多层阴影掩膜结构及其制造和使用方法

授权公告号：CN101065827B

授权公告日：2016.08.31

专利权人：阿德文泰克全球有限公司

地址：英属维尔京群岛托托拉岛

发明人：杰弗里·W·康拉德

Int.Cl.：H01L21/00（2006.01）I；H01L21/44（2006.01）I

优先权：10/996，142 2004.11.23 US

PCT进入国家阶段日：2007.05.23

PCT申请数据：PCT/US2005/042468 2005.11.22

PCT公布数据：WO2006/058081 EN 2006.06.01

对比文件：US 2004232109 A1，2004.11.25，

摘 要：该发明提供了一种多层阴影掩膜及其使用方法。所述多层阴影掩膜包括与沉积掩膜结合的牺牲掩膜。所述牺牲掩膜对沉积掩膜上蒸發物的累积提供保护以防止沉积掩膜变形。