通孔
- 添加剂竞争吸附机理研究及通孔电镀应用
-10］。电镀铜通孔是实现印制电路板（PCB）层间互连的主要途径之一，使得印制电路板从单面板到多层高精度电路板转换，因此通孔电沉积铜技术是当今PCB制造行业中至关重要的技术之一［11-14］。多样化的PCB带来了不同厚径比（从1∶6到32∶1）的通孔。通常情况下，通孔电镀铜的目的在于增加孔内金属导电铜层的厚度，以确保PCB中的铜互连结构的信号传输完整性与可靠性。目前，对于不同厚径比的通孔电镀条件和参数设置还缺乏系统化的分析，不同厚径比通孔电镀条件有所区别，
电镀与精饰 2022年11期2022-11-15
- 一种通孔插件回流焊接实战技术
并开始应用在传统通孔工艺当中。在传统加工工艺中，一般采用波峰焊接技术，然而随着电子产品发展的日新月异，波峰焊接技术已经无法满足部分通孔双面焊接需求，大力发展通孔插件回流焊接技术势在必行。本文介绍了通口回流焊接技术的定义、工艺流程、优缺点等，旨在为相关研究提供重要参考。关键词：通孔;回流焊接;工艺流程前言：传统的电子组装工艺，在安装有过孔插装元件印制板组件的焊接，通常选择波峰焊技术。但实践证明，波峰焊存在很多弊端，如不适用于高密度元件焊接、漏焊、桥接较多等。
科技研究·理论版 2022年11期2022-07-07
- 基于新型磁流变阻尼器的汽车防侧翻研究*
提出了一种带有旁通孔的MR 阻尼器，并研究了活塞旁通孔数量、孔径、线圈高度等几何参数对MR 阻尼特性的影响。Park 等人提出了一种带有小孔的MR阻尼器，并通过1/4 车辆模型评价其舒适性。Oh Jong Seok 等人根据车辆质量分布，将带旁通孔和不带旁通孔的阻尼器分别用作前、后阻尼器，并验证了搭载2种不同的MR 阻尼器的乘用车及客车的振动控制性能。上述研究中的MR 阻尼器只有开孔和不开孔2 种，且只通过电流对阻尼力进行控制，未涉及对阻尼器小孔控制策略的
汽车技术 2022年4期2022-04-27
- 一种橡胶母粒风冷振动筛
内部开设有主进风通孔，且主进风通孔外部的振动筛主体上安装有进风管道，进风管道侧边外部安装有引流箱体，且引流箱体内部的振动筛主体中开设有辅助进风通孔，固定底板底端上方连接有风机，且风机外部安装有风冷管道，并且风冷管道顶端连接有进风管道，引流箱体内部开设有限位通孔，且限位通孔内部嵌合连接有挡风板，挡风板一端面贴合振动筛主体外壁时，挡风板另一端伸入限位通孔内部，且挡风板外部连接有移动手杆。该橡胶母粒风冷振动筛能够有效增长风冷降温路径（申请专利号：CN202022
橡塑技术与装备 2022年3期2022-03-17
- 含通孔损伤变截面钛合金蜂窝壁板拉伸性能研究
载荷形式。但是，通孔对变截面钛合金蜂窝壁板结构拉伸性能的影响尚不明确。为了评估通孔损伤对变截面钛合金蜂窝壁板拉伸性能的影响，本研究采用试验研究和有限元分析相结合的方法研究了壁板在拉伸载荷作用下的破坏载荷和破坏模式。1 试验研究变截面钛合金蜂窝壁板试验件面板和芯体采用真空钎焊炉钎焊成整体，钎焊温度为920℃，保温2h。蒙皮材料和芯体材料均采用TC4。试验件长度Lsp为390mm；宽度Wsp为176mm；内蒙皮厚度tskin-in为0.6mm；外蒙皮厚度tsk
航空制造技术 2022年3期2022-03-16
- 文献摘要（228）
、间距和更小的导通孔尺寸;寻求利用埋置无源和有源元件、系统封装（SiP）、芯片系统化（SoC）或其他方式，以增强IC功能的密集封装。类载板的基本定义为线宽/线距小于35 μm，预计将成为一个主要趋势，尤其是用于便携式和可穿戴设备，成本是限制大容量、便携式消费产品主要因素。（By Urmi Ray，PCD&F，2020/11，共4页）刚挠结合驱动全球创新的五种因素Five Ways Rigid-Flex Is Driving Global Innovatio
印制电路信息 2021年1期2021-12-03
- 晶圆级封装中的垂直互连结构
代的作用，其中硅通孔（Through Silicon Via，TSV)、塑封通孔(Through Molding Via，TMV)和玻璃通孔(Through Glass Via，TGV)互连结构在近些年的先进封装领域中是最为普遍的结构，通过垂直互连提高了封装体的高密度互连能力，使得集成度更高、传输速率更快、寄生干扰更小、高频特性更优越。本文从3种垂直互连结构的发展历史、工艺方法和应用领域等多个方面进行阐述，系统总结3种垂直互连结构的特点和发展。2 TSV垂
电子与封装 2021年10期2021-11-04
- 一种低压接地连片的研制
要先通过第一螺纹通孔和第二螺纹通孔将连接片分别和低压分路开关出线处以及出线电缆处连接，当需要装设接地线时，将接地线的保安钳夹在接地连片上以将接地线固定在接地连片上，从而开始进行后续的工作。这种低压接地连片结构简单，操作方便，就算在空间狭小的地方也能实现快速装设接地线，且不易出现误触相邻的开关的情况[2]。1.2 主要设计方案本发明是一种低压接地连片，所采用技术方案的具体内容如下。一是连接片上间隔设置有第一螺纹通孔和第二螺纹通孔，第一螺纹通孔用以与低压分路开
通信电源技术 2021年9期2021-09-23
- 5G通信发展使印制板导通孔走上主导地位
，甚至无线化；导通孔会越来越小、越多化，甚至全导通孔化。因此，信号在PCB导体内的传输过程会越来越多的在孔中进行。这样的结果，PCB导体中影响信号传输完整性的主要因素将由导线转为导通孔为主导地位。同理，导通孔的尺寸、表面状态等也存在着阻抗值变化课题，因此提高导通孔的质量将成为主要课题。实验表明，激光脉冲冲击时间越短，则倒锥形孔就越小越接近理想的导通孔，因此采用不产生热传导的飞秒激光打孔可以得到无烧蚀的理想导通孔。1 导通孔的变迁与地位PCB导体是由孔、线和
印制电路信息 2021年7期2021-08-10
- 浅谈大功率LED陶瓷基板制作工艺及填通孔技术
将DPC工艺和填通孔技术相结合，工艺流程见图1。图1 大功率LED陶瓷基板的制作工艺流程Figure 1 Process flow for manufacturing ceramic substrate applied to high-powered LEDs具体如下：(1) 选用具有高热传导率的氮化铝陶瓷；(2) 借助激光机打孔得到通孔陶瓷基板；(3) 在陶瓷基板表面磁控溅射过渡层──微纳米氧化铝膜；(4) 在过渡层上磁控溅射得到热应力缓冲层──钛钨合金
电镀与涂饰 2021年13期2021-08-07
- 多次热氧化削减硅通孔内壁扇贝纹
1-2]。基于硅通孔(through silicon via, TSV)实现多层堆叠芯片互连的三维集成技术能够有效缩短互连线的长度、提高系统集成度和功率密度，且可实现异质集成、减小芯片面积、降低成本[3-7]。硅通孔是三维集成系统的关键技术之一[8]。目前常见的硅通孔内部一般包含绝缘层、势垒层和金属芯，由于各层材料的性质不同，层间界面质量对硅通孔的性能以及三维集成系统的可靠性有着至关重要的影响。刻蚀形成原始硅通孔后，孔内壁的平滑度对后续填充的孔内各层材料以
人工晶体学报 2021年6期2021-07-12
- 三维封装硅通孔铜互连电镀工艺研究进展
的最佳选择。以硅通孔(TSV)互连为特征的三维集成封装技术已受到芯片封装行业的广泛认可。该技术在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制造垂直通道，并通过金属填充通道来实现芯片之间的垂直互连。如图1所示，与传统横向互连技术相比，TSV技术只在垂直方向进行通孔互连，连线的长度可以缩短至与芯片厚度相等。这样，一方面缩短了信号的传输路径，减小电阻以及信号传输过程中的寄生效应和延迟时间，从而降低功耗；另一方面减少了互连结构在芯片上的面积，缩小了封装尺寸，在相同面积下形成的
电镀与涂饰 2021年5期2021-04-19
- 面向异质集成应用的BCB 通孔刻蚀研究
需要通过BCB 通孔实现InP HBT 器件与Si CMOS 器件之间的信号垂直互连。如图1 所示，对于两层金属的InP HBT 来说，分割成岛状的InP HBT 管芯被2 μm 厚的BCB1 介质层包裹，M1 层金属下同样覆盖有约2 μm 厚的BCB2 介质层，最上面是M2 层金属。然后上述结构从原始InP衬底剥离，通过BCB 键合转移到目标Si CMOS 衬底上，考虑到Si CMOS 表面的起伏，常用的键合BCB层约1 μm 厚。即需要通过深度约5 μ
电子元件与材料 2021年3期2021-04-16
- 专利名称：一种缫丝机的快速叉手
的头部设有一固定通孔，所述的叉架包含一圆柱状的叉筒，所述的叉筒的侧壁上设有一对叉翼，所述的叉翼底部设有由固丝突出组成的固丝突出阵列，所述的叉翼上设有一锁止通孔。本实用新型的缫丝机的快速叉手利用叉筒上的一对叉翼，使用者在进行卷绕时，可以直接旋转一对叉翼，利用叉翼底部的固丝突出阵列来对蚕丝进行快速固定，最后利用锁止通孔进行固定，整个过程单手即可完成，需要固定螺钉，大大提高了湿丝条的卷绕效率。该缫丝机的快速叉手结构简单，操作方便，实用性强。
现代丝绸科学与技术 2021年1期2021-03-06
- 装甲车辆油气弹簧减振阀阻尼特性研究
方程计算分析了常通孔对油气弹簧系统阻尼力的影响；同年，Basavaraj V等[10]对带阻尼阀芯的提升阀进行了仿真，分析了其瞬态响应；2019年，么鸣涛等[11]将小间隙节流的计算方法和薄板弯曲变形的微分方程相结合,分析了节流阀片厚度变化时减振器阻尼力值的变化规律。上述研究多为常通孔和弹簧阀片式减振阀，然而针对装甲车辆的实际应用表明，常通孔减振阀在高速时由于泄压不及时容易出现空程和困压等现象，造成减振性能变差和部件冲击载荷过大损坏等问题，难以适用于强冲击
兵器装备工程学报 2021年1期2021-02-23
- CMUT 面阵制备中的硅通孔金属互连工艺设计
情况，考虑采用硅通孔（Through Silicon Via，TSV）技术，利用硅晶片的通孔，建立从芯片的有效侧面到背面的电连接，使器件上、下表面构成导电通道，将传感器顶部的上电极引到器件的背面与电路板焊锡连接。目前，大多数传感器的电极引出都是使用引线键合技术[1]，不过对于小尺寸的CMUT 面阵换能器来说，成千上百个上电极引出并封装还是无法实现，硅通孔技术通过在硅片上制作通孔，能够实现传感器穿通硅的垂直互连[2-4]。如今，TSV 技术在传感器阵列、IC
现代电子技术 2021年3期2021-02-02
- 一种圆织机
述展平环设有第一通孔，内尺码环设有第二通孔，安装环设有螺纹孔，紧固螺栓依次穿过第一通孔和第二通孔与螺纹孔连接将内尺码环、展平环一起固定于安装环。所述展平环设有第一通孔，内尺码环设有第二通孔，安装环设有第三通孔，紧固螺栓依次穿过第一通孔、第二通孔、第三通孔与螺母连接将内尺码环、展平环一起固定于安装环。所述展平环与内尺码环之间设有套筒，套筒套在紧固螺栓上。所述展平环固定在主轴上。所述展平环的外周侧面为圆柱面，圆柱面的顶端与展平环的顶面之间圆角过渡，圆柱面的底端
塑料包装 2020年6期2021-01-21
- 8光罩BCE结构IGZO-TFT的钝化层通孔柱状不良的改善
性[4]。钝化层通孔刻蚀需要同时刻蚀SiNx和SiO2两种不同膜层，通常SiNx采用六氟化硫和氧气刻蚀气体进行刻蚀，SiO2采用四氟化碳和氧气刻蚀气体进行刻蚀[5-7]，由于IGZO通孔结构相对于非晶硅膜层复杂，且两种膜层膜质差异较大，在通孔刻蚀过程中易出现通孔形貌异常，导致通孔连接异常。本文针对IGZO通孔柱状不良进行系统研究，确定通孔柱状发生的根本原因，同时讨论了改善柱状不良的方法，成功解决了IGZO通孔柱状问题，为IGZO的泛应用提供技术参考。2 通
液晶与显示 2020年12期2020-12-09
- 牟宗三“通孔说”对新时代文化自信的启示
摘要：“通孔”是牟宗三在论述中国哲学之特殊性的过程中提出的具有理论支撑意义的概念。“通孔说”否 定了“以西释中”，开辟了“以中释中”的诠释范式，具有使人表现自己精神世界的积极意义，并且阐释了人类 文化存在差异的原因，而且从一个侧面体现了人类文化的平等性。其对新时代文化自信的启示是：追溯“通孔” 的形成过程，达到文化自觉，是文化自信的前提;把握“通孔”的内外限制，在坚持中国特色社会主义方向的前 提下实现文化创新，是文化自信的保障;坚信“通孔”体现的文化平等观
西部学刊 2020年13期2020-08-28
- 钢管超声波探伤通孔与刻槽校验灵敏度差异原因探究
3.2 mm 竖通孔校验灵敏度之间， 在相同波高下其灵敏度的差值是一致的。 下面以Φ355.6 mm×8.7 mm 规格焊管为例进行说明。（1） 在线焊缝探伤时， 在反射波高60%情况下， Φ3.2 mm 竖通孔灵敏度比N10 刻槽灵敏度约高2～3 dB。（2） 离线焊缝探伤时， 在反射波高60%情况下， N10 刻槽灵敏度比Φ3.2 mm 竖通孔灵敏度约高6 dB。（3） 手工探伤校验时， 在反射波高60%情况下， N10 刻槽灵敏度比Φ3.2 mm 竖
焊管 2020年6期2020-07-23
- 一种新型双头输液器的设计及应用
动块上分别有3个通孔和3个接口。转动杆由3个凸状机构与转动块固定连接，与第二接口对应连接的凸状机构为蓝色。见图1。2 使用方法利用三通连接管原理控制液体的接通和断开。当只需输入第一刺穿管连接的液体时，旋转传动杆使第一通孔和第二接口对应，第三通孔和第三接口对应，而第二通孔未接通。当只需输入第二刺穿管连接的液体时，通过旋转传动杆，使第二通孔和第二接口对应，第三通孔和第一接口对应，此时第一通孔未连通。当需同时输入第一刺穿管和第二刺穿管连接的液体时，通过旋转传动杆
中国临床护理 2020年1期2020-05-14
- 基于C语言模拟计算的cdPCR最佳反应通孔数分析
分到芯片上的反应通孔中进行PCR反应，然后根据泊松分布和荧光信号阳性比例来计算目的核酸的拷贝数[13]。利用C语言程序来模拟芯片数字PCR中目的核酸进入反应通孔的过程，从而可以对干扰粒子对目的核酸分布的影响[17-20]、目的核酸最佳反应通孔数、目的核酸分布均匀性等问题进行分析与计算，旨在为数字PCR的芯片设计提供一定的参数依据与理论指导。1 模拟分析算法通过C语言模拟“干扰作用完全随机的情况下目标粒子进入反应通孔的过程”的模拟算法如图1所示，具体过程如下
黑龙江八一农垦大学学报 2020年2期2020-05-06
- 基于MEMS器件的玻璃通孔内金属批量化填充制备
0 引言目前玻璃通孔(through glass via，TGV)晶片应用十分广泛，在微机械系统制造和圆片级封装中发挥着重要作用，通过TGV晶片可以有效实现电隔离和提高器件性能，实现的纵向互连技术工艺简单，寄生电容小，气密性良好[1-2]。本文所讨论的TGV晶片主要应用于圆片级封装，通过TGV晶片的批量化金属填充，实现晶圆级真空封装的导线互连技术。TGV成孔技术目前已报道有多种方法，如有激光烧蚀、湿法刻蚀光敏玻璃、干法刻蚀、熔融玻璃回流法等[3-5]。其中
仪表技术与传感器 2020年1期2020-02-26
- 碳纳米管在三维集成电路芯片硅通孔中的应用
件层信号，采用硅通孔实现垂直互联，将器件层进行三维集成电路芯片受到重视。三维芯片可降低互联线功耗，提高芯片处理速度，具有信号延迟小，走线短等特点。可通过三维芯片减少芯片面积。芯片内部器件产生热量增大。如何合理处理散热是设计三维芯片需要考虑的问题。一、硅通孔技术的研究随着半导体产业发展，传统集成电路面临挑战。SMOS晶体管趋近物理极限，互连线延迟等问题随着工作频率升高严重，硅通孔三维集成技术应运而生。硅通孔可提高芯片集成度，但面临信号完整性等问题，为提高硅通
科学咨询 2020年36期2020-01-06
- 高速PCB差分孔阻抗的影响因素及优化研究
高频下传输时，导通孔的寄生电容和寄生电感所产生的阻抗会引起信号反射、串扰或衰减等问题。实现高速PCB互连必须采用导通孔设计，导通孔是PCB设计中的常用结构[2]。因此，在高速PCB设计和制造中，如何减小导通孔寄生效应带来的阻抗是我们必须面对的问题。本文通过导通孔的影响因素分析，并通过优化设计试验得出可以从孔径、焊盘和反焊盘三方面改善孔阻抗。在研究过程中把控深钻技术应用到孔阻抗优化设计，得到了差分孔阻抗的很好改善。1 孔阻抗的理论分析1.1 导通孔介绍高速电
印制电路信息 2019年8期2019-08-22
- 三重图样光刻与定向自组装技术下通孔层的分解
于制造分布密集的通孔层[3]. 为了通过DSA对通孔层进行刻印制造，通常需要使用引导槽来辅助形成通孔[4]. 使用一些单孔的引导槽可以来制造稀疏结构的通孔. 但对密集结构，太近的单孔引导槽之间会产生冲突[5]. 为了减少冲突，本研究将一些短距离内的通孔放在某个多孔引导槽中组合制造[6]，但是复杂且不规则形状的引导槽将会产生更大的重叠成本[7]. 因此，在引导槽分配时，应考虑引导槽的成本. 此外，对于非常密集的通孔层版图，由于一些冲突错误，通过单重图样光刻制
福州大学学报（自然科学版） 2019年4期2019-08-16
- 钻头钻尖角对铝合金材料加工清洁度影响分析
某公司在加工缸盖通孔时，刀具出口产生大量的翻边毛刺，严重影响了零件加工质量&清洁度，本文从设备、材料、加工方法、加工环境四个方面进行剖析，找出了产生毛刺的根源，并得出了相应解决方法，具有较高参考价值。关键词：铝合金缸盖；通孔；钻；翻边毛刺1 缸盖材料介绍发动机缸盖结构复杂，集油道、气道和水道于一体，而且工作条件恶劣，与缸体、活塞构成燃烧室，承受高温、高压作用。近年来，发动机功率的提高使得缸盖的工作温度和工作压力显著增加，这就要求制造材料具有良好的室温性能和
时代汽车 2019年3期2019-06-11
- 大尺寸带通孔铝合金板材热成形工艺研究
李 信大尺寸带通孔铝合金板材热成形工艺研究薛 杰 秦中环 李保永 刘 伟 徐 凯 李 信（北京航星机器制造有限公司，北京 100013）以大尺寸带通孔铝合金板材热成形工艺过程为研究对象，通过Deform-3D有限元分析软件进行板材热成形数值模拟。结果表明：板材上通孔沿周向热成形比沿其它方向热成形的变形程度小，原因在于沿周向热成形时通孔大部分区域的等效应力为80MPa，比沿其它方向热成形时通孔的等效应力小。试验验证带通孔板材沿周向热成形相比沿其它方向热成形
航天制造技术 2019年2期2019-05-09
- 连铸机冷却水管道用超声波传感器探头固定装置
安装板上设有第一通孔，第二安装板上设有第二通孔，活动板两端均设有连接板，连接板上设有第三通孔，第一通孔、第二通孔和第三通孔内穿设有螺栓，螺栓端部连接有螺母，活动板中部设有第一螺纹孔和限位销孔，限位销孔与第一螺纹孔相连通，第一螺纹孔中螺接有第一顶紧螺栓，第一顶紧螺栓上设有条形销孔，限位销孔和条形销孔内穿设有限位销。本实用新型结构简单、便于操作、安装效率高，而且稳固性好。
传感器世界 2019年3期2019-02-17
- MEMS传感器制备中的玻璃通孔金属填充工艺设计
意法半导体已将硅通孔技术引入MEMS器件的制造中，例如，多轴惯性模块、智能传感器等，用垂直短线互联的方式代替传统芯片间引线互联，在降低了产品尺寸的同时实现了更高的集成度，大大提高了产品的性能[3-5]。实现3-D和2.5-D集成电路的集成，关键技术有硅通孔（TSV）工艺、化学机械抛光工艺（CMP）、晶圆键合工艺、电化学沉积工艺（ECD）等，其中硅通孔工艺由于其缩短了芯片间的互联路径，同时具有更薄的封装尺寸，被认为是 3-D集成工艺中的核心技术[6-8]，可
中国惯性技术学报 2018年5期2018-12-20
- 一种穿戴式空气监测装置
座的下端设有第一通孔和第二通孔，固定座的侧壁上设有两个第一滑槽，第一滑槽竖直设置，且第一滑槽与第二通孔相贯通。本实用新型的有益效果是:结构小巧，相较于环境有关部门的大区域监测数据，监测结果更加可靠，且可根据用户需要佩戴于衣物上的任意位置。本实用新型涉及监测技术领域，特别涉及一种穿戴式空气监测装置。一种穿戴式空气监测装置，其特征在于:包括监测装置本体(1)和固定装置(2)，所述固定装置(2)包括固定座(21)、卡针(22)、钢珠(23)、移动架(24)和弹簧
数码设计 2018年8期2018-12-03
- 一种高密度薄膜多层布线基板BCB通孔制作技术
介质材料，其介质通孔互连的导通性能直接影响着信号的高速传输，因此，BCB通孔光刻成为该基板制造的关键，可利用其光敏特性实现BCB通孔制作.传统浸没显影方式进行BCB通孔显影，容易导致通孔的高阻连接甚至互连断路问题，特别是高深宽比的通孔显影，造成信号断路的几率越来越大，为此，必须使用高昂的等离子刻蚀设备，采用O2/C2F6、O2/SF6等特殊气体进行BCB去底膜工艺[11]，造成了基板制造过程中工艺周期增加，工艺复杂程度提高，甚至制造成本的大幅上升.基于此，
材料科学与工艺 2018年5期2018-11-20
- 电厂换热器弯管远场涡流检测研究
不同位置和大小的通孔检测信号做了对比分析,对弯管的远场涡流检测技术进行了探索。1 检测系统本文采用的是西班牙Tecnatom公司生产的ETBox2i型多频涡流仪,具备远场涡流检测功能。样管及标定管材质为20#钢,规格为Φ15 mm×1.2 mm。配套使用Tecnatom公司的CL115FMF20内穿型柔性远场涡流探头,对中花瓣,双发双收。探头外径为11.5 mm,填充系数为83%。探头前部有43 dB放大器,检测频率为1 700 Hz。2 样管检测试验所用
上海电力大学学报 2018年4期2018-09-11
- 混装型印制板组件的通孔回流焊接工艺研究
装型印制板组件的通孔回流焊接工艺研究杨小健 沈 丽 於德雪 张 琪（北京计算机技术及应用研究所，北京 100854）介绍了混装型印制板组件的通孔回流焊接工艺技术。首先选用可用于回流焊接的表贴和通孔器件制作试验板，继而开展了焊膏印刷模板优化设计和印刷工艺参数研究；采用预成型焊片进行焊锡量补偿的方法，解决了传统通孔回流焊接工艺中通孔器件焊点焊锡量不足的问题；明确了通孔器件的插装要求，合理设计了混装回流焊接工艺参数。完成了试验板的组装和焊接，形成的焊点形态良好，
航天制造技术 2018年2期2018-05-17
- 专利集锦(31)
的头部设有一固定通孔，所述的叉架包含一圆柱状的叉筒，所述的叉筒的侧壁上设有一对叉翼，所述的叉翼的底部设有由固丝突出组成的固丝突出阵列，所述的叉翼上设有一锁止通孔。本发明的缫丝机的快速叉手利用叉筒上的一对叉翼，使用者在进行卷绕时，可以直接旋转一对叉翼，利用叉翼底部的固丝突出阵列来对蚕丝进行快速固定，最后利用锁止通孔进行固定，整个过程单手即可以完成，需要固定螺钉，大大提高了湿丝条的卷绕效率。该缫丝机的快速叉手结构简单，操作方便，实用性强。
现代丝绸科学与技术 2018年5期2018-02-16
- 一种具有顶置挤压机构的挤出模具
有纵置贯通的圆形通孔，顶置模块左、右两侧壁上均开设有用于挤入热熔塑料的挤入管，顶置模块内部横向开设有用于连通圆形通孔和挤入管的横置流道。本实用新型的一种具有顶置挤压机构的挤出模具通过在顶置模块上端固定连接有用于带动圆形通孔内部挤压活塞升降的顶置电动推杆，通过挤压管向圆形通孔内部注料，然后通过挤压活塞对热熔塑料进行挤压，提升热熔塑料的挤入效率，缩短生产时间，提升产品的品质，延长整个模具的使用寿命和生产效率（申请专利号：CN201620629311.9）。
橡塑技术与装备 2018年2期2018-01-16
- 一种多层结构钼隔热屏
层钼圆片上设置有通孔，各单层钼圆片上设置有支撑各相邻单层钼圆片的凸轨，通孔中穿有两端设有紧固支撑钼螺杆。优选的，所述设置在单层钼圆片上的通孔有若干个，各通孔两端邻近位置各设置有一道凸轨，所述凸轨用于支撑和固定相邻钼圆片，其中，凸轨处压制成半圆形，使得相邻钼圆片之间还留有缝隙；优选的，所述钼螺杆下方设置成直角弯曲状，并留有一段支撑钼螺杆，用于构成对钼隔热屏底部支撑架，螺杆上方设置有紧固螺母。
中国钼业 2017年3期2017-01-20
- 一种造口专用腹带的临床应用
的中部开设有造口通孔，直径7.5 cm，造口通孔设有相应的方形布罩，布罩上下边沿有粘扣，能与带体随意粘贴，布罩内层有一内袋，造口袋尾端可直接放在内袋里，对造口袋起到一定的保护和支托作用，并能很好地保护病人的隐私。造口通孔二侧均预设有引流管通孔并配有系带，通孔处均有锁边，需要时，将预留的引流管通孔剪开则行。两侧引流管通孔的多少，造口通孔与引流管通孔两侧的距离以及引流管通孔之间的距离是根据造口定位原则以及腹部器官解剖定位，经过临床无数次试验制定，使造口通孔与引
护士进修杂志 2016年13期2017-01-06
- 多芯片组件BGA-垂直通孔结构参数对信号传输特性的影响
组件BGA-垂直通孔结构参数对信号传输特性的影响周保林，周德俭，卢杨(桂林电子科技大学 机电工程学院，广西 桂林541004)为了提高多芯片组件的信号传输特性，用HFSS软件建立了多芯片组件的BGA-垂直通孔互联模型，分析垂直通孔半径、焊盘半径、反焊盘半径及信号线与地间的距离等结构参数对传输特性的影响。分析结果表明，该模型的回波损耗随着通孔半径和焊盘半径的增大而增大，随信号线与地间距离的增大而减小；特性阻抗随通孔半径和反焊盘半径的增大突变值达到最大。通过仿
桂林电子科技大学学报 2016年4期2016-09-14
- 一种滑翔伞用手柄及其成型模具
形状为L型的第一通孔，中空一部远离第一端口的一侧边上设有向第一端口方向凹陷的第一圆弧凹部；中空二部内具有轴向贯穿的第二通孔，中空三部内具有轴向贯通的第三通孔，第三通孔与第二通孔同轴连通设置，第二通孔连通第一通孔的第二端口，且中空二部与第一圆弧凹部同侧侧边上设有第二圆弧凹部。该实用新型套于操作绳外可减少操作绳对人手的摩擦，保护手部，而第一圆弧凹部和第二圆弧凹部的设计符合人体工程学原理，在操作使用时手指轻松握在第一圆弧凹部和第二圆弧凹部，操作方便灵活。
科技资讯 2016年5期2016-08-13
- 一种手动液压随形活动支承定位装置
方向上设置有第一通孔，在主体内下部的水平方向上设置有第二通孔；在主体的上部安装有油缸外套，在第一通孔上部设置有弹性套；在油缸外套内设置有第一活塞，第一活塞与第一手柄相连接；在弹性套内设置有活动支承，在第一通孔的下端设置有下堵盖；在第二通孔油缸侧的外端设置有端盖，内端设置有第二衬套，在第二通孔另一側的外端设置有螺纹堵盖，内端设置有第二活塞，在螺纹堵盖上设置有通气孔，在第二活塞与螺纹堵盖之间设置有弹簧；在第二通孔内设置有锥阀，锥阀的一端穿过端盖与第二手柄相连，
科技资讯 2016年4期2016-06-11
- 用于检测颗粒的激光传感器
有长方体形的检测通孔，检测通孔包括进气口和出气口，检测通孔的内壁上设置有激光发射器，激光发射器连接有激光驱动器，检测通孔的顶部和底部均设置有光电二极管，两个光电二极管均连接有前置放大器和A/D转换器，A/D转换器和激光驱动器分别与控制系统连接。本激光传感器采用两个光电二极管检测颗粒散射光的结构，可以准确有效地检测出颗粒的粒径和数量，弥补了现有技术的缺陷。
传感器世界 2016年12期2016-03-25
- 钢管通孔直径对涡流检测信号的影响研究
饱和磁化，并针对通孔缺陷和不同规格的钢管，明确其对应能检出最小的通孔直径，如钢管外径在76～144 mm 范围内，应能够检出最小直径为2.2 mm 的通孔即可。然而在实际检测的工件中，通孔缺陷大小各异，值得研究的是，通孔直径是否对涡流信号的相位或幅值产生影响，这将对钢管通孔缺陷的定量评价方面有着重要意义。目前对于非铁磁性管道通孔缺陷的研究较为透彻，如杨宝初［5］和曹刚等［6］发现不同直径的通孔信号相位并非一个固定的值，并解释了信号相位会随直径的改变而变化的
失效分析与预防 2015年3期2015-11-28
- 3D封装与硅通孔（TSV）技术
维封装一般利用硅通孔技术来实现。硅通孔技术通过在硅圆片上制作出一定布线排序的垂直互连孔，在孔中淀积通孔材料，实现不同芯片层之间的电互连，从而保证了芯片间具有较短的互连线，因此可以获得更好的电性能以及更小的信号延迟。1 TSV简介区别于传统的芯片封装技术，硅通孔技术在三维层面实现芯片间的电互连，封装密度大大提高，而垂直的互连线也改善了芯片间的信号传输速度，同时在硅通孔技术保证了对电路板空间的集约化利用，降低了芯片的功耗。另外，一些大型的IDM制造商如IBM和
中国新技术新产品 2015年24期2015-05-11
- 通孔电镀填孔工艺研究与优化
610054）通孔电镀填孔工艺研究与优化Paper Code: S-014刘 佳 陈际达 （重庆大学化学与化工学院，重庆 401331） 邓宏喜 陈世金 郭茂桂 （博敏电子股份有限公司，广东 梅州 514000） 何 为 江俊峰 （电子科技大学微电子与固体电子学院，四川 成都 610054）为了提高高密度互连印制电路板的导电导热性和可靠性，实现通孔与盲孔同时填孔电镀的目的，以某公司已有的电镀填盲孔工艺为参考，适当调整填盲孔电镀液各组分浓度，对通孔进行填孔
印制电路信息 2015年3期2015-02-05
- 3D-TSV封装技术
on Via，硅通孔）技术可实现芯片与芯片间垂直叠层互连，无需引线键合，有效缩短互连线长度，减少信号传输延迟和损失，提高信号速度和带宽，降低功耗和封装体积，是实现多功能、高性能、高可靠且更轻、更薄、更小的半导体系统级封装的有效途径之一[1～4]。TSV工艺分前通孔和后通孔，但具有相同的关键技术：通孔制作、通孔薄膜淀积技术、通孔填充、铜化学机械研磨、超薄晶圆减薄、芯片/晶圆叠层键合。2 通孔制作技术制作TSV通孔的方法主要有：激光钻孔（Laser Drill
电子与封装 2014年7期2014-09-19
- LTCC互连基板金属化孔工艺研究*
分析。2 金属化通孔填充工艺及控制技术通孔填充技术的研究目的就是提高通孔金属化质量，保证通孔互连导通率100%。填孔起到层与层之间的电路连接的作用，其有两种方式：丝印及通孔注射填孔。丝网印刷法对小于0.1 mm直径的通孔来说填充非常困难，效果较差，烧结后的基板成品率低。原因是模板孔径较小，印刷时漏过的浆料较少，经常有孔内填不满，烧结后会出现浆料收缩，影响层与层之间的连接。通常注射填孔效果最好，但需要专门设备，填孔时浆料是通过空气压力将浆料压进孔中，能自然排
电子与封装 2014年2期2014-09-19
- 基于气浮喷射的MEMS封装中通孔的金属互联
板的键合;2) 通孔互连技术,用于芯片与外界的电学连接．盖板一般采用玻璃材料,以形成玻璃-硅-玻璃结构或玻璃绝缘衬底上的硅(SOI)结构[2]．其中,激光刻蚀和喷砂工艺是在玻璃上刻蚀通孔的常用方法．然而,这2种工艺制作的通孔底部一般会产生脆性崩边,导致硅和通孔之间形成5～40 μm的断层,如图1所示．这一缺陷极大降低了通孔金属互联的电学可靠性．针对这类普遍存在的工艺缺陷,通常采用增加沉积金属厚度[3]或改变通孔底部结构[4]两类方法加以解决．(a) 横截面
厦门大学学报（自然科学版） 2014年5期2014-08-07
- 流体粘度对通孔泡沫铝水下声学特性的影响
33)流体粘度对通孔泡沫铝水下声学特性的影响姚欣鹏，何世平(海军工程大学机械工程系，湖北武汉430033)对流体饱和状态的通孔泡沫铝的水下声学性能进行实验研究，测试500～4 000 Hz频率范围内不同粘度流体饱和状态下的水下反声系数和透声系数。结果表明，通孔泡沫铝中充入流体的粘度对其水下声学特性有非常大的影响：低粘度流体饱和的通孔泡沫铝有优良的水下反声性能，而高粘度的流体饱和通孔泡沫铝有较好的吸声性能;流体的粘度对通孔泡沫的反声性能有所降低，对吸声性能有
舰船科学技术 2014年6期2014-07-12
- 基于链式的信号转移冗余TSV方案
形尺寸小。基于硅通孔的三维集成得到了行业的广泛采用。然而，硅通孔的制造过程引入了新的缺陷机制。一个失效的硅通孔会使整个芯片失效，会极大地增加成本。增加冗余硅通孔修复失效硅通孔可能是最有效的提高良率的方法，但是却带来了面积成本。提出了一种基于链式的信号转移冗余方案，输入端从下一分组选择信号硅通孔传输信号。在基于概率模型下，提出的冗余结构良率可以达到99%，同时可以减少冗余TSV的数目。三维集成电路；硅通孔；容错1 引言随着集成电路的发展，为了在一定尺寸的芯片
计算机工程与应用 2014年17期2014-07-08
- 盲埋孔对高速PCB板信号特性的影响
真，将盲埋孔与导通孔进行比较，分析盲埋孔孔径、焊盘、反焊盘几种关键参数对信号特性的影响。信号完整性；高速数字电路；盲孔；埋孔随着大规模、超大规模集成电路越来越多地应用到电路系统中，芯片的集成规模越来越大，体积越来越小，引脚数越来越多，速率越来越高，电路板也朝着多层复杂化的趋势发展。高速多层PCB板中，大多采用导通孔进行层与层之间的连接，但是对于一些非顶层到底层的电气连接就会产生多余的导通孔短柱（Stub）。文献[1]中详细明说了多余短柱对高速多层PCB板传
印制电路信息 2014年1期2014-05-12
- 高深宽比硅通孔检测技术研究
35）高深宽比硅通孔检测技术研究燕英强，吉 勇，明雪飞，陈 波，陈桂芳（中国电子科技集团公司第58研究所，江苏 无锡 214035）由于SEM显微镜、FIB显微镜检测高深宽比硅通孔耗时、费用高，研究了垂直扫描白光干涉技术检测硅通孔的可行性。设定刻蚀/钝化时间比率，改变深硅刻蚀功率和刻蚀时间，获得不同深度和侧壁粗糙度的硅通孔，并用垂直扫描白光干涉技术进行检测。研究结果表明垂直扫描白光干涉技术可以观察硅通孔的形状、测量侧壁粗糙度、精确无损测量硅通孔深度，可以替
电子与封装 2014年11期2014-03-22
- 硅通孔电镀铜填充工艺优化研究
越多的重视，以硅通孔（Through Silicon Via，TSV）互连为特征的三维集成封装技术正在成为其中备受关注的新技术[1，2]。由于铜具有高导电率、与传统多层互连技术兼容等优点，因此铜被广泛的用作硅通孔填充材料[3]。电镀工艺作为最合适的硅通孔填充技术而受到人们的普遍关注[4]，硅通孔填充又分为盲孔填充和通孔填充两种方法[5]。然而，若想获得良好的铜填充却面临着种种困难与挑战，目前影响铜填充的主要问题包括：硅通孔内侧壁种子层的覆盖[6]、硅通孔内
电子工业专用设备 2012年10期2012-09-16
- 三维叠层DRAM封装中硅通孔开路缺陷的模拟
Li Jiang ,Yuxi Liu ,Lian Duan ,Yuan Xie ,and Qiang Xu(1.CUhk REliable computing laboratory(CURE)Department of Computer Science&Engineering，The Chinese University of Hong Kong,Shatin,N.T.,Hong Kong；2.Department of Computer Science&
电子工业专用设备 2011年1期2011-10-24
- 通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响*
关的失效——Cu通孔内部或通孔底部下面互连的空洞，是跟热应力有关的失效模式，它会导致高电阻甚至电路功能失效.文献［1］中提出了活性扩散体的概念，指出Cu互连SIV与互连尺寸、应力和应力梯度有关.文献［2］中指出宽厚比为1的互连结构具有最大的静水应力.文献［3］中指出当通孔与底部相连接的互连为宽互连时，常在通孔底部互连产生SIV.互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性将影响互连通孔结构的尺寸，由此带来的通孔微结构效应对互连通孔和通孔底部互连SIV的影响需要被更
华南理工大学学报（自然科学版） 2011年3期2011-03-15
- 倒装焊器件中Cu/low-k结构热可靠性分析
中选择了两种Cu通孔宽度，分别为0.2 μm和0.4 μm。模型中各部分具体的尺寸参数在表1中已给出，分析中采用了四边形平面应变单元进行计算。表2列出了子模型中各部分的材料性能参数，表格中的材料均视为线弹性材料，已给出了有限元模拟时所用到的杨氏模量，热膨胀系数及泊松比。分析时用到的low-k材料包括两种，分别为TEOS(tetraethyl orthosilicate，四乙氧基硅烷)和SiLK(一种不含Si和F的芳香族碳氢聚合物)。表1 子模型各部分厚度尺
电子工业专用设备 2010年2期2010-08-09