衬底_参考网

斜切蓝宝石衬底上GaN薄膜的位错降低机制*

于GaN 体单晶衬底的尺寸以及成本限制,目前绝大多数GaN 材料是在蓝宝石、碳化硅、硅等衬底上异质外延得到的.异质衬底和GaN 材料之间的大晶格失配和热失配使得GaN外延材料中的位错密度非常高,一般在108cm-2以上[5].高位错密度会对器件产生不利影响,在电子器件中,位错加剧二维电子气的散射,降低载流子迁移率,并且位错充当漏电通道,会增加器件的漏电流;在光电器件中,位错充当非辐射复合中心,会降低器件的发光效率[6-8].因此,目前有很多研究是针对如何降

物理学报 2023年19期2023-10-30

斜切角对β-Ga2O3(100)面衬底加工的影响研究

得高质量器件,在衬底上进行外延生长是必要的选择。使用斜切样品制备衬底,其表面表现出很高的台阶流密度,可以改变外延层的生长方式,有利于降低材料缺陷密度,从而改善外延质量[5-7]。Ougazzaden等[8]在斜切蓝宝石衬底上外延了GaN材料,获得的样品表面形貌良好,降低了位错面密度。然而,若斜切角过大,会造成切割时衬底材料浪费,生产成本大幅提高。因此,在实际应用中,衬底取向和斜切角的选择已成为关键[9]。衬底加工是外延及器件制作的重要基础,衬底的表面质量和

人工晶体学报 2023年9期2023-09-22

硅衬底氮化镓大失配应力调控方法研究

 单晶是最理想的衬底材料，其可以在很大程度上降低位错密度，从而提高外延材料的晶体质量，延长GaN 基器件的工作寿命，提高发光效率。但是大尺寸GaN 单晶衬底制备困难、成品率低，还不能规模化生产，由此造成了大尺寸GaN 单晶衬底材料价格昂贵且稀缺，因而利用同质外延生长GaN 薄膜更加难以实现。所以目前，GaN 的生长主要采用异质外延法，用于异质外延的衬底有蓝宝石衬底、碳化硅（SiC）衬底和Si 衬底。表2 为GaN 与常用衬底的各项参数。表2 GaN 与常用

科技创新与应用 2023年3期2023-02-18

退火温度和退火时间对不同衬底上Mg2Si薄膜结构的影响

其部分性能。不同衬底与薄膜之间的晶格失配和热失配可能不同,因此衬底类型对薄膜的结构或性能可能存在较大影响。在一定的条件下,金属Mg在硅内发生扩散反应即可生成Mg2Si,因此制备Mg2Si薄膜最常用的衬底是Si,如Mahan等[9]采用分子束外延法在Si(100)和Si(111)衬底上制备了结晶良好的Mg2Si薄膜;Wang等[3]在Si(111)衬底上制备了Al掺杂Mg2Si薄膜,并测得其光学带隙。为了研究Mg2Si晶体的择优晶相和电学性能,Kurokaw

量子电子学报 2022年4期2022-08-22

衬底材料对石墨烯薄膜生长影响研究

缘介质HfO2为衬底可直接应用于制备石墨烯场效应晶体管(GFET)半导体工艺中。因此,石墨烯薄膜原位生长优化对石墨烯器件的发展与应用具有重要意义。当前,石墨烯薄膜的制备方法主要包括机械剥离法、SiC 热分解法、氧化还原法以及化学气相淀积法(CVD)[8]。其中,等离子体化学气相淀积(PECVD)作为一种特殊的化学气相淀积技术,利用了反应气体在射频电场下的辉光放电,能够大大降低沉积石墨烯薄膜时的温度,是低温无转移生长石墨烯薄膜的重要手段。在基于PECVD 技

电子元件与材料 2022年7期2022-08-20

衬底层对Fe65Co35 合金薄膜结构与磁性的影响*

法制备了具有不同衬底层(Cu,Co 和Ni80Fe20)的Fe65Co35 双层合金薄膜.研究了不同衬底材料以及NiFe 衬底层厚度对FeCo 合金薄膜结构与磁性的影响.研究结果表明:衬底层的引入可以增加薄膜的面内单轴各向异性,且薄膜的软磁性能显著提升,获得良好软磁性的原因归结为晶粒的细化、层间的偶极相互作用以及表面粗糙度的降低,并且对于相同厚度的不同衬底层,NiFe 衬底层对FeCo 薄膜软磁性能的提升最为明显;通过改变NiFe 衬底层厚度,实现了对薄膜

物理学报 2022年15期2022-08-12

FMEA在蓝宝石衬底生产周期改善中的应用研究

因素。缩短蓝宝石衬底生产周期，能够对准时交货，提升顾客满意度，树立企业良好口碑，提高资金周转率起到积极作用。然而蓝宝石衬底制造系统具备大规模、多重入、混合加工等加工特性［1-3］，且其制造过程复杂，工序繁多，导致蓝宝石衬底生产周期管理非常困难。同时蓝宝石衬底在生产过程受到返工，机器故障，工艺路线变更，人员作业疏忽等不确定因素的影响，导致生产周期发生波动，甚至出现产品交货时间不准的情况。关于生产周期改善，已有的研究主要集中于在制品控制，瓶颈控制，生产周期预测

机械设计与制造 2022年5期2022-05-19

大尺寸碲锌镉基碲镉汞材料分子束外延技术研究

近,因此,碲锌镉衬底是制备第三代碲镉汞红外焦平面阵列探测器不可或缺的衬底材料[1]。目前,碲镉汞材料常用的生长方法为外延生长,特别是分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE),因其在低温下生长(185℃左右)并且能够实现多层异质结生长并实现精确在线控制,所以MBE方法是生长高性能、双色及高温工作碲镉汞材料的首选外延方法[2-3]。当前,第三代碲镉汞红外焦平面正朝着大面阵、高性能、双多色集成的方向发展[4],国际上的第三代碲镉汞红外焦

激光与红外 2022年3期2022-04-22

LED用图形化蓝宝石衬底的光刻工艺优化*

领域应用最广泛的衬底材料[4～6]。衬底曝光是图形化蓝宝石衬底的瓶颈工序，某企业正面临曝光周期长的技术难题。光刻设备运行时，每次曝光的正方形区域称为曝光场，蓝宝石衬底表面由若干曝光场覆盖，合理安排曝光场与衬底排列的组合关系，将直接影响衬底曝光的效率[7]。单片衬底曝光完成的时间由曝光场数量及每个曝光场曝光的时间决定。曝光的时间由光刻机机械性能决定，但其优化难度大、周期长且成本高。因此，对曝光场分布进行优化以减少曝光场数量，能达到缩短曝光周期的目的。目前，有

传感器与微系统 2021年1期2021-12-30

高温处理对Si图形衬底上SiO2掩膜层的影响

泛的应用。但Si衬底上异质外延3C-SiC薄膜的质量较低，阻碍了其在各应用领域的发展。在SiC和Si衬底界面处或外延薄膜内会产生大量的由应力释放引起的缺陷，如位错、层错、孪晶等[1-2]。图形化衬底上侧向外延生长技术可以有效地解决这一问题，这一技术在选择性生长的基础上发展而来。图形化衬底可以采用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺获得，有微米级波浪形、“V”形，纳米柱状等[3-7]。图形化衬底分为有掩膜图形和无掩膜图形两类，掩膜材料有SiO2、Si3N4或金属等[8-1

海峡科技与产业 2021年6期2021-12-21

蓝宝石衬底片背面减薄磨削加工试验分析

发光二极管的主要衬底材料[1]。蓝宝石在经历长晶、掏晶棒、外圆加工、切片、双端面研磨、外圆倒边后,制成标准蓝宝石衬底片,然后采用金属有机化合物化学气相沉积在衬底片上进行外延层生长[2-3]。最后对衬底片背面进行减薄磨削、抛光、切割,制成发光二极管芯片。发光二极管芯片制造工艺流程如图1所示。蓝宝石衬底片材料导热性较差,为防止发光二极管有源区过大的温升对光输出特性和使用寿命产生影响,在完成蒸镀刻蚀等工序后,还需要对蓝宝石衬底片的背面进行减薄加工,从而达到改善芯

机械制造 2021年7期2021-08-23

基于改进水热法的Ga2 O3 纳米棒制备及表征

,生长方向平行于衬底而非垂直于衬底。Zhou 等[15]使用水热法合成了Ga2O3纳米材料的前驱体即GaOOH 纳米材料,它的形状呈单分散性纳米粒子状或者棒状,并且结构大小不统一,分布不均匀。由于传统水热法制备的Ga2O3纳米材料不能满足阵列器件的要求,本文提出一种改进的水热法,最终可得到均匀分布且直立生长的Ga2O3纳米材料。首先通过磁控溅射法在衬底上沉积一层籽晶层,然后在籽晶层上进一步采用水热法制备Ga2O3纳米棒。实验表明,该方法得到的Ga2O3纳米

电子元件与材料 2021年5期2021-06-04

衬底用单晶金刚石晶格随温度变化的研究

在金刚石外延中，衬底的状态往往对外延层金刚石的质量起着重要的影响，例如：衬底的表面粗糙度过高会导致多晶[5]；衬底表面的缺陷会被外延层所继承，形成外延层中的缺陷[6]；衬底表面的晶向和晶面，会影响外延层的生长速度和生长质量[7]。另一方面，在单晶生长过程中，应力的影响非常关键。应力过大，会在单晶中产生缺陷，或者导致多晶，甚至使晶体开裂[8-10]。本文以衬底在不同温度下，其晶格变化为研究对象，通过XRD原位测试方法，研究单晶金刚石衬底晶格常数的变化，并结合

人工晶体学报 2021年1期2021-02-23

蓝宝石衬底基片平整加工专利分析

际上公认的LED衬底材料，但其硬度高且脆性大机械加工困难，蓝宝石晶体切割后需要经过平整加工达到规定的平面度、粗糙度、晶格完整性等指标后方可使用。基于蓝宝石衬底片平整加工专利，本文从申请量、申请区域以及技术发展路线三方面展开分析。关键词：蓝宝石;衬底;基片;平整;研磨;抛光;技术路线中图分类号：G306;0786文献标识码：A文章编号：1003-5168（2020）06-0120-041 引言固态照明是全世界公认的一种最有效的节能途径，而高亮度发光二极管（L

河南科技 2020年6期2020-10-21

基于MBE替代硅衬底的材料综述

为在CdZnTe衬底上外延HgCdTe可以达到质量最佳的材料,不过CdZnTe衬底较为昂贵,而且到目前为止其衬底尺寸依然不能扩大。因此,人们在近几十年中研究出了若干种如Si、Ge、InSb、GaSb以及GaAs衬底等替代性衬底来取代CdZnTe衬底[1-3]。表1为部分薄膜材料的基本参数,这些衬底都具有高晶体质量、大面积、低成本以及取用方便等优点,使得它们在HgCdTe红外焦平面器件的发展中占据着重要位置。然而,可以从图1中看出,这些衬底与HgCdTe的晶

激光与红外 2020年6期2020-07-07

衬底材料对热蒸发法制备TiO2薄膜的影响*

的因素很多，其中衬底材料是一个重要的影响因素。文献[4]研究了衬底材料对溅射法(高功率脉冲磁控溅射和直流磁控溅射)制备TiO2薄膜的粗糙度和晶体结构的影响，原子力显微图像显示薄膜的粗糙度随衬底表面粗糙度增大而增大，X射线衍射图显示薄膜的晶态结构与离子轰击能量相关，当衬底和薄膜间的电容较小时，离子对衬底的轰击能量较大，TiO2薄膜呈纯红金石型结构。文献[5]研究了化学气相沉积TiO2薄膜在玻璃和石英衬底上的微观形貌，结果发现玻璃上TiO2薄膜为纳米立方结构，

西安工业大学学报 2020年1期2020-03-07

介质衬底上生长h-BN二维原子晶体的研究进展

地铺展在h-BN衬底上,有利于还原其极高的载流子迁移率[6]。此外,h-BN具有与 SiO2接近的介电常数和击穿电场,是石墨烯或其他二维原子晶体理想的栅介质材料。实际上,与传统的SiO2/Si衬底相比,基于h-BN衬底或栅介质层的电子器件已展现出更高的载流子迁移率和更优异的器件性能。例如,哥伦比亚大学的Wang与其合作者[7]依次将h-BN、石墨烯、h-BN机械剥离到SiO2/Si衬底上组成器件,室温下测量得到石墨烯迁移率达 1.4×105cm2/(V·s

无机材料学报 2019年12期2019-12-28

二硫化钼纳米棒的制备及其表征

在Si/SiO2衬底上获得了单层MoS2薄膜和宽度为数百纳米的纳米棒，并对样品的结构和形貌进行了表征分析。1 试验1.1 试验过程氧化层厚度为300 nm的市售Si/SiO2基片，分别浸入丙酮、酒精、去离子水中，超声清洗30 min，烘干，备用。0.5 mL 0.2 mg/mL的NaCl溶液滴入刚玉舟中烘干，再滴入1 mL 5 mg/mL的MoO3分散液，烘干备用。将一片典型尺寸为10/10 mm（L/W）的SiO2/Si基板抛光面朝下，倒扣在刚玉舟上。取

中国资源综合利用 2019年6期2019-07-08

Ag@Parylene-C纳米结构制备技术研究及其SERS性能表征

迎的SERS活性衬底材料之一。但是，在研究以银纳米颗粒为衬底的SERS应用时发现，在纳米材料的表面效应等因素的影响下，颗粒的化学稳定性较差，容易发生氧化和团聚，给衬底的制备和保存带来不便，且会影响银纳米颗粒的SERS活性。为了解决这一问题，必须对银纳米颗粒进行表面改性，其中常用且有效的方法就是在银纳米颗粒的表面均匀地包覆上一层无机材料形成核壳结构[1-4]。目前，针对核壳型银纳米颗粒SERS衬底制备工艺的研究主要采用的是溶胶-凝胶法和反相微乳法等化学制备方

兵器装备工程学报 2019年6期2019-07-05

碲锌镉衬底晶向对碲镉汞薄膜表面形貌的影响

探测器不可或缺的衬底材料。（111）面是闪锌矿结构原子层密度最高的晶面，从微观上看也是最平整的表面，一般情况下，液相外延生长碲镉汞薄膜都在〈111〉晶向上进行，外延材料甚至可以得到原子级平整的光亮表面［1］。碲锌镉衬底和碲镉汞外延材料之间的晶格匹配会对外延层的质量产生直接影响［2］。表面形貌是衡量外延材料质量的重要指标之一。碲锌镉晶向和（111）面的偏角应被控制一定范围内，以保证外延以邻位面方式生长，晶向偏离越大，外延材料表面台阶越严重，甚至会影响薄膜的生

激光与红外 2018年11期2019-01-02

不同腐蚀时间对CZT(211)B衬底的影响分析

Te(211)B衬底常用于分子束外延HgCdTe材料。对于外延生长,其衬底的性能在一定程度上决定了HgCdTe外延材料的质量[1]。碲锌镉(CdZnTe,CZT)材料和HgCdTe材料具有相同的闪锌矿晶体结构,通过调整锌组分(Cd1-xZnxTe中x≈ 0.04),两者之间能在晶格上实现完全匹配,实现准同质外延,外延生长晶格失配小；其禁带宽度大于红外波段的光子能量,对红外光完全透明,可实现背入射,为混合集成创造条件；它与HgCdTe材料化学相容、热膨胀系数

激光与红外 2018年10期2018-10-26

低电容TVS用常压外延工艺研究

此结构需要在重掺衬底上生长高阻外延层来实现。其中衬底电阻率越低，雪崩二极管反向击穿电压越低，被保护电路两端所能箝住的电压越小，浪涌抑制能力也就越好；外延层电阻率越高，电容越低，高频电路信号的衰减越小[1]。外延生长是指在单晶衬底的表面上，利用二维结构相似性成核的原理，沿着原来的结晶轴方向，生长特定电阻率和厚度单晶层的工艺。埋层外延是指在制有特定光刻图形的衬底上进行的外延，其外延温度越高，图形漂移量越小，但相应衬底杂质挥发越多。而理想的低电容TVS器件要求重

电子与封装 2018年9期2018-09-27

两种衬底对La0.7Sr0.3MnO3薄膜的性能影响研究

在Si(100)衬底上外延生长LSMO薄膜，研究了薄膜晶体结构、表面形貌和电磁输运机制[7]。制备成本低廉、性能优异的LSMO薄膜仍是一个重要的研究方向。本文采用脉冲激光溅射法分别在STO衬底和Si衬底上制备出LSMO薄膜，并研究了不同衬底对LSMO薄膜的结构、形貌以及电阻和金属-绝缘电阻的影响。1 试验1.1 试验过程采用PLD450E球形脉冲激光溅射复合沉积系统，在SrTiO3(001)和Si(001)衬底上制备了高度(001)取向的La0.7Sr0.

山东化工 2018年15期2018-09-20

柔性太阳电池发展研究

备在金属箔和塑料衬底上，形成柔性太阳电池。柔性太阳电池具有重量轻、可弯曲、便于携带和运输等优点，可应用在卫星、飞艇、无人机、单兵装备等国防军工领域，以及光伏建筑一体化、可穿戴智能设备等民用领域，具有广阔的市场前景[1]。目前，已经商业化的薄膜太阳电池有硅薄膜太阳电池、碲化镉太阳电池和铜铟镓硒太阳电池，这三种商业化的薄膜太阳电池均以玻璃为衬底。此外，需要特别指出的是，钙钛矿薄膜太阳电池是最近薄膜太阳电池研究的热点。短短9年时间，电池效率从2009年的3.8%

中国工程科学 2018年3期2018-09-11

偏转角(211)Si基CdTe复合衬底研究

早期CdZnTe衬底成本高、面积较小、与Si电路热膨胀系数不匹配等原因,长期以来研究者一直寻找合适的替代衬底。早期人们对InSb、Al2O3(蓝宝石)、GaAs、Ge和Si基等替代衬底进行了大量的研究,但随着研究的开展,InSb、Al2O3等衬底的各种缺点就显漏无遗。与其他衬底材料相比,Si衬底具有衬底面积大、材料成本低、Si读出电路的自动热应力匹配、较高的机械强度和平整度等优点,是最合适的替代衬底,是未来实现单片式IRFPA的唯一选择[1-3]。Si基衬

激光与红外 2018年7期2018-08-08

动态耐压下SOI RESURF器件的二维电场解析模型

lator,绝缘衬底上的硅)材料因为具有高速、低功耗、可靠性高、抗辐射等优点,在低功耗电路、微机械传感器、光电集成等方面都具有重要应用[1-3]。而在实际电路运用中,由于SOI器件具有较高的开关频率,因此器件将承受快速变化的关断耐压,对此称其为器件的动态耐压。根据半导体物理学知识可知:在动态耐压条件下,衬底深耗尽效应将会出现从而导致耗尽区向衬底部分发展,改变器件的表面电场分布,对器件的耐压特性造成影响[4-7]。然而在现有的文献研究成果中,尚未就衬底耗尽区

电子元件与材料 2018年6期2018-07-17

粗糙GaAs(001)表面对In0.15Ga0.85As薄膜生长的影响

aAs薄膜生长的衬底，其表面形貌在InGaAs薄膜生长的过程中扮演着重要作用[5]。目前，国内外对InGaAs/GaAs薄膜的研究主要集中于自组装量子点的生长[6-8]，而GaAs衬底表面形貌对InGaAs薄膜生长的影响研究较少。V.P.LaBella[9]等人曾采用分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)生长和反射高能电子衍射仪(Reflection High Energy Electron Diffraction,RHEED)

电子科技 2018年4期2018-04-08

乌东德大坝首个中孔钢衬浇筑完成

站大坝4号中孔钢衬底板仓浇筑完成，这是乌东德首个浇筑完成的中孔钢衬底板仓，标志着300米级乌东德拱坝建设进入了一个新阶段。据乌东德建设部大坝项目部透露，相比其他仓，中孔钢衬底板仓浇筑难度相对较大。据了解，此次8号坝段4号中孔钢衬底板仓从11月8日凌晨3点开浇，共浇筑混凝土3349立方米，从高程876.3米浇筑至879.0米，历时30小时42分。

四川水力发电 2018年6期2018-03-26

氧化锌薄膜的微观结构及其结晶性能研究

)以普通玻璃作为衬底材料，采用射频磁控溅射方法制备了氧化锌(ZnO)透明导电薄膜，通过X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)测试，研究了衬底温度对薄膜微观结构及其结晶性能的影响.结果表明：所制备的ZnO薄膜均为(002)晶面择优取向生长的多晶薄膜，其微观结构和结晶性能与衬底温度密切相关.衬底温度对ZnO薄膜的织构系数TC(hkl)、平均晶粒尺寸、位错密度、晶格应变和晶格常数都具有不同程度的影响，当衬底温度为800 K时，ZnO薄膜样品的织构系数T

中南民族大学学报（自然科学版） 2017年4期2017-12-26

衬底对MoSe2的二次谐波强度的影响

 334001)衬底对MoSe2的二次谐波强度的影响曾建华，何清，陶智明，桑志文，常山，何鹏浩(上饶师范学院 物理与电子信息学院，江西 上饶 334001)采用时域有限差分法研究了SiO2/Si衬底、Au/SiO2衬底、SiO2-SnO2/Ag/SiO2衬底上MoSe2的反射、透射、吸收和二次谐波增强因子随厚度的依赖关系。计算了各种介质-金属衬底上MoSe2的电场分布曲线，结果表明块体MoSe2的二次谐波的增强主要源于介质-金属衬底诱导的电场局域效应，并由

上饶师范学院学报 2017年6期2017-12-22

衬底温度对共溅射法制备BaSi2薄膜的影响

 550025)衬底温度对共溅射法制备BaSi2薄膜的影响杨子义1,2， 刘 涛1， 徐 虎2(1. 贵阳学院 电子与通信工程学院， 贵州 贵阳 550005；2. 贵州大学 新型光电子材料与技术研究所， 贵州 贵阳 550025)研究衬底温度对采用Ba靶和Si靶共溅射制备BaSi2薄膜的影响.采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对在不同衬底温度条件下制备的薄膜的微观结构组分和表面形貌进行表征与分析.结果表明,衬底温度在500 ℃以下时Ba和Si共沉积在Si(

四川师范大学学报（自然科学版） 2017年5期2017-11-08

纳米级MOSFET衬底电流的偏置依赖性建模

米级MOSFET衬底电流的偏置依赖性建模王林，王军，王丹丹（西南科技大学 信息工程学院，四川 绵阳 621010）衬底电流是纳米级MOSFET电学性质分析的重要基础，也是集成电路设计的先决条件。建立精确的衬底电流模型是分析MOSFET器件及电路可靠性和进行电路设计所必需的。基于热载流子效应建立了一个常规结构纳米级MOSFET衬底电流的解析模型，并将模型的仿真结果与实验结果相比较，验证了模型的准确性。同时对衬底电流与沟道长度和偏置电压的关系进行了分析研究，结

电子技术应用 2016年10期2016-12-02

基于硅过渡层纳米金刚石膜/GaN复合膜系的制备

的在GaN半导体衬底上直接生长纳米金刚石膜的方法。研究发现，直接将GaN衬底暴露于氢等离子体中5 min即发生分解，且随着温度从560 ℃升高至680 ℃，这种分解反应愈加剧烈，很难在GaN衬底上直接形成结合力良好的纳米金刚石膜。通过在GaN衬底上镀制几纳米厚的硅过渡层，在富氢金刚石生长环境下，抑制了GaN衬底的分解，同时在GaN衬底上沉积了约2 μm厚的纳米金刚石膜。硅过渡层厚度是决定纳米金刚石与GaN衬底结合力的主要因素。当硅过渡层厚度为10 nm时，

新型炭材料 2016年5期2016-11-22

衬底温度对低温制备铜铟镓硒薄膜结晶性能的影响

之一。相对于玻璃衬底电池，以聚酰亚胺（PI）薄膜为衬底的柔性CIGSe薄膜太阳能电池具有可卷曲、质量比功率高、适于卷对卷大面积连续生产等优势，在空间飞行器动力电源和地面光伏集成建筑、移动折叠式太阳能充电器等应用中有着更为广阔的前景。由于衬底材料特性和电池制备工艺的差异，通常认为PI衬底CIGSe薄膜太阳能电池的转换效率低于玻璃衬底电池的。但在2013年，瑞士联邦材料与技术实验室（EMPA）报导了转换效率为20.4%的PI衬底CIGSe薄膜太阳能电池［1］，

机械工程材料 2015年8期2015-12-11

Si（111）衬底切偏角对GaN基LED外延膜的影响

6Si（111）衬底切偏角对GaN基LED外延膜的影响武 芹1，全知觉1*，王 立1，2，刘 文1，张建立1，江风益1（1.南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心，江西南昌 330047；2.南昌大学材料科学与工程学院，江西南昌 330031）利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法在具有偏角（0°～0.9°）的Si（111）衬底上生长了GaN薄膜。采用高分辨X射线衍射（HRXRD）对Si衬底的偏角进行了精确的测量，利用HRXRD、原子力显微镜（AFM）

发光学报 2015年4期2015-10-28

用粉末靶在玻璃和PI衬底上制备AZO/Ag/AZO薄膜

末靶在玻璃和PI衬底上制备AZO/Ag/AZO薄膜刘思宁,周艳文*,沙天怡(辽宁科技大学材料与冶金学院,辽宁鞍山 114051)室温下在玻璃和聚酰亚胺两种不同衬底上,采用射频磁控溅射法溅射掺铝氧化锌(AZO)粉末靶和固体Ag靶,制备了两组AZO/Ag/AZO 3层透明导电薄膜,研究了AZO层厚度对不同衬底3层膜结构和光电性能的影响。结果表明:不同衬底的两组AZO/Ag/AZO薄膜均为多晶膜。当Ag层厚度不变时,随着AZO层厚度的增加,两组薄膜电学性能变化不

发光学报 2015年11期2015-03-11

低温锗量子点缓冲层技术生长硅锗弛豫衬底研究

技术生长硅锗弛豫衬底研究周志文，叶剑锋，李世国（深圳信息职业技术学院 电子与通信学院，广东 深圳 518172）为了提高生长在硅衬底上的硅锗弛豫衬底的质量，提出了低温锗量子点缓冲层技术，分析了该技术在应变弛豫的促进，表面形貌的改善，位错密度的降低等方面的作用机理。基于低温锗量子点缓冲层技术，利用超高真空化学气相淀积系统，在硅衬底上生长出高质量的硅锗弛豫衬底。锗组份为0.28，厚度不足380 nm的硅锗弛豫衬底，应变弛豫度达到99%，表面没有Cross-ha

深圳信息职业技术学院学报 2015年3期2015-02-06

反应磁控溅射法制备Zn3 N2薄膜的工艺研究

原子脱离并沉积在衬底上，从而获得所需的样品［14－15］。而 Zn3N2陶瓷靶的制备工艺复杂，成本较高，且目前国内市场上没有供应。因此，本项研究工作尝试采用反应磁控溅射技术，使用锌金属靶（纯度99.99%），以 Ar为工作气体、N2为反应气体。当被电离的Ar离子轰击锌靶材时，锌离子会脱离靶材表面，并与电离的N离子在衬底表面生成Zn3N2薄膜。近年来，国内有研究人员尝试应用此方法制备了 Zn3N2薄膜［3－4，9］，但未见有完整、系统的研究成果发表。本研究通

山东建筑大学学报 2015年1期2015-01-09

反蛋白石结构模板法制备有序ZnO纳米结构阵列

化的催化剂／籽晶衬底，然后，通过气相沉积过程生长ZnO纳米棒阵列。但是，气相沉积往往需要较高的温度，从而限制了在很多衬底上的应用。此外，气相沉积过程还可能会将残留的催化剂引入到ZnO纳米结构中。与之相比，水热法是一个低温且不需要催化剂的过程［2，4，6］。结合水热法与电子束刻蚀等各种图案化技术，有序的ZnO纳米棒阵列被成功制备［2，7-8］。在各种图案化技术中，纳米球自组装技术是一种工艺简单、成本低廉的技术［9-11］。它利用自组装单层胶体微球作为掩膜制备

实验技术与管理 2014年11期2014-12-25

0.18 μm BCD工艺平台LogicEE IP的数据保持力

力验证。（1）老衬底（55 nm SAB膜）；（2）新衬底延长SAB膜生长前的清洗时间（55 nm SAB膜）；（3）新衬底SAB膜的新生长材料（55 nm SAB膜）；（4）新衬底标准工艺的SAB膜：55 nm；（5）新衬底加厚的SAB膜：80 nm；（6）新衬底加厚的SAB膜：100 nm。2.4 评估原则根据JEDEC国际标准，非易失性存储器IP核的数据保持力合格性的测量方法如下：第一步：先做CP测试，方法是针对新样品先做CP1，然后在250 ℃、2

电子与封装 2014年12期2014-12-05

图形化Si基Ge薄膜热应变的有限元分析

性能．目前在Si衬底上生长Ge薄膜主要有3种工艺[1-3]:1) 组分渐变的SiGe缓冲层;2) 低温Ge缓冲层;3)
图形衬底技术．前2种方法虽然工艺简单,但生长材料过渡层较厚,不利于后期某些集成器件的制作．有研究表明,图形衬底技术在位错捕获、应变释放等方面有着明显的优势[4-6],可直接在Si衬底上制备出位错密度小的高质量外延层．早在20世纪90年代,贝尔实验室[7]在边长70 μm的正方形Si图形衬底上通过分子束外延(MBE)生长得到近乎无位错的Si

厦门大学学报（自然科学版） 2014年5期2014-08-07

基于动态衬底电阻的自衬底触发ESD保护器件

环最远导致其寄生衬底电阻最大。当ESD应力施加到保护器件漏极时，中间叉指的寄生LNPN基极电压能够最快达到导通阈值，使得中间叉指将会早于其他叉指导通。一旦中间叉指NMOS被触发，ESD应力电压将会被箝位到其保持电压，则ESD电流只能通过中间叉指局部区域泄放，即出现不均匀导通现象[4－5]。最终在其他叉指尚未导通前保护器件就已被损毁，使得保护器件鲁棒性大大降低。针对多叉指GGNMOS保护器件不均匀导通现象提出了许多解决的方法，包括使用栅耦合NMOS GCNM

西北大学学报（自然科学版） 2014年1期2014-06-11

2014年蓝宝石衬底供需可望达到平衡

不淡；加上蓝宝石衬底于智能手机上的用途越来越多元化，包括相机的保护镜头与Home 键都开始导入蓝宝石衬底材料。使得蓝宝石衬底需求持续成长，预计2014年蓝宝石衬底行业的供需将可望达到平衡。特别是蓝宝石衬底市场价格已经逐渐走出谷底，两寸蓝宝石晶棒市场受惠于LED 与非LED市场需求之下，三月的价格开始出现了回升，价格落在USD4.2～4.5；四寸晶棒市场则明显受惠于LED 市场需求之下，价格来到了USD16～18；六寸晶棒市场却因为LED 需求厂商有限，加上

电子工业专用设备 2014年4期2014-03-26

LED用蓝宝石衬底抛光后湿法清洗研究

）LED用蓝宝石衬底抛光后湿法清洗研究卓志国1，2，周.1，施建国3，冯.1（1.盐城工学院，江苏 盐城.24051；2.常州大学，江苏 常州.13164；3.安徽华菱汽车有限公司，安徽 马鞍山.43061）摘.：LED被认为是下一代主要照明工具，其以高质量的衬底基片外延GaN层，目前主要用化学机械抛光后的蓝宝石晶片作为衬底，但抛光后的衬底表面布满杂质，这些杂质会导致外延层缺陷，降低发光率甚至使器件失效。探讨了在蓝宝石衬底清洗过程中，HF、表面活性剂、氧化

机械设计与制造 2014年1期2014-03-21

碲镉汞焦平面器件背面减薄技术

镉汞薄膜生长在硅衬底上［3］，将问题转化为碲镉汞材料制备过程;有的采用衬底减薄的办法［4］，对减薄工艺提出了很高的要求;还有的采用其他技术途径解决这一问题［5－7］。本文采用对底部填充的碲镉汞焦平面器件衬底减薄的方法，通过机械抛光和机械化学抛光进行碲锌镉衬底背面减薄，最后采用专用腐蚀液A腐蚀的方法将碲锌镉衬底全部腐蚀去除，碲镉汞全部露出;减薄后的MW1280×1024器件经受高低温循环冲击的可靠性显著提高，取得了良好的应用效果。2 试验将互连后的碲镉汞焦平

激光与红外 2014年6期2014-01-23

基于深亚微米工艺的栅接地NMOS静电放电保护器件衬底电阻模型研究*

碰撞离化电流源、衬底电阻等几部分构成[3],其中的衬底电阻取常数值.然而由于电导率调制效应的存在,衬底电阻在保护器件工作期间呈现出逐渐减小的趋势[9].采用常值衬底电阻模型,将高估衬底电阻值,低估衬底电流,导致保护器件的雪崩击穿特性仿真不准确[10−12].Ramaswamy等[4]通过引入流控电压源修正了常值衬底电阻模型,但由于其难以根据器件版图尺寸实现可调性,该模型移植性较差.文献[13]在流控电压源模型的基础上分析了部分版图参数对保护特性的影响,但对

物理学报 2013年4期2013-12-12

LED蓝宝石图形化衬底的研究进展及发展趋势

i、SiC等作为衬底材料，用于生长GaN薄膜。蓝宝石因具有的化学和物理性质稳定、光学特性好、成本合适等优点[3-5]，被广泛使用。但是由于GaN薄膜和蓝宝石衬底之间存在较大的晶格失配和热应力失配，造成GaN外延层在生长过程中产生大量缺陷[6]。这些缺陷作为非辐射复合的中心，对载流子产生散射作用，限制发光效率的提升，而且会使LED器件产生较大的漏电流，降低器件的寿命。与此同时，GaN与空气间存在全反射现象，又大大削弱了LED的外量子效率。图形化衬底技术作为一

电子工业专用设备 2012年12期2012-09-16

国内LED衬底材料的应用现状及发展趋势

人性化发展，对其衬底材料提出了越来越高的要求。LED的制备过程分为上游、中游和下游三个阶段，如图2所示，其上游的材料制备阶段主要包括晶体生长、晶棒切割、减薄、抛光等，中游的晶圆加工阶段主要包括电极、腐蚀、光刻、图形、减薄、清洗、检测等，下游的封装阶段主要包括划片、粘片、烧结、压焊、封装、化切、分选、包装等。由图2可以看出，LED制备涉及的技术领域广泛，技术工艺多样化，上下游之间的差异巨大，具有典型的不均衡产业链结构，上游环节进入壁垒大大高于下游环节 (上游

电子工业专用设备 2011年7期2011-06-28

基于衬底驱动技术的模拟电路设计*

64000）基于衬底驱动技术的模拟电路设计*张长青,朱 猛（信阳农业高等专科学校,河南 信阳 464000）在进行低电压低功耗模拟电路设计的众多技术中，衬底驱动（BD）技术由于设计简单和使用传统MOS工艺实现的特点，而被很多的设计所采用。本文利用这一原理,在标准CMOS工艺和±0.7 V电源电压前提下设计低电压低功耗标准模块,最后在TSMC0.25 μm CMOS工艺模型下，用Spice模拟器验证了模拟仿真结果。衬底驱动MOS；电流镜；跨导运算放大器；电流

网络安全与数据管理 2011年24期2011-01-22

一种0.9V低电压低本振功率CMOS有源混频器＊

并采用MOS管的衬底效应提高其噪声性能与线性指标。在2.4 GHz ISM频段进行验证,证实了其有效性和可行性。2 衬底效应混频器2.1 工作原理图1所示为本文设计的利用衬底效应的低工作电压CMOS双平衡混频器的原理电路(没画出其偏置电路部分)。PMOS管M1 ～M4为开关对,电阻作为输出负载;晶体管 M1 ～M4 的栅极(G)到衬底(B)之间分别由电容C1 ～C4连接。开关对MOS管偏置于夹断区附近,在本振(LO)信号的控制下, M 1(M4)和M2 (

电讯技术 2010年1期2010-03-18