迁移率
- 烘焙纸中残留甲苯向食品模拟物中迁移分析
温度越高，甲苯迁移率越大；迁移率随迁移时间的延长而升高，但超过40 min后，甲苯向Tenax-TA中的迁移率出现明显下降趋势；纸张定量越大，迁移率越低；初始浓度对迁移率的影响不显著；微波功率越高，迁移率越大。随着微波时间的延长，迁移率呈先升高后降低的现象。扫描电镜结果表明，经过高温烘焙后，纸张纤维孔隙的尺寸及数量有所增加。烘焙纸中残留甲苯在一定条件下向食品模拟物中发生迁移，纸张内部纤维结构的变化使甲苯分子更容易穿过孔隙进入食品中，加速了迁移的发生。烘焙纸
包装工程 2023年19期2023-10-16
- AlN/β-Ga2O3 异质结电子输运机制*
散射机制限制的迁移率,评估了不同散射机制的相对重要性.结果表明,2DEG 面密度随AlN 厚度的增加而增加,当AlN 厚度为6 nm,2DEG 面密度可达1.0×1013 cm–2,室温迁移率为368.6 cm2/(V·s).在T 184 K 的温度区间,极性光学声子散射是限制2DEG 迁移率的主导散射机制.1 引言早在20 世纪50 年代,科学家们已经就Ga2O3材料开展相关研究,在目前已知的Ga2O3五种同素异形体中,单斜晶系的β-Ga2O3是一种超宽
物理学报 2023年2期2023-02-18
- AlxGa1-xN 插入层对双沟道n-Al0.3Ga0.7N/GaN/i-AlxGa1-xN/GaN HEMT 器件性能的影响*
序散射的减弱使迁移率增大,位错散射增强致迁移率变小,总迁移率主要由合金无序散射决定.在第二沟道中,当AlxGa1—xN 的Al 组分和厚度提升时,二维电子气密度随之增大,由于较低的势垒高度以及高渗透电子的作用,第二沟道中的合金无序散射影响更大,合金无序散射迁移率随AlxGa1—xN 层的Al 组分和厚度的增加而减少且变化趋势逐渐趋于平缓,位错散射作用的减弱导致迁移率的提升.总体上,第一沟道势阱中受到的位错散射低于第二沟道势阱.随着背势垒厚度的增加,第二沟道
物理学报 2022年16期2022-08-28
- 光固化涂料中光引发剂迁移行为及其细胞毒性的研究
涂膜中光引发剂迁移率测试将固化后的涂膜用粉碎设备裁剪成一定尺寸，称量约20 mg 涂膜，精确至0.1 mg，放置于离心管中；按照每0.1 g 涂膜加入10 mL 乙腈在一定温度条件下进行恒温浸提，提取时间为12 h；提取完毕后用0.22 μm 的有机相滤膜过滤提取液，再用乙腈将滤液稀释10 倍。随后使用HPLC-DAD 对浸提液进行测试，根据光引发剂在液相色谱柱中的保留时间以及二极管阵列检测器测到的紫外-可见吸收光谱对光引发剂进行定性定量测试，液相色谱与二
涂料工业 2022年5期2022-06-16
- ε-(AlxGa1-x)2O3/ε-Ga2O3异质结电子输运性质研究
面2DEG沟道迁移率的增加，这是由于减少了电离杂质散射并且增强了2DEG沟道对声子模式的屏蔽。要想获得高密度的2DEG，需要对β-(AlxGa1-x)2O3阻挡层进行大量的掺杂以及插入极薄的隔离层，同时还需要严格控制生长参数和突变的异质界面以及尖锐的掺杂轮廓[3]。β-Ga2O3晶体结构具有对称中心，但缺乏任何特殊性质，如压电性、铁电性等[4]；而Ga2O3的亚稳相ε-Ga2O3，由于其超宽的带隙和独特的材料特性引起了人们的兴趣。早在1952年，Roy等[
人工晶体学报 2022年3期2022-04-14
- 立方砷化硼有潜力成为比硅更优的半导体材料
和更高的双极性迁移率，有潜力成为比硅更优良的半导体材料。硅是目前应用最广泛的半导体材料，然而硅作为半导体有两项不足。第一，硅不太善于传导热量，导致芯片温度总是过热，散热问题已经成为制约芯片性能的重要因素。第二，硅有较好的电子迁移率，但不具备足够好的空穴迁移率，后者对半导体性能也很重要。材料中带负电的电子离开后，留下带正电的空位，被称作“空穴”。电子迁移率和空穴迁移率统称为双极性迁移率。科学家认为，立方砷化硼在理论上同时具有比硅更好的导热性，以及更高的双极性
河南科技 2022年15期2022-03-25
- InGaN插入层对AlGaN/GaN界面电子散射的影响*
双异质结高电子迁移率晶体管中极化电荷面密度、二维电子气(2DEG)浓度的影响, 理论分析了不同In摩尔组分下, InGaN厚度与界面粗糙度散射、随机偶极散射和极性光学声子散射之间的关系.计算结果表明: 界面粗糙度散射和随机偶极散射对双异质结AlxGa1–xN/InyGa1–yN/GaN的电子输运性质有重要影响, 极性光学声子散射对其影响最弱; 2DEG浓度、界面粗糙度散射、随机偶极散射和极性光学声子散射的强弱由InGaN势垒层厚度和In摩尔组分共同决定.1
物理学报 2021年17期2021-09-17
- 大气离子迁移率对直流线路合成电场与离子流密度影响的研究
值被定义为离子迁移率，它是描述离子在电场中运动特性的重要物理量。同时，离子迁移率也是计算高压直流输电(HVDC)线路合成电场和离子流密度的重要参量[1-3]。当输电线路表面的电场强度超过电晕放电起始电场强度时，导线周围的空气分子被电离成正负离子，或称为空间电荷[4-5]。在输电线路和地面之间的电场作用下，空间电荷发生定向运动，进而产生离子电流。空间电荷的电场与输电线路和地面间原有的电场相互作用，形成离子流场，或称为合成电场[6-8]。大气离子迁移率会随环境
东北电力技术 2021年7期2021-08-06
- 中国青年女性的初次迁移：趋势与影响因素
死亡率相对等的迁移率指标，以此为基础分析中国人口迁移的水平与趋势。二、数据与方法目前中国关于人口迁移流动的数据主要来自国家统计局的人口普查和原国家卫计委的流动人口监测调查。人口普查或小普查有按照户籍地和常住地区分的人口数据，按照外出时间划分的流动人口数据以及与5年前或1年前的常住地相比发生变化的人口数据。人口普查或小普查提供的按照户籍地和常住地区分的人口数据以及按照外出时间划分的流动人口数据是流动人口规模数据，是流动人口存量数据，而按照5 年前或1 年前的
人口学刊 2021年3期2021-05-30
- 中国人口的迁移转变
人口学意义上的迁移率指标的研究。文章利用2010—2015年历次中国综合社会调查的合并数据，通过人口学方法和泊松回归模型，计算和分析了1950—2015年中国人口迁移率趋势及社会经济差异。中国的迁移转变在宏观趋势上与中国的政治经济变迁高度一致。与死亡和生育转变相比，其波折性更强，说明更易受到经济社会政策变化的冲击。同时也观察到逢“0”和逢“5”年份的申报偏好。另外，迁移的社会经济差异明显。男性迁移率高于女性，但是两性差异在不断缩小;乡城迁移和未婚迁移大幅度
人口与经济 2021年1期2021-04-09
- 量子点薄膜晶体管的研究
）导致其载流子迁移率较低，同时量子点表面还有很多阴阳离子因为周围配体的位阻未能结合配体而形成悬空键，悬空键作为中间带隙可以捕获载流子也就阻碍了电荷传输，因此，以量子点作为活性层材料的TFT，其载流子迁移率落后于硅基TFT，甚至落后于有机TFT。如果以合适的材料替换掉量子点表面的长链配体，量子点TFT的迁移率等性能会有质的飞跃。本文介绍了量子点的制备、量子点TFT器件的制备和量子点TFT的研究进展。1 量子点的制备量子点的制备通常分为油相法和水相法。水相制备
电子元器件与信息技术 2021年1期2021-03-12
- 气相色谱-串联质谱法考察茶汤中49种农药的迁移规律
绿茶到茶汤中的迁移率,并得出溶解度会影响农药迁移率的结论。文献[7]研究了花茶中拟除虫菊酯类农药的迁移情况以及影响迁移情况的因素。由于农药在泡茶过程中的迁移情况主要取决于农药在水中溶解度和农药的正辛醇-水分配系数(Log Kow)[8],本工作通过研究茶叶中的农药在不同泡茶频率时的迁移情况,考察多种农药从茶叶到茶汤的迁移率同各农药的物理性质(分配系数、溶解度)之间的关系。通过考察茶叶中农药到茶汤的迁移率,可以为制定茶叶中MRL提供参考依据,同时推荐茶叶种植
理化检验-化学分册 2020年9期2020-10-22
- 基于相对迁移率的节节麦醇溶蛋白组成分析
-PAGE)中迁移率的不同，进一步将醇溶蛋白细分为α，β，γ和ω醇溶蛋白(迁移率大小为ω节节麦(Aegilopstauschii,DD,2n=2x=14)是普通小麦D染色体组的二倍体供体物种[10]，广泛分布于西起中东各国，东至中国的广阔地域，具有丰富的遗传多样性[11]，拥有大量现代普通小麦品种所不具备的有益基因[12-14]。节节麦中醇溶蛋白位点的结构和作用机制与普通小麦相似[15-16]，Gli-D1和Gli-D2位点具有多个等位基因的特征，这使得区
西北农业学报 2020年6期2020-08-17
- 一种IMS信号校正算法
的IMS信号的迁移率受环境因素影响比较大，提高IMS信号迁移率的探测精度，减少误判一直是 IMS技术的研究热点之一。IMS信号的迁移率随周围环境因素的变化而变化，迁移管的构造、电场强度、温度、气压和湿度等一些因素都会对它产生影响。一般采用精确控制或测量迁移环境的做法来提高迁移率的探测精度，但有些是不易控制的，有些精确测量的成本比较高。利用修正技术，对 IMS信号的峰位置进行校正，减弱外界因素对 IMS技术中离子迁移率的影响，一方面保证物质的正确识别，另一方
装备环境工程 2020年7期2020-08-07
- 基于蒽衍生高迁移率发光材料的研究进展
Ts)的载流子迁移率从10-5cm2·V-1·s-1提高到10 cm2·V-1·s-1以上, 基于p型材料的有机场效应晶体管的空穴迁移率高达40 cm2·V-1·s-1[6～10], 可以满足电子纸、 有机传感及驱动显示等领域的应用需求. 将光转变为电的有机光伏器件(OPVs)的初始光电转化效率不到1%, 目前已超过16%(单结电池最高效率达16.74%, 叠层电池的最高效率达17.3%)[11～16]. 在柔性显示和照明方面具有重要应用前景的有机发光二极
高等学校化学学报 2020年6期2020-07-05
- 十六烷-水乳液界面电位极大值的理论计算
过测量界面的电迁移率[22-26]、测量界面的电流或者电势[9]从而得到其相应的Zeta电位值，从得到的Zeta电位值就可以转化为界面的电荷信息. 理论上，Zeta电位值基于估衣-查普曼(Gouy-Chapman)理论的Graham方程表达如下[3, 27]：(1)界面电荷密度Γ或σ是Zeta电位ζ和体系总离子强度浓度I的函数，e是基元电荷，εr是溶剂的相对介电常数，ε0是真空介电常数，kT是热力学能量，z是离子价态. 根据Graham方程可知，一般情况下
原子与分子物理学报 2020年4期2020-05-13
- 绕管式换热器层间质量迁移特性的试验研究
壳侧工质的层间迁移率，得到质流密度、干度和入口条件对绕管换热器壳侧工质层间质量迁移特性的影响规律。1 试验系统1.1 试验方法层间迁移率的测量通过设置单通道的均布装置实现，测试原理如图1所示。图1 层间迁移率测试原理在绕管换热器样件顶部，安装设计成单层通道的均布器装置，使所有入口的两相流体喷淋到样件的单层绕管上。在换热器内部的流动过程中，一部分流体受到湍流和气流冲击的影响，会向邻近层发生迁移，使其它层绕管外壁也存在液体流动。在换热器底部，通过接液装置将每一
流体机械 2020年3期2020-05-06
- 一种补偿阈值电压和迁移率变化的像素电路设计
且能补偿驱动管迁移率的变化。仿真结果表明，驱动管的阈值电压变化±0.5 V时，驱动电流变化约为9%，驱动管的迁移率变化±30%时，驱动电流变化约为6%，因此，本电路达到了稳定驱动电流的效果。关键词： 像素电路;多晶硅薄膜晶体管;阈值电压;迁移率【Abstract】 A voltage-programming pixel circuit suitable for low-temperature polysilicon thin film transistor
智能计算机与应用 2019年5期2019-12-05
- 硅/锗基场效应晶体管沟道中载流子散射机制研究进展*
层载流子的有效迁移率(effective mobility)[6].即使在短沟道,甚至弹道传输器件中,迁移率仍然可以很大程度上影响器件性能[7].应变技术和采用新沟道材料都是提高沟道载流子迁移率的有效手段.应变技术在90 nm以及更先进的集成电路技术中已被广泛采用[8,9],关于应变对载流子迁移率影响的深入理解至关重要.其次,高迁移率新沟道材料器件技术也逐渐被提上日程,半导体材料Ge因同时具有较高的电子和空穴迁移率而备受青睐[10,11].目前,国际上对G
物理学报 2019年16期2019-08-29
- 主、侧链修饰对异靛蓝基共轭聚合物结构及电学性能的影响
有效提高载流子迁移率[4-6]，因此D-A共轭聚合物成为当今研究最广泛的有机半导体材料之一。但是不同的分子结构以及主侧链的变化会导致不同的分子堆积方式，从而导致载流子迁移率产生较大的变化[7-10]。为此，我们需要对D-A共轭聚合物分子结构与电学性能之间的关系有更深入的认识，才能够设计出具有高迁移率的D-A共轭聚合物。关于改变D-A共轭聚合物主链结构对其性能影响的研究已经有很多了，然而，单方面对主链结构进行修饰改性常常不能同时满足加工性能和电学性能的需求，
液晶与显示 2019年7期2019-08-27
- 硒化镉纳米线在应力作用下的第一性原理研究
-4]，载流子迁移率约为800 cm2·V-1·s-1。通过掺杂CdSe可以形成n型半导体和p型半导体[5]。然而，目前对CdSe纳米线载流子迁移率的研究还很少。为了提高纳米线结构的光电性能，可通过施加应力调控其能带结构，以实现增强载流子输运性能。2011年，Peng等[6]发现可以通过施加应变力有效地调节Si/Ge纳米线的能带结构，Yang等[7]发现不同尺寸的纳米线在受到应变作用时，其带隙的变化情况是不同的。因此，为了提高CdSe纳米线的电学性能，可以
人工晶体学报 2019年7期2019-08-22
- 喜鹊雌雄个体血清蛋白比较分析
体共分离出电泳迁移率0.852～0.031的20条谱带，雌、雄性个体分离出的谱带数分别是18条和17条，其中有15条谱带为雌雄个体的共有谱带。在迁移率0.316、0.063、0.054处的谱带为雌性个体特有的谱带，在迁移率0.406、0.391处的谱带为雄性个体特有的谱带。喜鹊雌雄个体血清蛋白的谱带分布和活性强弱存在明显差异。关键词：喜鹊（Pica pica）;血清蛋白;聚丙烯酰胺凝胶电泳;迁移率;谱带中图分类号：Q959.7+39 文献标
湖北农业科学 2019年11期2019-07-22
- 宁夏地区信用卡债务风险分析
状，并通过计算迁移率获知坏账高发期，对银行卡风险管理提出了建议。[关键词]信用卡;风险;迁移率一、引言信用卡除了能为各银行带来利息收入、年费收入、商户回佣收入、取现费和惩罚性费用等显性收益外，还能为银行锁定账户和资金、协同推进其他业务。近年来，宁夏地区信用卡数量和业务量保持快速增长，银行在从信用卡中获取利益的同时，也产生了一些风险。二、宁夏地区信用卡债务分析（一）信用卡债务情况2018年末，宁夏地区信用卡在用发卡数量约360万张，同比增长36%，授信总额约
商情 2019年26期2019-06-25
- 一维准周期晶格中玻色子对的迁移率边*
中的玻色子对的迁移率边.通过微扰方法,解析推导出强相互作用极限下准周期晶格中玻色子对迁移率边的解析表达式,通过数值证明在系统参数b较小时,迁移率边的解析结果符合得较好,而当b→1时,解析结果将发生偏离.1 引言60多年前,安德森在一篇标志性的文章中预测了无序系统中的单粒子波函数具有局域的特性,这一现象被称为安德森局域化[1],在凝聚态物理的各个重要分支被广泛关注.安德森模型中最为重要的概念之一是存在扩展态与局域态的迁移率边[2-7],即费米面从位于扩展态区
物理学报 2019年8期2019-05-29
- AlGaN插入层对InAlN/AlGaN/GaN异质结散射机制的影响∗
无序散射是限制迁移率的主要散射机制,该组分范围之外,子带能级波动散射是限制迁移率的主要散射机制;当Al摩尔百分含量超过0.52,三种散射机制共同限制的迁移率超过无插入层结构的迁移率,AlGaN层显示出对迁移率的提升作用.1 引 言GaN材料具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大和化学性质稳定等诸多优点,并能和禁带宽度更大的氮化物材料结合形成异质结,以高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs
物理学报 2019年1期2019-01-25
- 微专题教学设计 试探性构建分析
——以人口数量的变化为例
然增长率和人口迁移率之和。1.人口自然增长率与人口数量的增长(1)人口自然增长率是由出生率和死亡率决定的。(2)人口数量的增长与人口基数大小、人口自然增长率有关。①在不同地区或国家人口自然增长率相等的情况下，人口基数越大，人口增长的数量越多。年净增人口数(净增人口数，即用出生人数减去死亡人数所得的结果，而净增人口率则是用出生率减去死亡率，也叫做自然增长率)=人口基数×自然增长率=出生人口数-死亡人口数。②人口自然增长率与人口数量增长的关系。人口增长中的“增
教学考试(高考地理) 2018年1期2018-07-20
- 重症监护病房患者呼吸机相关性肺炎影响因素及高迁移率族蛋白1表达对预后的影响
的炎性反应，高迁移率族蛋白1是一种炎性蛋白，据研究报道对脓毒症患者具有较强的预测价值，但目前对使用机械通气的ICU患者的报道较少[1]。现探讨ICU患者呼吸机相关性肺炎的危险因素及高迁移率族蛋白1对临床预后的影响。1 资料与方法1.1一般资料 2016年1月至2017年1月连续性收集该院收治的机械通气ICU患者143例。纳入标准：(1)该院ICU患者。(2)使用机械通气且持续时间大于或等于3 d。(3)知情并同意参与本研究。(4)年龄大于或等于18岁。排除
检验医学与临床 2018年10期2018-05-29
- 酞菁铜I睼特性研究
酞菁铜内载流子迁移率的大小。本文详细介绍了酞菁铜薄膜热蒸发工艺，制作了ITO/CuPc/金属结构，测试了其电流-电压特性，并分析了在不同薄膜面积下其导电能力的变化。关键词：酞菁铜；薄膜；载流子；迁移率；热蒸发1 概述酞菁铜是一种常见的化学染料，其结构与血红素、叶绿素等生物的基本结构具有相似之处，在颜料、染料和油墨等工业中占有重要地位。由于酞菁铜分子具有大的共轭体系使其不仅具有优异的化学稳定性、热稳定性、难燃性以及耐光、耐辐射性能，而且还具有导电性、光电导性
科技风 2018年9期2018-05-14
- 小尺寸单轴应变Si PMOS沟道晶面/晶向选择实验新发现∗
发生变化,空穴迁移率获得增强.单轴应变Si应用于小尺寸沟道p型金属氧化物半导体(PMOS)时,器件性能显著提升,是延续摩尔定律的重要技术手段[1−10].小尺寸单轴应变Si PMOS沟道反型层迁移率与晶面/晶向密切相关,优化设计器件时应选择合理的晶面/晶向[11−14].目前,有关单轴应变PMOS沟道反型层迁移率晶面/晶向排序结论已有相关文献[15]报道(见图1).图1(a)—(c)为弛豫情况下Si PMOS反型层载流子迁移率随晶面/晶向变化图,当未施加应
物理学报 2018年6期2018-03-26
- 结晶性和粒子尺寸对C60薄膜晶体管迁移率的影响
李 谊 韩 笑 孙志鹏 马延文（南京邮电大学材料科学与工程学院，南京 210023）0 IntroductionIn recent decades,organic thin film transistors（OTFTs）have received considerable attention owing to their low cost,low temperature process,compatibility with plastic substrat
无机化学学报 2018年3期2018-03-14
- Se掺杂制备电致发光器件的研究
下器件载流子的迁移率由2.03×10-7cm2/V·s提高到8.31×10-6cm2/V·s，增大了40倍。在外加电压3V时，器件载流子迁移率由2.77×10-5cm2/V·s提高到1.99×10-4cm2/V·s，因此Se的掺杂能够提高OLED载流子的迁移率。然而在器件亮度方面，在掺杂Se后，发现在同一电压下器件的发光亮度明显降低，经测试发现这是因为Se的颜色较深导致掺杂层颜色较深，导致发射层发射出的光子有部分由掺杂层吸收，因而器件发射出来的光子减少。【
电子技术与软件工程 2018年20期2018-02-28
- 卷烟主流烟气重金属迁移率与烟叶中重金属不同形态之间的关系研究
主流烟气重金属迁移率与烟叶中重金属不同形态之间的关系研究周茂忠1,3，张悠金1，姚鹤鸣2，刘百战2，陆怡峰2，胡建军4，李永霞5，张珲姿5，董建江6，洪深求6，孙高军61 中国科学技术大学，化学系，烟草与健康研究中心，合肥市金寨路96号 230026;2 上海烟草集团有限责任公司，技术中心，上海市长阳路717号 200082;3 红云红河集团昆明卷烟厂，昆明市红锦路366号 650202;4 中国烟草总公司职工进修学院，郑州市鑫苑路7号 450008;5
中国烟草学报 2017年2期2017-11-16
- AlN间隔层厚度对AlGaN/GaNHEMT器件电学特性的仿真研究
/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）性能。为了提高器件的2DEG密度、迁移率和漏电流，本文采用AlGaN和GaN之间引入一层薄的AlN间隔层的方法。使用Silvaco仿真工具模拟了不同AlN间隔层厚度对载流子浓度、迁移率和量子阱深度的影响。器件仿真结果表明：在HEMT器件中插入薄AlN间隔层可以增加载流子浓度和迁移率，并加大了导带不连续性。另外，器件的电子迁移率在AlN厚度为0.2nm时取得最大值，而载流子浓度和漏电流随AlN层厚度增加而持续上升。关键词
科技风 2017年8期2017-10-21
- 丁香酚在主流烟气中的迁移率研究
在主流烟气中的迁移率，指导烟用香精的配制和添加用量。[方法] 通过考察捕集方式、色谱条件对丁香酚的影响，建立了通过内标法定量的方法，测定主流烟氣中丁香酚占烟丝中喷洒的丁香酚的质量百分比，从而测定丁香酚精油在主流烟气中的迁移率。[结果]跟空白样品对照发现，丁香酚能通过滤棒随主流烟气溢出，其在主流烟气中的迁移率为8.23%。目标物在1～400 μg/mL的范围内呈线性关系，相关系数R2=0.999 8。以卷烟样品为分析对象，进行精密度试验，计算6次平行结果的相
安徽农业科学 2017年12期2017-05-30
- 甾醇在油炸过程中迁移规律的研究
醇和β-谷甾醇迁移率变化为指标，对甾醇在油脂和食品体系中的热迁移规律进行研究。研究发现，煎炸薯条更有利于甾醇的迁移。煎炸薯条时，油脂基质对豆甾醇和菜油甾醇迁移率影响顺序为菜籽油＞茶籽油＞葵花籽油＞棕榈油，油脂基质对β-谷甾醇迁移率影响顺序为菜籽油＜茶籽油＜葵花籽油＜棕榈油。整体而言，甾醇结构对甾醇迁移率影响顺序为豆甾醇＜菜油甾醇＜β-谷甾醇；煎炸鸡腿肉时，油脂基质对甾醇迁移率影响顺序为菜籽油＞葵花籽油＞棕榈油＞茶籽油，甾醇结构对甾醇迁移率影响顺序均为β-谷
农产品加工 2017年6期2017-05-09
- 胶质瘤相关性癫痫组织高迁移率族蛋白B1的表达
关性癫痫组织高迁移率族蛋白B1的表达林 岚 杨 淑 沈云松1盖雪松2梅 茸 唐 浩(云南省第一人民医院神经内科，云南 昆明 650032)目的 探讨胶质瘤相关性癫痫致痫组织中蛋白B1的表达。方法 选取72例胶质瘤相关性癫痫患者的胶质瘤标本作胶质瘤并癫痫组，同期行手术治疗的70例未伴发癫痫的胶质瘤患者的胶质瘤标本作胶质瘤无癫痫组，同期70例药物难治性癫痫患者致痫病灶标本作非肿瘤癫痫组，20例接受颅内减压术治疗的患者的脑组织标本作对照组。分析胶质瘤并癫痫组患者
中国老年学杂志 2016年23期2016-12-23
- 食品塑料包装中抗氧化剂迁移研究*
化剂向食物中的迁移率增加不再明显。两种抗氧化剂向不同食物中的迁移率也不一样，向猪肉中的迁移率最高，米饭次之，向果蔬类食品中的迁移率最小。高密度聚乙烯包装；抗氧化剂1076；抗氧化剂168；微波条件；迁移食品安全问题是关系民生的重大问题之一，收到了社会和消费者极大的重视。目前食品包装主要以塑料包装为主，而为了提高塑料产品的力学性能、化学稳定性及使用寿命等应用性能，往往会在材料基体中添加一些着色剂、增塑剂、抗氧化剂、光稳定剂、热稳定剂等小分子物质。这些小分子添
工程塑料应用 2016年9期2016-10-18
- 有源层厚度对氧化铟镓锌薄膜晶体管性能的影响
阈值摆幅和饱和迁移率则会随有源层厚度的增大而增大。此外，还研究了有源层厚度对器件偏压稳定性的影响。有源层厚度越大的器件，其阈值电压漂移也会越大。这主要与半导体层中所增加的缺陷态密度有关。关键词:氧化铟镓锌；薄膜晶体管；有源层厚度；迁移率；氧空位；稳定性吴捷（1991－），男，浙江温州人，研究生，研究方向为IGZO-TFT的工艺与制备，E-mail:wujiecn@foxmail.com 。网络出版时间：2016-05-31 11:09:35 网络出版地址：
电子元件与材料 2016年6期2016-07-23
- 离子迁移率和复合率取值对特高压直流输电线路离子流场的影响研究
0007)离子迁移率和复合率取值对特高压直流输电线路离子流场的影响研究邹妍晖1，岳一石1，吕玉宏2，欧阳玲1，曾惠芳1，吕建红1(1.国网湖南省电力公司电力科学研究院，湖南长沙410007；2.国网湖南省电力公司，湖南长沙410007)采用上流有限元法定量分析了离子迁移率和离子复合率对±800 kV特高压直流输电线路地面合成场强和离子流密度的影响。结果表明，离子迁移率对地面合成场强影响不大，而地面离子流密度随着迁移率的增大呈线性变化；两者均随离子复合率的增
湖南电力 2016年4期2016-03-29
- 纸质包装材料中甲醛、乙醛向食品模拟物改性聚苯醚的迁移行为
致相同，均呈现迁移率随迁移时间延长先迅速增大，后又减小达到一个常数；甲醛和乙醛迁移率受温度的影响不同，达到平衡后，甲醛在30℃下迁移率最高，乙醛在70℃和50℃下迁移率高；甲醛和乙醛向Tenax中的迁移率差异较大，达到平衡后，乙醛的迁移率远高于甲醛。endprint
分析化学 2015年7期2015-07-30
- 大尺寸金属氧化物TFT面板设计分析
示尺寸与TFT迁移率、金属方块电阻、刷新频率以及器件结构的关系。在大尺寸高分辨率AMOLED面板设计中，信号线RC延迟是主要限制因素。TFT迁移率的提高在一定范围内对大尺寸显示面板设计有利，降低RC延迟是实现大尺寸、高分辨率、高刷新频率显示的关键技术。开发铜布线技术和低寄生电容TFT器件结构是未来大尺寸AMOLED显示的关键技术。AMOLED； 大尺寸； 高分辨率； RC延迟1 引 言大尺寸化、超清化以及3D显示是未来电视发展的重要方向。4K2K大尺寸电视
发光学报 2015年5期2015-05-05
- 冠心病患者血清高迁移率族蛋白1 与冠状动脉侧支循环相关性分析
12200）高迁移率族蛋白1 是反应病变的一个因子，血清高迁移率族蛋白1 浓度的变化反应了不同疾病的病变情况。风湿关节炎患者血清高迁移率族蛋白1 的表达变化反应了类风湿关节炎的发病情况［1］。高迁移率族蛋白1 和心血管疾病也有明显的相关性［2-3］。血清高迁移率族蛋白1 在多种疾病中均有不同程度的表达。冠状动脉侧支循环与多种因子有相关性，研究发现冠状动脉侧支循环与血清单核细胞趋化因子1 有关［4］，冠状动脉侧支循环与超敏C 反应蛋白有关［5］，冠状动脉侧支
湖南师范大学学报（医学版） 2015年6期2015-04-23
- 接装纸和成型纸透气度对卷烟中元素迁移行为的影响
气、烟蒂和烟灰迁移率的影响，旨在为低危害卷烟产品的开发提供参考。1 材料与方法1.1 材料、试剂和仪器5 种不同透气度（0，100，400，800 和1 200 CU）激光打孔接装纸，长度固定为32 mm；5 种不同透气度（3 300，4 500，6 000，10 000 和15 000 CU）成型纸；某牌号卷烟（烤烟型）同一批次的烟丝，木浆卷烟纸（定量28 g/m2、透气度60 CU）；普通醋酸纤维滤棒样品（滤嘴长度24 mm、滤棒吸阻4 000 Pa、
烟草科技 2015年6期2015-02-08
- Tips－PEN薄膜载流子迁移率的稳态SCLC与阻抗谱法测量的研究
，导致了载流子迁移率强烈的依赖温度、电场强度和载流子浓度，这种依赖性主要取决于材料的态密度分布［3－4］。迁移率是研究材料中荷电载流子输运过程以及器件电学特性等重要的输运参数。目前，各种方法已用于测量有机材料载流子迁移率，如渡越时间法［5－6］、暗电流注入法［7－8］、稳态空间电荷限制电流法（SCLC）以及阻抗谱法［9］等。渡越时间法由于激光穿透到样品的一定深度，对于薄的样品将产生较大的测量误差，因此，样品厚度必须大于1μm。阻抗谱法可以揭示载流子的动态特
液晶与显示 2014年6期2014-11-09
- Cu-Pt和Pd-Pt二元合金系中fcc相扩散迁移率参数的优化与计算
fcc相的扩散迁移率参数进行优化与计算,同时有关Cu-Pt和Pd-Pt基础二元合金系扩散的研究可以为Pt基多元合金系扩散的研究提供理论信息.近年来,扩散的计算模拟是相变研究的一个重要发展方向.DICTRA (diffusion controlled transformation) 软件包是其中一个有效的模拟工具,它在CALPHAD (calculation of phase diagram)框架下进行操作,是CALPHAD方法的扩展[7-11].在扩散实验
厦门大学学报（自然科学版） 2014年5期2014-08-07
- 基于空间电荷限制对有机材料空穴迁移率的测定
对有机材料空穴迁移率的测定胥开芳，张登高（盐城生物工程高等职业技术学校，江苏盐城 224051）利用空间电荷限制电流的方法测定有机材料的空穴迁移率。用SCLC方法测试得到NPB,m-MTDATA,CBP,Balq四种有机材料的空穴零场迁移率，拟合绘制出四种材料在不同电场下空穴的场依赖迁移率。测试不同浓度红色磷光染料Ir(piq)2(acac)掺杂到这四种母体后空穴迁移率的变化情况，分析发现，掺杂母体与客体的能级匹配是研究载流子在掺杂层输运模式的关键，其直接
机电工程技术 2014年9期2014-02-11
- 美首次研制出稳定的单原子层锗
—单锗，其电子迁移率是硅的10倍，因而有望取代硅用于制造更好的晶体管。研究发表在美国化学会《纳米》杂志上。在自然界中，锗很容易形成多层晶体，其中的每个原子层紧紧依附在一起，这就使单原子层锗的性能不稳定。为了解决这个问题，戈德伯格团队首先制造出了多层的锗晶体，并在每层之间挤入了一些钙原子，接着用水将钙溶解，并用氢原子填满留下的化学键，最后剥下了单层锗。填充了氢原子的单锗的化学稳定性比传统硅要好。而且，单锗拥有“直接带隙”，这意味着它很容易吸收或释放光;而传统
机床与液压 2013年8期2013-04-17
- 微波条件下二苯甲酮与1-羟基环己基苯基甲酮从微波纸向Tenax中的迁移规律
40W时的最大迁移率几乎相同，而HCH在微波440W和600W时最大迁移率几乎相同，且微波条件下的最大迁移率小于常用恒温条件下的最大迁移率。除了功率的作用，温度和所做功对BP和HCH的迁移也有影响，且相比常用恒温加热的迁移实验，微波加热能加快BP和HCH在脂肪类物质中迁移行为的发生，但最大迁移率降低。二苯甲酮；1-羟基环己基苯基甲酮；微波；微波纸；脂肪类食品模拟物Tenax近年来，食品安全问题接踵而至，人们对食品安全越来越关注。特别是最早在纸质类食品包装中
食品科学 2013年3期2013-03-03
- 应变Si/(001)Si1－xGex电子迁移率*
－xGex电子迁移率*王晓艳1)2)张鹤鸣1)宋建军1)马建立1)王冠宇1)安久华1)1)(西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件重点实验室，西安710071) 2)(宝鸡文理学院电子电气工程系，宝鸡721007) (2010年8月3日收到;2010年10月16日收到修改稿)依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型，在考虑电子谷间占有率的基础上，通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下，不同杂质浓度时应变Si/(001)Si1－xGex
物理学报 2011年7期2011-08-15
- 应变Si PMOSFET电流特性研究*
变Si中的电子迁移率显著的高于体Si，并且应变Si已经被用于制造高性能的应变Si NMOSFET器件，同样的，对于应变Si中有高的空穴迁移率这一点引起了人们制造应变Si PMOSFET的兴趣。Si在弛豫的SiGe层上生长产生张应变，轻空穴带上升，重空穴带降低，从而大大提高了低场迁移率。有资料显示用MBE可以生长高质量的应变Si层，可以制造出高性能的应变Si PMOSFET[1]，因此对其研究是有意义的。近年来对应变Si MOSFET的研究多着重于应变材料中
电子器件 2010年4期2010-12-21
- 多晶硅薄膜晶体管的有效迁移率模型*
TFT中,沟道迁移率与晶粒间界陷阱态、表面散射效应等因素有关,因此用有效迁移率来表示.现有的P-Si TFT迁移率模型多为经验公式[4-5];文献[6]的有效迁移率模型考虑了沟道内晶粒间界的数目,并将晶粒与晶粒间界分开考虑,但忽略了高栅压所引起的迁移率退化效应,只适用于低栅压的线性区.本研究基于P-Si TFT的物理过程,建立了一个适应于从小晶粒到大晶粒线性区的多晶硅薄膜晶体管有效迁移率模型.新模型考虑了高栅压所引起的迁移率退化效应,更符合P-Si TFT
华南理工大学学报（自然科学版） 2010年5期2010-03-16