半导体激光治疗急性冠周炎的疗效评价

北京民航总医院（100123）张志宏 贺淑贞

附表 两组急性冠周炎疗效比较

阻生智齿及智齿萌出过程中，牙冠可部分或全部为龈瓣覆盖，形成较深的盲袋，食物及细菌极易嵌塞于盲袋内；加之冠部牙龈常因咀嚼食物而损伤，形成溃疡。当全身抵抗力下降、局部细菌毒力增强时，可引起冠周炎的急性发作，多见于下颌第三磨牙，主要发生于18～30岁智齿萌出期的青年人和伴有萌出不全阻生智齿的患者。临床症状以局部胀痛不适，咀嚼，吞咽，开口活动时症状加重，伴有不同程度的张口困难为主。如不及时治疗，极易发生间隙感染。寻找简便易行，高效的治疗手段是值得探讨的问题。

半导体激光在口腔科的照射应用较广，对于急性冠周炎、急性根尖炎、糜烂性扁平苔藓、颞颌关节功能紊乱等口腔疾病都有应用[1]，弱激光的刺激效应可以加强局部血液循环、提高免疫功能、调整机能、促进细胞生长、组织修复等作用，与Er激光、CO2激光、Ho激光等激光相比，半导体激光对人组织穿透较深，可引起较深层组织的生物效应[2][3]。用其照射患部可改善局部血液循环，增加局部营养物质和氧的交换，增强代谢作用，促进血管再生、受损神经组织的恢复，对于口腔科常见急慢性疾病有较好的疗效[2][3]。

我科采用半导体激光辅助治疗急性冠周炎取得了良好的效果。本文旨在明确半导体激光治疗急性冠周炎的临床疗效和可靠性，为临床医师提供参考。现报告如下。

1 资料与方法

1.1 研究对象 选择2010年1月～2011年8月于我科就诊的急性冠周炎患者146例，其中男68例，女78例，年龄18～42岁，平均30岁。纳入标准：患者无系统疾病史与药物过敏史，均为单侧发作3天以内，不伴有间隙感染，无颞颌关节病，无患牙龋坏、根尖炎。

1.2 分组方法 采用随机分组法将患者分为治疗组76例，对照组70例。

1.3 治疗方法与步骤 两组均以1%～3%的过氧化氢和生理盐水交替冲洗盲袋，袋内注入碘甘油。口服头孢呋辛酯片0.25g Bid，替硝唑片1.0g Qd。治疗组辅以半导体激光口外局部照射。仪器采用北京龙慧珩医疗科技发展有限公司生产的LHH-500IVB半导体激光治疗仪，波长810nm/980nm，总功率2780MW，于患侧下颌角及附近下颌体部照射10分钟，1次/天，3天为一个疗程。

1.4 疗效标准 分为治愈，显效，有效，无效4级。于治疗第4日评价疼痛及张口度。疼痛采用视觉评分法（VAS），0为无痛，1～3为轻度疼痛，4～7为中度疼痛，8～10为重度疼痛。评价张口度以上下颌切牙的切缘距离为标准[4]，2.0～2.5cm为轻度，1.0～2.0cm为中度，1.0cm以内为重度张口受限。评价标准：好转：6分≥疼痛度下降≥3分，张口度增加≥1cm；显效：疼痛度下降≥6分，张口增加≥1cm；治愈：疼痛消失，张口度增加＞2.5cm肿胀消退；无效：无变化。

2 结果

治疗组中72例治愈，4例显效；对照组中56例治愈，10例显效，4例有效。治疗组的治愈率高于对照组（χ2=7.321，P＜0.01）（见附表）。

3 讨论

近年来的研究表明，半导体激光照射组织后，组织内会有吗啡样物质释放，5-羟色胺含量降低，末梢神经兴奋性降低，从而减轻疼痛；其消炎抗感染作用主要是通过降低血管通透性，减轻炎症渗出，减轻充血和水肿，通过激活巨噬细胞系统的功能，提高人体局部及全身免疫力，起到消炎抗感染作用[5][6][7]。

本研究采用的LHH-500IVB型半导体激光治疗仪，具有生物刺激作用，可以促进肉芽组织生长，起到消炎、止痛、提高非特异性免疫功能。本研究通过使用该型半导体激光治疗仪行口外局部照射后，疼痛及张口受限症状明显缓解，未出现任何不良反应，值得临床推广。