溅射法制备TiO2薄膜的耐腐蚀性

2014-11-30 09:46丁红燕
材料工程 2014年12期
关键词:金红石锐钛矿耐腐蚀性

王 军,刘 莹,丁红燕

(1南昌大学 机电工程学院,南昌330031;2江西科技师范大学江西省材料表面工程重点实验室,南昌330031;3江苏省介入医疗器械研究重点实验室,江苏 淮安223003)

由于具有良好的力学性能、耐腐蚀性能以及生物相容性,奥氏体316L不锈钢已经成为整形外科、血管支架以及牙齿修复中常用的医用材料之一[1-3]。然而,植入人体后在碱金属离子(如Na+,K+)及氯离子等构成的生理环境中,316L不锈钢仍然会出现点蚀,导致金属力学性能降低,植入失效;而作为血管支架使用时,从金属中释放的镍离子、铬离子会产生炎症,再次引起血栓,造成再狭窄[4,5]。

表面改性是只改变材料表面特性而不影响材料整体性质的方法。近年来,应用涂层改进316L不锈钢的耐腐蚀性引起了研究者的关注。过渡金属(Zr[6],Ta[7])、氮化物(TiN[8],ZrN[9],TaN[10])、氧化物(Ti-O[3],ZrO[11]2)以及碳氮化合物(TiCN[7],ZrCN[7])等材料因具有高硬度、优异的耐腐蚀性及良好的生物相容性,而被用来作为金属医用材料改性涂层的候选材料。

TiO2薄膜与血液之间的界面张力小,具有良好的耐腐蚀性及血液相容性,在316L血管支架材料表面改性方面具有显著的优势。已有在316L表面上采用溶胶-凝胶法[3]、等离子体离子注入沉积法[12]制备TiO2薄膜的报道[13-15]。材料耐腐蚀性的改善依赖于薄膜质量的提高,在制备薄膜过程中,溅射法具有薄膜-基底结合力强、薄膜均匀致密等优点。

本工作采用溅射法,在316L不锈钢和石英衬底上制备TiO2薄膜,研究退火前后薄膜的微结构、物理性能及耐腐蚀性。

1 实验

1.1 TiO2薄膜样品的制备

将316L不锈钢用电火花线切割切成15mm×15mm×1.2mm 的基片,依次采用360,600,800,1000,1200#砂纸预磨,然后在抛光机上抛光至镜面。采用超声波清洗设备,将抛光后的316L不锈钢和石英片先后置入丙酮、无水乙醇、蒸馏水中清洗。

基于反应溅射,采用多靶磁控溅射镀膜设备在316L不锈钢和石英衬底上制备了TiO2薄膜。所用靶材的纯度为99.995%的Ti靶,工作气体为纯度99.99%的Ar气,反应气体为纯度99.99%的O2。薄膜制备过程中,溅射气压影响被溅射物质入射到衬底时携带的能量,进而影响薄膜-衬底结合力;衬底温度影响沉积的原子或原子团的热运动,进而影响薄膜的表面形貌,经过实验摸索,优化的薄膜制备工艺参数如表1所示。沉积后的TiO2薄膜在石英管式炉中600℃退火1h。

表1 TiO2薄膜的制备工艺参数Table1 Process parameters of TiO2thin films preparation

1.2 微观结构及物理性能表征

采用Bede-D1型X射线衍射仪对退火前后TiO2薄膜的结构进行表征;用Quanta 200F环境扫描电子显微镜SEM和AJ-III型原子力显微镜AFM分析退火前后薄膜的表面形貌和粗糙度;采用UV762型紫外可见分光光度计测试石英衬底上退火前后TiO2薄膜的透过率,基于透射谱计算薄膜的光学带隙。

1.3 电化学腐蚀实验

电化学测试以PBS模拟体液作为介质,其成分如表2所示。采用三电极测量体系,以饱和甘汞电极(SCE)作参考电极,Pt片电极作为辅助电极,待测样品作为工作电极。待测样品用环氧树脂封样,暴露面积为1cm2。测试时,模拟体液在(37±1)℃的条件下进行,动电位扫描速率为5mV/s。

表2 PBS模拟体液的化学成分(g·L-1)Table2 Chemical compositions of the PBS simulated body solution(g·L-1)

2 结果与讨论

2.1 X射线衍射分析

图1为316L不锈钢和退火前后TiO2薄膜的XRD图谱。可以看出,在43,50,74°附近较强的衍射峰为奥氏体不锈钢的特征峰,由于不锈钢中的Fe具有磁性,XRD衍射图谱中的背景峰较强。沉积后的TiO2薄膜在25°附近的衍射峰为锐钛矿结构的特征峰,而经过600℃退火后,在27°附近有一个明显的衍射峰,为金红石相的特征峰。

图1 316L不锈钢衬底和退火前后TiO2薄膜的XRD图谱Fig.1 XRD spectra of 316LSS substrate,as-deposited and annealed TiO2thin films

TiO2有锐钛矿、金红石和板钛矿三种结构,经过高温退火TiO2会发生相变。锐钛矿相中最强特征峰为(101)峰,对应角度为25.281°,金红石相最强峰为(110)峰,对应角度为27.446°。采用溶胶-凝胶法制备TiO2干凝胶粉末,分别在400℃和600℃煅烧。XRD结果显示,400℃煅烧粉末晶化具有锐钛矿结构,所有衍射峰为完整的钙钛矿结构;而600℃锻烧粉末具有金红石结构,所有衍射峰转化为金红石结构。本实验中,XRD测试结果对照煅烧粉末样品结果表明,溅射沉积后的TiO2薄膜为锐钛矿结构;600℃退火后,为锐钛矿和金红石相的混合结构。

2.2 薄膜的表面形貌

图2为退火前后TiO2薄膜的扫描电镜图和原子力显微图。从图2(a-1),(b-1)可以看出,溅射沉积的TiO2薄膜表面粗糙度较大,晶粒为方形结构。退火后,薄膜生长更为完善,晶粒为球型结构,薄膜表面更加平整、致密。沉积后的薄膜(图2(a-2)),在局部凸起或凹陷明显;而经过退火后(图2(b-2)),表面起伏均匀。利用AFM设备的附带程序对薄膜表面形貌进行分析,以轮廓算术平均偏差Ra和均方根值Rms评价表面粗糙度。退火前TiO2薄膜的Ra和Rms分别为20.422nm和27.758nm,而退火后为15.748nm和20.305nm。退火后,薄膜的表面粗糙度值都小于退火前,这是薄膜表面颗粒分布均匀且致密的结果。

图2 TiO2 薄膜的SEM 图(1)和AFM 图(2)(a)退火前;(b)退火后Fig.2 SEM(1)and AFM(2)images of TiO2thin films(a)as-deposited;(b)annealed

对于血管支架而言,平整的表面可减少支架与血液的接触面积,从而减少凝血发生的可能性。薄膜表面形貌分析表明,后续退火有利于薄膜表面原子的迁移,使薄膜生长更为充分,降低薄膜表面的粗糙度。

2.3 薄膜的光学常数

退火前后TiO2薄膜的透射谱如图3所示。测试波长范围为190~1100nm。可以看出,在可见光及近红外光波段,薄膜透过率较高,说明在此波段薄膜为透明薄膜。透射谱中出现的强度波动是由于干涉造成的,其中的波峰和波谷分别对应于干涉增强和减弱。退火后波峰和波谷的偏离与TiO2薄膜的折射率、厚度的变化有关。在紫外光范围内,透过率急剧下降,这是由于TiO2薄膜对光的本征吸收造成的。退火后,薄膜的透过率增加,吸收边发生了红移,这与薄膜微观结构的变化有关。

图3 退火前后TiO2薄膜的透射谱Fig.3 Transmission spectra for as-deposited and annealed TiO2thin films

薄膜的吸收系数α由 Lamber’t定律[16]计算:,其中d是薄膜的厚度,T是透过率。对于间接跃迁模型,薄膜的光学带隙Eg由αhν=A(hν-Eg)2[18]决定,其中hν 为光子能量,A为常数。以(αhν)1/2与hν的关系做图,延长曲线与横轴的交点即为薄膜的光学带隙,如图4所示。可知,退火前后TiO2薄膜的光学带隙在3.2eV左右,与Huang等[12]得到的结果一致。血浆中血细胞表面均带负电荷,具有半导体特性的TiO2薄膜有利于抑制细胞的吸附,延长血管支架材料的服役时间。

图4 退火前(a)后(b)TiO2 薄膜的光学带隙Fig.4 Optical band-gap for as-deposited(a)and annealed(b)TiO2thin films

2.4 电化学腐蚀性能

医用金属材料植入人体后,在体液或血学中容易发生局部腐蚀,电化学测试可以表征材料在特定环境中的耐腐蚀性能。图5为316L不锈钢和退火前后TiO2薄膜在PBS模拟体液中的极化曲线。可以看出,两种TiO2薄膜表现出相似的阳极和阴极极化行为。表3为三种样品的Tafel曲线拟合参数。沉积TiO2薄膜后,材料的自腐蚀电流降低,自腐蚀电压升高,涂覆TiO2薄膜的316L不锈钢的防腐蚀性能得到了提高,而后续退火有利于进一步提高材料的耐腐蚀性。

图5 退火前后TiO2薄膜和316L不锈钢在PBS模拟体液中的极化曲线Fig.5 Polarization curves for as-deposited,annealed TiO2 thin films and 316LSS in PBS simulated body solution

表3 316L不锈钢和退火前后TiO2薄膜在PBS模拟体液中Tafel拟合参数Table3 Fitting parameters from Tafel curves for 316LSS,as-deposited and annealed TiO2thin films in PBS simulated body solution

3 结论

(1)溅射沉积的TiO2薄膜为锐钛矿结构,600℃退火1h后的薄膜为锐钛矿和金红石相的混合结构。退火后,TiO2薄膜晶粒生长完善,为球型结构,与退火前比较,薄膜表面更为平整、致密,表面粗糙度降低。

(2)基于透射谱,计算得到的TiO2薄膜的光学带隙为3.2eV左右,具有半导体结构。

(3)沉积TiO2薄膜后,材料的自腐蚀电压由-0.487V升高到 -0.391V,自腐蚀电流由 8.238 μA·cm-2降低到4.828μA·cm-2,材料的耐腐蚀性能得到改善。

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