光刻
- 光刻-刻蚀虚拟仿真实验的设计与实施
略，自主设计开发光刻-刻蚀虚拟仿真实验。实验以芯片生产过程中的光刻-刻蚀工艺作为代表，通过虚拟仿真技术进行设备建模、光路模拟、微观粒子运动演示等，将无法触及的设备内部结构、复杂的光刻-刻蚀工艺影响、转瞬即逝的微观实验现象直观化展示给实验者，利用“练习模式”和“考试模式”让实验者充分开展实验探索，通过不同模拟情境激发学生学习兴趣。实验解决了光刻-刻蚀实验在高校难以开展的问题，为综合型人才培养打下基础。［关键词］ 光刻-刻蚀；虚拟仿真；实验设计；教学改革［基金
教育教学论坛 2023年17期2023-06-26
- 离轴照明强度不对称性对投影曝光光刻系统成像影响分析
前13.5nm 光刻系统只有少数企业使用，193nm 光刻系统仍是国内制造集成电路的主流光刻设备。157nm 光刻系统因成本和透镜材料问题而不能被实际应用，下一代光刻系统，如极紫外光刻、离子束光刻和纳米压印技术仍在不断改进，因此国内企业目前只能不断改进193nm 光刻设备和曝光工艺希望将此技术延伸到7nm 节点。将193nm 光刻技术延伸至7nm 节点可以说是相当大的挑战，对曝光工艺要求势必更加苛刻，因此提升193nm 光刻系统曝光工艺就变得越来越重要。曝
电子技术与软件工程 2023年6期2023-05-30
- 基于专利数据的全球光刻技术竞争态势研究
台数据库中收录的光刻技术领域的专利数据进行分析，从专利整体环境、技术布局和机构竞争3个方面，探讨全球光刻技术的技术竞争态势。研究结果表明：全球光刻领域专利族数量仍呈现逐年递增的趋势，中国近几年技术研发活跃度较高，但与技术原始积累较强的美、日相比仍有较大差距；研究热点围绕极紫外光刻技术呈发散式分布；全球范围内，各国机构科研活动的内部集聚性明显，外部技术壁垒由日、美等技术领先国家搭建，形成局部技术锁定。因此，中国在光刻方面必须把握国家科技转型发展机遇期，敏锐感
科技与管理 2023年1期2023-05-30
- 菲涅尔衍射光刻*
直写.菲涅尔衍射光刻无需复杂的光学透镜组合,无需任何微纳衍射光学元件,且具有较大的聚焦容差.该方法有望成为一种新型的,低成本、高灵活度的亚波长图形制备手段.1 引 言光刻是现代半导体工业的基石.发展高分辨光刻技术在微电子学、光子学等领域具有重要意义.迄今已有多种纳米光刻方法被提出,如激光直写光刻[1,2]、深/极紫外光刻[3,4]、聚焦带电粒子束(如电子[5]、离子[6])光刻、纳米压印光刻[7]、分子自组装光刻[8]、表面等离激元光刻[9,10]等.其中
物理学报 2023年1期2023-01-30
- 多晶金刚石薄膜日盲紫外探测器件的电极制备
究，首先利用不同光刻工艺在多晶金刚石薄膜上制备了MSM结构的叉指电极，讨论了湿法光刻与lift-off光刻对金刚石紫外探测性能的影响；并在此基础上利用lift-off光刻工艺制备了Au、Ag、Ti、Ti/Au四种电极的器件，对比了不同金属电极制备出的金刚石紫外探测器件的性能差异。2 实 验本文采用的样品是通过DC-PJCVD法在800℃高温下生长的多晶金刚石薄膜，该方法生产效率高，制备出的金刚石是自支撑的金刚石薄膜，样品的尺寸为1 cm×1 cm×0.3
发光学报 2022年12期2023-01-07
- 基于专利共类的关键核心技术识别模型构建及应用*
——以光刻技术为例
芯片、操作系统、光刻技术等领域仍然存在许多问题，如自主创新能力缺失、关键技术和核心产品严重依赖进口等。近年来，以美国为首的西方国家针对中国实施了一系列的技术封锁、打压，尤其是在中美贸易摩擦背景下发生的“中兴事件”“华为事件”直击中国核心技术“软肋”，引发了国人的讨论和反思。这些事件也暴露了中国由于关键核心技术短板而受制于人的实际现状和潜在风险，也提醒我们掌握关键核心技术对经济发展和国家安全至关重要。为了准确识别关键核心技术，厘清关键核心技术的概念是首要任务
情报杂志 2022年11期2022-12-01
- 基于表示学习的引证网络关键路径识别研究
，简称为EUV）光刻机，全球能够生产EUV光刻机的只有荷兰的阿斯麦以及日本的尼康、佳能。现阶段我国只能生产中低端光刻机，难以满足高端芯片制造的需求。光刻机（也称光刻系统）是光刻技术的关键装备，光刻技术的发展大大提高了芯片的计算速度及存储量，可以说光刻技术是促进芯片产业和集成电路及相关产业发展的关键核心技术。技术和知识资产优势在发达国家与发展中国家博弈中占有压倒一切的核心地位与关键作用。为了维持与发展中国家的技术差距，发达国家将以前的“技术封锁”战略转变为“
科学与管理 2022年4期2022-08-25
- 太赫兹超材料仿真设计与制备研究
磁响应机理。通过光刻剥离工艺制备出四开口超材料谐振环，并基于光泵浦探测系统研究了太赫兹光谱透射实验样品后的光频谱响应特征。结果表明：当入射的太赫兹波电场矢量电场与超材料衬底同一条边平行或垂直时，太赫兹都在1THz附近，且响应特征相似。这说明了该全对称结构对于入射太赫兹波的极化并不敏感。此设计在隐身技术、光电器件、传感器和宽带通信等领域具有潜在的应用前景。关键词：超材料;光刻;太赫兹;极化DOI：10.15938/j.jhust.2022.01.015中图分
哈尔滨理工大学学报 2022年1期2022-05-10
- 基于数字微镜器件的无掩膜光刻技术进展
微镜器件的无掩膜光刻技术进展张思琪1，周思翰1，杨卓俊1，许智2，兰长勇1，李春1*（1.电子科技大学 光电科学与工程学院，四川 成都 011699；2.中国科学院 物理研究所 松山湖材料实验室，广东 东莞 523429）基于空间光调制器的无掩膜光刻是光刻技术重要发展方向之一。近年来，随着数字微镜器件芯片集成度与性能的提高，数字微镜器件无掩膜光刻成为一种主要的数字光刻技术。由于可灰度调制的光反射式“数字掩膜”替代了传统光刻中使用的预制物理光掩膜版，该技术极
光学精密工程 2022年1期2022-01-20
- 光刻巨人：ASML崛起之路
纪80年代，美国光刻机巨头Perkin-Elmer和GCA在芯片光刻市场上遭到了日本竞争对手佳能和尼康的猛烈攻击。结果，美国失去了对这项关键技术长达20年的垄断地位，而这正是摩尔定律背后的驱动力。与此同时，一家默默无闻、无足轻重的光刻机小公司在荷兰刚刚起步。这家公司就是ASML，它在今天获得了无与伦比的成功。作为世界上很大和很赚钱的光刻机制造商，ASML取得了70%—80%的光刻市场份额，并多年来在光刻技术上一骑绝尘，将佳能和尼康远远甩在后面。在《光刻巨人
华东科技 2021年11期2021-11-23
- 基于自适应非线性粒子群算法的光刻光源优化方法
线性粒子群算法的光刻光源优化方法王 建1,2，刘俊伯1，胡 松1,2*1中国科学院光电技术研究所，四川 成都 610209；2中国科学院大学，北京 100049光刻光源优化作为必不可少的分辨率增强技术之一，能够提高先进光刻成像质量。在先进光刻领域，光源优化的收敛效率和优化能力是至关重要的。粒子群优化算法作为一种全局优化算法，自适应控制策略可以提高粒子的全局搜索能力，非线性控制策略可以扩大粒子搜索范围。本文提出一种基于自适应非线性控制策略的粒子群优化算法，将
光电工程 2021年9期2021-10-18
- 基于专利分析的芯片“卡脖子”问题研究
芯片的核心设备是光刻机。全球能够生产高端芯片的极紫外（EUV）光刻机的只有荷兰的阿斯麦以及日本的尼康、佳能。现阶段我国只能生产中低端光刻机，难以满足高端芯片制造的需求。专利记载了发明创造的内容，是技术信息最有效的载体。分析专利文献可以掌握技术发展趋势，实现其特有的经济价值。为探究高端光刻机制造难的原因，有学者从光源、抗蚀剂、防护膜等方面对EUV光刻技术进行了难点分析[3]，但从专利角度进行分析的却很少。通过文献检索发现，只是对光刻机的曝光系统中物镜抛光技术
中国科技资源导刊 2021年4期2021-09-01
- 浅谈光刻与边缘曝光系统对电镀的作用
、3D堆叠等，而光刻与电镀工艺流程是先进封装技术中的重要环节。光刻工艺是运用光学、化学反应等原理将图形传递到单晶表面或介质层上。电镀工艺运用电化学反应，在金属介质层上镀出所需金属，构成金属导线。光刻作为电镀的前置基础，起到了承上启下的作用。现从光刻与边缘曝光系统出发对电镀工艺进行探讨，分析了光刻胶分辨率模型表达式和电镀工艺的公式模型以及边缘曝光系统对后续电镀的作用，同时对光刻工艺分辨率和电镀效率增强技术进行了调研。关键词：先进封装;光刻;边缘曝光;电镀0
机电信息 2021年18期2021-07-20
- 集成电路制造工艺中的化学原理与应用
制造;化学反应;光刻;刻蚀;氧化;基于芯片制造过程中使用的化学反应过程，阐述了光刻、刻蚀、氧化和薄膜沉积过程中涉及的化学反应和原理，对理解半导体芯片制造中的化学过程具有重要意义。一、刻蚀工艺1.湿法刻蚀。湿法刻蚀可以刻蚀硅、氧化硅、氮化硅和铝等材料。硅的湿法刻蚀一般使用硝酸（HNO3）和氢氟酸（HF）的混合物。该反应中硅与HNO3发生氧化反应生产二氧化硅，然后二氧化硅被HF溶解，从而达到刻蚀目的。乙酸（CH3COOH）作为缓冲剂添加到HNO3和HF混合溶液
锦绣·中旬刊 2021年7期2021-07-17
- 基于LEDIT的STEP光刻版数据图形自动排版
集成电路为例，微光刻技术是集成电路中最关键的技术。集成电路芯片的生产需要进行多次光刻。在集成电路生产中提高产量与降低成本的有效方法之一是尽量地利用硅片面积。由于测量、控制、对准等各种标记图形必须和集成电路芯片主图形同时参与工艺处理，光刻版上图形的布局[1]便极为关键和重要。目前的光刻版布局是在EDA 软件基础上，由数据处理工程师进行图形布局。常用的软件有CATS 软件与Virtuoso 软件。但这些软件只提供了版图数据处理的基础功能，具体的布局仍然依赖于工
电子技术与软件工程 2021年7期2021-06-16
- 芯碁微装(688630) 申购代码787630 申购日期3.23
装（WLP）直写光刻设备产业化项目、平板显示（FPD）光刻设备研发项目、微纳制造技术研发中心建设项目。基本面介绍：发行人专业从事以微纳直写光刻为技术核心的直接成像设备及直写光刻设备的研发、制造、销售以及相应的维保服务，主要产品及服务包括PCB直接成像设备及自动线系统、泛半導体直写光刻设备及自动线系统、其他激光直接成像设备以及上述产品的售后维保服务，产品功能涵盖微米到纳米的多领域光刻环节。发行人在微纳直写光刻核心技术领域具有丰富的技术积累，在系统集成技术、光
证券市场红周刊 2021年11期2021-04-07
- 美光发布第六次年度可持续发展报告
紫外 （EUV）光刻技术的重要里程碑。同年，EUV构图技术首次应用于7 nm技术代逻辑芯片的量产。插入以对芯片后端（BEOL）的最关键层进行图案化，能够打印间距高达36-40 nm的金属线。2023年将标志着EUV光刻技术发展的又一个新的里程碑。届时，新一代EUV光刻工具有望进入现场：高数值孔径（high-NA）EUV光刻扫描仪——新设备预计可在较少的图案化步骤中打印2 nm（及以上）逻辑芯片的最关键特征。瑞利方程再次证明了向高NA光刻的过渡是合理的，它提
电子工业专用设备 2021年5期2021-03-31
- 光刻工艺对大面阵长波碲镉汞芯片性能的影响
经历:表面钝化、光刻、离子刻蚀、离子注入、金属层生长等多道工艺,每道工艺由于其设备性能限制会产生工艺非均匀性,进而影响探测器的性能[2]。由于每次光刻工艺过程中芯片与掩膜版相对位置不变,且芯片方向不变,因此产生的工艺非均匀性会在同一位置相互叠加,并随着光刻工艺次数的增加而放大[3]。同时光刻工艺又是探测器芯片制备过程中重复次数最多的工艺,因此光刻工艺的非均匀性对探测器的性能影响最大,需要详细分析，如图1所示。图1 光刻工艺非均匀性影响探测器性能2 光刻工艺
激光与红外 2021年2期2021-03-09
- 极紫外光刻胶产气的定性和定量检测
et， EUV）光刻胶产气检测系统， 对以分子玻璃（Molecular glass）螺芴（9，9′-Spirobifluorene， SP）为主体材料的光刻胶薄膜体系Film A、B、C和D进行产气的定性和定量分析， 其中， Film A的主体材料外围取代基团为叔丁氧羰基（t-Butylcarbonyl， Boc）， Film B和C是在Film A光刻胶薄膜顶层覆盖不同厚度的保护层， Film D的主体材料外围取代基团为醋酸金刚烷酯（Adamantyl
分析化学 2020年12期2020-12-25
- 10 μm小间距红外探测器的铟柱生长研究
主要表现是:剥离光刻胶之后的铟柱高度比较矮,不能达到互连的要求。采用同样的铟柱蒸发工艺条件,在像元间距15 μm的芯片上,铟柱的高度为5 μm,而在像元间距10 μm的芯片上,铟柱的高度只有3.3 μm,高度减少了34 %。2 问题分析铟蒸发采用的是热阻蒸发的方式,加热蒸发舟,蒸发舟内的铟材料以一定的速率逸出,到达基片的表面[2]。基片表面涂有光刻胶图形,有光刻胶的部分,铟粒子沉积在光刻胶表面；没有光刻胶的部分,铟粒子直接到达基片表面,经过堆积,形成铟柱,
激光与红外 2020年10期2020-11-05
- 长光栅光刻车间气流组织数值模拟研究
要：长光栅的光刻制造工艺是一个复杂的精密制造过程，良好的环境条件有利于提高产品质量，本文通过CFD方法模拟分析某规格长光栅光刻车间内由空调通风所形成的空气速度场及温度场，确定满足制造工艺要求的空调参数，同时研究送风温度及送风速度对车间气流组织的影响，实现有效减少试验成本及试验时间，为实际生产提供理论依据的目的。关键词：光刻;CFD;速度场;温度场0引言长光栅是利用光栅光学原理工作的测量反馈装置，是我国装备制造中的关键核心部件。传统的光栅制备方法有机械刻
智能建筑与工程机械 2020年1期2020-09-10
- 超大数值孔径浸没式物镜的研发设计
一种超大数值孔径光刻投影物镜。该光刻投影物镜作为光刻机曝光系统的核心模块，将掩模版上的图案以4倍缩小倍率成像于硅片面，该物镜以193 nm的准分子激光器为曝光光源，视场范围为26mm×5.5mm，光学结构不同于传统的全透射系统，引入反射镜及镜片反射面，采用折反射式光学系统结构，有利于平衡像差。浸没情况下最大数值孔径可达到1.35，可应用于前道制造45 nm关键层和非关键层的光刻工艺需求。关键词：光刻;投影物镜;浸没;超大数值孔径中图分类号：TH744
中国新技术新产品 2020年10期2020-08-10
- 基于最速下降的矢量光刻模型掩膜优化
最优化算法的反向光刻技术，在理论上可以找到最佳的掩膜去补偿图案的畸变[4]，因此，运用分辨率增强技术进一步提高光刻系统的图像精确度一直是该领域研究有效手段。最速梯度下降是是非线性最优化常见的方法，它的主要思想是使用目标函数和约束条件定义或推导出代价函数，通过计算代价函数的梯度和选择合适的更新步长来确定最优化下降方向和大小。一、光刻系统的矢量模型光刻投影成像系统主要分为两个部分：投影光学效果(耦合成像)和抗蚀效果。对于照明光源波长为193nm且NA大于0.4
福建质量管理 2020年5期2020-03-11
- 浅析晶闸管光刻工艺原理
李鑫◆摘 要：光刻工艺是一种复印图像同化学腐蚀相结合的技术。它先采用照相复印的方法，把光刻版上的图形精确地复印在涂有感光胶的二氧化硅层或金属蒸发层上，然后利用光刻胶的保护作用，对二氧化硅或金属层进行选择性腐蚀，从而在二氧化硅或金属层上得到与光刻版相应的图形，本文对晶闸管光刻原理进行了基本的分析。◆关键词：晶闸管;光刻;工艺;原理在晶闸管生产中通常对晶闸管要做两次光刻，以此是利用光刻胶的保护进行刻蚀，这个光刻是选择性的光刻，作用是为阴极面选择性扩磷做准备。
速读·上旬 2019年9期2019-10-21
- NA1.35投影光刻光学系统偏振像差的优化
一步发展的关键。光刻机是实现超大规模集成电路制造的重要设备，投影光刻光学系统是光刻机的核心部件[1]。增大投影光刻光学系统数值孔径是提高系统分辨率的有效途径，投影光刻光学系统的数值孔径已经从原来的0.28、0.4、0.6增大到了1.35[2]。对于大数值孔径投影光刻光学系统，偏振像差对其成像质量有着重要的影响。NA1.35投影光刻光学系统属于大数值孔径光学系统，为了实现NA1.35投影光刻光学系统高质量成像，偏振像差的优化尤为重要。投影光刻光学系统偏振像差
应用光学 2019年4期2019-10-10
- 晶闸管光刻的工艺原理分析
张猛摘 要：光刻工艺是一种复印图像同化学腐蚀相结合的技术。它先采用照相复印的方法，把光刻版上的图形精确地复印在涂有感光胶的二氧化硅层或金属蒸发层上，然后利用光刻胶的保护作用，对二氧化硅或金属层进行选择性腐蚀，从而在二氧化硅或金属层上得到与光刻版相应的图形。关键词：晶闸管;光刻;工艺原理现代电力电子技术不论对改造电力、机械、矿冶、交通等传统工业，还是对新的航天、通信、机器人等高技本产业都至关重要，己迅速发展成为一门独立学科，其应用领域几乎涉及到国民经济的各个
E动时尚·科学工程技术 2019年19期2019-09-10
- “超分辨光刻装备项目”通过验收 可加工22nm芯片
研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，在365nm光源波长下，单次曝光最高线宽分辨力达22nm；结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯片。该项目在原理上突破了分辨力衍射极限，建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线，绕过了国外相关知识产权壁垒，具有完全自主知识产权，为超材料/超表面、第三代光学器件、广义芯片等变革性领域的跨越式发展提供了制造工具。（图片来源：新华网）
军民两用技术与产品 2018年23期2019-01-11
- asml公司的EUV光刻设备的光源技术研究
UV光源是EUV光刻装置的核心部件，直接决定了光刻之后半导体芯片的线宽和生产效率。本文对ASM公司的EUV光源技术，改进和反污染技术进行来梳理。关键词：EUV光源；光刻；ASML；激光等离子体源多年来，集成电路技术的发展始终是随着光学光刻技术的不断创新所推进的。在摩尔定律的驱动下，光刻技术经历了接触/接近投影、扫描等倍投影、步进投影、缩小步进投影、步进扫描投影曝光方式的变革，曝光波长由436nm的h线向365nm的i线、继而到248nm的KrF到193nm
科技信息·中旬刊 2018年9期2018-10-21
- 【极紫外光刻】
极紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography），常称作EUV光刻，它以波长为10～14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术。具体为采用波长为13.4nm的软x射线。极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。光刻技术是现代集成电路设计上一个最大的瓶颈。现cpu使用的45nm、32nm工艺都是由193nm液浸式光刻系统来实现的，但是因受到波长的影响还在这个技术上有所突破是十分困难的，但是如采用EUV光刻技术就会很好
科学家 2017年20期2017-11-10
- 基于双表面等离子激元吸收的纳米光刻∗
子激元吸收的纳米光刻∗刘仿†李云翔 黄翊东‡(清华大学电子工程系,信息科学与技术国家实验室,北京 100084)(2017年6月19日收到;2017年7月5日收到修改稿)光刻技术(lithography)是微纳结构制备的关键技术之一.受限于光的衍射极限,传统光刻方法进一步缩小特征尺寸变得越来越难.表面等离子激元(surface plasmon polariton,SPP)作为光与金属表面自由电子密度振荡相互耦合形成的一种特殊电磁形式,具有波长短、场密度大、
物理学报 2017年14期2017-08-08
- 重庆成功研制液晶面板和触摸屏等光刻装备
晶面板和触摸屏等光刻装备近日从中国科学院重庆绿色智能技术研究院获悉，该院成功研制了用于微电子光刻的“2-12英寸UVLED平行光曝光模组”及用于PCB、液晶面板和触摸屏等光刻装备的“5KW、8KW、10KW汞灯替代UVLED光源模组”系列产品。据中国科学院重庆绿色智能技术研究院相关项目负责人介绍，光刻机是液晶面板制造装备中投资份额最大的关键装备，其关键技术始终受制于国外企业，限制了行业发展。为打破液晶面板行业光刻装备国外垄断的局势，针对电子信息领域对技术先
电子世界 2017年3期2017-03-01
- 集成电路光刻工艺研究
摘 要：光刻是利用特定工艺将掩膜板上的集成电路图形印制到硅片上的精密表面加工技术。在集成电路制造工艺中，光刻是最为重要的工艺之一。它决定着芯片的最小特征尺寸，占芯片制造时间的40-50%，并且占制造成本的30%。本文通过对光刻工艺的主要步骤的分析，研究了正胶及负胶的特性，探讨了未来光刻工艺发展的方向。关键词：集成电路；光刻；工艺；光刻胶DOI：10.16640/j.cnki.37-1222/t.2016.24.0111 绪论1.1 集成电路集成电路（Int
山东工业技术 2016年24期2017-01-12
- 半导体光刻技术及设备的发展趋势
温菊红半导体光刻技术及设备的发展趋势温菊红国家知识产权局专利局专利审查协作广东中心，广东 广州 510530半导体的概念对于普通人来讲稍显陌生，但是我们的生活却又离不开它。在信息化的背景下，人们生活中对电子产品也是越发依赖。半导体主要应用于通讯、高速计算机、智能化生活等领域。信息化时代的半导体技术大部分还是受海外企业的掌控，但我国的半导体市场也在高速前进。在此以半导体光刻技术及设备的发展趋势为主题进行讨论与分析，望能对半导体光刻技术及设备的未来发展提供一
移动信息 2016年6期2016-12-31
- 高增益参量过程中相干态和真空态输入下的干涉光刻研究
降低功耗的效用。光刻技术就是适应这一生产需要被广泛运用的印刷术之一[1-2]。在过去的几十年里，集成电路的特征尺寸以平均每年约10%的速度减小[3]，然而，随着器件微型化程度越来越高，传统的经典光刻技术遭遇瑞利衍射极限难以突破的障碍，极大地制约了当前半导体制造技术的发展，使得光刻技术面临新的挑战。近年来，开发光的量子特性打破经典衍射极限的量子干涉光刻技术已成为热门的研究领域[4-12]。量子光刻法最早有Boto等人（2000）首次提出，其研究表明：利用“N
池州学院学报 2016年6期2016-11-22
- 基于DMD的全息光刻系统设计
基于DMD的全息光刻系统设计付伟平，李静(中国科学技术大学 精密机械与精密仪器系，安徽 合肥 230027)设计搭建了一套基于DMD(Digital Micro-mirror Derice)的全息光刻系统，它包括光路和软件部分。在软件设计中，采用MATLAB语言编制基于博奇编码的计算全息图，以二维灰度光栅为例，对其进行了计算全息的设计和模拟再现，并通过实验再现了二维灰度光栅图案，验证了设计的合理性和可靠性。全息光刻；DMD；MATLAB光刻技术是引领微电子
新技术新工艺 2016年9期2016-11-01
- 5um线宽LED晶片最佳光刻条件探究
宽LED晶片最佳光刻条件探究邹贤军，廖颖钰 湘能华磊光电股份有限公司摘要：在外延结构已经确定的前提下，如何在芯片前工艺COW制备中提高亮度成为各芯片厂商最关注的话题，而制备反射电极、增加电流阻挡层、优化图形、缩短线宽则是提高COW亮度的常用方法。本文主要探究尺寸为457um*889um的芯片在制备5um线宽时黄光作业中的最佳光刻条件，实验表明硬烤110°/60秒，曝光能量90mj/cm2，显影时间90秒，胶厚2.85um，软烤105℃/ 120秒为最佳光刻
科学中国人 2016年17期2016-08-31
- 半导体制造技术综述
在半导体技术中，光刻技术和薄膜制备技术是常用的工艺技术。本文介绍了光刻技术和薄膜制备技术现状和进展情况。关键词：半导体；光刻；图形；薄膜；沉积0 引言人来研究半导体器件已经超过135年［1］。尤其是进近几十年来，半导体技术迅猛发展，各种半导体产品如雨后春笋般地出现，如柔性显示器、可穿戴电子设置、LED、太阳能电池、3D晶体管、VR技术以及存储器等领域蓬勃发展。本文针对半导制造技术的演变和主要内容的研究进行梳理简介和统计分析，了解半导体制造技术的专业技术知识
山东工业技术 2016年11期2016-06-04
- 光刻技术制备仿生铝超疏水表面的研究
435002)光刻技术制备仿生铝超疏水表面的研究阮敏1,2，王嘉伟1，刘巧玲1，陈跃1，占彦龙2,3，胡良云2,3，马福民1，于占龙1，冯伟1(1湖北理工学院 材料与冶金学院，湖北 黄石 435003；2湖北理工学院 矿区环境污染控制与修复 湖北省重点实验室，湖北 黄石 435003；3湖北师范学院 物理与电子科学学院，湖北 黄石 435002)摘要：超疏水薄膜有很好的自清洁、防腐蚀、减阻和防覆冰性能。利用高速激光雕刻机、光刻机对玻璃片进行刻蚀，并结合溶
湖北理工学院学报 2016年2期2016-05-25
- 基于矩阵积分法优化光刻部分相干成像模型
于矩阵积分法优化光刻部分相干成像模型彭清维1，2，陈德良1*(1．贵州师范学院，贵州贵阳 550018;2．贵州大学，贵州贵阳 550025)基于矩阵积分法实现了Matlab对光刻部分相干二维成像的模拟，验证了Matlab编写的部分相干程序的可行性，加入了离焦对光刻分辨率的影响。通过建立部分相干光光刻仿真模型，并在二极照明方式下，对离焦对光刻成像的影响进行了模拟计算。结果表明，矩阵积分法降低了程序运算所用时间，微小的离焦对光刻部分相干成像影响巨大，必须考虑
贵州师范学院学报 2016年9期2016-02-20
- 浅谈曲面直写式光刻工艺
76)通常所说的光刻工艺基本上分为两大类，一是投影式光刻，它主要用纯净的紫外光源将掩模版的像投影到基片上实现基片上光刻胶的感光，再通过更换掩模版实现基片上线条的多次套刻，从而完成超大规模集成电路的光刻工艺，这种方法实现的光刻精度非常高，但价格昂贵，通常用于超大规模集成电路器件的光刻工艺，二是接触接近式光刻，这种方法是将基片与掩模版紧密接触或间隔极小的距离，当纯净的紫外光源通过掩模版投射到涂有光刻胶的基片上时，就实现了无线条遮盖的基片区域的光刻胶曝光，根据工
电子工业专用设备 2015年6期2015-07-04
- 瑞红RZJ-304光刻胶光刻工艺研究
红RZJ-304光刻胶光刻工艺研究庞梦瑶1，程新利1*，秦长发1，沈娇艳1，唐运海1，王冰2（1.苏州科技学院数理学院，江苏苏州215009；2.昆山双桥传感器测控技术有限公司，江苏昆山215321）利用光刻技术对瑞红RZJ-304正性光刻胶进行光刻工艺研究，用透射式光栅作为掩模版，通过改变光刻步骤中的前烘时间、曝光时间、显影时间等来研究光刻效果。实验结果表明，掩模版图形被成功地转移到了硅片基底上，显影后光刻胶厚度均匀，光刻胶线条呈周期性排列，得到了与掩模
苏州科技大学学报(自然科学版) 2015年3期2015-02-06
- 国产IC光刻系统精密紫外反光镜研制成功
国产IC光刻系统精密紫外反光镜研制成功沈阳仪表科学研究院经过2年多的技术攻关，成功研制出了拥有自主知识产权的集成电路（IC）光刻系统精密紫外反光镜产品，其关键技术指标达到国际先进水平。该IC光刻系统精密紫外反光镜产品可耐450℃高温，利用自主研发的新工艺实现了非球面成形。其反射波长范围为300nm～440nm，反射率大于95%，达到了反射紫外光并滤除其它可见光的目的。据悉，该产品的成功开发，填补了该项技术的国内空白，标志着沈阳仪表院在精密非球面加工和检测技
军民两用技术与产品 2015年15期2015-01-10
- 光刻图形转移技术
34)0 引 言光刻机是微电机系统(MEMS)与微光学器件(MOD)的完美结合,引发了一场微型化革命,从而使半导体芯片、电子器件和集成电路向着更高集成度方向发展.而光刻技术是芯片制造的关键,决定了芯片的最小尺寸[1].IC制造具有复杂的工艺链:晶圆制备、电路制造、封装等,其中电路制造过程最为复杂,包括气相沉积、光刻、刻蚀、离子注入、扩散和引线等.决定IC特征尺寸大小的关键和瓶颈技术就是其中的光刻环节.IC特征尺寸的变化与光刻技术的发展关系遵从着著名的摩尔定
上海师范大学学报·自然科学版 2014年2期2014-03-20
- 在镜像投影曝光机上使用相移掩膜提高解像力的初步研究
容限，从而提高了光刻的解像力。2 软件模拟和结果分析2.1 软件介绍Athena是美国Silvaco公司推出的一种商用的TCAD工具。TCAD就是Technology Computer Aided Design，指半导体工艺模拟以及器件模拟工具。ATHENA提供了一个易于使用、模块化的、可扩展的平台，能对所有关键制造步骤(离子注入、扩散、刻蚀、沉积、光刻以及氧化等)进行快速精确的模拟[7-10]。它有一个交互式、图形化的实时运行环境Deckbuild，在工
液晶与显示 2014年4期2014-02-02
- 紫外LED光刻光源系统的研究进展
极其重要的作用，光刻技术作为半导体工业的关键技术之一，随着半导体产品的日益市场化，采用先进的光刻技术来降低光刻成本和生产周期显得尤其迫切，这就需要价格低廉高效率的光刻设备进行加工［1］～［4］。目前，紫外 LED 光源系统具有体积小、光密度高、超长寿命、冷光源、无辐射、发热量少、瞬间点亮、无污染等优点，因此，在光刻设备领域有着广泛的应用前景，对紫外LED光源系统进行深入研究有着重要的实用价值。本文主要从光刻光源系统光学设计方面综述了紫外LED光刻光源系统的
照明工程学报 2013年2期2013-12-04
- 基于时序分析的光刻版清洗机运行效率提升方法
）基于时序分析的光刻版清洗机运行效率提升方法侯为萍，高建利，刘玉倩（中国电子科技集团公司第四十五研究所，北京 101601）光刻版清洗机是典型的多轴运行类自动化清洗设备，清洗效率的提升是此设备的关键技术之一。介绍了一种基于时序分析的提升该设备运行效率的方法，实验证明此方法通过对控制时序的分析和优化，有效提升了设备的运行效率。光刻版清洗机；时序分析；运行效率近年来，随着LED行业的飞速发展，对制造过程中设备的效率要求也越来越高。为了适应市场的需要，提高设备的
电子工业专用设备 2013年12期2013-09-17
- 石英玻璃在光刻技术中的应用
高，而这又依赖于光刻技术的不断进步。微电子有两个著名定律：器件等比例缩小定律和摩尔定律。器件等比例缩小定律指MOS 器件的横向纵向尺寸按一定比例 K 缩小，单位面积上的功耗可保持不变，这时器件所占的面积(因而成本)可随之缩小K2 倍，器件性能可提高K3 倍。所以器件越小，同样面积芯片可集成更多、更好的器件，还降低了器件相对成本，这也是摩尔定律的物理基础。摩尔定律指出，芯片集成度每l8—24个月增长一倍价格不变，或者说器件尺寸每3年缩小 K 倍，技术整体更新
中国建材科技 2012年5期2012-01-26
- 极紫外线技术有望让晶体管“瘦身”75%
紫外线(EUV)光刻技术的研发，新技术有望让晶体管的大小缩减为原来的1/4。一块芯片能容纳的晶体管数量每隔几年就可以翻番，但这一趋势目前似乎已到穷途末路。解决方案之一是借用EUV光刻技术将更小的晶体管蚀刻在微芯片上，即用超短波长的光在现有微芯片上制造比目前精细4倍的图案。芯片上的集成电路图案是通过让光透过一个遮蔽物照射在一块涂满光阻剂的硅晶圆上制成，目前只能采用深紫外(波长一般约为193 nm)光刻技术制造出22 nm宽的最小图案。在芯片上蚀刻更小图案的唯
中国材料进展 2012年8期2012-01-26
- 德国SUSS MicroTec与美国Rolith共同研发用于太阳能发电的纳米光刻技术
研发的分裂式纳米光刻方法制造一种纳米结构设备，用于大面积基材高产出、高生产效益的纳米光刻技术为可再生能源和绿色建筑市场带来契机。该技术采用圆柱形滚动掩模实现近场光学光刻，目前Rolith公司正在申请相关专利。利用相移干扰效应或等离子强化印刷结构可设计出次波长技术解决方案，运用连续运行模式可实现低投入、高产出。Rolith公司的“滚动掩模”纳米结构系统生产成本有望低于2美元/m2。Rolith公司CEO Boris Kobrin表示，预计利用该技术可制造出包
浙江电力 2011年1期2011-08-15
- 光刻技术在金属板片刻蚀上的应用
面精密加工是采用光刻工艺完成的。液体推进剂预包装贮箱上的膜片阀金属膜片刻痕也是采用单／双面自对准光刻工艺完成。1 光刻工艺简述电子信息技术日新月异，迅猛发展，究其原因是由于半导体工业集成电路设计和制造水平在不断提升和发展，而制造半导体集成电路的核心和关键技术就是光刻工艺。光刻工艺技术本身也在不断发展和更新。金属板片光刻技术是交叉性的边缘学科，是一种将图形精确复制和刻蚀技术相结合的综合性超精密加工工艺技术，该项技术将微电子领域的光刻技术与精密微机械加工技术相
火箭推进 2010年1期2010-10-15
- 应用于微纳光子器件的立体光刻研究进展
纳光子器件的立体光刻研究进展吴 琦 梁艳明 周建英(中山大学光电材料与技术国家重点实验室，广东 广州 510275)本文概述了光刻技术的广泛应用并探讨其今后的发展方向,分析比较了几种常见立体光刻技术的优缺点,重点介绍了全息光刻技术在制备光子晶体方面的应用，并总结了我们小组的研究成果。光刻;立体光刻;全息光刻;光子晶体1 引 言常规光刻技术是利用光学复制的方法把超小图样印到半导体薄片上或者介质层上来制作复杂电路的技术[1]。光刻原理虽然在19世纪初就为人们所
湖南科技学院学报 2010年4期2010-09-05
- EUV设备价格达1.2亿美元
谁能支持EUV光刻？回答只有极少数几家公司，因为设备的价格再次上升。VLSICEODanHutcheson回答，每台1.25亿美元。在报告中，一年之前VLSI的总裁Risto Puhakka曾预测，设备的价格未来要按pixel像素来计算，当时大家认为这是不可能的，但是现在EUV的价格己经几乎得到证实。在2003年时，Intel支持EUV，希望每台设备价格在2000万美元。当时的目标是试图用EUV来替代今日的193 nm浸入式光刻，如今己成泡影。由于研发成本
电子工业专用设备 2010年11期2010-04-04
- 安靠公司向SUSSM icroTec采购多项设备
ec 300mm光刻设备在先进封装市场的领先地位SUSSM icroTec公司长年致力于提供半导体行业及其相关市场的工艺和测试设备，已成为业界领军者。该公司日前宣布，已从安靠公司获得多种300mm光刻设备的后续订单。安靠公司拥有世界领先的工业半导体封装技术。本次设备采购订单包括MA300 Gen2光刻机以及ACS300 Gen2晶圆片工艺生产机组。这些设备将用于晶圆片级封装、焊料凸点光刻和三维一体化技术。在韩国光州安靠K4及台湾新竹安靠T1工厂的设备安装预
电子工业专用设备 2010年4期2010-04-03
- 3D互连中光刻与晶圆级键合技术面临的挑战，趋势及解决方案
SA)3D互连中光刻与晶圆级键合技术面临的挑战，趋势及解决方案Margarete Zoberbier1,Erw in Hell2,Kathy Cook3,Marc Hennemayer1,Dr.-Ing.Barbara Neubert1(1.SUSS MicroTec Lithography GmbH,85276 Garching,Schleissheimerstr.90,Germany;2.SUSS MicroTec Shanghai Co.,Ltd.R
电子工业专用设备 2010年10期2010-01-26
- “龙”嗥苍字天地变
从原来的65nm光刻提升到45nm沉浸光刻，同时大幅增加L3 Cache的大小，得益于生产工艺的进步，现在羿龙处理器终于可以站上3，0GHz的高台，而在此之前频率—直是英特尔用来压制AMD的重要手段。与此同时AMD的芯片组已经在市场上站稳了脚跟并积累了不小的人气，再加上Radeon HD 4800系列的口碑相当不错，所以在龙平台正式“揭牌”之前就受到广大用户的高度关注。
微型计算机 2009年3期2009-01-22