张 燚 林正其 张军明 钱照明
(1. 浙江大学电气工程学院 杭州 310027 2. 浙江平湖电子有限公司 平湖 314200)
LED驱动器由于负载特性的要求,需要实现恒流输出,同时要保证电流高精度、高功率因数以及低谐波分量。通常采用两级式结构,即前级PFC变流器实现输入高功率因数,后级DC-DC(如反激变流器)实现输出电流的控制。这种方法的优点是电路功率因数高,但其成本高且电路复杂。为简化结构、降低成本,将前级 PFC、后级 DC-DC开关管复用的单级PFC电路被广泛研究。为进一步简化控制,降低成本,需要研究其原边控制策略,即通过原边开关管的电流采样,实现输出的恒流控制及输入的功率因数校正功能[1-5]。在反激式电路中,基于开关管电流实现输出恒流控制的原边控制技术已经广泛采用[6-11]。但对单级PFC电路而言,其开关管电流不仅包含输出电流、也包含输入电感电流信息,其原边控制策略没有相关的报道。本文针对图1所示的一种Boost-Flyback单级PFC电路,研究其原边控制策略,提出了两种具体控制方式,从电路设计、输出电流精度、输入功率因数及谐波等多方面予以对比分析。
图1 主功率电路拓扑Fig.1 The topology of power circuit
在电路拓扑中,励磁电感L1、电感L2以及电容C1参与能量存储与转移过程。在原边的采样信号中,流过 MOS管的电流为导通时流过两个电感电流之和,也是开关管关断时传递到变压器副边的电流。在控制策略上,对流过 MOS管的电流进行采样,采用峰值电流控制的方法。基于此本文提出并逐一分析两种控制策略:①变频下的电流峰值控制策略;②定频下的电流峰值控制策略。
2.1.1工作原理概述
图2 开关管导通时电路工作情况Fig.2 Equivalent circuit for operation mode 1
图3 开关管关断时电路工作情况Fig.3 Equivalent circuit for operation mode 2
如图2和图3所示,电路工作在两个模态。开关管导通时,变压器副边的续流二极管关断;在原边输入电源给电感L2充电,电容C1给励磁电感L1充电,当流过开关管的两路电流之和达到电流基准IP时开关管关断。
导通时间
由式(1)可以看出,在开关管导通时,在忽略电容C1上的电压纹波的前提下,励磁电感L1两端电压相同;输入电源电压不同,则电感L2两端电压不同,因而导致导通时间Ton不同。
开关管关断后,如图3所示,励磁电感L1上电流通过原边绕组续流,电感L2上的电流给电容C1充电。变压器副边的续流二极管开通,能量转移到负载。流过两个电感的电流降为 0的时间分别为Toff1和Toff2。由电感伏秒平衡方程可得
由式(2)和式(3)可知,电感电流L1下降到零的时间永远大于电感L2下降时间。在变频控制策略下,设定每个开关周期的总时间T与Toff1满足关系式T=2Toff1,同时维持开关管电流峰值恒定,实现输出的恒流控制。由式(1)和式(2)得知,励磁电感退磁时间Toff1随输入电压Vinsinθ变化。而根据设定,T=2Toff1,所以开关周期T随输入电压瞬时值变化而变化,即电路工作在变频控制状态。
2.1.2输出特性分析
开关管导通时,二极管VD4关断,电容Cout放电给负载;开关管关断时,电感L1以及L2上的电流通过变压器及二极管 VD4给电容Cout以及负载提供能量。因此,在一个开关周期内,流过二极管VD4的电流平均值为
其中
在半个工频周期内对IVD4积分即为输出电流平均值Io。从式(4)~式(6)可以看出,输出电流与两个电感的取值,电容电压VC、输入电压、电流峰值控制基准Ip以及变压器匝比有关。当VC、匝比以及电感值确定时,Io与Ip成正比例。以电流峰值控制基准Ip为横坐标,以输出电流平均值Io为纵坐标,在不同交流输入电压(由上至下为264V、220V、180V)情况下,绘制函数曲线如图4所示。
从图 4可以看出,在输入电压有效值为最小180V、220V以及最大值264V时,三条直线几乎重合。因此在输入电压在180~264V变化时,可同一电流峰值控制基准Ip。如图4中水平线所示,设定输出电流平均值为0.7A,三种输入电压下的电流控制峰值基准Ip分别为1.37A、1.41A以及1.44A,因额定工作电压为 220V,所以电流峰值控制基准为1.41A。在此基准下,根据图4,当输入电压为最低180V或最高264V时,理论输出电流平均值分别为0.72A或0.68A,输出电流波动2.8%。
图4 不同输入电压情况下峰值基准与输出电流关系Fig.4 The characteristic curve between output current and reference current under different input voltage
由式(4)~式(6)可知,电感L1与L2取值也会影响基准Ip与输出电流平均值的特性曲线。当输入电压为最大值264V,励磁电感L1与电感L2的电感值上下波动10%,在基准为1.41A时,输出电流平均值波动范围为0.66~0.72A。当输入电压为最小值 180V时,输出电流平均值波动范围为 0.68~0.74A。电感 10%波动引发的输出电流波动率小于6%。
由式(4)可知,输入电压瞬时值Vinsinθ影响输出电流瞬时值。以θ为横坐标,以流过二极管VD4的电流平均值IVD4为纵坐标即可得到在工频周期内的输出电流瞬时值仿真计算波形,如图5所示。由上至下依次为输入电压有效值为 180V、220V及264V时输出电流波形,电流峰峰值分别为0.23A、0.24A、0.25A。
图5 不同输入电压下输出电流工频纹波Fig.5 The industrial ripple of output current underdifferent input voltage
同 2.1节论述的变频控制策略不同,恒定频率控制策略要求每个开关周期时间相同,即开关周期不再满足T=2Toff1的设定条件。但导通时间Ton仍为
同前文分析相同,把T=2Toff1代换为T=1/f,可得到输出电流平均值同电流峰值控制基准Ip的关系如图6所示。左侧一族曲线为开关周期频率为50kHz时,180V、220V及264V三种输入电压有效值下的特性曲线。右侧一族曲线为开关周期频率为 40kHz时的特性曲线。同变频控制策略相比,在恒定频率控制方法下,不同电压下的特性曲线拟合度更高,输出电流平均值对输入电压的变化更加不敏感。以频率为40kHz时的曲线为例,设定输出电流0.7A,在额定输入电压220V下,选取峰值基准Ip为1.68A。输入电压为 180~264V,则输出电流为 0.69~0.71A,波动率仅为1.4%。
图6 不同输入电压下输出电流与电流基准关系式Fig.6 The characteristic curve between output current and reference current under different input voltage
根据式(4)~式(6),在开关周期频率为40kHz单位时,代入T=1/40 000,以θ为横坐标,以输出电流瞬时值为纵坐标,绘制不同输入电压下的特性曲线,如图7所示。从上至下输入电压依次为180V、220V及264V,输出电流峰峰值近似都为1A,同变频控制策略相比,输出电流工频纹波很大。
图7 40kHz下不同输入电压下输出电流工频纹波Fig.7 The industrial ripple of output current under different input voltage during the frequency=40kHz
2.3.1储能电容电压值分析
两种控制方法各有利弊:变频控制策略下输出电流工频纹波更小,而恒定频率控制策略下的输出电流恒流精度更高。在工程应用中,储能电容的电压应力是关键参数,稳态下电容电压越小,则电路寿命越长。因此参与能量传递的电容C1的电压值需要优化。为保持高功率因数,储能电容电压值首先要高于输入电压峰值(264V输入时峰值电压为373V)以使得图1中的二极管VD1关断,考虑到实际应用设计裕量,电容电压值不应高于420V,以便采用耐压值450V的电解电容。
无论采用何种控制策略,对于电容C1,在每个开关周期内,由于输入电压不同,所以其充电和放电的能量都不平衡;但整流之后,在半个工频周期内,其能量是平衡的。
因此,当开关管导通时,在一个开关周期内,电容放电的功率
其中
在开关管关断时,在一个开关周期内,电容充电的功率
其中
根据充放电能量平衡,在半个工频周期内,即θ从0到π内,对Pin和Pout积分后两者应该相等。
采用变频控制时,整理得
采用在恒定频率控制策略时,整理得
式(12)和式(13)等号两侧均有电容电压VC,为超越方程,可通过绘制等式左右曲线求交点的方法确定最终电容电压VC值。在式(12)和式(13)中,k为电感L2与励磁电感L1的比值。电容电压VC与电感比值k、输入电压、输出电压相关。输入电压交流有效值范围为 180~264V,则Vin范围为254~373V,设定满载输出电压为 32V,则半载时输出电压为16V。
图8 变频控制策略输入有效值264V电容电压曲线Fig.8 The curve of capacitor voltage under the 264Vac input voltage with variable frequency control
采用变频控制策略时,绘制函数如图8所示。输入电压有效值为264V,斜线Y=VC与一簇曲线的交点即是电容电压值,三条实线为输出满载下的曲线,三条虚线为输出半载下曲线。三组曲线的k分别取值0.5,1以及1.5。从图8可以看出,k取值越大,则VC取值越大。在直观上可以解释为L1越大,则电容放出的能量越少;L2越小,则导通时电感L2上的电流越大,因而关断时电容C1的充入能量越多,故VC越高。通过对比不同负载时的实线与虚线,可以看出,负载越轻,电容电压越高。即能量不能全部传递到变压器的副边,只能存储在电容上。
采用恒定频率控制策略时,绘制出电容电压特性曲线如图 9所示。对比图 8和图 9,当电感比k取1时,储能电容电压都能满足小于420V的设计要求。
图9 定频控制策略输入有效值264V电容电压曲线Fig.9 The curve of capacitor voltage under the AC264V input voltage with constant frequency control
2.3.2输入电流谐波分析
在采用原边变频控制策略的前提下,由电路拓扑可知,当二极管VD1截止时,输入电流Iin与流过电感L2的电流相同。在一个开关周期内,流过电感L2的平均值为
式中,Ton,T以及Toff2都是与θ相关的量,代入整理得
以θ为横坐标,以输入电流为纵坐标,分别代入T=2Toff1以及T=1/40 000的条件,即可对比绘制变频控制策略及恒定频率控制策略(以40kHz为例)下的输入电流波形,如图10所示。由上至下输入电压依次为180V、220V以及264V。在220V标准输入情况下,变频控制策略下的PF值为0.95,恒定频率控制策略的PF值为0.89。
图10 输入电流仿真计算波形对比Fig.10 The curve input current of two control methods
恒定频率控制策略优点在于恒流精度高,而变频控制下的功率因数更高,输出纹波更小,两种策略下电容电压应力均可满足设计要求。综合考虑电路选择变频控制方案。为获得更高的 PF值,电路应工作在断续模式,开关管的占空比不高于0.3。变压器的匝比近似为DVin/Vo,取 2.5:1。从图 8的曲线可知,为保证储能电容较低的电压值,Boost电感与变压器励磁电感比例系数取 1,则在输入电压有效值为 264V时,理论上储能电容的电压值不会超过420V。
实验样机最终采用变频控制策略。样机输入为180~264V工频交流电源,用于LED恒流驱动,输出电压32V,输出电流0.7A。
从表 1可以看出,当输入电源电压在 180~264V变化时,输出电流平均值波动范围为0.685~0.689A,波动率为0.4%。
表1 不同输入电压时输出电流特性Tab.1 The characteristic of output current
表2和表3分别为不同输入电压时,整体样机的功率因数和效率值。功率因数可以维持在0.94以上,各次谐波也满足Class C等级要求。在效率方面,输出功率稳定在22W,电路损耗约为4W,主要为开关管损耗,变压器损耗以及控制电路辅助电源损耗。
表2 不同输入电压时功率因数特性Tab.2 The characteristic of power factor
表3 不同输入电压时效率特性Tab.3 The characteristic of efficiency
在满载情况下,样机电路功率因数、效率、各次谐波以及输出电流精度满足实际需求。但负载变化,输出电压减小,电容C1的电压值增加,从而影响功率因数及输出恒流精度。表4是在输入电压有效值稳定在220V的情况下,变化负载测试的数据。在固定的电流基准情况下,输出电压变化对输出电流恒流精度影响较为明显。
表4 不同负载时输出电流特性Tab.4 The characteristic of output current
图11 副边二极管VD4续流波形Fig.11 The waveform of VD4and output current
图11为二极管VD4的波形,在开关管关断时,流过电感L1和L2的电流均折算到副边,且由于Toff1和Toff2不同,即两电感电流不同时为0,因此二极管VD4的电流波形存在拐点。在此拐点之后,电感L2的电流降为0,仅有电感L1电流继续折算到副边。
本文对一种适用于 LED恒流驱动的单级电路的原边控制策略进行分析,对比研究恒定频率控制策略和变频控制策略的优缺点。原边变频控制策略下的电路输出纹波更小,功率因数更高。随着功率的增加,储能电容电压应力增加,恒流精度下降。同时副边电流信息的缺失,使得电路在负载变化时各方面指标明显下降。因此变频控制策略更适用于小功率驱动器场合。
[1] 阮新波, 严仰光. 直流开关电源的软开关技术[M]北京: 科学出版社, 2000.
[2] 廖志凌, 阮新波. 半导体照明工程的现状与发展趋势[J]. 电工技术学报, 2006, 21(9): 106-111.
Liao Zhiling, Ruan Xinbo. Present status and developing trend of the semiconductor lighting[J]. Transactions of China Electrotechnical Society, 2006, 21(9): 106-111.
[3] 沈霞, 王洪诚, 许瑾. 基于 SEPIC 变换器的高功率因数 LED 照明电源设计[J]. 电机与控制学报, 2010,14(1): 41-46.
Shen Xia, Wang Hongcheng, Xu Jin. Design of LED lighting power supply with high power factor based on SEPIC converter[J]. Electric Machines and Control,2010, 14(1): 41-46.
[4] Sun J, Xu M, Ren Y, et al. Light-load efficiency improvement for Buck voltage regulators[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2009, 24(3): 742-751.
[5] Steigerwald D A, Bhat J C, Collins D, et al. Illumination with solid state lighting technology[J]. IEEE Journal Selected Topics in Quantum Electronics, 2002,8(2): 310-320.
[6] Heffernan B, Frater L, Watson N. LED replacement for fluorescent tube lighting[C]. African Union Petroleum and Energycorp, 2007.
[7] Maddula S K, Balda J C. Lifetime of electrolytic capacitors in regenerative induction motor drives[C].IEEE Power Electronics Specialists Conference, 2005:153-159.
[8] Zhou K, Zhang J G, Meneghesso G. Quasi-active power factor correction circuit for HB LED driver[J].IEEE Transactions on Power Electronics, 2008, 23(3):1410-1415.
[9] Parler Jr S G. Deriving life multipliers for electrolytic capacitors[J]. IEEE Power Electronics Society Newsletter, 2004, 16(1): 11-12.
[10] Wang B B, Ruan X B, Xu M, et al. A method of reducing the peak-to-average ratio of LED current for electrolytic capacitor-less AC-DC drivers[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2010, 25(3): 592-601.
[11] Wilkins A, Veitch J, Lehman B. LED lighting flicker and potential health concerns: IEEE standard PAR1789 update[C]. IEEE Energy Conversion Congress and Exposition, 2010: 171-178.