正电子
- 激光驱动产生正电子实验的数值模拟研究
1)0 引 言正电子不仅在物理学相关研究领域中具有重要的基础性作用[1-3],而且在材料科学[4]和医学诊断[5]等技术应用领域也有广泛的应用。近年来随着激光技术的不断发展[6-8],利用超强激光在粒子加速方面具有的显著优势[9],一种由超强激光驱动的新型正电子源的概念逐渐被提出,并开展了一系列相关理论和实验的研究[10-13],成为广泛关注的研究方向。激光驱动产生正电子的方式主要有2种:一种是超强激光直接与固体靶作用产生正电子[14];另一种是超强激光先
合肥工业大学学报（自然科学版） 2022年10期2022-11-07
- 自由结构PET在束监测碳离子治疗剂量成像过程研究
0C、15O等正电子核素。正电子核素通过β+衰变放出正电子，正电子与电子湮灭后产生一对方向相反、能量为511 keV的γ光子。PET通过符合探测湮灭产生的一对γ光子，经图像重建后得到正电子核素的分布，进而得到碳离子治疗时物理剂量的分布情况。在上世纪70年代，美国的劳伦斯伯克利国家实验室的研究人员第一次将正电子发射计算机断层成像(positron emission tomography, PET)用于测量19Ne治疗的剂量分布[2]。德国重离子研究中心(Ge
同位素 2022年4期2022-08-22
- 六方氮化硼的热中子辐照损伤
缺陷十分敏感的正电子谱学方法研究了不同中子剂量辐照的hBN 材料中缺陷结构的演绎,并利用静电计测量了中子辐照前后载流子输运的变化,进而讨论并解释了电流密度变化的微观机理。1 实验1.1 样品准备1.1.1 制备方法本文选择了热解氮化硼(PBN)和热压氮化硼(HBN)两种工艺成熟且具有广泛应用的六方氮化硼材料进行研究。PBN 的制备是以三氯化硼(BCl3)和氨气(NH3)为前驱体,通过高温化学气相沉积法生长的[17],可以生长成各种各样的形状和尺寸。据报道,
电子元件与材料 2022年7期2022-08-20
- 用正电子湮没谱研究煅烧对SBA-15热稳定性的影响
飞跃 陈志权用正电子湮没谱研究煅烧对SBA-15热稳定性的影响李重阳1王飞跃1陈志权21（华北水利水电大学电力学院 郑州 450045）2（武汉大学物理科学与技术学院 武汉 430072）多孔材料由于具有高比表面积、高渗透性、吸附性和可组装性等优异的物理化学性能，被广泛应用于气体吸附、电化学、药物输送、催化剂和催化剂载体等领域。多孔材料的应用性取决于其宏观性质，尤其是孔隙结构的多样性、孔径的可调性、热稳定性等对其大规模实际应用非常重要。利用正电子湮没谱学（
核技术 2022年6期2022-06-27
- 慢正电子束流技术在中国的发展
上首次观察到了正电子的轨迹。赵忠尧先生是发现正负电子湮没现象的第一人，对正电子的发现有重要贡献。现在正电子湮没技术已经发展为一门学科。其基本原理是正电子作为电子的反粒子，和电子结合变成光子，遵从爱因斯坦公式：E=mc2，正负电子湮没辐射的光子携带湮没电子的信息。正电子湮没谱学是测量正电子在物质中与电子发生湮没后放出的湮没γ射线的时间谱、能谱、动量谱等参数的一种现代核谱学测量方法。正电子湮没研究材料微观缺陷独具特色，可提供缺陷种类、缺陷浓度、缺陷化学环境、缺
现代物理知识 2022年6期2022-03-21
- 用正电子湮没技术研究H/He中性束辐照钨钾合金中缺陷的演化*
影响.本文使用正电子湮没谱学方法从微观角度研究辐照后钨钾合金中的缺陷信息, 通过对氢氦相关缺陷的正电子湮没参数进行模拟, 发现氢原子对正电子寿命的影响比氦原子小, 弥散在位错或晶界中的氢、氦原子会影响正电子湮没区域, 而单个钾原子的存在对氢氦相关缺陷的正电子寿命影响甚微; 结合扫描电镜与正电子湮没寿命谱和慢正电子束多普勒展宽谱, 测试结果确认了钨钾合金中钾泡以及其钉扎的位错等缺陷对氢原子和氦原子的影响, 与纯钨相比, 在纯H和H+6%He中性束辐照下钾泡等
物理学报 2021年16期2021-09-03
- 德拜势下正电子与碱金属原子(Na、K、Rb、Cs)碰撞的电子偶素形成过程
系[1-2]。正电子作为电子的反物质,二者电性相反。不同于电子与原子碰撞,正电子与原子的碰撞过程出现了一种新的重排反应通道,即电子偶素形成通道。近些年来,等离子体环境下的碰撞问题受到了极大关注,它为天体物理、等离子体物理以及原子物理的研究提供了数据上的支持[3-6]。本文选用的靶原子为碱金属原子,因为对于碱金属原子,电子偶素形成的通道始终是打开的。人们做了许多关于正电子与碱金属原子碰撞问题的研究。Nahar和Wadehra[7]利用一阶玻恩近似和畸变波近似
沈阳师范大学学报(自然科学版) 2021年2期2021-05-28
- 正电子散射Rb、Cs电子偶素形成截面理论计算
]。目前,关于正电子散射铷原子、铯原子正负电子偶素形成的研究仍然较为有限。在实验方面,1993年Parikh等[5]测量了入射能量范围在1～102 eV的正电子散射铷原子的正负电子偶素形成截面。1996年Surdutovich等[6]测量了入射能量范围在1～17 eV的正电子散射铷原子的正负电子偶素形成截面。目前还没有任何关于铯原子的实验数据。在理论方面,1980年Guha and Mandal等[7]利用畸变波近似和第一玻恩近似方法分别计算了入射能量范围
沈阳师范大学学报(自然科学版) 2021年1期2021-03-31
- 基于正电子淹没的新能源技术
0072）1 正电子的产生正电子的产生一直是国际研究前沿，各个实验室致力于正电子产额的增加以及正电子束品质的优化。对于正电子的产生大致可以分为两种，分别是传统正电子源和激光正电子源。传统正电子源是依靠放射性同位素的衰变产生的，丰质子核素大部分都具有β+衰变，只有半衰期较长的核素才可以使用。在传统加速器的基础上，利用高能电子束轰击转换体产生正负电子对，在经过一系列转换可以得到慢正电子束。而现在进行的激光正电子源是国际研究前沿，激光与靶相互作用产生正负电子对的
科技与创新 2020年17期2020-09-04
- 奥氏体316不锈钢微观缺陷的热演化
技术手段，其中正电子湮没技术对微观缺陷十分灵敏。本实验以正电子湮没技术和透射电子显微镜为主要探测手段，研究奥氏体316不锈钢微观缺陷的热演化。1 实验过程奥氏体316不锈钢的化学成分见表1。切成10 mm×10 mm×0.8 mm的样品。用砂纸和金刚石砂浆机械抛光，直到表面呈镜面。在CH3COOH和HClO4混合溶液中，通过恒定电流，保持温度273 K，对样品表面进行电化学抛光[5]。之后，对样品进行等时退火，温度由373 K逐步上升到1 473 K，每次
郑州大学学报（理学版） 2020年2期2020-05-25
- 利用正电子湮没技术研究钾掺杂钨合金中的缺陷*
性能.本文运用正电子湮没谱学方法研究钾掺杂钨合金中的缺陷信息, 首先模拟计算了合金中各种缺陷的正电子湮没寿命, 发现钾的嵌入对空位团、位错、晶界等缺陷的寿命影响很小; 然后测量了不同钾含量掺杂钨合金样品的正电子湮没寿命谱, 建立三态捕获模型,发现样品中有高的位错密度和低的空位团簇浓度, 验证了钾对位错的钉扎作用, 阐述了在钾泡形成初期是钾元素与空位团簇结合并逐渐长大的过程; 最后使用慢正电子多普勒展宽谱技术表征了样品中缺陷随深度的均匀分布和大量存在, 通过
物理学报 2020年9期2020-05-16
- Al2O3/ZrO2纳米复合陶瓷的微结构及缺陷的正电子寿命研究
注的热点之一。正电子寿命谱学是研究材料空位型缺陷的有效手段［9］，目前被公认为是研究凝聚态微观结构的有力的非破坏性工具［10-11］。正电子在金属内部热化扩散之后，容易被空位型缺陷捕获，与缺陷处的电子湮没发射γ光子，因此测量正电子的寿命谱可以得到缺陷的类型和浓度等有效信息［12］。目前一些作者利用正电子湮没谱学对Al2O3和ZrO2的微结构及缺陷的研究，例如，Čížek等［13］研究烧结ZrO2纳米晶内部缺陷，发现Zr空位是正电子深井（Deep Posit
核技术 2020年1期2020-01-17
- 小分子正电子放射性药物研发及在肿瘤诊断中的作用研究
疗效果，小分子正电子放射性药物的研究提上了日程。文中对小分子电子放射性药物的研发及应用进行如下探讨。1 小分子正电子放射性药物概述小分子正电子放射性药物主要指的是分子质量小于标准含量的化合物，其主要作用实在其他医疗治疗中起到一种辅助作用，从而加强药物的药效，起到良好的治疗效果。众所周知，正电子放射性药物对肿瘤病症的治疗具有一定的效果，但是仍需要小分子放射性药物进行补充，已达到更好的治疗效果。小分子正电子放射性药物的基本特点如下：（1）小分子正电子放射性药物
影像研究与医学应用 2019年20期2019-12-08
- PET成像中核素及组织差异对正电子分布影响的Geant4模拟
的诊断仪器中，正电子发射型计算机断层显像(PET)是一种具有远大应用前景的功能性核医学成像方法，具有高分辨率的特点.PET成像的基本原理为：经过生理代谢和组织吸收，注入人体的正电子核素药物会高度聚集于肿瘤病灶区.当正电子从核素点发射后，经历热化等过程(正电子的射程主要取决于这个阶段)，随后与电子或原子核等基本粒子发生一系列的非弹性散射、扩散，并最终与周围的电子发生湮没，产生一对运动方向相反、能量为511 keV的γ光子.PET探测器记录符合时间窗内γ光子对
郑州大学学报（理学版） 2019年3期2019-09-23
- 正电子湮没研究Al、Nb共掺CaCu3Ti4O12陶瓷高介电常数机理
构的样品。采用正电子湮没技术结合SEM和阻抗分析，探究微观结构对Al、Nb共掺CaCu3Ti4O12陶瓷介电性能的影响。1 样品的制备用传统的固相法制备了Ti位共掺不同浓度的Al、Nb的CaCu3Ti4O12陶瓷(CaCu3Ti4-x-Al0.5xNb0.5xO12，x=0.2%、0.5%、5.0%)，为描述方便简写为CCT(AN)xO。所用的原料及纯度为CaCO3(99%)、TiO2(99%)、Nb2O5(99.99%)、CuO(99%)和Al2O3(9
原子能科学技术 2019年6期2019-06-14
- 正电子致电离截面实验中束流强度的在线测量
2206)低能正电子致原子内壳层电离截面的测量在理论研究和实际应用中有着重要意义。在理论研究方面，能量在靶原子电离阈能附近的正负电子与原子之间的碰撞作用机制尚不清楚。尽管相关理论模型不断被提出，如DWBA量子理论模型[1-3]、PWBA-C-Ex量子理论模型[4]等，但理论模型的可靠性需准确的电离截面实验数据加以检验。在实际应用方面，正电子致原子内壳层电离截面数据广泛应用于完善相关模拟计算所基于的截面数据库、天体物理及核聚变等高技术领域[5-6]。目前由于
原子能科学技术 2019年1期2019-02-14
- 正反物质的完美混合
西叫做“电子-正电子等离子体”，是等量的电子与正电子完美混合。但在几秒钟内，它就消失了：电子和正电子在接触后彼此湮灭，它们的质量完全转换成能量。不过从那以后，宇宙中出现的许多剧烈的天文学事件，都能产生电子-正电子等离子体。现在，科学家们也开始学会在实验室中生产这种等离子体，希望以此来了解那些剧烈的天文学事件背后的科学原理。此外，了解这种等离子体，还能帮助我们彻底掌握可控核聚变技术。如此看来，电子-正电子等离子体的确很了不起。下面，我们就来了解一下它。剧烈的
科学之谜 2018年11期2018-12-05
- 高能电子轰击金属靶产生正电子的模拟研究
on[1]发现正电子以来，正电子在很多领域已经得到很大的应用.获取符合能量需求和束流强度的正电子源，并将其在加速器上实现变得非常重要.自从Stanford[2]在Stanford Mark Ⅲ直线加速器上产生正电子束之后，利用高能电子轰击金属靶，在电子-伽马簇射的基础上产生正电子的研究一直受到人们的广泛关注，但是这样级联簇射产生的正电子有着很宽的能谱和横问动量分布.因此模拟和测量高能正电子的角分布和能谱就很有必要.在北京正负电子对撞机(BEPC)的正电子源
西北师范大学学报（自然科学版） 2018年6期2018-12-03
- 大量反物质奔向地球
，检测到大量的正电子从宇宙深处飞来，其数量之多超出以前的预料。正电子质量与电子相同，所带电荷与电子所带电荷相反，是电子的反粒子。这些正电子源自何处，目前仍是科学之谜。有人推测，正电子来自某种脉冲星。波兰科学院的物理学家格鲁斯表示，天文台检测到脉冲星释放出伽马射线、高能电子等粒子，但是这些高能粒子间的相互作用不足以产生如此多的正电子。也就是说，有很多正电子并非来源于脉冲星。那么它们来自于何方？有人提出，正电子也许来自一种质量大的暗物质粒子，因为暗物质是构成宇
中外文摘 2018年10期2018-11-21
- 8—9.5 keV正电子致Ti的K壳层电离截面的实验研究∗
,开展近阈能区正电子致原子内壳层电离截面实验研究有助于理解二者间的碰撞作用机理.此外,近阈能区正电子致原子内壳层电离截面数据的可靠获取有利于正电子束相关技术在核医学、材料科学、等离子体物理等诸多领域得到更广泛的应用[1,2].然而,尽管目前已发表了许多低能电子碰撞原子内壳层电离截面数据[3−7],但低能正电子致原子内壳层电离截面数据非常缺乏,已公布的正电子实验数据主要集中在:日本东京大学Nagashima等[8,9]采用基于22Na放射源和钨网慢化体的慢正
物理学报 2018年19期2018-11-03
- MRI磁场对小动物PET空间分辨率影响的仿真研究*
ET-MRI是正电子发射断层成像(positron emission tomography，PET)和磁共振成像(magnetic resonance imaging，MRI)的双模态融合，在过去的20年中一直是医学影像的研究热点[1]。相对于PETX射线计算机断层成像(computed tomography，CT)，PET-MRI能提供更好的组织对比度，MRI本身无电离辐射，可以显著降低检查所需的辐射剂量，同时由于其多样化的扫描序列，成像也比CT更加灵活
中国医学装备 2018年7期2018-07-12
- 正电子放射性药物及其相关问题研究
530021）正电子放射性药物是指以正电子核素（如18F、11C、15O、13N等）标记、制备的核医学示踪剂[1]。近年来，国内关于正电子放射性药物及其相关问题方面的研究越来越多，产生了较为丰富的文献研究成果。受到相关研究的启发，本文重点针对正电子放射性药物及其相关问题展开研究，希望能进一步丰富正电子放射性药物及其合成方面的理论研究。1 正电子放射性药物的内涵及特点1.1 正电子放射性药物的内涵从本质上而言，正电子放射性药物是指通过衰变而发射出一个中微子及
生物化工 2018年3期2018-03-28
- 大量反物质奔向地球
，检测到大量的正电子从宇宙深处飞来，其数量之多超出以前的预料。正电子质量与电子相同，所带电荷与电子所带电荷相反，是电子的反粒子。这些正电子源自何处，目前仍是科学之谜。有人推测，正电子来自某种脉冲星。波兰科学院的物理学家格鲁斯表示，天文台检测到脉冲星释放出伽马射线、高能电子等粒子，但是这些高能粒子间的相互作用不足以产生如此多的正电子。也就是说，有很多正电子并非来源于脉冲星。那么它们来自于何方？有人提出，正电子也许来自一种质量大的暗物质粒子，因为暗物质是构成宇
科学之谜 2018年1期2018-02-03
- 本刊可以直接使用的英文缩略语(三)
正电子发射型计算机断层扫描(positron emission computed tomography, PET)单光子发射型计算机断层扫描(single photon emission computed tomography, SPECT)发射型计算机断层扫描(emission computed tomography, ECT)氟脱氧葡萄糖(fluorodeoxyglucose, FDG)亚甲基二磷酸盐 (Methylene diphosphonate,
中国医学影像技术 2018年6期2018-01-24
- 正电子放射性药物合成及质量控制管理
130012正电子放射性药物合成及质量控制管理王雷，宋炳胜，李艳华吉林省肿瘤医院PET-CT核医学科,吉林长春 130012目的 探讨正电子放射性药物的合成方法及质量控制管理方法，为临床应用提供科学理论依据。方法 采用不同的合成方法对正电子放射性药物进行合成，对照组采用18F标记药物亲电反应合成的正电子放射性药物，观察组采用“点击化学法”合成正电子放射性药物，观察两种合成方法后药物的产率和质检合格率。结果 “点击化学”法合成正电子放射性药物的产率增加，为
中国卫生产业 2017年27期2017-11-07
- 研究堆慢正电子源构建中的关键机理问题∗
00)研究堆慢正电子源构建中的关键机理问题∗王冠博 李润东†杨鑫 曹超 张之华(中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳621900)(2016年11月1日收到;2017年1月22日收到修改稿)研究堆慢正电子源是获得高强度慢正电子束流的有效方式,国际上已建成多座装置并获得广泛应用.与常规同位素慢正电子源相比,研究堆慢正电子源的物理过程复杂,影响末端束流强度的因素众多,对其进行深入研究与合理建模是未来在中国绵阳研究堆(CMRR)上构建慢正电子源的基础.本文
物理学报 2017年8期2017-08-12
- 高能重离子辐照的低活化钢硬化效应∗
f ect).正电子湮灭寿命谱显示低活化钢在辐照之后长寿命成分增加,说明样品中产生了大量缺陷形成空位团,从而导致了材料力学性能的变化,在离子辐照剂量增加至0.2 dpa时,平均寿命τm增加量逐渐变慢,材料中辐照产生的缺陷趋于饱和.低活化钢,N/Fe离子辐照,硬化,空位团1 引言核聚变能源作为未来重要的清洁能源,拥有取之不尽、用之不竭的特点,因而成为国际上研究的热点.1985年,美国、苏联倡议启动国际热核实验反应堆即ITER(International Th
物理学报 2017年11期2017-08-09
- 正电子湮没谱学研究半导体材料微观结构的应用进展∗
430000)正电子湮没谱学研究半导体材料微观结构的应用进展∗曹兴忠1)†宋力刚1)2)靳硕学1)张仁刚2)王宝义1)魏龙1)1)(中国科学院高能物理研究所,北京 100049)2)(武汉科技大学理学院,武汉 430000)(2016年8月30日收到;2016年10月18日收到修改稿)正电子湮没谱学技术在研究材料微观缺陷、微观结构方面有着独特的优势,尤其是在针对阳离子空位等负电性空位型缺陷的研究中,可以获取材料内部微观缺陷的种类与分布的关键信息.正电子湮没
物理学报 2017年2期2017-08-01
- 阿尔法磁谱仪在国际空间站上五年的结果
，质子（p），正电子（e+）以及反质子（p）具有无限长寿命，可以在宇宙中一直传播。电子和正电子的质量比质子和反质子小，在穿过星际磁场中会损失更多的能量。近一百年来，有很多对电子、正电子和质子流强的测量。這些测量的误差很大，从而导致了很多不同的理论模型。目前，AMS的精确测量揭示了与以往实验结果所不同的新信息，这改变了物理学家对宇宙线的认识。通过对1650万电子和108万正电子的测量，AMS结果表明：电子流与正电子流的强度不同，且随能量变化的行为也不一样。在
科学 2017年2期2017-05-30
- 学习大学物理课程中关于对正电子的理解
告，他们发现了正电子。正负电子一旦相遇，则发生湮灭，是正电子的最基本性质。在这之前是不具有我们理解的正电子的最基本性质。那么对于大学生在学习大学物理中该如何理解正电子，本人在文章简单介绍了正电子的发现过程，让大学生对正电子的概念有一个基本的了解。【关键词】正电子；狄拉克方程；湮灭；空穴1.引言正电子的理论预言和实验发现揭开了反粒子的发现之幕，这也无疑是近代物理界的极为重要的和极其有意义的发现，它的发现标志着我们对物质的内涵有了更进一步的理解，尤其是对基本粒
文理导航 2017年14期2017-05-16
- 正电子与原子散射阈值效应分析
刘芳[关键词]正电子；原子散射阈值效应；关系自从1948年，Wigner首次指出散射过程中阈值效应的存在，阈值效应一直是讨论的焦点。在散射过程中，新的打开通道会对散射截面产生影响，这种的现象叫作阈值效应，在截面上表现为一个cusp结构，这种结构被称为Wigner-cusp。在低能电子与锂原子的散射实验中，已经证实了Wigner-cusp的存在。在目前的計算结果中，锂原子的各激发态的阈值能量附近出现了一些Wigner-cusp，如图1所示。其中，图1 a）
活力 2016年15期2017-03-15
- 新型对比剂可帮助发现微小血栓
剂，结合现有的正电子扫描技术，可以发现多个部位的微小血栓。这种对比剂称为18F-GP1，它是一种特殊的小分子，用氟元素的放射性同位素18F标记。通过静脉注射进入血液系统后，这种分子能有针对性地与血小板膜糖蛋白 GPⅡb／Ⅲa 紧密结合，后者参与血小板的聚集与活化，促进血栓形成。18F是一种很好的正电子来源，用正电子发射计算机断层扫描很容易发现它。德国拜耳公司等机构的研究人员用猴子展开的实验表明，新型对比剂能在血栓形成的部位大量累积，显露出血管里的微小血栓以
中国医学计算机成像杂志 2017年5期2017-01-15
- 正电子与原子散射总截面的理论研究
宝贵[关键词]正电子；正电子与原子散射问题的研究是原子分子物理中一个非常基本并且重要的领域。它提供了一个获得原子结构信息的重要途径，并且能够帮助更好地理解多体相互作用问题，为深入理解物质世界的相互作用提供新的手段，例如，最近几年，加拿大物理学家就通过对正电子与生物分子碰撞过程中所产生的电离散射截面的研究，发现DNA分子在10-100 eV之间的正电子的碰撞下最容易被破坏；正电子散射的湮灭实验可以探测出固体的Fermi面；利用正电子发射断层造影技术（PET）
活力 2016年8期2016-11-12
- 上海光机所沈百飞：屏蔽伽马噪声后强激光轰出反物质
出一种高质量的正电子源：用超强、超短的激光，有节奏地从靶子上轰出了反物质。宇宙中最常见的电子，携带一个负电荷，而携带一个正电荷的正电子就很罕见。电子与正电子互为反物质，碰上就同归于尽，并放出一道强光。根据这个原理，科学家发明了PET（正电子扫描成像），利用正电子湮灭放光，探查物质的细节。在强光照射下，虚空中也可能迸出一正一反两个电子。人们早就发现，如果用激光轰击黄金薄片，或其他原子核较重的元素，都能制造出正反电子对。上海光机所科学家潜心十几年研究，用激光轰
创新时代 2016年4期2016-05-17
- 利用激光成功产生反物质
反物质——超快正电子源。这也是中国科学家首次利用激光成功产生反物质。上海光机所强场激光物理重点实验室利用飞秒拍瓦激光装置和高压气体靶相互作用，产生大量高能电子；高能电子和重核材料靶相互作用，由韧制辐射机制产生高强度伽马射线；伽马射线再和重核作用产生正负电子对。经过精心设计的正电子谱仪成功解决了伽马射线带来的噪声问题，利用正负电子在磁场中的不同偏转特性，实验中在单发条件下就成功观测到了正电子。这一重要发现再次引起各界对反物质的关注，将在材料的无损探测、激光驱
飞碟探索 2016年4期2016-04-07
- 我国科学家利用超强超短激光成功获得“反物质”
反物质——超快正电子源，这一发现将在材料的无损探测、激光驱动正负电子对撞机、癌症诊断等领域具有重大应用。相关研究成果已于近日发表在《等离子体物理》杂志上。每一种粒子都有一个与之相对的“反粒子”。1932年，由美国物理学家卡尔·安德森在实验中证实了电子的反粒子，即正电子的存在。1936年，安德森因发现正电子而获得该年度的诺贝尔物理奖。反物质研究在高能物理、宇宙演化等方面具有重要意义，同时也具有重要应用，比如，正电子断层扫描成像在癌症诊断等方面已广泛应用。长期
甘肃科技纵横 2016年4期2016-03-14
- 用正电子湮没谱学技术表征一种有机-无机杂化膜
00072）用正电子湮没谱学技术表征一种有机-无机杂化膜王 胜1,2杨 静2田丽霞1于胜楠3,4曹兴忠2潘福生3,4姜忠义3,4于润升2王宝义2张 鹏21（东华理工大学 南昌 330013）2（中国科学院高能物理研究所 北京 100049）3（天津大学化工学院 绿色合成与转化教育部重点实验室 天津 300072）4（天津化学化工协同创新中心 天津 300072）应用正电子湮没寿命谱(Positron annihilation lifetime spectr
核技术 2015年3期2015-12-02
- 反渗透膜的微结构分析
断面形貌；采用正电子湮没γ能谱技术评价了样品中孔洞随深度的分布情况；利用正电子湮没寿命技术研究了反渗透膜致密层中的孔洞大小.实验结果发现：反渗透膜UTC70和UTC80均由较薄的表面致密层和较厚的疏松层组成；两种膜的疏松层厚度约为45 μm，表面致密层的厚度均为230 nm；薄膜UTC80致密层中的自由体积孔洞小于薄膜UTC70致密层内的自由体积孔洞.致密层中自由体积的不同应该是薄膜UTC80相比于薄膜UTC70，具有更高的截留率、更低的水通量的原因.纳滤
武汉工程大学学报 2015年8期2015-04-10
- 正电子湮没技术作为材料无损检测的应用研究
215004）正电子湮没技术作为材料无损检测的应用研究曾 辉1陈志强1姜 静1薛旭东1梁建平2刘向兵3王荣山3吴奕初11（武汉大学物理科学与技术学院 湖北省核固体物理重点实验室 湖北 430072）2（中国科学院上海应用物理研究所 嘉定园区 上海 201800）3（苏州热工研究院有限公司 江苏 215004）利用正电子湮没技术对材料内部原子尺度缺陷和损伤十分敏感的特点，设计了一种新的正电子无损检测(Non-destructive testing, NDT)
核技术 2014年6期2014-02-16
- 正电子湮没无损测试技术与应用
528216）正电子湮没无损测试技术是一种研究物质微观结构的方法，一种先进的材料微观结构－自由体积的探测和表征技术，可用于固体物理晶体缺陷与材料相结构与相结构转变的研究，目前已成为一种研究物质微观结构、缺陷、疲劳等的新技术与手段［1－7］。检测实施过程中，放射源作用材料时会产生带有正电荷的、尺寸与电子相当的质点，这种正电子可以被纳米大小的缺陷吸引而与电子相撞击。在正负电子撞击过程中，两种质点湮没，从而放出一种伽玛射线。伽玛射线能谱显示出一种清晰可辨的有关材
无损检测 2013年11期2013-10-25
- GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究*
具有重要意义.正电子湮没谱对材料结构和空位型缺陷非常敏感，属于无损伤测试技术，通过测试材料正电子寿命的变化情况，可以得到材料结构、缺陷类型和浓度等重要信息[5].由于GaN材料中Ga，N的位移阈能都比较大，质子辐照在材料中主要产生点缺陷，如空位或空位团.本文采用常规正电子湮没寿命谱研究HVPE方法生长的GaN厚膜中质子辐照诱生缺陷，在10K低温下测试样品的光致发光谱(PL)，研究质子辐照对缺陷发光特性产生的影响，通过双晶XRD测试研究辐照前后晶格完整性的变
物理学报 2013年11期2013-02-25
- D-D中子辐照单晶TiO2的损伤特性
缺陷极其敏感的正电子湮没技术(PAT)研究D-D中子在单晶TiO2内部引发的缺陷类型和缺陷浓度，给出中子在样品中的作用机制。1 材料和方法TiO2(001)单晶购于德国 MaTecK-Material-Technologie & Kristalle GmbH，生长方法为水热法，晶体尺寸10 mm×10 mm×0.5 mm，单面抛光。辐照在兰州大学ZF-300-II型强流中子发生器上完成，中子源为 D-D反应，中子发生器的工作电压分别为220、240 kV，
核技术 2012年2期2012-10-16
- Fe-1.5wt% Cu合金中Cu纳米颗粒与微观缺陷热回复过程研究
u纳米颗粒，用正电子湮没谱学技术(PAT)和透射电子显微镜(TEM)研究了微小 Cu纳米颗粒与合金中微观缺陷的相互作用机制，由于获取的 Cu纳米颗粒尺寸小、密度低，未发现它们对微观缺陷有明显影响。陈正等[8]将高Cu含量Fe-4.0% Cu合金进行不同温度不同时间的退火，用 X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究了合金中 Cu析出物团簇化的形成过程，但大尺寸Cu团簇颗粒无法用于研究Cu析出物与缺陷相互作用的微观机理。本研究对Fe-1.5% Cu的Fe
核技术 2012年9期2012-06-30
- 北京市药品监督管理局 北京市卫生局关于进一步规范医疗机构制备、使用正电子类放射性药品的通知
范我市医疗机构正电子类放射性药品的制备和使用，保证患者用药安全，根据《中华人民共和国药品管理法》、《放射性药品管理办法》和《关于印发的通知》（国食药监安〔2006〕4号），现将医疗机构制备、使用正电子类放射性药品及研制正电子类放射性新制剂的管理规定重申如下：一、医疗机构制备、使用正电子类放射性药品基本要求（一）医 疗 机 构 配 置PET-CT、PET、回旋加速器设备，应当持有卫生行政主管部门出具的配置和使用许可证明文件。（二）医疗机构使用正电子类放射性药
首都食品与医药 2012年15期2012-04-12
- 正电子放射性药物的应用现状与进展
无锡4063)正电子放射性药物(PET drugs)是指通过临床给药，借助特定的成像技术PET(positron emission tomography，正电子发射断层摄影)，对人体器官和组织进行扫描成像的放射性药品［1］。通过将18F、11C、15O、13N等核素标记在人体所需营养物质(如葡萄糖、氨基酸、水、氧等)或药物上，PET可以从体外无创、定量、动态地观察这些物质进入人体后的生理、生化变化，从分子水平洞察代谢物或药物在人体内的分布和活动。因此，PE
药学实践杂志 2012年3期2012-01-30
- 电子辐照金红石TiO2晶体的正电子湮没技术研究
有很好的方法.正电子湮没技术是无损探测半导体材料中中性或负电性空位型缺陷的重要方法[7-9].正电子入射到材料中迅速慢化，并被材料中中性或负电性的空位所捕获，然后与其周围的电子湮没产生γ光子.根据能量和动量守恒，发生湮没的电子动量可以通过测量γ光子的能量反推获得，即多普勒展宽能谱[10-12].符合多普勒技术(CDB)则通过时间和能量的相关性判断，排除偶然符合、降低本底(峰谷比高达106)在提取内壳层电子的动量信息方面更具优势，因而可以用于判断缺陷(空位)
郑州大学学报（理学版） 2012年1期2012-01-05
- 纳米Fe3O4颗粒的正电子湮没谱学研究*
e3O4颗粒的正电子湮没谱学研究*许红霞 郝颖萍 韩荣典 翁惠民 杜淮江 叶邦角(中国科学技术大学近代物理系，合肥230026) (2010年7月28日收到;2010年9月13日收到修改稿)测量了磁性纳米Fe3O4颗粒的X射线衍射谱(XRD)、正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽谱(CDBS)，研究了不同压力和退火温度对磁性纳米Fe3O4颗粒物相、电子结构、缺陷及电子动量分布等的影响．XRD，PALS，CDBS测量结果表明:纳米Fe3O4颗粒的缺陷
物理学报 2011年6期2011-11-02
- 用正电子湮没谱学研究Fe(III)在γ-Al2O3载体中的分散
30072）用正电子湮没谱学研究Fe(III)在γ-Al2O3载体中的分散张婧 张奇林 朱俊（武汉大学物理科学与技术学院，湖北 武汉 430072）用XRD、XPS、TG/DTA及正电子湮没谱学研究以浸渍法将三价铁离子(Fe(III))加载于多孔γ-Al2O3载体上后，Fe(III)在载体中的分散过程。研究了Fe(III)/γ-Al2O3原样，经60°C脱水2h以及经500°C烘烤1 h后正电子寿命随Fe(III)含量的变化；高含量(9.6%)、低含量(1
大众科技 2011年3期2011-10-25
- 正电子湮没技术在纳米材料中的应用
430074)正电子湮没技术在纳米材料中的应用曾小川1宋武林1,2＊周玉华1谢长生1(1华中科技大学材料科学与工程学院模具技术国家重点实验室,武汉 430074; 2华中科技大学分析测试中心,武汉 430074)纳米材料在现实应用中表现出越来越优异的性能,其微结构往往对宏观性能有着重要影响。从正电子湮没技术基本原理出发,结合正电子湮没技术在材料微观结构领域的独特优势,介绍了其在纳米金属、合金以及纳米半导体等材料中的微结构研究工作,阐述了纳米材料微结构对基础
中国无机分析化学 2011年2期2011-01-11
- 用正电子研究镍在γ-Al2O3表面上的分散状态
430072用正电子研究镍在γ-Al2O3表面上的分散状态毕翱翔 康婷霞 朱俊 武汉大学物理科学与技术学院 430072用浸渍法制备了一系列不同担载量的负载型镍催化剂，并经不同温度下烘烤1小时后得到N i/γ-A l2O3样品。分别用热分析(D T A/T G)、正电子湮没谱学等方法来表征镍在多孔氧化铝(γ-A l2O3)表面的分散特性。实验表明，在浸渍法制得的样品中，镍均匀分散于载体表面，在烘烤温度达到320℃时获得活性；在更高的烘烤温度下镍会向体内中扩
中国科技信息 2010年4期2010-11-17
- 电学中的反证法一例
图1电场中有一正电子,如图1,正电子从 A处由静止释放,它的运动轨迹能够与电场线重合吗?这个问题从正面是很难说清楚的,特别是只给出了一个电场线.但是如果用反证法就很容易证明.假设正电子的轨迹和电场线重合,正电子沿电场线做曲线运动,那么在与运动垂直的方向上必然要有一个力提供向心力,而这与电荷在电场中的受力特点,正电荷受力方向与电场线方向相同相矛盾,所以正电子的轨迹与电场线不重合.简单明了地证明了结论,而且直接使用电场的性质,证明过程非常典型.中学物理中还有大
物理教师 2010年4期2010-07-24
- Fe掺杂CuAlO2的微结构和热电性能的正电子湮没研究
次的实验研究。正电子湮没技术通过入射正电子与材料中电子湮没反映材料中微结构状态与缺陷信息。正电子对原子尺寸的缺陷(如空位、空位团、位错和微空洞等)十分敏感，广泛用于固体中的缺陷研究。正电子寿命谱能提供正电子湮没前所在的电子密度信息，可区分具有不同开空间的缺陷。正电子湮没前所在的电子密度越低，正电子的寿命越长。符合正电子湮没辐射多谱勒(Doppler)展宽谱可提供一维正-负电子湮没对的动量分布信息，该技术对合金中3d电子态的变化非常敏感。用符合正电子湮没辐射
核技术 2010年7期2010-03-24