机械合金化合成Ti2SnC粉体的真空热处理

2010-03-27 07:30刘可心张立辉赵明月金松哲
长春工业大学学报 2010年6期
关键词:合金化晶面晶格

李 响, 刘可心, 张立辉, 赵明月, 金松哲

(长春工业大学材料科学与工程学院,吉林长春 130012)

0 引 言

具有层状结构的三元化合物Mn+1AXn导电陶瓷具有金属和陶瓷的优良性能,得到了材料领域相关学者[1-4]的广泛关注。其中,Ti2SnC具有优良的导电、导热、抗热冲击性、可加工性,而且还具有陶瓷的低比重、高强度、高模量和抗氧化等特点[5]。此外,还有摩擦系数低和具有自润滑特性等特点。这些特点使其可能应用于以下领域:高温结构材料,新一代的电机电刷材料和热交换器材料及各种减摩耐磨部件,窑具材料和耐腐蚀构件,化学反应釜的搅拌器轴承、风扇轴承、特殊的机械密封件等。

一些研究者采用固液反应合成[6]、热等静压烧结[7]、热压烧结和无压烧结[1]等方法成功制备Ti2SnC导电陶瓷,但纯度不高。

文中将Ti,Sn和C单质混合粉体进行机械球磨10 h,然后进行无压热处理提纯,研究热处理工艺对Ti2SnC导电陶瓷粉体纯度的影响。

1 实验材料与方法

实验以Ti粉(纯度>99.36wt%,平均粒度为80 μ m)、Sn粉(纯度>99.0wt%,平均粒度为20 μ m)和 C粉(纯度>99.0w t%,平均粒度为20 μ m)为原料,通过机械合金化10 h合成含有Ti2SnC的粉体。在650~950℃范围内对其进行真空热处理,升温速度50℃/min,保温5 min,不加压力,采用内径为10 mm的石墨磨具。

采用D/Max2500PC型X射线衍射仪对球磨和热处理粉体进行相分析(Cu靶,Kα)及测定点阵常数;

采用 JSM-5600LV 型扫描电子显微镜(SEM)观察显微组织。

2 实验结果和分析

2.1 球磨粉体的形貌和相组成

球磨转速为550 r/min,球料比为 10∶1,Ti∶Sn∶C=2∶1∶1,球径为12 mm,球磨10 h后得到机械合金化粉体的SEM图片及其XRD图谱分别如图1和图2所示。

图1 原料粉体的SEM图

图2 原料粉体的XRD图谱

从图中可以看出,机械合金化后,粉体颗粒较细小,并有团聚现象,且合成了以Ti2SnC为主相,TiC和Sn为杂质相的混合粉体。其中 TiC的衍射峰也相对较强。

2.2 真空热处理Ti2SnC陶瓷粉体的相组成

不同温度下真空热处理 Ti2SnC陶瓷粉体的XRD图谱如图3所示。

图3 不同温度真空热处理Ti2SnC陶瓷粉体的XRD图谱

由图3可知,经真空热处理后,粉体的XRD图谱中杂质峰少。与原粉相比较,TiC的衍射峰强度明显降低。由于粉体中各物相的许多衍射峰相互重叠或接近不易区分,这给物相的定量分析带来了困难。但 Ti2SnC的(002)特征峰(2θ= 12.979°)和 TiC的(111)特征峰(2θ=35.9°)相对独立,且有足够高的强度,可以用来分析相应的物相含量随热处理温度的变化规律。由于无法计算块体中 Ti2SnC的含量,故用Ti2SnC(002)与TiC(111)衍射峰强度比值(ITSC/ITC)来表征Ti2SnC的含量的变化趋势。热处理过程中,Ti2SnC峰强度随温度上升提升很快,TiC峰强则相对缓慢,而当温度高于750℃时,TiC的衍射峰则逐渐增强。

Ti2SnC(002)晶面的衍射峰与TiC(111)晶面的衍射峰的比值与温度关系曲线如图4所示。

图4 Ti2SnC(002)晶面的衍射峰与TiC(111)晶面的衍射峰的比值与温度关系曲线

图4中体现了Ti2SnC(002)晶面的衍射峰与TiC(111)晶面的衍射峰的强度比值与温度关系,机械合金化粉体的Itsc(002)/Itc(111)只有0.381,粉体烧结后其峰强比显著提高,且 Itsc(002)/Itc(111)值随着烧结温度的提高先升高,比值达到2.4左右,后呈下降趋势。这是由于热处理温度过高,导致了Ti2SnC的分解,生成了TiC。

2.3 真空热处理Ti2SnC粉体形貌

在不同温度热处理的Ti2SnC粉体组织SEM观察结果如图5所示。

图5 不同温度热处理Ti2SnC粉体的形貌

从图中可以看到,750℃时团聚现象比较严重,有少量棱角状颗粒出现,随着温度上升,这种颗粒逐步增多。在950℃时,我们发现了某些颗粒出现了明显的 Ti2SnC片层状形态,因此将其放大至10 000倍,照片清晰显示了类似于枝晶的组织结构,周围还有较多圆形颗粒附于其上。我们认为这是形成 Ti2SnC片层结构的初始状态,颗粒是将要融入的Ti2SnC。如果在这个过程中施加一定压力,Ti2SnC片层应会沿适当方向优先长大。

2.4 真空热处理Ti2SnC粉体晶内应变分析

真空热处理Ti2SnC粉体的晶内应变与热处理温度的变化曲线如图6所示。

从图6可以看到,随着热处理温度的升高,粉体的晶内应变逐渐减小。

热处理温度与Ti2SnC层片厚度([002]方向的晶粒尺寸)变化曲线如图7所示。

由图7可知,随着温度的升高,晶粒尺寸逐渐增大。球磨粉体中的各组成相多为细小高应变相,热处理过程中存在很强的长大倾向,热处理温度越高,长大倾向越大,晶内应变随热处理温度的升高而逐渐减小。高温热处理粉体晶粒大、界面少,微应变也保持较低的水平。

图6 晶内应变随热处理温度的变化对比曲线

图7 Ti2SnC层片厚度[002]方向的晶粒尺寸

2.5 真空热处理Ti2SnC粉体晶格常数分析

Ti2SnC晶格常数与真空热处理的温度关系曲线如图8所示。

晶格常数相对于理论值的偏移量与热处理温度关系曲线如图9所示。

机械合金化合成粉体因晶格畸变必然存在较大内应力,这种内应力将在热处理过程中逐渐被释放,使晶格常数趋于理论值。在 950℃时,Δa/a≈-0.41%,Δc/c≈0.52%,可以看到随着热处理温度上升,晶格常数越来越接近理论值,其偏移量也逐渐减小。

图8 真空热处理制备样品中Ti2SnC的晶格常数a,c变化曲线

图9 晶格常数在不同温度下的偏移量曲线

3 结 语

采用真空热处理球磨粉体,在232℃保温5 min(波动不超过+5℃)后,再以加热速率约50℃/min升温至热处理温度(650~950℃),可以显著提升机械合金化粉体中 Ti2SnC的含量。当热处理温度为750℃时,粉体中 Itsc(002)/Itc(111)的比值由原来的0.381提高到2.4左右。随热处理温度上升粉体中Ti2SnC晶体的微应变逐渐下降,晶内应力逐渐减小,晶粒尺寸逐渐增大,在650~750℃其变幅最大,随后逐步减缓,当热处理温度为950℃时,点阵常数a=0.319 9 nm,c= 1.355 9 nm,接近理论值(a=0.316 2 nm,c= 1.367 nm)。

[1] P Eklund,J P Palmquist,J Howing,et al. Ta4AlC3:Phase determination,polymorphism and deformation[J].Acta M aterialia,2007,55(14):4723-4729.

[2] B Daoudi,A Yakoubi,L Beldi,et al.Full-potential electronic structure of Hf2AlC and Hf2AlN[J].Acta Materialia,2007,55(12):4161-4165.

[3] Nishad A Phatak,Surendra K Saxena,Yingwei Fei,et al.Synthesis and structural stability of Ti2GeC[J].Journal of Alloys and Compounds,2009,474(1/2):174-179.

[4] 张立辉,金松哲,王蕾,等.SPS烧结温度对Ti2SnC导电陶瓷致密化的影响[J].长春工业大学学报:自然科学版,2009,30(1):1-4.

[5] Shi-Bo Li,Guo-Ping Bei,Hong-Xiang Zhai,et al. Synthesis of Ti2SnC from Ti/Sn/TiC powder mixtures by pressureless sintering technique[J].Materials Letters,2006,60(29/30):3530-3532.

[6] Li Shibo,Bei Guoping,Zhai Hongxiang,et al. Synthesis of Ti2SnC at low-tempera-ture using mechanically activated sintering process[J].M aterials Science and Engineering,2007,457:282-286.

[7] H Vincent,C Vincent,B F Mentzen,et al.Chemical interaction between carbon and titanium dissolved in liquid tin:crystal structure and reactivity of Ti2SnC with Al[J].Materials Science and Engineering,1998,256:83-91.

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