掩膜_参考网

基于掩膜投影和双参数CFAR的圆周扫描GBSAR三维点云提取方法

本文提出一种基于掩膜投影和双参数CFAR 的圆周扫描GBSAR 三维点云提取方法。该方法首先利用双参数CFAR 获得三视图掩膜，三视图掩膜进行投影得到三维掩膜，三维掩膜再与三维像取交集，利用掩膜从数据的三个维度分别对强旁瓣进行抑制，大大减少三维图像中强旁瓣的三维空间分布对目标检测结果的影响。然后，再对取交集提取的潜在目标区域应用第二次双参数CFAR 实现点云提取，在潜在目标区域进行目标检测，避免了不同高度的强旁瓣使邻近弱目标被掩盖而导致丢失目标点、检测出强

信号处理 2023年9期2023-10-17

TFT-LCD阵列基板栅极半透掩膜版设计研究

阵列基板制程按照掩膜版次数可划分为三种：6 道掩膜版、5 道掩膜版和4 道掩膜版工艺（如图1 所示）。从图中可以看到，公共电极(ITO)和栅极(Gate)的制程相邻，为第一/第二道掩膜版。采用栅极半透掩膜版，将两者合二为一，既减少了一张掩膜版，又减少了一次光刻制程，大幅度的缩短了生产周期，提高产能，降低成本[5]。图1：阵列基板制程工艺栅极半透掩膜版具有三种透光率：0%、100%及半透区。半透区透光率的设计，与掩膜版曝光量的选择、产能及工艺稳定性息息相关。

电子技术与软件工程 2023年7期2023-05-29

掩膜电解微坑阵列对钛合金表面疏水性能的影响

面织构方法相比，掩膜电解微织构是基于电化学反应和阳极溶解原理的一种加工方式[10]，具有无热应力、无切削力、无工具损耗等优点，适用于凹坑非光滑单元体的一次性阵列加工。PATEL等[11]采用多孔柔性电极对SS304的平面和自由曲面进行了微坑阵列的掩膜电解织构，研究发现：宽110～150 μm、深10～20 μm的微凹坑能够实现表面的疏水性。王阳等人[12]对钛合金TC4进行了掩膜微坑阵列电解加工的仿真和试验，并分析了加工电压、加工时间等工艺参数对凹坑几何尺

机床与液压 2023年2期2023-03-01

基于Mask R-CNN 结合边缘分割的颗粒物图像检测

，得到物体的预测掩膜；在颗粒物有部分接触堆叠的情况下，为了得到单个颗粒物的预测掩膜，需要对语义分割的结果进行后处理，对接触点的位置进行分离[15]，或者利用分水岭算法分割预测掩膜[16]。另一类是利用目标识别网络或者实例分割网络识别每个颗粒，利用网络的检测能力得到颗粒物的位置与类别信息[17-18]，然后对目标区域进行分割[19]。为了能够对沙粒等颗粒物图像进行准确的分割，本文提出改进掩膜的Mask R-CNN 网络。在模型主体方面，使用DenseNet[

应用光学 2023年1期2023-02-19

钛合金疏水表面微坑阵列的掩膜电解加工仿真与分析

量较差;活动模板掩膜电解加工由于活动模板的通孔尺寸受微细切削的限制,难以加工出尺寸较小的非光滑单元体。文中采用光刻胶掩膜电解加工的方法在钛合金表面织构出无需氟化处理、直接满足疏水性能要求的凹坑非光滑单元体。此外,针对电解加工受电场、流场、尺寸间隔等众多因素影响的特点以及掩膜电解加工中光刻胶不能重复使用的问题,采用多物理场耦合仿真与润湿理论分析相结合的方法,开展钛合金疏水表面微坑阵列掩膜电解加工的研究。首先,建立电场、流场和温度场数学模型,进行掩膜电解加工的

机械科学与技术 2023年1期2023-02-16

InAs/GaSb II类超晶格长波焦平面阵列台面ICP刻蚀技术研究

O2/SiN作为掩膜对InAs/GaSbⅡ类超晶格红外材料进行感应耦合等离子体（ICP）刻蚀条件研究，得到InAs/GaSbⅡ类超晶格较好的刻蚀条件以提升红外探测器性能。对ICP刻蚀过程中容易出现台面侧向钻蚀以及台面底部钻蚀两种现象进行了详细研究，通过增加SiO2膜层厚度以及减小Ar气流量，可有效减少台面侧向钻蚀；通过减小下电极射频功率（RF），可有效消除台面底部钻蚀。采用适当厚度的SiO2/SiN掩膜以及优化后的ICP刻蚀参数可获得光亮平整的刻蚀表面，表

红外技术 2022年10期2022-10-26

融合空间掩膜预测与点云投影的多目标跟踪

一种基于融合空间掩膜预测与点云投影的多目标跟踪算法。算法模型主要在时序跟踪器前增加第一层掩膜输入以提高目标初始位置的准确性。其次，使用卷积神经网络为主导的跟踪器进行跟踪，优化每帧的单独实例分割，以提高跟踪器的速度，从而提高实时性效果。与之前的自监督方法类似，跟踪器对目标掩膜的空间特征学习，预测目标在后续帧的具体位置，从而获得整个视频序列对于目标的跟踪掩膜，因此减少遮挡对跟踪目标的丢失情况。还设置了一个验证层，将抽取样例掩膜输出与跟踪器对应图片输出进行比较验

光电工程 2022年9期2022-10-02

BFA优化掩膜参数的轴承故障诊断方法的研究

的必由之路。基于掩膜信号（Masking Signal）处理的EMD 方法，由Ryan Deering 等人最早提出。相对于其他削弱模态混叠的方法，掩膜信号法的优点在于保留EMD方法自适应性和完备性好等优点。该方法考虑到信号中极值点分布不均匀是导致模态混叠的主要原因，通过对原分析信号添加合适的掩膜信号均化分析信号的极值点分布，达到抑制模态混叠的目的。该方法的核心点在于掩膜信号的两个参数幅值和频率的选取，文献［2］提出了基于一阶固有模态函数瞬时频率的计算方法

机械设计与制造 2022年8期2022-08-19

路维光电(688401) 申购代码787401 申购日期8.8

1）高精度半导体掩膜版与大尺寸平板显示掩膜版扩产项目;（2）路维光电研发中心建设项目;（3）补充流动资金。公司自成立至今，一直致力于掩膜版的研发、生产和销售，产品主要用于平板显示、半导体、触控和电路板等行业，是下游微电子制造过程中转移图形的基准和蓝本。公司擁有多年的掩膜版研发和制造经验，一直紧跟平板显示、半导体芯片、触控、电路板等下游行业的发展动态，与下游平板显示、半导体行业知名企业建立了良好的沟通和战略合作，积累了丰富的行业经验。公司多年来紧跟下游行业的

证券市场红周刊 2022年30期2022-08-09

掩膜版行业进入高速增长通道

片崛起双重驱动，掩膜版行业进入高速增长通道。行业进入高速增长通道掩膜版是光刻工艺的“底片”，市场规模稳步提升：掩膜版是微电子制造过程中的图形转移工具或者母版，承载着图形设计和工艺技术信息，被应用于半导体芯片（IC）、平板显示（FPD）、触控（TP）、电路板（PCB）等行业。根据SEMI 的数据，全球半导体材料市场规模从2017年469亿美元增长至2021年643亿美元，其中掩膜版占比约12%;由此推算，我们认为IC掩膜版市场空间约77.16亿美元。根据Om

股市动态分析 2022年18期2022-05-30

扫描射流掩膜电解加工微坑阵列试验研究

火花、电解加工。掩膜电解加工[1]是电解加工的一种，它以离子的形式去除材料，其具有加工效率高，不接触式加工，工件无变形、无应力产生，无工具损耗、无重铸层等优点。基于上述优点使得掩膜电解加工适合在零件表面加工微、纳米结构[2]。经过多年的发展，掩膜电解加工微坑表面织构取得了显著的成效。文献[3]提出了活动掩膜板电解加工的方法，用机械夹紧的方式，使镂空掩膜板与工件贴合，加工之后再将掩膜板拆下来，从而实现掩膜板的重复使用。文献[4]提出用电绝缘多孔质物实现掩膜板

机械设计与制造 2022年3期2022-04-27

基于掩膜板阵列的消串扰集成成像3D 显示方法

文提出了一种利用掩膜板阵列阻挡相邻图像元间的视区串扰的方法，能有效阻挡相邻视区的光线，同时不影响立体观看视区范围，且器件结构简单，易于制备。2 集成成像3D 视角分析集成成像3D 显示器由普通2D 显示面板和针孔阵列或微透镜阵列精密耦合而成，显示器上显示微图像阵列，微图像阵列由许多图像元在水平和垂直方向上排列而成，每个图像元对应一个针孔，图像元节距与针孔节距相同，且两者中心对齐［8］。在3D 显示时，根据小孔成像的原理，图像元像素光线通过其对应的针孔成像在

液晶与显示 2022年5期2022-04-27

基于实例分割和光流计算的死兔识别模型研究

割网络，获取肉兔掩膜图像及边界框中心点，构建基于LiteFlowNet的关键帧光流计算网络，获取肉兔掩膜的光流值。利用光流阈值去除肉兔掩膜图中的活跃肉兔。利用核密度估计法，确定边界框中心点的密度分布，进一步确定区分死兔和活兔掩膜的密度分布阈值，实现对死兔的识别。1 模型与算法1.1 数据采集于2021年2月21—28日在河南省济源市阳光兔业科技有限公司肉兔繁育舍采集了66日龄的伊普吕肉兔视频。实验兔舍为全封闭的阶梯式笼养兔舍，每个兔笼中包含5只肉兔。采集视

农业机械学报 2022年2期2022-03-14

基于改进Mask R-CNN的番茄侧枝修剪点识别方法

侧枝与主枝的分割掩膜和边框位置；针对部分单根枝条被分割成多段掩膜的问题，通过掩膜边界框宽高比区分侧枝和主枝，分析同一枝条相邻掩膜约束条件，然后将符合约束条件的掩膜进行合并连接；根据修剪点在主枝附近的特点确定修剪点所在端，确定靠近修剪端端点的中心点作为侧枝的修剪点。试验结果表明，改进的Mask R-CNN模型平均分割图片时间为0.319 s，召回率和精确率分别为91.2%和88.6%，掩膜平均合并成功率为86.2%，修剪点识别平均准确率为82.9%。该研究为

农业工程学报 2022年23期2022-03-10

高温处理对Si图形衬底上SiO2掩膜层的影响

图形化衬底分为有掩膜图形和无掩膜图形两类，掩膜材料有SiO2、Si3N4或金属等[8-11]。目前在图形化蓝宝石衬底上侧向生长的GaN材料的位错密度由108/cm2以上降低至107/cm2[12]。Oshita等人在Si（100）衬底上用SiO2作掩膜图形，在1000 ℃得到了质量良好的3C-SiC薄膜。通过侧向外延技术的选择性生长可以最大程度地减少3C-SiC薄膜中的缺陷[13-14]。然而掩膜材料和最优选择性生长工艺之间的矛盾关系是侧向外延生长中必须要

海峡科技与产业 2021年6期2021-12-21

一种结合图像分割掩膜边缘优化的B-PointRend网络方法

8]加入了对预测掩膜的学习。其更进一步的改进是Cascade Mask R-CNN[9]，通过将框和掩膜分支以多级层叠的方式交织在一起以及通过语义分割提供空间上下文，加入了一个注意力模块来处理全图的上下文信息，借鉴了渲染和自适应关键点的思想来恢复图像的精细细节，以实现高质量的图像分割。类似于 Mask R-CNN[1]的二阶段实例分割方法，会面临得到的实例掩膜分辨率相对较低且严重依赖于目标检测产生的边界框的问题。掩膜分支是一个卷积网络，取ROI分类器选择的

中国体视学与图像分析 2021年3期2021-11-24

基于掩膜生成网络的遮挡人脸检测方法

测问题，设计一种掩膜生成网络（Mask Generation Network，MGN），用于在深度CNN 模型中建立人脸遮挡区域与遮挡特征元素之间的对应关系。基于该掩膜生成网络，提出一种遮挡不变的人脸检测方法，该方法屏蔽由局部遮挡引起的人脸特征元素损坏，从而提高对遮挡人脸的检测精度。1 CNN 人脸相似度计算模型目前，无遮挡条件下的人脸检测已经取得了较高的检测精度，但是遮挡条件下的人脸检测问题仍然难以解决。对于2 幅相同的人脸图像，如果在1 幅人脸图像中加

计算机工程 2021年11期2021-11-18

基于ENVI 5.X 用地分类的掩膜制作方法及步骤

据加载到用地分类掩膜的生成，按步骤介绍掩膜制作的整个过程。1 软件概况ENVI（The Environment for Visualizing Images）是目前遥感领域应用最为广泛的遥感影像处理软件之一，是美国Exelis Visual Information Solutions公司的旗舰产品[2]。ENVI 软件是由遥感领域的著名科学家，采用交互式数据语言IDL (Interactive Data Language)开发的一套功能强大，操作简单的遥感

甘肃科技 2021年10期2021-07-13

基于Mask R-CNN的回环检测算法

ofMasks，掩膜列表），通过Mask R-CNN[4]得到图像中可识别物体的掩膜，利用掩膜表示图像特征。它通过计算两张图像所有掩膜之间的相似程度来判断两张图像是否构成回环。为了提高该算法的通用性，本文还将该算法与经典的词袋模型进行融合。2.1 LOM2.1.1 特征表示LOM 使用Mask R-CNN 提取的掩膜来表示图像特征。一幅图像可以表示为若干个物体掩膜的列表：其中，Mi表示第i 张图像，miu表示Mi的第u 个掩膜，其表现形式是和图像同等大小的

电子技术与软件工程 2021年5期2021-06-16

基于生成对抗网络的破损老照片修复

的整体性。但是其掩膜专为规则孔洞设计，不适应于破损区域位置不定，且形状不规则的情况。为解决该局限，Liu等人[15]使用非规则化卷积的操作，实现了使用卷积神经网络的方法对非规则化破损区域的修复。但是由于其忽略了上下文之间的连贯性，往往产生语义错误、修复边缘不连续等问题。Yu等人[16]在第二阶段修复网络编码器中加入了注意力层，将图像特征加权平均后输入到解码器中，提升了网络性能。Li等人[17]专门针对人脸图片进行训练，表明了专门针对某一类图片进行训练和网络

计算机与现代化 2021年4期2021-04-23

宽周期掩膜法HVPE侧向外延自支撑GaN的研究

侧向外延技术中，掩膜的厚度、占宽比、周期大小等都对GaN生长有影响。Matsubara等[9]使用具有宽周期窗口的掩膜(窗口宽度200 μm/掩膜宽度10 μm)也得到了低位错密度的GaN，并且研究了GaN中的位错分布。掩膜的宽度、占比等对于GaN生长的影响已经有了一部分研究[10-11]，但相对来说宽周期的掩膜法侧向外延GaN的研究迄今还较少。本文利用宽周期掩膜法通过HVPE在蓝宝石基GaN衬底上外延GaN。二氧化硅(SiO2)是一种在GaN生长中常用的

人工晶体学报 2021年3期2021-04-17

光刻工艺对大面阵长波碲镉汞芯片性能的影响

工艺过程中芯片与掩膜版相对位置不变,且芯片方向不变,因此产生的工艺非均匀性会在同一位置相互叠加,并随着光刻工艺次数的增加而放大[3]。同时光刻工艺又是探测器芯片制备过程中重复次数最多的工艺,因此光刻工艺的非均匀性对探测器的性能影响最大,需要详细分析，如图1所示。图1 光刻工艺非均匀性影响探测器性能2 光刻工艺非均匀性分析接触式光刻工艺具有实现简单、光刻效率高、设备成本低和对掩模版无损伤面等优点,是长波碲镉汞红外探测器制造的常用工艺。接触式光刻的原理可以理解

激光与红外 2021年2期2021-03-09

PDMS微流控芯片光刻加工的套刻对准方法

，每次曝光都需要掩膜和硅片上已经光刻成型的图像进行对准，以保证每一层图形有精确的相对位置，此为套刻［8-9］。套刻精度是光刻的重要技术指标，光刻机英文名称即为掩膜对准曝光机（Mask aligner）［10-11］。在广泛使用低端光刻机进行的微流控芯片套刻加工制作中，套刻精度对操作工艺的依赖性更大。受高分子材料PDMS（聚二甲基硅氧烷）有伸缩性［12］及设备、显影工序等因素［13-14］的影响，PDMS 微流控芯片套刻加工对准精度要求相对不高［7］，目前，

实验室研究与探索 2021年12期2021-03-01

金属掩膜版迎来巨大市场机遇

心的材料——金属掩膜距之迎来巨大的市场机遇。决定产品良率和品质的核心耗材金属掩膜版在OLED面板生产过程中非常关键，决定了OLED产品的生产良率和分辨率。终端电子产品类型日趋丰富，对显示屏幕的要求也越来越高，平板显示行业也在不断适应其变化。目前，主要面板厂商正在加强OLED面板产线的投资力度，截至2020年2月，全球已建成共25条OLED产线，其中我国已建成的OLED产线为13条。据WitsView预测，到2021年，我国OLED产线月产能将超过45万片，

中国电子报 2020年57期2020-09-13

氮化镓的干法刻蚀工艺研究

蚀形貌。研究不同掩膜的刻蚀选择比，为这些半导体材料的干法刻蚀提供参考。1 GaN系材料的干法刻蚀ICP干法刻蚀原理如图1所示。本文采用英国Oxford公司的Plasmalab System 100（ICP 180）刻蚀机对GaN材料的刻蚀工艺进行探索，采用美国KLA公司KLA TENCOR P16＋台阶仪测试刻蚀深度，采用荷兰FEI公司的SIRION 200场发射扫描电镜观察刻蚀形貌。通常刻蚀采用的掩膜有光刻胶（Photo Resist，PR）、SiO2、

实验室研究与探索 2020年6期2020-08-25

一种基于掩膜组合的多类弹载图像目标分割算法∗

结合预测子网络和掩膜生成网络对目标进行检测和分割；预测子网络结合预设候选框在不同分辨率的卷积特征图上进行分类和边界框回归，提高了对尺度变化的鲁棒性；掩膜生成网络结合掩膜预测系数线性组合不同部位的激活特征，输出目标及目标部件的分割结果；最后利用分割结果后处理后输出目标旋转检测框和打击目标的形心位置，克服了普通矩形框不足。同时通过数据增强方式丰富数据集，提高了应对目标旋转、背景光照变化等复杂环境的能力。2 基于掩膜组合的目标分割算法本文提出的目标分割算法整体框

舰船电子工程 2020年6期2020-08-06

基于射流掩膜电解加工不锈钢注塑微结构研究

ng[16]使用掩膜电解加工的方法，在铝基片上制备出微凸阵列结构，修饰之后获得超疏水效果。现在使用掩膜电解加工技术加工微坑阵列结构改善润湿性的研究尚且不足。因为掩膜电解加工得到的微坑直径多集中在100～500 μm，结构尺寸大，无法改变零件表面的润湿性。因此，为改变零件表面的润湿性，本文利用光刻技术在不锈钢表面制备掩膜，然后，射流掩膜电解加工出微米级的微坑阵列，使其润湿性得到改善，最后，将不锈钢作为模具用聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxa

广东工业大学学报 2020年3期2020-06-11

基于级联卷积神经网络的彩色图像三维手势估计

分为三阶段，手部掩膜估计阶段、二维手势估计阶段和三维手势估计阶段.首先，基于手的轮廓信息有助于更准确的进行手部定位与跟踪[11]，因此，在级联网络中设计了手部掩膜估计阶段，用于产生手部的掩膜信息和特征信息，该信息有助于后续的手姿态估计；二维手势估计阶段则利用生成的手掩膜和特征信息估计二维手势，并利用多个子阶段优化估计的二维手势；三维手势估计阶段在二维手势估计的基础上，通过三维提升网络，得到最终的三维手势.该三阶段级联网络采用端到端的训练，因此各阶段可实现相

小型微型计算机系统 2020年3期2020-05-12

一种结合多种图像分割算法的实例分割方案

输出，即输出物体掩膜(object mask).Mask RCNN是一个目标实例分割的框架(object instance segmentation)，能够对图像中的各个目标进行类别的检测，同时还能为图像中的每个识别的物体生成一个高质量的分割掩膜(segmentation mask).本文提出一种图像的自动精细分割方法.该方法在Mask RCNN输出的分割掩膜的基础上，使用超像素SLIC和形态学算法进行掩膜的后处理，得到待分割图像的确定前景、确定背景和待分

小型微型计算机系统 2020年4期2020-04-10

不锈钢材料的光纤激光掩膜微细电解复合加工

显提高。光纤激光掩膜微细电解复合加工是微细电解与激光表面改性技术的结合,在304不锈钢表面进行激光重熔形成激光掩膜,在微细电解加工过程中对材料基体起到保护作用从而加工出微小型腔,本文着重研究激光重熔过程及激光掩膜成分与耐腐蚀性,并通过工艺对比试验进行验证。2 光纤激光掩膜微细电解复合加工2.1 加工原理高能量脉冲激光在304不锈钢表面按照规划好的路径进行激光表面改性处理,经过激光重熔后的不锈钢生成含有Cr、Fe等氧化物的耐腐蚀表层,从而对不锈钢基体起到保护

激光与红外 2020年2期2020-04-07

国内金属掩膜板产线今年试产OLED核心零部件本地化提速

建的中国首条金属掩膜板产学研综合产线开工奠基仪式在日照举行，三期完成后预计年产值可达20亿元人民币。同一时期，寰采星科技（宁波）的高精度金属掩膜板（FMM）产线也在宁波投入运营，满产后的年产值将达35亿元。两家企业将于今年完成试生产，并通过验证后进行量产。金属掩膜板是OLED生产所需要的消耗性核心零部件，长期被日韩企业垄断。业内专家认为，金属掩膜板（Mask）的量产意味着OLED产业在其核心零部件领域取得突破，将改变我国OLED产业受制于人的局面。填补OL

中国电子报 2020年2期2020-03-26

基于LANDSAT时间序列数据的洞庭湿地信息遥感监测研究

：洞庭湖;湿地;掩膜;动态监测;时间序列中图分类号：X87 文献标识码：A 文章编号：2095-672X（2019）10-0-02DOI：10.16647/j.cnki.cn15-1369/X.2019.10.070Abstract： This paper chooses to use the self-determined Dongting wetland as the research object. From 2009 to 2019， LandSa

环境与发展 2019年10期2019-11-28

清溢光电：掩膜版产业国产化的领军者

最早、规模最大的掩膜版生产企业之一，公司掩膜版产品多次填补国内空白，是国内掩膜版行业的龙头企业，代表了中国掩膜版产业的领先技术水平。公司产品主要应用于平板显示、半导体芯片、触控、电路板等行业，是下游行业产品制程中的关键工具。2017年全球平板显示掩膜版企业销售金额排名显示，清溢光电位列前十，是国内唯一上榜企业。政策加持 迎蓝海发展机遇期伴随我国平板显示行业、半导体芯片行业、电路板行业的快速发展，全球掩膜版下游运用的主要市场，特别是平板显示行业已经呈现向中国

证券市场红周刊 2019年44期2019-11-23

基于生成模型的古壁画非规则破损部分修复方法

和破损部分对应的掩膜作为输入，进行特征提取。解码器将编码器得到的特征图通过反卷积的方法恢复到原来尺寸，完成修复，自动将破损区域进行补全。同时，通过对待修复壁画进行分块修复再拼接的方法实现了对任意尺寸壁画的修复。与其他数字壁画修复方法相比，该方法更加通用，不受壁画种类和破损情况的限制。在一般破损的壁画上可以得到超过目前先进水平的修复效果，并且在人眼无法辨识有效信息的大面积破损的壁画上，仍可以恢复得到有完整语义的图像。壁画修复；卷积神经网络；生成模型；自编码器

图学学报 2019年5期2019-11-13

清溢光电(688138) 申购代码787138 申购日期11.11

5代及以下高精度掩膜版项目、合肥清溢光电有限公司掩膜版技术研发中心项目。基本面介绍：公司主要从事掩膜版的研发、设计、生产和销售业务，是国内成立最早、规模最大的掩膜版生产企业之一。公司产品主要应用于平板显示、半导体芯片、触控、电路板等行业，是下游行业产品制程中的关键工具。公司始终坚持自主研发创新，代表了国内掩膜版企业的领先技术水平。凭借优质的产品及服务，公司与下游众多知名企业建立了良好的合作关系。核心竞争力：公司作为国内规模最大的掩膜版制造商之一，在国内现有

证券市场红周刊 2019年42期2019-11-09

基于陆地掩膜的高分辨率图像舰船检测方法

出了一种基于陆地掩膜的舰船检测方法，通过将码头掩膜和影像比对提取出港口内的舰船目标区域，然后利用形态学处理和提取质心，最后检测到舰船目标。关键词：高分辨率;舰船检测;掩膜;特征提取;形态学处理引言：随着高分辨率卫星图像分辨率的不断提高，重访周期的缩短，卫星已成为对敌侦察的主要手段。遥感图像数据量随之越来越大，大量的遥感图像需进行实时处理并充分利用，从而获取具有判读价值的图像。光学图像的舰船检测与识别目前正处于理论研究阶段。随着远海打击的军事需求和海洋监测部

赢未来 2018年31期2018-11-06

基于LMD-MS的滚动轴承微弱故障提取方法*

法，在这些方法中掩膜法因其计算效率高、后期处理能力强的优点而备受关注，但是到目前为止，掩膜法还没有应用在LMD的模态混叠问题上[15-17]。基于以上原因，笔者将掩膜法引入到LMD方法中，发现掩膜法具有一定的消噪功能，通过掩膜信号法削弱噪声对PF分量的影响，并加入了文献[18]中的频率能量均值参数作为依据，细化故障频率所处频带，在对仿真信号和滚动轴承微弱的故障信号分析中，成功削弱了LMD的模态混叠现象，提取了故障特征。并通过计算信号处理前后的信噪比与峭度比

振动、测试与诊断 2018年5期2018-11-01

基于飞秒激光成丝的太赫兹成像

太赫兹波,对金属掩膜板扫描成像,对比分析了时域和频域的成像效果,研究了氧化铝陶瓷在不同位置截断等离子体丝对产生太赫兹波的影响。2 成像原理和方法基于飞秒激光成丝的THz成像,其太赫兹源为双色光成丝。超短双色激光与空气相互作用产生太赫兹辐射,其相关机制存在多种理论,其中较为认可的是四波混频[15],即两个基频光光子与一个倍频光光子进行差频得到一个太赫兹波光子。四波混频的实质是三阶非线性过程,它与空气的三阶非线性极化率有直接联系。由于空气的三阶非线性系数较小,

激光与红外 2018年8期2018-08-28

基于MS-EEMD的滚动轴承微弱故障提取研究

以上原因，本文将掩膜信号法引入到EEMD方法中，在消除EEMD方法出现的模态混叠现象后，提取故障信息。1 理论推导1.1 EEMD方法(1)收集到的振动信号为x(t)，加入白噪声nj(t)，j=1,2,3,...,M(2)用EMD分解xj(t)得到I个()IMFs Ci,j，(i=1,2,3…I)，其中Ci,j表示第j次加入白噪声幅值后，分解得到的第i个IMF；(3)如果j＜M令j=j+1重复步骤2；(4)经过M次的总体平均消除噪声对本征模态函数的干扰。得

噪声与振动控制 2018年3期2018-06-25

不锈钢表面光纤激光掩膜微细电解复合加工

具有耐腐蚀性保护掩膜,结合微细电解加工,生成复杂微细结构。2 加工机理2.1 制作掩膜层原理研发的光纤激光掩膜微细电解加工装置是将光纤激光表面改性模块与微细电解加工模块安装在同一分辨率为0.4 μm的三轴进给滑台上,解决激光掩膜电解复合加工定位问题,如图1所示。图1 光纤激光掩膜微细电解加工装置Fig.1 The developed EMM device with fiber laser masking激光制掩膜模块采用德国IPG公司脉冲式输出的光纤激光器

激光与红外 2018年4期2018-04-27

国内首条G11光掩膜版项目在成都高新区启动

国内首条G11光掩膜版项目——路维光电高世代光掩膜生产基地项目在成都高新区启动。该项目总投资10亿元，由深圳路维光电参与设立的控股公司——成都路维光电有限公司负责项目建设，建成后将成为我国最大的掩膜版制造基地。G11光掩膜版项目位于成都高新区西部园区，占地面积超过3.6万平方米，计划投资建设6条高世代掩膜版生产线，涵盖TFT-G11及以下、AMOLED等掩膜版生产线，可全面配套国内高世代、新型显示产业，项目预计今年四季度投产。深圳路维光电股份有限公司（以下

电子技术与软件工程 2018年5期2018-04-09

论用于各向同性湿法刻蚀中的氮化硅掩膜

化硅常被用作顶层掩膜材料。我们通过选择不同的刻蚀液配比，以便在硅片刻蚀不同的结构，配比不同，氮化硅掩膜的刻蚀速率各不相同。基于这种认识，本文用PECVD及LPCVD两种不同方法，在型硅片上沉积了560nm和210nm厚的氮化硅薄膜，在分析了它们在不同配比刻蚀液中的刻蚀速率的同时，为科学制作所需厚度的氮化硅掩膜提供科学化的参考。关键词：各向同性刻蚀 掩膜 氮化硅引言随着科学技术发展，刻蚀技艺日臻完善，低成本的湿法刻蚀法的应用也愈发广泛。从完善工艺的角度上说，

魅力中国 2017年51期2018-01-27

基于树莓派的人物追踪系统及其小车实现

到了图像处理中的掩膜处理和腐蚀膨胀等重要方法。各个模块通过参数的读取协调工作，完成对人物的锁定和小车的追踪。关键词：人物追踪；视频图像处理；腐蚀膨胀；超声波测距；掩膜1概述随着人类社会的发展进步，智能技术不断地改善着人们的日常生活，对人们的影响越来越大。人物追踪作为机器视觉的重要组成部分，其发展和研究对智能技术的进一步提升以及人与机器之间交互的推动有着巨大的促进作用，而基于树莓派的人物追踪系统及其小车实现则是研究所得的重要成果。对于搭载了基于树莓派的人物追

电脑知识与技术 2017年23期2017-10-31

基于掩膜与仿中值滤波的边缘检测处理

00240)基于掩膜与仿中值滤波的边缘检测处理张建国1, 王仁庆1, 左俊彦1, 候慧敏1, 钟涛1, 胡凤玲2, 马千里1(1.上海应用技术大学机械工程学院,上海 201418; 2.复旦大学附属上海市第五人民医院口腔科,上海 200240)针对医学图像特殊而又复杂的模糊边缘以及难以区分的背景噪声,提出一种基于掩膜理论区分图像边缘信息的区分算法.通过区域对比度、图像像素特征和有限区域中像素均值等相关信息,利用先验知识和仿中值滤波的方法得到较为清晰的

上海理工大学学报 2017年3期2017-07-18

插指电极掩膜的设计与制造*

500)插指电极掩膜的设计与制造*杨丽娥(云南开放大学 机电工程学院， 昆明 650500)针对插指电极制造中所涉及的掩膜制备复杂以及高成本问题，提出了一种插指电极透明掩膜的制造方法.通过AutoCAD软件设计了指形、螺旋形和方形三种不同图案的插指电极，采用透明纸和喷墨打印机将插指电极图案制造成透明掩膜，利用常规光刻技术将透明掩膜上的插指电极图案转移至硅片上的铝金属层，利用高倍显微镜对插指电极图案及插指电极进行观察.通过将本方法应用于太阳能电池，并对太阳能

沈阳工业大学学报 2017年2期2017-04-19

多层阴影掩膜结构及其制造和使用方法

供了一种多层阴影掩膜及其使用方法。所述多层阴影掩膜包括与沉积掩膜结合的牺牲掩膜。所述牺牲掩膜对沉积掩膜上蒸發物的累积提供保护以防止沉积掩膜变形。

科技资讯 2016年21期2016-05-30

基于图像处理的甘蔗茎节识别与定位

图像对二值化图像掩膜，得到含有茎节和干扰信息的图像；对该图像进行旋转，计算每列像素值之和，统计分析最大值所在列，并结合质心、等效长短轴得到茎节上下端点坐标；以倾角的度数进行反向旋转，最终得到茎节位置。试验结果表明：甘蔗茎节识别与定位方法处理速度快，茎节识别率高，左右端的定位误差分别小于0.9 mm和2.4 mm。关键词：甘蔗茎节；图像处理；MatLab；掩膜；定位0引言甘蔗是我国的主要经济作物之一，2011年种植面积为15万 hm2，甘蔗产业为经济发展和蔗

农机化研究 2016年4期2016-03-23

MASK在遥感影像水系提取中的应用

处理的研究重点。掩膜(MASK)技术就是运用地物及影像的特点将影像中的地物提取出来。本文主要介绍地物及影像的特点，运用MASK技术将影像中的水提取出来，并将提取成果与原始影像进行比较分析。关键词：掩膜；水提取；建模；NDVI；阈值中图分类号：P237文献标识码：B文章编号：0494-0911(2015)09-0079-04收稿日期：2014-07-31作者简介：桂新(1967—)，男，高级工程师，主要研究方向为航空摄影测量、地理信息。E-mail：jxgu

测绘通报 2015年9期2016-01-29

一种改进掩膜信号法及其在车桥振动响应信号中的应用

384）一种改进掩膜信号法及其在车桥振动响应信号中的应用凌立鹏1，毛 毳1，李长跃2（1.天津城建大学 土木工程学院，天津 300384； 2.天津大学 建筑工程学院，天津 300384）针对经验模态分解法中存在的模态混叠问题，在掩膜信号法研究的基础上，通过编制掩膜信号幅值与频率确定程序，提出了一种改进掩膜信号法，并通过两个仿真实例进行了验证。其在车桥振动响应信号中的应用结果表明：在没有噪声处理的情况下，该方法可以大致得到信号中非平稳的基频响应信号组份，并

噪声与振动控制 2015年3期2015-12-05

基于沟槽型功率器件的三层掩膜板工艺设计

化，以原有的6层掩膜板为基础，对掩膜板层数进行削减，用接触孔掩膜板完成原有的保护环掩膜板，工作区掩膜板及N+区掩膜板的作用。器件的电性参数目标，通过设计具体工艺参数，并对其进行仿真，以验证工艺可行性。所用的参数与设计方案适用于所有低压功率器件生产制造。关键字： 功率器件； 沟槽型功率器件； 掩膜板； 工艺仿真中图分类号： TN386.1?34 文献标识码： A 文章编号： 1004?373X（2015）20?0146?04Technological des

现代电子技术 2015年20期2015-10-26

微细掩膜电解加工的孤岛有限元仿真研究

10006）微细掩膜电解加工的孤岛有限元仿真研究唐仪，黄志刚，郭钟宁，黄红光，何长运（广东工业大学机电工程学院，广东广州 510006）在微细掩膜电解加工初期，被加工表面会形成孤岛结构，不利于加工出形状、精度良好的浅表面微结构，故减小电解加工过程中的孤岛结构很有必要。采用有限元方法建立了微细掩膜电解加工的数学模型，并利用该模型分析掩膜厚度和加工间隙对孤岛变化的影响，进而推论出电解加工开始时，被加工面上不均匀的电流密度分布是形成孤岛的原因。通过增加被加工表面

电加工与模具 2014年4期2014-04-13

在镜像投影曝光机上使用相移掩膜提高解像力的初步研究

辨率下降。相位移掩膜则是在图案本身上选择性使用了一相位移层(phase shifter)。当曝光光源通过相位移掩模的相位移层后，曝光光源发出的光的相位会被位移了一预定角度，使得位移后的光的相位与先前入射的光的相位产生相位差，造成光到达基板表面时，产生了相消干涉(destructive interference)。经由光的相消干涉效应来消除绕射所引起的干涉效应，大幅提升了图案边界的分辨率[1-3]。比较典型的相移掩膜有李文森交替型相移掩膜、无铬相移掩膜、边缘

液晶与显示 2014年4期2014-02-02

一种改进的掩膜割线相位解缠算法*

33)一种改进的掩膜割线相位解缠算法*钟何平 唐劲松 张 森 张学波(海军工程大学电子工程学院，武汉 430033)为优化掩膜区域的相位解缠结果，提出一种改进的掩膜割线相位解缠算法。掩膜区域生成后，直接对非掩膜区域进行相位求解，然后对低质量相位区域采用“消圈”法来最小化掩膜区域相位的不连续性，达到消除传统掩膜割线算法中的解缠“死区”，并保持相位连续性的目的。对InSAR和InSAS干涉图的解缠结果表明:该方法消除了传统掩膜割线法中的解缠“死区”，提高了解缠

大地测量与地球动力学 2013年5期2013-09-20

基于选择性注意机制的无边界主动轮廓图像分割算法

定初始化轮廓线或掩膜(mask)，对于复杂图像和多目标图像分割效果不够理想等。受人类视觉感知机制的启发，笔者将选择性注意机制引入到无边界主动轮廓模型，提出一种基于选择性注意机制的无边界主动轮廓图像分割算法。1 无边界主动轮廓模型概述主动轮廓模型可分为两类:基于边界的方法和基于区域的方法。前者存在结果易受图像噪声影响，对于初始轮廓线的位置较敏感，难以得到全局性分割等问题;而后者则从图像模型的角度出发，给出图像模型应满足的全局能量泛函，通过最小化能量泛函来驱动

中国石油大学学报（自然科学版） 2013年6期2013-04-27

光学图像高斯平滑滤波的DSP优化

，但该方法对滤波掩膜的系数取值有严格的限制，具有较大的局限性;黄德天［6］等针对中值滤波进行了不同程度的优化，取得了较好的效果，但其优化方法仍有较大的改进空间。本文基于 TMS320C6x 系列［7－8］定点处理器，利用高斯滤波掩膜的可分解性，提出了一种单次遍历实现两次卷积的高斯平滑滤波DSP优化方法。实验结果表明，该方法能够显著提升滤波效率，达到了算法优化的目的。2 基本的空域滤波优化方法空域滤波在图像空间中的实现是通过在待处理图像中逐点移动掩膜进行卷积

激光与红外 2013年12期2013-01-23

基于MTSAT卫星数据的云掩膜阈值算法

266100）云掩膜作为云分类与对流临近预报的基础，直接影响了下一步操作的准确率，因此云掩膜算法有着重要的作用。文中采用了美国国家海洋和大气管理局（NOAA）在2008年发布的 ABI Cloud Mask算法（ACM）[1]，使用 MTSAT的数据进行云掩膜的计算。该方法使用的传感器Advanced Baseline Manager（即ABI）是GOES-R搭载的高分辨率传感器，可用通道为16个，而MTSAT可用通道只有其中5个，文中为了使用MTSAT数

电子设计工程 2012年24期2012-01-18

TMAH溶液中的(110)硅各向异性湿法腐蚀及其在不同添加剂下的腐蚀特性研究*

110)硅在不同掩膜下的腐蚀几何结构,其二是不同添加剂(过硫酸铵、异丙醇等)下(110)硅的腐蚀速率和腐蚀表面的形貌及质量,为进一步制作(110)硅微结构打下基础。1 实验1.1 (110)硅的晶面结构各向异性湿法腐蚀是指腐蚀剂对衬底的腐蚀速率由晶格取向不同而不同,主要表现为(111)晶面腐蚀速率相对(110)、(100)等晶面腐蚀速率可以忽略。(110)硅片中的(111)面与硅片表面的夹角分别为90°和 35.26°,其中有 4个(111)面与 (110

传感技术学报 2011年2期2011-05-06

EUV 掩膜版的等离子刻蚀法

UV 光刻采用的掩膜版比普通的光学掩膜版缩小了近4 倍，但其规格要求却比现在的193 nm 节点更加严格。EUV 掩膜版主要的制造要求包括几乎为零的刻蚀CD bias 以及完美的CD 均匀性。目前，CD的非均匀性主要来自光刻胶腐蚀的不均匀。局部刻蚀CD bias 控制是实现CD bias和均匀性的主要挑战。业界采用的比较实用的方法是使吸收层尽可能的薄，这样一来，光刻胶也会变薄，深宽比也会相应的减小，CD bias和刻蚀均匀性也会得以改善。同样的，薄的光刻胶

电子工业专用设备 2010年10期2010-10-24