黎先财,郑 嵩,田明磊
(南昌大学化学学院,江西 南昌 330031)
近年来,离子印迹技术发展的很迅速[1-8],这是一种新型的分离技术,其显著特点就是有着优异的选择性[9-12],能够有针对性的分离回收目标离子[13-16]。表面印迹聚合法是近些年发展比较迅速的一种印迹聚合方法,和传统的印迹聚合方法比较起来,表面印迹聚合法主要有两方面的优点,一方面是由于所有的活性位点都位于载体的表面,从而提高了识别目标离子的速度和效率,也可以更快地将被结合的目标离子洗脱下来;另一方面是由于采用了吸附容量比较大的材料作为载体,从而大大地提高了离子印迹聚合物的吸附容量,达到选择性和吸附性能均比较好的目的[17]。
功能单体在表面离子印迹聚合物的制备过程中有着最为关键的作用,它决定着表面离子印迹聚合物能否对目标离子有着特殊的识别能力,所以功能单体的选择非常关键。选择的功能单体应该有着某种官能团,是能够和模板离子相互结合的,并且结合物的稳定性还很好,这样才能使表面离子印迹聚合物对模板有着很好的记忆性。选择功能单体时要注意以下三点:第一,功能单体的结构中含有能够和模板离子相互作用的功能基团;第二,功能单体的结构中不能含有带阻聚能力的官能团;第三,功能单体在整个聚合反应的过程中要有着良好的稳定性能[18-20]。
甲基丙烯酸(MAA)是重要的有机化工原料,常用作合成聚合物,因其结构中有着碳碳双键和羧基,能够和金属离子相互结合,所以也是一种常用的合成离子印迹聚合物的功能单体,用它作为功能单体的离子印迹聚合物往往有着比较良好的选择性能。Ghaneimotlagh等人以甲基丙烯酸作为功能单体,在还原氧化石墨烯的表面制备出一种汞离子表面印迹聚合物,用于电化学传感器的制备,成功地应用于实际水样中汞离子的测定[18]。Fayazi等人使用甲基丙烯酸为功能单体,研究合成了一种新型纳米离子印迹聚合物用来测定、富集痕量的铊,经过实验表明,该印迹物对铊离子的最大吸附量为18.3mg·g-1,该技术已成功应用于检测不同水样中的铊含量[22]。由此可知,甲基丙烯酸(MAA)和金属离子有着很强的结合能力,所以选择MAA作为功能单体来合成铑离子的表面印迹聚合物。
本文分别以MCM-41和甲基丙烯酸(MAA)作为基体和功能单体,合成了铑离子表面印迹聚合物Rh-IIP-MAA/MCM-41和相应的非印迹聚合物NIP-MAA/MCM-41,并进行结构表征。
MCM-41介孔分子筛(自制);甲基丙烯酸(MAA)、3-氯丙基三乙氧基硅烷(上海麦克林科技公司);三氯化铑(上海拓思化学有限公司);环氧氯丙烷(天津市大茂化学试剂厂);二甲苯、盐酸(西陇科学股份有限公司);成套pH缓冲剂(天津市恒兴化学试剂);去离子水(自制)。
Nicolet 5700傅里叶红外光谱仪(美国热电尼高力公司);FEI Quanta200F环境扫描电子显微镜(美国FEI环境电子显微镜公司);JEM-2100型透射电子显微镜(日本电子会社);TU-1810型紫外可见分光光度计(北京普析通用仪器有限公司);BSA124S电子天平(赛多利斯科学仪器);DK2-2电热恒温振荡水槽、电热鼓风干燥箱、纯水设备(上海精宏实验设备有限公司);PHS-3CpH计(上海仪电科学仪器股份有限公司)。
准确称取3g的MCM-41(自制)置于烧瓶中,依次加入300mL的二甲苯,3mL的3-氯丙基三乙氧基硅烷,8mL的去离子水,在90℃水浴条件下,反应6h后,用丙酮和乙醇进行洗涤,100℃烘干后得到烷基化的MCM-41。准确称取2g经过上述烷基化的MCM-41于200mL去离子水中,分别加入铑离子和甲基丙烯酸(MAA),使其浓度分别为5和50mg·L-1,在50℃下水浴条件下反应6h,然后再加入10mL的环氧氯丙烷,进行交联聚合,继续反应12h,用去离子水洗涤。最后采用2mol·L-1的盐酸作为洗脱剂,进行反复洗脱铑离子,用紫外分光光度计检测洗涤溶液,直到洗涤溶液检测不到铑离子,证明铑离子去除干净,然后用去离子水洗涤,烘干即可得到铑离子的表面印迹聚合物Rh-IIPMAA/MCM-41。省去加入铑离子的步骤,其余步骤均和上述过程相同,即可制备出相应的非印迹聚合物NIP-MAA/MCM-41。
配制一定体积的低浓度含铑溶液,分别加入一定质量的MCM-41和Rh-IIP-MAA/MCM-41,在一定的温度下进行吸附,待吸附平衡后,将溶液过滤,测定剩余铑离子浓度,按照公式(1)和(2)分别计算出MCM-41对含铑溶液的吸附量和吸附率。
式中:Qe为平衡吸附量,mg·g-1;c0为初始浓度,mg·L-1;ce为平衡浓度,mg·L-1;V为含铑溶液的体积,L;m为吸附剂用量,g;E为平衡吸附率,%。
对制备出的Rh-IIP-MAA/MCM-41样品进行红外光谱分析,Rh-IIP-MAA/MCM-41的红外光谱图如图1所示。图中3 448cm-1处是MCM-41表面硅羟基的伸缩振动所引起的振动峰,此处峰相比MCM-41有所加强,归因于甲基丙烯酸中O-H的伸缩振动;1 081,783,461cm-1处分别为Si-O-Si的不对称伸缩振动、对称伸缩振动和弯曲振动峰;1 475cm-1处可归结为O-H的弯曲振动峰;甲基丙烯酸中C=O的伸缩振动峰出现在1 621,2 926,2 855和1 384cm-1处的吸收峰分别对应于C-H键的不对称伸缩振动峰、对称伸缩振动峰和弯曲振动峰;交联剂环氧氯丙烷中C-O-C的伸缩振动峰则出现在1 220cm-1处。
图2是 MCM-41、铑离子的表面印迹聚合物Rh-IIP-MAA/MCM-41和非印迹聚合物 NIPMAA/MCM-41的扫描电镜图。由图中可知,制备出的 Rh-IIP-MAA/MCM-41和 NIP-MAA/MCM-41依然保持着MCM-41介孔分子筛的大致形貌特征,在合成表面印迹聚合物的过程中并没有对MCM-41的表面形貌造成破坏。从图中大致能够看出,NIP-MAA/MCM-41的表面更为光滑,没有明显的孔隙结构,而Rh-IIP-MAA/MCM-41的表面则比较粗糙、疏松一些,可以看到明显的相互堆积情况,隐约能够看到孔隙结构,可能是印迹聚合物的制备过程中铑离子被洗脱下来导致的。
图3是 MCM-41、Rh-IIP-MAA/MCM-41和NIP-MAA/MCM-41的透射电镜图。从图中能够清晰地看到,制备出的Rh-IIP-MAA/MCM-41和NIP-MAA/MCM-41在整体结构上依然保留着MCM-41的孔道结构,但是其中的孔道结构都存在着一定程度的破坏,而且在图中明显能够看到NIPMAA/MCM-41的孔道结构被破坏的程度比较大,而Rh-IIP-MAA/MCM-41的孔道结构则相对保留的更多一些,这说明了在制备铑离子表面印迹聚合物的过程中,经历过先印迹铑离子然后又洗脱铑离子的步骤后,在印迹聚合物的内部成功地形成了大量的空穴结构。
配制出6组含铑溶液,溶液体积均为40mL,铑离子浓度均为5mg·L-1,分别向6组含铑溶液中加入一定量的Rh-IIP-MAA/MCM-41,在25℃下吸附4h,得到不同Rh-IIP-MAA/MCM-41用量对铑离子吸附率的影响,如图4所示。由图可知随着Rh-IIP-MAA/MCM-41用量的增加,对铑离子的吸附率逐渐增大,当用量为40mg时,对铑离子的吸附率达到最大,此后吸附率趋于稳定。因为随着溶液中Rh-IIP-MAA/MCM-41的增加,能够吸附铑离子的吸附位点也增多,对铑离子的吸附能力也就越强,当Rh-IIP-MAA/MCM-41的加入量达到40mg以后,对溶液中铑离子的吸附达到了饱和,吸附率不会继续增加。
为了研究Rh-IIP-MAA/MCM-41的吸附时间对铑离子吸附率的影响,配制6组40mL初始浓度均为5mg·L-1的含铑溶液,向6组含铑溶液中各加入40mg的Rh-IIP-MAA/MCM-41,在25℃下进行静态吸附实验,每过1h就测定一组溶液的吸光度,得到不同吸附时间时Rh-IIP-MAA/MCM-41对铑离子的吸附率,如图5所示。由图可知随着吸附时间的增加,Rh-IIP-MAA/MCM-41对铑离子的吸附率逐渐增大,当吸附时间到第5个小时的时候,Rh-IIP-MAA/MCM-41对铑离子的吸附达到饱和,此后吸附率趋于稳定。
为了研究吸附温度对Rh-IIP-MAA/MCM-41吸附铑离子的影响,配制出5组40mL的含铑溶液,铑离子的初始浓度均为5mg·L-1,向溶液中均加入40mg的Rh-IIP-MAA/MCM-41,分别在25℃到65℃的不同温度下吸附5h,得到不同温度下Rh-IIP-MAA/MCM-41对铑离子的吸附率,如图6所示。由图可知随着吸附温度的升高,Rh-IIPMAA/MCM-41对铑离子的吸附率逐渐降低,说明Rh-IIP-MAA/MCM-41吸附铑离子的过程是放热的,升温不利于该过程的发生,所以采用25℃作为Rh-IIP-MAA/MCM-41吸附铑离子的吸附温度。
为了研究含铑溶液的pH值对Rh-IIP-MAA/MCM-41吸附铑离子的影响,对含铑溶液调节不同的pH值进行优化实验。配制5组40mL的含铑溶液,铑离子的初始浓度均为5mg·L-1,向溶液中均加入40mg的Rh-IIP-MAA/MCM-41,用盐酸和氨水调节溶液的酸碱度,5组含铑溶液的pH值分别为3~7,在25℃下吸附5h,得到在不同溶液的pH值下Rh-IIP-MAA/MCM-41对铑离子的吸附率,如图7所示。由图可知溶液的pH值在从3~6的过程中,Rh-IIP-MAA/MCM-41对铑离子的吸附率逐渐增大;当含铑溶液的pH值等于6时,对铑离子的吸附率达到最大;溶液的pH值超过6以后,Rh-IIP-MAA/MCM-41对铑离子的吸附率开始下降。因为甲基丙烯酸存在着碳碳双键和羧基,能够和铑离子发生结合作用,当溶液的pH值比较低时,溶液中存在大量的H离子,和铑离子发生竞争吸附,使得Rh-IIP-MAA/MCM-41吸附铑离子的能力减弱;随着pH值的升高,溶液中游离的H离子数量变少,Rh-IIP-MAA/MCM-41吸附铑离子的能力变强;而当溶液的pH值过高时,铑离子水解,从而导致Rh-IIP-MAA/MCM-41对铑离子的吸附率下降。所以Rh-IIP-MAA/MCM-41吸附铑离子的最佳溶液pH值为6。
经过实验,得出以下结论:
(1)经过对所制备吸附剂的结构表征,表明成功地制备出了铑离子表面印迹聚合物Rh-IIP-MAA/MCM-41,且制备出来的Rh-IIP-MAA/MCM-41并没有对MCM-41规则的表面形貌和丰富的孔道结构造成严重的破坏。
(2)找出了Rh-IIP-MAA/MCM-41吸附铑离子的最佳条件为:Rh-IIP-MAA/MCM-41的用量为40 mg,吸附时间5h,吸附温度25℃,溶液pH值为6。