性，广泛应用于医疗器械、工业控制、消费电子等领域。厚膜；MCH
山西电子技术 2017年3期2017-04-06
- 厚膜电阻浆料专利技术分析
州450002）厚膜电阻浆料专利技术分析钟 媛 赵亚楠 （国家知识产权局专利局专利审查协作河南中心，河南郑州450002）本文对厚膜电阻浆料领域的专利状况和重点申请人进行了梳理，对厚膜电阻浆料的研究趋势进行了深入探讨。浆料；厚膜电阻；导电相；无机粘结相；有机载体1 引言随着经济社会的发展、电路集成化的提高、电器小型化的需要，厚膜电子浆料在厚膜集成电路、太阳能电池电极、显示器、薄膜开关、加热元件等领域得到了越来越广泛的应用。厚膜电子材料主要包括基片和厚膜电子
河南科技 2017年14期2017-03-07
- 厚膜电阻浆料的研究现状与发展趋势
550025)厚膜电阻浆料的研究现状与发展趋势李娟，谢泉，黄晋，吴良庆，贺晓金(贵州大学 大数据与信息工程学院，贵州 贵阳 550025)针对厚膜电阻浆料的研究现状，探讨厚膜电阻浆料中功能相的种类和粒度，玻璃相、有机载体的成分及含量等因素对厚膜电阻浆料的印刷性能和电性能的影响，简述了添加剂的种类对厚膜电阻的电导率等电性能的影响。因此，厚膜电阻浆料的性能参数是各因素相互作用的结果，通过改变各组分的成分、含量等，获得高性能厚膜电阻浆料配方。厚膜电阻浆料；功能
电子科技 2016年9期2016-10-17
- 厚膜电阻制造技术研究
233042)厚膜电阻制造技术研究尤广为，邹建安，肖雷(中国兵器工业第214研究所，安徽 蚌埠 233042)针对传统厚膜混合集成电路在厚膜电阻制造过程中存在厚膜电阻阻值离散性大、印刷效率低及产生大量试阻片浪费等问题，特对厚膜制造技术进行了研究。通过对厚膜电阻设计和制造原理进行分析，发现厚膜电阻印刷膜厚对其阻值至关重要，因此，决定采用厚膜电阻印刷膜厚监测以达到控制厚膜电阻阻值的方式，先对厚膜电阻印刷时膜厚控制范围进行确定，同时根据所使用的厚膜电阻浆料方阻
新技术新工艺 2016年5期2016-09-07
- 厚膜工艺环形器的研制
本文主要介绍了厚膜工艺环形器的研制过程，解决了研制过程中几个关键问题和关键工艺技术。关键词 厚膜 环形器 微带线中图分类号：TN621 文献标识码：A0引言当前信号发射器件业内为了将发射的射频信号与接收电子标签的微弱信号区分开来，一般采用双工器或环形器实现，由于双工器造价昂贵，所以实际系统中常用后者来实现，通过正确使用环行器，可以有效地改善电路品质，实现分离信号的目的。目前市场上大多数为薄膜工艺环形器，由于薄膜的工艺特点其产品价格高，故开发厚膜工艺环形器
科教导刊·电子版 2016年19期2016-08-19
- 热处理对Ba0.6Sr0.4TiO3厚膜介电性能的影响
r0.4TiO3厚膜介电性能的影响王维维，黄端平，徐 庆武汉理工大学 材料科学与工程学院，武汉430070摘 要：采用柠檬酸盐法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3粉体，通过丝网印刷法制备了Ba0.6Sr0.4TiO3厚膜，研究了在空气气氛中进行热处理前后厚膜样品的介电性能。研究结果表明，在空气气氛中进行热处理可以有效地提高厚膜样品的介电性能。经过1000°C热处理，厚膜样品在10 kHz下的介电损耗由1.7%降为1.1%，其优质系数由33提高到55。关键词
现代技术陶瓷 2016年2期2016-07-02
- M′型LuTaO4∶Eu3+透明闪烁厚膜的制备及性能研究
Eu3+透明闪烁厚膜的制备及性能研究邱志澈，顾 牡*，刘小林，刘 波，黄世明，倪 晨同济大学物理科学与工程学院，上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室，上海 200092X射线成像在生命科学和物质微结构分析等许多方面有着非常重要的应用，X射线成像仪器核心部件之一为X射线-可见光转换屏。透明闪烁薄膜是实现高空间分辨率X射线成像的一条有效途径。铕掺杂M′型LuTaO4是一种性能优越的闪烁材料，其密度高达9.75 g·cm-3，化学性质稳定，辐照硬度大，有望制
光谱学与光谱分析 2016年2期2016-06-15
- PZT厚膜的电射流沉积研究*
001)PZT厚膜的电射流沉积研究*王大志1， 吕景明1， 郁风2， 董维杰1， 梁军生1， 任同群1(1.大连理工大学 辽宁省微纳米技术及系统重点实验室，辽宁 大连 116024;2.辽宁出入境检验检疫局，辽宁 大连 116001)摘要:制备了锆钛酸铅(PZT)悬浮液，采用电射流沉积(EJD)技术，在硅衬底上沉积了PZT厚膜。研究了电射流沉积高度、流量及悬浮液混合条件对厚膜致密性的影响。结果表明：降低电射流沉积高度和流量有助于提高沉积PZT厚膜致密性；
传感器与微系统 2016年2期2016-06-13
- 工业生产中集成电路失效分析案例解析
，结合国产某型号厚膜集成电路和国产某重点型号大型盾构设备主控系统电路板的失效分析过程，介绍了工业生产中集成电路失效分析的方法和流程，并给出了具体分析思路，详细论述了失效分析过程。通过对失效现象的分析定位故障点，找出引起失效的原因并给出预防措施。失效分析工作既可以帮助集成电路企业纠正设计、生产和测试过程中的问题，也可以协助集成电路使用者发现使用过程中存在的不合理性，提高集成电路研发和使用双方的整体技术能力。集成电路；厚膜集成电路；盾构设备；失效分析1 引 言
微处理机 2016年6期2016-02-05
- 蓝宝石衬底上GaN厚膜的应力研究
宝石衬底上GaN厚膜的应力研究李 响（中国电子科技集团公司第四十七研究所，沈阳110032）采用有限元计算软件并结合多层膜理论，对蓝宝石衬底上氢化物气相外延（HVPE）生长氮化镓（GaN）厚膜的应力情况进行研究。由于衬底和厚膜不同位置在高温生长后的降温过程中温度变化不同进而产生不同的热失配应变，将引起产生初始裂纹以及裂纹扩展现象。针对上述过程，可以针对给定条件的生长体系，定性分析出GaN厚膜从裂纹产生到之后裂纹扩展的位置及方向。得到的分析结果既能够很好的解
微处理机 2015年4期2015-12-16
- 浅析一种60 MHz的正弦波钟振电路
晶体；钟振电路；厚膜；可靠性1 技术指标基于厚膜混合集成电路工艺研制的一种正弦波钟振电路，主要用于设备控制系统中，起着时钟基准源的作用。该产品的电特性见表1。表1 主要电特性产品使用环境最大额定值：正电源电压(UCC) +5.0 V±1.0 V；工作频率(fo)60 MHz；工作温度范围(TA) -55 ℃～+125 ℃；贮存温度范围(TS)-60 ℃～+150 ℃。外形尺寸如图1。2 设计方案确定2.1 设计方案的确定根据以上设计思路，确定了正弦波钟振电
通信电源技术 2015年2期2015-12-12
- 金刚石厚膜的制备方法及应用展望
基本上都是薄膜，厚膜相对较少。金刚石厚膜在市场上的应用优点远远超过薄膜，比如在航空航天，军事，大功率电子器件的热沉片等方面的应用是金刚石薄膜所不能及的。金刚石厚膜在市场上相对较少的主要原因是，在制备金刚石厚膜时，要面临2个问题：沉积速率低和厚膜质量低，这使得金刚石厚膜成品率低，限制了其在各个领域的应用。因此，提高金刚石厚膜的沉积速率和质量成为研究者的焦点。许多研究者主要是通过改进制备金刚石厚膜的技术和设备来解决厚膜所面临的问题。迄今为止，制备金刚石厚膜的方
河南科技 2015年4期2015-08-28
- 基于反铁电PLZST厚膜相变脉冲电流的温度传感方法
反铁电PLZST厚膜相变脉冲电流效应的温度传感方法及系统。主要研究了PLZST陶瓷厚膜材料的相变效应，分析了其对温度场的诱导响应机制与相变效应电流输出特性，采用高精度电流放大电路实现了温度传感信号的后级触发应用。该系统将为复杂电磁环境下的温度监控测试提供了新的技术途径。1 反铁电PLZST厚膜研究本文采用的PLZST陶瓷厚膜样片结构见图1，为圆形薄片。其中反铁电PLZST陶瓷厚膜功能材料通过LTCC工艺烧制而成，其厚度约为200 μm，样片直径约7．1 m
大学物理实验 2014年3期2014-07-03
- 钛酸铋压电陶瓷厚膜的制备
功能化方向发展，厚膜材料及器件逐渐成为研究的重点。压电厚膜的厚度通常为10～100 μm，能产生很大的驱动力，具有更宽的工作频率，且工作电压低，与半导体工艺兼容[1]。因此，压电厚膜已引起了世界各国研究者广泛的关注，并且广泛用于各种微型器件中，如微泵，超声马达，谐振器等[2,3]。多层晶粒定向技术是制备厚膜材料主要方法[4]，其利用丝网印刷把纳米尺度（30～80 nm）的原料制成厚膜，从而获得沿一定方向取向生长的压电陶瓷。与热处理技术和模板晶粒取向生长技术
当代化工 2013年7期2013-09-18
- 让全球家电装上“中国电热芯片”
产的采用热敏电阻厚膜电路制作工艺融合热敏电阻独特控制性质结合厚膜功能电路制作而成的稀土厚膜电路智能电热芯片，可以实现多温区梯度设置，高效运作智能操控，节能节材降低成本。2012 年海辰科技“稀土厚膜电路智能PTCR-xthm芯片”被中科院列为创新集群重点规划项目；2013年5月海辰科技主导起草的《稀土厚膜电路电热元件》行业标准已通过国标委审定，目前正在报批中；2013年7月海辰科技企标《稀土厚膜电路电热元件》，荣获2013年度中国家用电器创新奖企业标准创新
家电科技 2013年11期2013-07-09
- CVD金刚石厚膜刀具切削性能的试验研究
CVD金刚石厚膜材料为全晶质纯多晶金刚石,具有硬度高、导热系数大、摩擦系数小、各向同性等优良的物理机械性能,它既弥补了天然金刚石稀缺昂贵、各向异性等不足,同时又克服了人工合成单晶金刚石颗粒细小、聚晶金刚石膜界面结合强度低等缺陷,是制造切削刀具的理想材料。在国外,CVD金刚石厚膜刀具已步入商业化应用阶段。在国内,对此类刀具的研究开发及产业化进程也不断加快。可以预见,CVD金刚石厚膜为纯多晶金刚石材料,碳原子以sp3型共价键结合,其硬度接近天然金刚石,高于采用
超硬材料工程 2013年3期2013-04-01
- 烧结温度对厚膜电阻的影响研究
纪六十年代开始，厚膜混合集成电路与半导体集成电路相互补充、相互渗透成为集成电路的一个重要组成部分，广泛应用于电控设备系统中。厚膜混合集成电路简称厚膜电路或厚膜混合电路，即通过丝网印刷和烧结等工艺在基片上制作互连导线、电阻、电感等满足一定功能要求的电路单元。由于体积小、功率大、性能可靠、设计灵活、成本低和性价比高等优点在混合电路产业中占80%的市场份额［1］。钌基厚膜电阻具有精度高、稳定性好、耐高温、工艺重复性好等特点［2］。影响厚膜电阻的因素有很多，其中烧
电子器件 2012年4期2012-12-30
- 基于厚膜混合集成电路的激光调阻工艺研究*
技术的迅速发展，厚膜混合集成电路由于低成本、高可靠性等特点而应用越来越广泛。其中厚膜电阻通常采用丝网印刷方式制作，其操作固有的不精确性、基板表面不均匀以及烧结条件的不重复性导致烧结后的电阻精度不高（阻值最大误差达30%～40%），为此需对电阻阻值进行精确调整[1]。与之前常用的喷砂调阻、脉冲电压调阻方法相比较，激光调阻由于具有高精度、高效率、无污染等特点，已成为目前最常用的电阻阻值修调方法[1]。激光调阻的运行原理是：首先测量待调电阻阻值，若在可调阻范围内
电子与封装 2012年11期2012-09-05
- 汽车点火器用厚膜电路制造工艺探究
火器的发展。随着厚膜技术的不断发展，出现了用氧化铝作为基板的厚膜电路，该产品具有设计灵活、绝缘性好、导热性好和机械强度高等优点，适合制造可靠性和耐用性要求高、产品种类及规格齐全的汽车电子产品，特别是在抗振动、抗冲击和耐高温等方面显示出较大的优越性。目前市场上的点火器产品大多数还是依赖进口价格高昂的点火器电路总成，我公司长期以来一直从事厚膜电阻和厚膜电路等产品的研发和生产，拥有整套的厚膜生产设备和完善的厚膜产品生产技术，在此基础上我公司进行了汽车点火器用厚膜
山西电子技术 2012年3期2012-05-12
- 钢铁件防锈磷化处理工艺
处理工艺,其属于厚膜磷化,膜厚约为10～20μm,膜重为10～30 g/m2;钢铁件发蓝（氧化）膜厚仅为 0.5～1.5 μm,因此防锈磷化膜的防锈性能远超过钢铁件氧化膜的。钢铁件经防锈磷化处理,其尺寸不会发生改变,这是由于在磷化膜形成过程中会有部分金属溶解在磷化液中。1 防锈磷化工艺流程2 防锈磷化液的组成及工艺规范2.1 高温磷化2.1.1 纯锰系高温防锈磷化这类磷化所形成的磷化膜防锈效果最为理想,应用最为广泛,溶液中往往加入少量镍盐及硝酸盐为促进剂。
电镀与环保 2011年3期2011-12-27
- 基于VICOTE®涂料制成的绝缘部件实现超高速铝制厚膜加热器技术
件实现超高速铝制厚膜加热器技术New film for high-speed heater technologyDatec涂料公司开发了一种新型厚膜技术，旨在将高功率电热源应用于铝基板上。在研发过程中，Datec公司选择了威格斯聚合物解决方案事业部的VICOTE®涂料作为厚膜元件的表层和底层介电层的绝缘部件。Datec的厚膜加热系统具有一体式导电层和电阻层，采用网印法直接被印制到涂有VICOTE涂层的铝制散热器上。这一技术符合UL标准和RoHS规范，用于制
塑料制造 2011年3期2011-11-02
- 高性能PZT压电厚膜及MEMS微驱动器技术研究
1 μm的PZT厚膜技术。研究发现PZT厚膜具有体型PZT压电陶瓷材料的良好性能,如压电性能强、输出信号高、使用频率范围宽等;而且 PZT厚膜还兼顾PZT薄膜的特点,即工作电压低、尺寸小、质量轻、易于同MEMS技术兼容等。目前,制备PZT基薄膜和厚膜的主要方法有：射频磁控溅射法 (RF)[1-2]、脉冲激光沉积(PLD)[3]、金属有机化学气相沉积(MOCVD)[4]、溶胶-凝胶法(Sol-Gel)[5-10]、丝网印刷[11-12]、化学溶液沉积法(CS
黑龙江大学工程学报 2011年3期2011-10-16
- 燃烧气体分析仪
池检测氧气，利用厚膜催化传感器检测CO以及碳氧可燃物。FluegasExact仪器采用的是先进的氧化锆技术，能在潮湿的环境中检测氧气，不需要外部采样调节系统。同时，其最小的校准要求和长达10年的操作寿命可以保证将维护费用降至最低。FluegasExact仪器的厚膜催化技术可高精度监控CO的等级，其高灵敏度和快速反应特性使得燃烧过程可以持续优化以增加安全性和燃烧效率。多种技术相结合，提高了火焰稳定性;减少了氧化物、SO3以及CO的排放;实践表明:每年可节省高
电力建设 2011年12期2011-08-09
- 单晶金刚石刀具材料
用TFD（CVD厚膜）。由实验可知，加工40%SiC铝基复合材料，使用厚膜金刚石TFD的效果最好，PCD025次之，PCD002刀具的使用寿命最低。由于各类金刚石在适应面上的互补性，金刚石刀具可加工范围有所扩展，人工合成金刚石替代天然金刚石，CVD金刚石替代PCD金刚石的趋势也日渐明显。切削加工也由此而进入了一个可实现高效、经济加工的新时期，其替代程度决定于技术和经济两方面因素，尤其是刀片的成型、刃磨和焊的难易程度将直接影响金刚石刀具的价格和性能。通常PC
超硬材料工程 2011年6期2011-04-01
- 影响厚膜导体附着力的几种因素
000）1 引言厚膜混合集成电路以其组件参数范围广、精度和稳定度高、电路设计灵活性大、研制生产周期短、适合于多种小批量生产等特点，与半导体集成电路相互补充、相互渗透，已成为集成电路的一个重要组成部分。厚膜混合集成电路基板采用Al2O3陶瓷、BeO陶瓷等，散热性能极好。另外，厚膜导体还具有以下优势，因而得到广泛运用，市场前景越来越好：（1）电导率高，膜层厚，导体方阻小，在大电流冲击下引线损耗小；（2）厚膜导体附着力好，尤其在大功率芯片烧结、共熔焊、再流焊和锡
电子与封装 2011年3期2011-02-26
- 高压ZnO厚膜压敏电阻的制备及导电机理分析
李 桃高压ZnO厚膜压敏电阻的制备及导电机理分析柯 磊1， 李 桃2通过高能球磨、丝网印刷和低温烧结制备出高压ZnO厚膜压敏电阻，并对厚膜试样进行了电学性能、物相成分和微观形貌的表征。结果表明：厚膜试样电位梯度达到3 159.4V／mm，漏电流为36.4μA，非线性系数为13.1，平均晶粒尺寸为1.29μm。高能球磨和低温烧结使厚膜试样的晶粒尺寸大大减小，有效提高了电位梯度值。分析了厚膜压敏电阻单晶界体系的导电机理，发现预击穿区势垒宽度的增加和单晶界电压的
上海电机学院学报 2011年3期2011-01-16
- 微波烧结对纳米ZnO气敏元件性能改进研究*
用到纯纳米ZnO厚膜的烧结中，研究了纳米ZnO厚膜的形貌、敏感性和稳定性特性，实验证明:微波烧结ZnO厚膜展现出了新的、不同于电炉烧结厚膜的性能，探索出了气敏元件阵列制备的一种新技术和新工艺。1 微波烧结纳米ZnO气敏元件阵列的制备与性能1.1 微波烧结ZnO气敏元件阵列的制备本研究以A12O3为基片，采用丝网印刷方法，制备平面型纳米ZnO厚膜，应用微波烧结制备厚膜气敏元件。先将阵列基片放在电烧结炉中低温250℃，烧结30 min，以排除气敏膜中的有机粘结
传感器与微系统 2010年9期2010-12-07