刘 惠, 殷 浩, 杨世龙, 董永平*, 储向峰
(安徽工业大学化学与化工学院,安徽马鞍山 243002)
MPI-B型多参数化学发光分析测试系统(西安瑞迈分析仪器有限公司);CHI 760D型电化学工作站(上海辰华仪器有限公司),三电极体系:SiQDs修饰玻碳电极(SiQDs/GCE)为工作电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,铂片电极为辅助电极。
先后使用0.3 μm和0.05 μm Al2O3抛光粉处理GCE,直至电极表面呈镜面。然后分别放在无水乙醇和去离子水中进行超声清洗,得到洁净的电极。再将GCE放在K3[Fe(CN)6]中性溶液中进行循环伏安扫描,直至得到可逆的循环伏安曲线,表明电极表面被处理干净。将电极吹干后备用。
SiQDs采用水热法制备[4]。称量0.93 g柠檬酸三钠,放置在三口烧瓶中,加入20 mL的去离子水,搅拌15 min溶解,加入5 mL的3-氨丙基三甲氧基硅烷,搅拌15 min,升温到100 ℃,恒温1 h,生成SiQDs。冷却至室温,再用1 kDa的透析袋进行透析提纯。用微量移液器移取5 μL SiQDs滴到电极表面,在室温下烘干,得到SiQDs/GCE。放置待用。
电化学发光分析测试在MPI-B型多参数化学发光系统上进行,光电倍增管高压设定为800 V,电位窗口为-1.5~1.5 V,扫描速度为0.1 V·s-1,根据不同发光强度对DA的含量进行定量测定。
用透射电镜(TEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)对SiQDs的分散情况以及晶格进行了表征,如图1所示。由图1A可见,所合成的SiQDs表现为球形颗粒,具有良好的单分散性。图1B显示其晶格间距为0.19 nm,对应着SiQDs的(220)晶面,说明合成的SiQDs具有良好的结晶度[4]。
图1 SiQDs的透射电镜(TEM)(A)和高分辨透射电镜(HRTEM)(B)图Fig.1 TEM(A) and HRTEM(B)images of SiQDs
图在空白GCE以及SiQDs/GCE上的ECL曲线(内插图为ECL光谱);在裸GCE以及SiQDs/GCE上的循环伏安曲线Fig.2 (A) ECL curves of at bare GCE and SiQDs/GCE
图3 (A)不同pH值对ECL强度的影响;(B)不同SiQDs修饰量的修饰电极的电化学阻抗谱(插图为SiQDs修饰量对ECL强度的影响)Fig.3 (A)Effect of the pH value on ECL intensity;(B) Electrochemical impedance spectroscopy of SiQDs modified electrodes with different modification amounts(The inset is effect of SiQDs modification on ECL intensity)
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研究了相同浓度下,不同分析物如半胱氨酸(Cysteine)、葡萄糖(Glucose)、细胞色素C(Cyt C)和抗坏血酸(AA)对ECL强度的影响,如图4B所示。由图可知,DA对ECL强度表现出明显的抑制作用,表明本体系可用于DA的灵敏检测。对1.0×10-6mol·L-1的DA溶液平行测定9次,得到的相对标准偏差为1.5%。将该方法应用到盐酸多巴胺注射液中DA含量的测定,结果如表1所示。三种浓度样品的加标回收率范围为93.2%~102.8%,说明此传感器可用于实际样品的检测。
图4 (A)SiQDs/GCE修饰电极测定不同浓度DA的ECL强度(插图为ECL强度抑制与DA浓度的对数校准曲线);(B)不同干扰物质的影响Fig.4 (A) ECL intensity of DA at different concentrations with SiQDs/GCE modified electrode(The inset is logarithmic calibration curve between ECL intensity attenuation and DA concentration);(B)The effect of different interfering substances
表1 加标回收实验结果(n=9)
水溶性SiQDs可作为共反应剂与联吡啶钌在中性条件下产生强的阳极ECL信号。据此,建立了检测DA浓度的新方法。DA对ECL信号具有明显的抑制作用,在最佳实验条件下,在1.0×10-8~1.0×10-4mol·L-1的浓度范围内,DA的浓度与ECL信号的减少值呈现良好线性关系,相关系数为0.993,检出限(3σ)为5.5×10-9mol·L-1。