肖特基
- 二维镍配位聚合物(Ni-CP)和Ag@Ni-CP肖特基结的制备及其光催化降解阳离子染料
马志虎 任宜霞 王智香 张美丽 王记江(陕西省化学反应工程重点实验室，新能源新功能材料实验室，延安大学化学与化工学院，延安 716000)Metal-organic coordination polymers (M-CPs)have attracted wide attention from researchers due to their regulatory structural features and wide application prospe
无机化学学报 2023年10期2023-10-19
- 氧化镓半导体器件领域研究取得重要进展
（高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测器）被大会接收。IEEE IEDM是一个年度微电子和纳电子学术会议，是报告半导体和电子器件技术、设计、制造、物理和建模等领域的关键技术突破的世界顶级论坛，其与ISSCC、VLSI并称为集成电路和半导体领域的“奥林匹克盛会”。如何开发出有效的边缘终端结构，缓解肖特基电极边缘电场是目前氧化镓肖特基二极管研究的热点。由于氧化镓P型掺杂目前尚未解决，PN结相关的边缘终端结构一直是难点。龙世兵课题组基于氧化镓异质PN结的前期
河南科技 2022年24期2023-01-21
- 外电场和双轴应变对MoSH/WSi2N4肖特基结势垒的调控*
SH/WSN 肖特基结.在实际的金属-半导体接触应用中,肖特基势垒的存在严重降低了器件的性能.因此,获得较小的肖特基势垒甚至是欧姆接触至关重要.本文使用第一性原理计算研究了在外电场和双轴应变作用下MSH/WSN 肖特基结势垒的变化.计算结果表明,外电场和双轴应变均可以有效地调控MSH/WSN肖特基结势垒.正向外电场能实现MSH/WSN 肖特基结p 型与n 型肖特基接触之间的动态转化,而负向外电场可实现MSH/WSN 肖特基结向欧姆接触的转化.此外,较大的双
物理学报 2022年21期2022-11-14
- 1 nm Al 插入层调节 NiGe/n-Ge 肖特基势垒*
n 型锗接触的肖特基势垒高度的影响.采用正向 I-V 法、Cheung 法和 Norde 法分别提取了镍化锗与n 型锗接触的肖特基二极管的串联电阻、势垒高度和理想因子.研究表明,在镍和锗衬底之间引入1 nm 铝插入层,能够有效降低势垒高度,且其能够在 350 ℃—450 ℃ 保持稳定.1 引言随着超大规模集成电路发展到纳米节点,硅(Si)材料逼近其物理极限,短沟道效应、隧穿效应等对器件性能的影响愈发严重.为了维持摩尔定律,需要新材料、新工艺和新结构来实现晶
物理学报 2022年20期2022-10-27
- 2.45 GHz 微波无线能量传输用Ge 基双通道整流单端肖特基势垒场效应晶体管*
究的重要方向.肖特基二极管和场效应晶体管是目前主流整流器件,但二者整流范围有限,无法实现兼顾弱能量和中等能量密度的宽范围整流.有鉴于此,本文提出并设计了2.45 GHz 微波无线能量传输用Ge 基p 型单端肖特基势垒场效应晶体管(源端为肖特基接触,漏端为标准p+掺杂).在此基础上,充分利用器件的肖特基结构,采用新型二极管连接方式,以实现不同偏压下开启的沟道和源衬肖特基结构的双通道宽范围整流.采用Silvaco TCAD 软件进行仿真,对于负载为0.3 pF
物理学报 2022年20期2022-10-27
- 半导体物理学课程课内创新实践探究
——以金属/半导体的肖特基接触为例
和半导体接触的肖特基势垒高度计算为例，借助第一性原理软件工具模拟计算，指导学生分组完成实践报告。通过创新实践的锻炼，学生能够更好地理解这些概念及背后所涉及的生产实际，紧跟半导体科学的发展趋势。一、课内创新实践设计——以二维磷化砷/石墨烯的肖特基势垒计算为例（一）实践背景在半导体物理学课程第七章节中，金属和半导体的接触是很重要的一部分内容。这部分内容包括金属与半导体的整流接触（肖特基接触）和非整流接触（欧姆接触）。很多半导体器件的特性都和接触界面性质相关。例
高教学刊 2022年29期2022-10-18
- 基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型
耗尽，缺乏考虑肖特基金属/p-GaN结的物理特性，并且栅压公式直接给出，缺乏物理意义，甚至没有针对p-GaN栅进行栅电流建模［4～7］.本文建立基于表面势的增强型p-GaN HEMT 器件SPICE 模型，充分考虑p-GaN 层的掺杂效应和栅结构金属/p-GaN 结与p-GaN/AlGaN/GaN 结物理特性的影响，将解析公式与基于表面势的ASM 模型内核相结合，准确实现了包括转移特性、输出特性、栅电容以及栅电流在内的p-GaN HEMT 器件的电学特性，
电子学报 2022年5期2022-07-07
- 基于肖特基接触的半导体在机电转换方面的应用
有广泛的应用。肖特基二极管是目前使用最多的非线性器件[2],1938 年德国的Schottky 提出了第一个金属与半导体交界面的理论模型,即Schottky-Mott 模型[3],对肖特基结做了科学的解释。之后学者们又相继提出了Bardeen模型[4]、有效功函数模型[5]等来解释肖特基势垒的形成机制。肖特基器件的输出性能对金属-半导体之间界面的载流子传输机制有着非常重要的影响[6]。经过不断的研究,2006 年以王中林等[7]为代表,利用半导体与金属形成
电子元件与材料 2022年5期2022-06-14
- 非金属元素(F, S, Se, Te)掺杂对ZnO/graphene肖特基界面电荷及肖特基调控的理论研究
结合起来应用于肖特基二极管、场效应晶体管、光电器件和集成电路已成为研究热点[15-16]。研究者通过设计二维异质结层间结构可以构造出性能优异的光电器件。如果将ZnO和graphene有机结合起来，不仅可以为graphene提供载体，还能弥补ZnO自身导电性能方面的不足，因此，开展ZnO/graphene异质结复合材料的研究具有重要的现实意义。目前，人们对ZnO/graphene异质结进行了研究。如Xu等[17]通过第一性原理对ZnO/graphene异质结
人工晶体学报 2022年4期2022-05-17
- rGO-AuNPs/n-Si的肖特基接触特性研究*
导体接触可形成肖特基异质结，具有整流特性，这与传统金属电荷运输无法改变费米能级截然不同，石墨烯的费米能级可以通过载流子运输自适应偏移[2]，也可通过化学掺杂来控制[3-4]，进而改变接触界面的势垒高度。其次石墨烯凭借高导电性、高电荷载流子迁移率、低成本、可制备薄膜电极等优势，具有巨大的研究潜力。现有研究表明将石墨烯与Si[3,5]、ZnO[6]、GaN[7]、Ge、GaAs[8]、CdSe等典型半导体材料进行接触，可进一步提高光电探测器[9]、发光二极管[
功能材料 2022年3期2022-04-11
- 硅肖特基结自滤波窄带近红外光探测器的研究
来,硅/石墨烯肖特基二极管广泛用于构建光伏和高性能光电探测器,原因如下:① 这种简单的器件结构易于在平面硅上实现,肖特基结的势垒可以通过控制硅的浓度进行调控;② 硅/石墨烯肖特基二极管与成熟的平台硅工艺兼容,具有将光探测器和读出电路集成的潜力。当前报道的硅/石墨烯肖特基二极管光电探测器都是宽光谱响应,对窄带响应有待于深入研究[8-9]。本文首次采用Silvaco TCAD设计了光谱可调的硅/石墨烯肖特基二极管窄带近红外光探测器,并利用湿法转移石墨烯电极构建
合肥工业大学学报（自然科学版） 2022年3期2022-04-08
- 势垒可调的氧化镓肖特基二极管*
延薄层对氧化镓肖特基二极管的势垒调控.模拟结果显示,当n型氧化镓外延厚度为5 nm、掺杂浓度为2.6×1018 cm—3 时,肖特基二极管纵向电流密度高达496.88 A/cm2、反向击穿电压为182.30 V、导通电阻为0.27 mΩ·cm2,品质因子可达123.09 MW/cm2.进一步研究发现肖特基二极管的性能与n+外延层厚度和浓度有关,其电流密度随n+外延层的厚度和浓度的增大而增大.分析表明,n+外延层对势垒的调控在于镜像力、串联电阻及隧穿效应综合
物理学报 2022年3期2022-02-17
- 非对称氧掺杂对石墨烯/二硒化钼异质结肖特基势垒的调控*
件中,制造低的肖特基势垒仍然是一个巨大的挑战.本文采用密度泛函理论研究了非对称氧掺杂对石墨烯/二硒化钼异质结的结构稳定性和电学性质的影响.结果表明石墨烯与二硒化钼形成了稳定的范德瓦耳斯异质结,同时保留了各自的电学特性,并且形成了0.558 eV 的n 型肖特基势垒.此外,能带和态密度数据表明非对称氧掺杂可以调控石墨烯/二硒化钼异质结的肖特基接触类型和势垒高度.当氧掺杂在界面内和界面外时,随着掺杂浓度的增大,肖特基势垒高度都逐渐降低.特别地,当氧掺杂在界面外
物理学报 2022年1期2022-01-19
- 肖特基二极管银迁移失效机理分析和研究
开关电源应用中肖特基二极管的银迁移失效案例，阐述了在插件封装半导体器件中的银迁移失效机理，并给出分析方法和预防措施。1 银迁移失效机理电子元件的迁移根据发生环境的不同有两种表现形式。电迁移是一种在相对较高温度（150℃）的干燥环境中发生电子动量传递的固态迁移，离子迁移是发生在周围温度低于100℃的潮湿环境中[2]。离子迁移是由于电流使电离产生的少数离子在导体中产生流动，当关闭施加电压后，离子进行随机的热扩散现象。本文阐述的银迁移属于离子迁移的表现形式，受温
电子技术与软件工程 2021年16期2021-11-03
- 超级结JBS二极管特性的仿真分析
二极管的阳极由肖特基接触和周围的P 柱区组成；N 柱区域在肖特基接触的下方，并且与P 柱区域形成复合耐压层，底部N垣区域作为器件的衬底，并引出阴极。图1 硅超级结JBS 二极管结构当该超级结JBS 二极管工作在正向导通状态时，如果P 柱区的间距合理，在肖特基接触下方存在未耗尽的区域，此区域可以进行单极传导。因为硅器件的通态压降为0.45V，小于PN 结开启电压，所以二极管两端的压降不足以使PN 结导通，从而可以令器件依然保持肖特基二极管的正向特性；也正因为
微处理机 2021年4期2021-09-03
- CdS紫外探测器芯片的制备研究
了Pt/CdS肖特基紫外探测器研究，通过对CdS晶片表面处理工艺、Pt电极制备及紫外芯片退火等关键技术进行优化研究，并对Pt/CdS肖特基紫外探测器性能进行测试分析。测试结果表明：Pt/CdS肖特基紫外探测器在0.3～0.5mm下响应率大于0.2A/W，对3～5mm红外波长的平均透过率大于80%，很好地满足了紫外-红外双色探测器中的工程化应用要求。Pt/CdS；肖特基；紫外探测器；-特性0 引言随着红外技术的日趋成熟，紫外探测技术在军事、医学和生物学等方面
红外技术 2021年8期2021-08-31
- Ka频段模拟预失真线性化器设计
非线性补偿量的肖特基二极管，该技术在不但结构简单、性能稳定，而且具有工作频带宽、易于集成与工程实现等优点，适用于毫米波频段下的射频电路设计[8]。本文使用ADS 2020软件针对经典反射式模拟预失真电路进行优化改进，并用ANSYS对其无源结构进行建模仿真，验证新型模拟预失真电路的幅度扩张与相位压缩效果。1 模拟预失真器技术原理预失真技术的原理是在功率放大器的前端设置预失真单元，该单元在射频信号输入时产生一个非线性的预失真信号，由于预失真单元与功率放大器的非
通信电源技术 2021年2期2021-05-21
- 晶格匹配InAlN/GaN 异质结肖特基接触反向电流的电压与温度依赖关系*
GaN 异质结肖特基接触的反向变温电流−电压特性曲线, 研究了反向漏电流的偏压与温度依赖关系.结果表明: 1)电流是电压和温度的强函数, 饱和电流远大于理论值, 无法采用经典热发射模型解释; 2)在低偏压区, 数据满足 l n(I/E)-E1/2 线性依赖关系, 电流斜率和激活能与Frenkel−Poole 模型的理论值接近, 表明电流应该为FP 机制占主导; 3)在高偏压区, 数据满足 l n(I/E2)-E−1 线性依赖关系, 电流斜率不随温度改变,
物理学报 2021年7期2021-05-07
- Application of Ag/ZnO composite materials in nitrogen photofixation: Constructing Schottky barrier to realized effective charge carrier separation
中的应用：构造肖特基势垒以实现有效的电荷载流子分离肖 宇，欧阳宇欣，辛 月，王梁炳*(中南大学 材料科学与工程学院 粉末冶金国家重点实验室，长沙 410083)将氮气(N2)光催化还原为氨(NH3)是一种可持续的能源生产方法。等离激元共振光催化剂能够通过表面等离激元共振效应实现太阳能的有效转化，也因此受到越来越广泛的关注。然而，热载流子往往会在催化固氮的过程中发生重新结合。本研究将具有等离激元共振效应的Ag纳米粒子与ZnO半导体复合(Ag/ZnO)并应用于
贵金属 2021年4期2021-04-06
- 一种肖特基二极管氢气传感器芯体
发明公开了一种肖特基二极管氢气传感器芯体。所述肖特基二极管氢气传感器芯体由4层结构和导电引线构成，4层结构依次是氢气裂解金属层、羟基扩散阻隔层、半导体层和集流体层，从氢气裂解金属层和集流体层分别引出导电引线。本发明中所述肖特基二极管氢气传感器芯体具有室温下抗湿度干扰的特殊性能，室温下气体环境中的水蒸气不会降低所述肖特基二极管氢气传感器芯体对氢气的灵敏度，克服了现有无羟基扩散阻隔层的普通氢气裂解金属层/半导体层肖特基二极管氢气传感器芯体在室温下湿度降低其氢敏
传感器世界 2021年7期2021-03-27
- InGaAs肖特基源漏MOSFET的多子带系综蒙特卡洛模拟
彦InGaAs肖特基源漏MOSFET的多子带系综蒙特卡洛模拟李金培 杜刚 刘力锋 刘晓彦†北京大学微电子学研究院, 北京 100871; †通信作者, E-mail: xyliu@ime.pku.edu.cn采用基于有效质量近似的多子带、多能谷系综蒙特卡洛方法, 考虑纳米尺度 MOSFET 沟道二维电子气中实际存在的多种散射机制, 模拟 InGaAs 肖特基源漏 MOSFET。结果显示, 在稳态下, 散射虽然改变了InGaAs 肖特基源漏 MOSFET 沟
北京大学学报（自然科学版） 2020年6期2020-12-01
- 一种基于深肖特基势垒辅助栅控制的隧穿场效应晶体管
提出一种基于深肖特基势垒辅助栅控制的隧穿场效应晶体管。传统肖特基势垒晶体管希望势垒尽可能降低[8-9]，与此不同，所设计器件利用深肖特基势垒来克服由肖特基势垒隧穿产生的电流，使源漏与硅体接触界面处的正向导通电流，即带带隧穿（BTBT）电流，实现最大化。新器件利用辅助栅电极有效抑制反向漏电流，与传统SB MOSFET或者JL FETs相比，能获得低亚阈值摆幅、更小的反向偏置GIDL电流和高开关电流比等优越性能。2 HSB-TFET器件结构所设计的深肖特基势垒
微处理机 2020年4期2020-08-24
- 用于提高微波无线能量传输系统接收端能量转换效率的肖特基二极管*
折叠空间电荷区肖特基二极管, 该器件结构可以显著降低肖特基二极管的零偏置电容, 利于能量转换效率的提高. 通过在ADS 仿真软件中使用该器件SPICE 模型进行整流电路仿真, 在输入能量为24.5 dBm时, 获得了75.4%的转换效率.1 引 言微波无线能量传输系统(microwave wireless power transfer, MWPT)是一种可以突破传输线限制的在空间中自由输送电能的系统装置, 可以将空间中广泛存在的自由电磁波转换成为直流能量以
物理学报 2020年10期2020-06-04
- MOS光伏旁路开关电路
路保护电路——肖特基二极管的工作特性和缺点，并通过第三代MOS光伏旁路开关工作原理、电路结构、性能特点的分析和对比，证明MOS光伏旁路开关电路可以有效解决目前光伏电站现有的问题和可靠性风险。1 光伏旁路保护电路典型失效分析在光伏电站的实际使用过程中，对接线盒失效现象进行了不完全统计，发现接线盒的失效现象中由于光伏旁路保护电路原因引起的失效占到了80%，其中光伏旁路保护电路击穿失效占63%，光伏旁路保护电路异常发热失效占17%，接线盒失效比例见图1。对光伏旁
电子元器件与信息技术 2020年2期2020-05-14
- 二维电场分布对JBS二极管阻断特性影响的仿真分析
名为结势垒控制肖特基二极管（JBS 二极管）的结构被提出[3-4]。该结构是在肖特基接触周围设置高掺杂的P+区来实现的，相较于肖特基二极管，可以更有效地提高反向阻断电压且保留快速开关的特点[5]。但P+结的出现也牺牲了一部分肖特基接触面积，使正向导通电流密度增加了[6]。P+区的引入，使器件的电场呈现二维分布，此时可通过P+区宽度和结深的改变来改变[7]。基于此，从二维电场分布入手，针对P+区宽度和结深对JBS 二极管反向阻断特性的影响来展开讨论。2 JB
微处理机 2019年6期2019-12-26
- 肖特基二极管氢气传感器的试验研究
型[2,3]、肖特基二极管型等，每种传感器都有其优点和缺点。肖特基二极管氢气传感器是一种新型的氢气传感器，具有工作温度低、选择性好的特点，且可以利用微加工技术实现批量制造，可确保同一批次传感器的均一性和互换性[4]。由于肖特基二极管氢气传感器的诸多优点，国内外研究者展开了广泛的研究。钟德刚等人[5]采用NO直接氧化制备氮氧化物，并以该氮氧化物作为绝缘层制备高性能Si基MOS肖特基二极管式气体传感器，结果显示,传感器灵敏度高、重复性好、检测极限低，可以检测浓
传感器与微系统 2019年9期2019-09-11
- 高速晶体管研制成功
员首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构晶体管“硅- 石墨烯- 锗晶体管”。目前已报道的石墨烯基区晶体管普遍采用隧穿发射结，然而隧穿发射结的势垒高度严重限制了晶体管作为高速电子器件的发展前景。研究团队通过半导体薄膜和石墨烯转移工艺，首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构的“硅- 石墨烯- 锗晶体管”。研究人员表示，与已报道的隧穿发射结相比，硅-石墨烯肖特基结表现出目前最大的开态电流和最小的发射结电容，从而得到最短的发射结充电时间，器件的截止频率由约1.
发明与创新 2019年41期2019-04-14
- 高速晶体管研制成功
员首次制备出以肖特基结作為发射结的垂直结构晶体管“硅-石墨烯-锗晶体管”。目前已报道的石墨烯基区晶体管普遍采用隧穿发射结，然而隧穿发射结的势垒高度严重限制了晶体管作为高速电子器件的发展前景。研究团队通过半导体薄膜和石墨烯转移工艺，首次制备出以肖特基结作为发射结的垂直结构的“硅-石墨烯-锗晶体管”。研究人员表示，与已报道的隧穿发射结相比，硅-石墨烯肖特基结表现出目前最大的开态电流和最小的发射结电容，从而得到最短的发射结充电时间，器件的截止频率由约1.0MHz
发明与创新·大科技 2019年11期2019-03-07
- Pt/Au/n-InGaN肖特基接触的电流输运机理∗
n-InGaN肖特基接触的势垒特性和电流输运机理,结果表明,在不同背景载流子浓度下,Pt/Au/n-InGaN肖特基势垒特性差异明显.研究发现,较低生长温度制备的InGaN中存在的高密度施主态氮空位(VN)缺陷导致背景载流子浓度增高,同时通过热电子发射模式拟合得到高背景载流子浓度的InGaN肖特基势垒高度和理想因子与热电子场发射模式下的结果差别很大,表明VN缺陷诱发了隧穿机理并降低了肖特基势垒高度,相应的隧穿电流显著增大了肖特基势垒总的输运电流,证实热电子
物理学报 2018年21期2018-12-02
- 不同放射源在同位素电池换能单元肖特基结 金属中的能量沉积
p-i-n结和肖特基结的辐伏同位素电池进行了广泛的研究[2-4]，已有结果表明，基于传统Ge，Si，GaAs半导体p-n结的核电池转换效率都很低并存在寿命短等问题，主要原因是高能粒子辐射下材料的性能退化和p-n结低的载流子分离效率。通过采用耐辐射的宽禁带半导体材料(如GaN，SiC等)是解决这些问题的有效途径，尤其是金刚石具备优异的抗辐射能力、大的禁带宽度(5.45 eV)、高载流子迁移率而更加引人关注[6-7]，基于金刚石半导体的肖特基结辐伏同位素电池也
西南科技大学学报 2018年3期2018-09-27
- MPS二极管特性折衷的研究
系统，可以使用肖特基二极管。对于中高压系统，大部分使用PIN结构的二极管。但是，这种PIN二极管具有较差的开关特性（大峰值反向恢复电流，长关断时间和较差的反向di/dt）[2]。通常通过金或铂掺杂、电子辐照、轻离子辐照等少数载流子寿命控制技术，来改善PIN二极管的反向恢复特性。但是这种寿命控制技术导致正向压降和反向漏电流的增加[3-4]。通过改变阳极结构，控制阳极的注入效率，调制其内部的载流子分布，从而获得较软的反向恢复特性和较好的导通特性[5]。MPS二
微处理机 2018年1期2018-02-08
- Ka频段氮化镓功放的预失真线性化器设计
器，用尽量少的肖特基二极管产生非线性补偿信号，改良了传统的电路结构，采用开环技术，舍弃使用功分器构成的环路或双环路电路结构，更简单且稳定性更高。调谐部位少，调试简单，易于集成和安装，降低了成本，这种预失真电路结构还没有相关报道。本文首先介绍模拟预失真技术和具体电路，再从理论方面分析该电路的可行性，最后通过专用电磁仿真软件ADS2013验证其性能并与实测结果进行比较。1 模拟预失真技术预失真技术是在信号进入功率放大器之前，先通过一个与功率放大器的非线性失真特
计算机测量与控制 2018年1期2018-02-05
- Vishay 推出新款表面贴装TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器系列
h MOS势垒肖特基整流器系列该器件采用eSMP系列的SlimDPAK(TO-252AE)封装。Vishay General Semiconductor整流器比其它的DPAK(TO-252AA)封装的器件更薄，而散热性能更好，反向电压可以从45V到150V，正向导通压降低，电流等级高。发布的40颗肖特基整流器集合了TMBS技术和SlimDPAK封装的优点，单管芯结构的电流等级能达到35A，双管芯共阴极结构的电流等级达到40A。器件的PCB占位与DPAK封装
电子制作 2017年18期2017-12-30
- 利用碳化硅改善燃料电池汽车升压转换器效率的研究
准二极管和Si肖特基二极管。使用SiC代替上述两个部件的Si材料，形成SiC标准二极管和SiC肖特基二极管。由于SiC具有较小的宽带间隙，因而SiC标准二极管和SiC肖特基二极管的尺寸较小，使其内部电阻也随之降低，而转换的响应速度则随之提高，实现了升压转换器功率模块尺寸和电能损耗的降低，以及转换频率的升高。在日本丰田汽车公司和日野汽车公司联合生产的Oiden燃料电池汽车上，对SiC标准二极管和SiC肖特基二极管的性能进行测试。测试结果显示，与Si标准二极管
汽车文摘 2017年5期2017-12-05
- GaN基p-i-n和肖特基紫外探测器的响应光谱及暗电流特性
基p-i-n和肖特基紫外探测器的响应光谱及暗电流特性易淋凯1， 黄佳琳1， 周 梅1*， 李春燕1*， 赵德刚2(1. 中国农业大学理学院 应用物理系， 北京 100083； 2. 中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室， 北京 100083)研究了p-i-n型和肖特基型GaN基紫外探测器的响应光谱和暗电流特性。实验发现，随着p-GaN层厚度的增加，p-i-n型紫外探测器的响应度下降，并且在短波处下降更加明显。肖特基探测器的响应度明显比p-i-n
发光学报 2017年10期2017-10-10
- Si肖特基二极管直流及高频建模*
0084)Si肖特基二极管直流及高频建模*刘江宜，唐杨，王丁，王燕*(清华大学微纳电子系，北京100084)采用分段提参的方法，针对SMIC 130 nm CMOS工艺下CoSi2-Si肖特基二极管的直流及高频特性建立统一模型。直流时除了热发射效应，也考虑了势垒不均匀效应、大注入效应及隧穿效应的影响。高频时，在直流特性基础上特别考虑了衬底以及金属寄生效应的影响。该模型直流拟合误差为1.26%，高频时在整个测试频段(1 GHz～67 GHz)内电阻、电容拟合
电子器件 2017年1期2017-09-06
- Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究
W)Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究石青宏1，刘瑞庆2，黄 伟2(1.深圳深爱半导体股份有限公司，广东 深圳 518116；2.中国电子科技集团公司第 58 研究所，江苏 无锡 214072)首次提出在 Ni中掺入夹层 W 的方法来提高 NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜，经600～800 ℃快速热退火后，薄层电阻保持较低值，小于 2 Ω/□。经 Raman 光谱分析表明，薄膜中只存在 NiSi相，而没有 NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由
电子与封装 2017年6期2017-06-27
- 表面处理对肖特基接触的影响
咸表面处理对肖特基接触的影响霍荡荡1,2，郑英奎2，陈诗哲1,2，魏 珂2，李培咸1（1. 西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院，陕西西安 710126；2. 中国科学院微电子研究所，北京 100029）研究了不同的表面处理方法对器件肖特基特性的影响。实验结果表明，采用氧等离子体及体积比(HF:NH4F)为1:7的BOE溶液对AlGaN/GaN异质结材料表面进行处理后，其肖特基接触特性比盐酸或者氨水溶液处理有了明显的改善。当栅压为–50 V时，栅反向漏
电子元件与材料 2017年6期2017-06-13
- 栅条状和蜂窝状结构结势垒肖特基整流器（JBSR）性能对比*
窝状结构结势垒肖特基整流器（JBSR）性能对比*高桦，柴彦科，刘肃*（兰州大学物理科学与技术学院微电子所，兰州730000）栅条状和蜂窝状平面结构的结势垒肖特基整流管（JBSR）的不同之处在于其沟道有效面积的大小不同。从这两种平面结构的结势垒肖特基整流管（JBSR）的工艺和电学特性来看，适当的增大JBSR器件的沟道有效面积，可使JBSR器件的击穿电压得到提高。蜂窝状平面结构JBSR器件的沟道有效面积较栅条状器件的小，开启电压低，但反向耐压不如栅条状平面结构
电子器件 2016年2期2016-10-13
- 肖特基二极管用硅外延片过渡区控制研究
王铁刚摘 要 肖特基二极管是一种低功耗、超高速半导体器件，具有正向压降小、开关频率高等特点，高性能的肖特基二极管器件需要高质量的外延材料，生长出高质量的外延层成了制作高频肖特基二极管的关键。关键词 肖特基；二极管实验；工艺改善中图分类号 TN3 文献标识码 A 文章编号 1674-6708（2016）161-0137-02肖特基二极管也被称为肖特基势垒二极管是一种低功耗、超高速半导体器件，具有正向压降小、开关频率高等特点，肖特基二极管被广泛应用于变频器、开
科技传播 2016年8期2016-07-13
- Al/CuO肖特基结换能元芯片的非线性电爆换能特性
-13]。根据肖特基势垒(Schottky barrier)理论,金属Al薄膜和CuO半导体薄膜接触时会因为肖特基势垒的存在,形成肖特基结[14-18]。这一特性使得Al/CuO复合薄膜在外电场作用下产生类似于肖特基二极管的整流效应。将Al/CuO复合薄膜设计制备成电爆换能元,既可以利用Al薄膜和CuO薄膜的化学反应能提高换能元输出效率,同时由于复合薄膜的整流效应,还可以使换能元具备一定的发火阈值,使其拥有非线性电爆换能的特性。为了提高火工品的安全性能,同
含能材料 2016年3期2016-05-08
- Schottky Barrier Diode Based on Super-Junction Structure
基于超结结构的肖特基势垒二极管马 奎，杨发顺，傅兴华(贵州大学电子科学系；贵州省微纳电子与软件技术重点实验室 贵阳 550025)在功率半导体器件中，高的反向击穿电压和低的正向导通电阻之间的矛盾关系是影响其发展的主要因素之一，选用超结结构替代功率半导体器件中的传统电压支持层能够有效缓解这一矛盾关系。该文设计和实现了一种超结肖特基二极管，其中的电压支持层采用P柱和N柱交替构成的超结结构。在器件的制作方面，选用成熟的单步微电子工艺，通过4次N型外延和4次选择性
电子科技大学学报 2015年1期2015-10-14
- 混合PiN/Schottky二极管的研究
MPS二极管、肖特基二极管、PIN二极管的伏安特性进行模拟，结果表明MPS二极管正向压降小，电流密度大，反向漏电流小，是一种具有肖特基正向特性和PN结反向特性的新型整流器.可以通过改变肖特基和PN结的面积比来调整MPS二极管的性能，与肖特基二极管和PIN二极管相比具有明显的优势，是功率系统不可或缺的功率整流管。MPS；PiN；Schottky；伏安特性；模拟电力电子技术的发展使作为电力电子技术重要基础的电力电子器件得到了广泛的关注和研究。功率整流管是电力电
电子设计工程 2014年15期2014-09-25
- Analysis of Temperature Characteristic and Design of Interface ASIC Based on Ring Schottky Diode for MEMS Gyroscope*
理，提出了环形肖特基二极管与跨阻放大器结构，理论分析了它的功能与温度特性。在此基础上，设计了一款MEMS陀螺仪接口ASIC电路，适用于谐振频率3 kHz～10 kHz的MEMS陀螺仪。1 MEMS陀螺仪与电路原理分析MEMS陀螺仪基于科里奥里力效应［8］，是一种线振动陀螺仪。图1所示是EMMS陀螺仪的结构图。它包含两个振动模态，即驱动模态与检测模态［9］。其中，沿驱动轴即x轴方向给质量块施加正弦激励，质量块做正弦运动，如果在z轴方向施加一个角速度Ω，将在检
传感技术学报 2014年3期2014-09-08
- 10 A/600 V大功率硅基JBS肖特基二极管的制备*
功率硅基JBS肖特基二极管的制备*陈菩祥,高 桦,李海蓉,刘 肃*(兰州大学微电子所,兰州 730000)为了弥补传统肖特基二极管漏电流大和反向耐压低的不足,采用栅条P+-N结和肖特基结嵌套形成结势垒肖特基二极管(JBS),终端结构由7道场限环和1道切断环构成。通过模拟确定最优参数后流片试验,同步制备肖特基二极管(SBD)和PiN二极管作为对比。结果表明:制备的JBS二极管兼备SBD二极管正偏和PiN二极管反偏的优点。在漏电流密度小于1×10-5A/cm2
电子器件 2014年6期2014-09-06
- JBS结构肖特基整流器
2）JBS结构肖特基整流器唐 冬，刘 旸，徐 衡（中国电子科技集团公司第四十七研究所，沈阳110032）介绍了结势垒控制肖特基整流管（Junction-Barrier-controlled Schottky-Rectifier，JBS）的结构原理，论述了JBS结构肖特基整流器的正向特性和反向特性，通过对扩散掩膜尺寸m和扩散P＋区时窗口宽度S的工艺模拟，归纳出m、s变化对器件参数正向压降和反向漏电流密度的影响。并通过实际产品进行验证，得出JBS结构肖特基整流
微处理机 2014年5期2014-08-07
- NiCr势垒肖特基技术
等新工艺技术。肖特基二极管是以其发明人肖特基(Schottky)博士命名的，SBD是肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的功函数差势垒原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种多数载流子输运的单极器件。在通常情况下，一般采用金属—半导体接触来形成肖特基势垒，但是由于金属与半导体接触时，接触界面
微处理机 2013年1期2013-06-13
- Diodes芯片尺寸封装的肖特基二极管实现双倍功率密度
芯心尺寸封装的肖特基（Schottky）二极管，为智能手机及平板电脑的设计提供除微型DFN0603器件以外的又一选择。新器件能够以同样的电路板占位面积，实现双倍功率密度。全新30 V及0.2A SDM0230CSP肖特基二极管采用了X3-WLCUS0603-3焊接焊盘封装，热阻仅为261oC/W，比DFN0603封装低约一半，有效把开关、反向阻断和整流电路的功耗减半。SDM0230CSP的占位面积为0.18 mm2，比采用了行业标准的DFN1006及SOD
电子设计工程 2013年14期2013-03-26
- Vishay发布采用SlimSMA®封装的新款45 V TMBSTMTrench MOS势垒肖特基整流器
h MOS势垒肖特基整流器——VSSAF3L45和VSSAF5L45。整流器采用高度0.95 mm的表面贴装SlimSMATMDO-221AC封装，正向电流为3 A和5 A。新的VSSAF3L45和VSSAF5L45在3 A下具有0.37 V的极低正向压降，可在低压高频DC/DC转换器、续流二极管，以及智能手机充电器等空间受限应用的极性保护中减少功率损耗，并提高效率。新整流器的最高工作结温为+150℃，MSL潮湿敏感度等级达到per J-STD-020的1
电子设计工程 2013年1期2013-03-24
- 一种改进太阳能计算器芯片二极管稳压电路设计
N结二极管改为肖特基二极管，使其正向饱和压降处于一个合理的区间，避免上述的“鬼影”现象，从而达到改善太阳能应用的目的。2 肖特基二极管的特性肖特基二极管也称肖特基势垒二极管，肖特基二极管是以金属（金、银、铝、铂等）为正极，以N型半导体为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。肖特基二极管具有以下特性：（1）正向压降小，约0.35V左右，比PN结二极管0.7V的压降小很多；（3）更稳定的温度特性；（4）有较高的工作频率和开关速度
电子与封装 2012年10期2012-05-31
- Vishay发布12个采用不同封装的45V TMBS TrenchMOS势垒肖特基整流器
MOS 势垒肖特基整流器。 这些整流器在20 A电流下具有0.51 V的极低正向压降，适合在太阳能电池接线盒中用作起保护作用的旁路二极管。发布的产品包括单芯片 V（B，F）T1045BP、V（B，F）T2045BP、V（B，F）T3045BP 和 V（B，F）T4045BP。 每款器件均提供功率TO-220AC、ITO-220AC和TO-263AB封装。所有整流器在没有反向偏置（t≤1小时）的直流正向电流下的最高结温为200℃。器件符合RoHS指令200
电子设计工程 2012年3期2012-03-31
- 安森美半导体推出带集成肖特基二极管的MOSFET
容,推出带集成肖特基二极管的30 V产品。NTMFS4897NF、NTMFS4898NF 及 NTMFS4899NF在10 V时分别拥有2 mΩ、3 mΩ及5 mΩ的最大导通阻抗(RDS(on))值,针对降压转换器应用中的同步端而优化,实现更高电源能效。典型门电荷(在4.5 V门极-源极电压(Vgs)时)规格分别为39.6 nC、25.6 nC及12.2 nC,确保开关损耗保持最低。安森美半导体这些新的功率MOSFET典型应用包括用于服务器、电信网络设施、
单片机与嵌入式系统应用 2010年6期2010-04-04
- Ni（W）Si/Si肖特基势垒二极管电学特性研究
参数测试仪测量肖特基二极管的正反向特性。3 结果和讨论3.1 Ni（W）Si薄膜的薄层电阻用四探针法测量经不同温度快速热退火后的Ni（W）Si薄膜的薄层电阻，结果如图1所示。由图1可以看出，CapTi/Ni/Si结构经600℃～700℃快速热退火后，该硅化物的薄层电阻为3.0 Ω/□～3.2Ω/□。当快速热退火温度升高到750℃时，薄膜电阻就增大到4.5 Ω/□，这个实验结果已被张慧等人报道[6]。而由夹层结构得到的Ni（W）Si薄膜经受600℃～800℃
电子与封装 2010年10期2010-02-26