稀土六硼化物的研究进展

许少文，贾帆豪，乔 磊，任 伟

(1. 上海大学 量子与分子结构国际研究中心，上海 200444) (2. 上海大学物理系，上海 200444)

1 前 言

在稀土硼化物家族(主要为RB2、RB4、R2B5、RB6、RB12和RB66等，其中R为稀土金属元素，B为非金属元素硼)中，稀土六硼化合物RB6是被广泛研究的金属间化合物之一。过去几年，人们已经对RB6进行了详细的研究，发现了很多有趣的新现象，包括拓扑绝缘体[1-3]、巨磁阻[4, 5]、金属-绝缘体转变[6-8]、重费米子行为[3]、高效热电子发射能力[9-11]和超导[12-14]等。特别是，最近几年的理论计算和许多实验测量均在Kondo绝缘体六硼化钐(SmB6)中发现不寻常的金属表面态和绝缘体状态共存，在凝聚态物理前沿领域引起了广泛兴趣[15]。因此，RB6化合物得到了理论和实验科研工作者的重视。

早期人们的关注点主要在RB6的合成工艺、方法、组成、结构、性能及其宏观物理化学性质等，现在则重点研究新效应、新功能、新型复合材料以及RB6纳米材料的合成与应用，而且逐步将理论研究和应用开发结合起来[15]。

本文拟对RB6的研究进展，特别是实验制备和理论计算研究进展进行总结和展望。文中系统讨论了RB6的结构及特性，简要介绍了其制备方法，随后对RB6，特别是SmB6、六硼化钆(GdB6)和六硼化铕(EuB6)3种稀土六硼化物的密度泛函理论(DFT)研究进展进行了总结。此外，还概述了RB6在各个领域的应用进展。最后，进行了总结和展望。

2 稀土六硼化物

2.1 稀土六硼化物的结构及特性

图1 RB6晶体的几何结构[17](R代表稀土元素，B指硼元素)Fig.1 The crystal structure of RB6[17], where R represents rare earth elements, and B indicates boron element

表1 稀土六硼化物的物理性质[19]

RB6具有多种独特的物理性质，例如LaB6和CeB6具有较低的功函数，是优异的热电子和场发射阴极材料。LaB6在0.45 K以下可变为超导体[12, 13]。CeB6表现出多种性质如超导、磁有序和重费米子(heavy Fermion)行为[3]。PrB6在低温下具有反铁磁行为[20]。NdB6不仅具有优异的场发射性能而且具有复杂的磁输运特性[11, 21]。在低温下，GdB6有两个连续的反铁磁相变[23]。在15 K左右时，EuB6经历从半导体到半金属的相变[6]。近年来，SmB6[3]和YbB6[24]作为拓扑绝缘体材料引起了相当大的关注和兴趣。这种丰富的物理现象与晶体学的对称性相结合，使RB6成为研究金属间化合物电子性质和磁性能的理想模型体系。

此外，RB6电子结构[25]的理论研究表明，每个B八面体需要20个价电子才能稳定三维硼骨架。而6个B原子只贡献18个价电子，所以缺失的两个电子应该是由金属原子贡献。因此，可以预测，RB6的电学性质基本上取决于金属原子的化合价。

2.2 稀土六硼化物的实验制备方法

自1951年Lafferty[26]发现LaB6具有优异的热发射性能以来，如何进一步制备高质量的RB6晶体并发掘其新奇性质一直是研究者们关注的热点。目前，RB6单晶的制备技术已经比较成熟，尤其是在乌克兰、日本、美国和中国等国家[15]。

早期，人们研究的兴趣主要集中在RB6的合成工艺、制备方法、结构性能及其物理化学性质上。近年来，由于RB6纳米材料被视为光子和电子应用中有前景的材料，RB6纳米材料的合成与应用成为了备受关注的问题。21世纪初，Zhang[9, 27]和Brewer等[28]通过化学气相沉积法制备了GdB6、LaB6和CeB6纳米线；Xu等[29]首次用自催化法成功制备了EuB6纳米线和纳米管；Li等[30]首次研究了RB6(R=La, Ce, Pr, Nd和Sm)纳米结构的固态合成和光学性质。总而言之，RB6纳米线[9, 27-30]或纳米棒(LaB6)[31]具有低的功函数和优异的场发射性质，有望被应用于高级电子场发射器。然而，人们对RB6纳米结构的理解仍然非常有限，提高合成质量和进一步发掘其应用领域，依然是值得探索的问题。以下简要归纳了几种形态的RB6常用的制备方法。

2.2.1 单晶RB6的制备方法

RB6单晶不仅用途广泛，而且使用寿命长。目前，国内外RB6单晶的制备主要有4种方法，即助熔剂法[32]、区熔法[33]、熔盐电解法和气相沉积法[34]。

助熔剂法是制备RB6单晶常用的方法之一。助熔剂通常有Al助熔剂[32]和稀土助熔剂两种。Al助熔剂已经成功应用于整个RB6家族的实验制备。Al助熔剂法的特点是设备及工艺简单、操作方便，但制备的RB6单晶尺寸小，边缘长度通常只有几毫米，杂质含量较高，无法避免杂质Al的存在，且生产效率低，仅适用于生产小型针状RB6阴极。

另一种常用的RB6单晶制备方法是区熔法。RB6材料具有非常高的熔化温度(2773 K及以上)，因此需要使用氙弧灯(或者激光)来达到熔点。区熔法有很多不可替代的优点，如生产效率高，制备出的RB6单晶尺寸大、纯度高、质量好。当然，区熔法也有其不可避免的缺点。比如，区熔法很适合制备大型耐火晶体，但陡峭的温度梯度，使之很容易在热应力下形成亚晶界。区熔法对区熔设备也有特别高的要求，在区熔过程中的技术控制难度很高。

此外，熔盐电解法和气相沉积法也是制备RB6单晶的可行方法。使用熔盐电解法制备RB6单晶体的周期较长，且得到的单晶纯度较低，容易混入其它杂质，所以熔盐电解法常用来制备纯度不高的小尺寸RB6单晶。而由于反应控制难度大、生长速度慢等原因，气相沉积法主要用于RB6单晶薄膜或纳米管的制备，制得的薄膜与基体间附着力较低，容易脱落，可能会限制RB6单晶的实际应用。

2.2.2 多晶RB6的制备方法

RB6多晶制备的关键环节是烧结。多晶RB6块体材料的制备方法主要有热压烧结、放电等离子烧结(SPS)[19, 35, 36]等。

热压烧结是最常见的一种烧结方法。这种方法简单易操作、成本低廉、技术成熟，可以得到晶粒细小、致密度高和机械、电学性能良好的产品。但是该工艺过程及设备复杂，所需的烧结温度较高、烧结时间长、能耗大、生产成本高、生产效率低，只能制备形状不太复杂的样品。

为了克服RB6传统烧结制备方法中的缺点，人们通常采用SPS法来制备高致密度、细晶粒的RB6多晶。该方法不仅降低了烧结温度、提高了致密度，而且烧结快速，降低了烧结的难度。此外，SPS消耗的电能只是热压或热等静压的1/3～1/5，是一种节能环保的材料制备技术。因此，采用SPS技术比采用常规烧结技术制备RB6多晶材料更有优势[19]。

2.2.3 粉末RB6的制备方法

目前，用于工业化生产合成RB6粉末的方法主要有：硼热还原法、碳热还原法、自蔓延高温合成(SHS)法和熔盐电解法等[37]。其中，硼热还原法和碳热还原法是生产中常用的两种方法。

硼热还原法是用纯硼还原RB6的化合物来制备RB6粉末的一种方法，这种方法的优点是可以制得纯度较高的RB6粉末，缺点是高纯度的硼粉价格昂贵，不适用于工业化大规模生产。

2.2.4 薄膜RB6的制备方法

目前，人们主要使用4种方法制备RB6薄膜，分别是分子束外延法[38]、电子束蒸发法、磁控溅射法和化学气相沉积法。几种方法各有优缺点，一般认为电子束蒸发法制备的RB6薄膜成膜均匀，制备过程对基底的要求低，易于制备大面积、均匀性好的RB6薄膜。

2.2.5 纳米RB6的制备方法

用于合成RB6纳米材料最常见的3种方法分别为：化学气相沉积、固态反应和高温自生压力下的反应(RAPET)[9, 27, 28]。其中，化学气相沉积法是用于合成RB6纳米材料较为成熟可靠的方法。

综上所述：① 实际应用需要的RB6晶体产品因为制备困难、价格昂贵、尺寸小等问题导致它不能适应要求大尺寸、大发射面的场合。目前尚未掌握成熟的生产技术来合成大量的RB6多晶或单晶，且现有技术合成成本高、晶体质量差的问题依然存在。因此，需要开发更新的技术来获得高致密度的RB6块体样品以适应工业化大生产。② SPS法是制备多晶RB6最优秀的方法之一。SPS升温速度快、烧结温度低、保温时间短、烧结压力高，由此可制得致密的细晶粒材料。使用这种方法不仅可以使样品致密，还可以使晶粒保持在较小的尺寸范围内，是粉末烧结法中最适合制备块状细小晶粒材料的方法。③ 纳米材料具有很多超越传统块体材料的优势，如更快的器件激活时间、紧凑性和可持续性[39]。研究RB6纳米材料的制备技术以及其高端应用对科技发展也有重要意义。

2.3 稀土六硼化物的DFT研究

第一性原理密度泛函理论计算对于理解RB6体系的物理特性有巨大帮助，它在描述材料的几何结构、电子结构、磁性结构等方面都取得了许多进展。从图2a所示的DFT计算电子态密度图中可以看出，在不引入RB6体系的f电子贡献的情况下，所有体系都表现出明显的金属性[18]。总电子态密度(DOS)分布，除LaB6、EuB6和YbB6体系外，具有非常相似的特征。

观察组患者住院期间压疮发生率2例（2.63%），低于常规组 7 例(9.21%)（χ2=3.887，P＜0.05）。

当考虑具有电子关联效应的f轨道电子和自旋劈裂之后，不同体系的投影态密度(PDOS)会出现非常明显的差异，如图2b所示[40]。通过分析电子态的成分，可以发现费米能级附近主要由稀土元素的5d、4f轨道和B元素的2p轨道贡献。除了LaB6体系，其它体系都具有部分占据的f轨道，这些f轨道的相对位置正是体系态密度差异的最大来源。在DFT计算中，f轨道的相对位置对用于修正库伦排斥效应的HubbardU(U是电子之间的库伦排斥作用的修正项)参数非常敏感，当计算考虑HubbardU效应时，占据态和非占据态的f轨道分布都会远离费米面，对于占据态的f轨道，这一效应会更明显。事实上，这些局域的占据态4f电子远离费米面，因此很少参与电子发射，有效电子发射的主要贡献者来自于d轨道和p轨道电子[41]。从电子能带上可以看出，这些d轨道和p轨道电子具有较大的能带色散关系，正好对应于实验上测量稀土六硼化物的较高迁移率[42]。

图2 RB6的总电子态密度：(a) R=La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu[18]；(b)R=Pr, Ce, La, Gd, Sm和Nd[40]Fig.2 Total electronic density of states of RB6: (a)R=La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu[18]; (b)R=Pr, Ce, La, Gd, Sm and Nd[40]

除了LaB6体系之外，其它RB6体系都具有明显的4f电子强关联特性，比如SmB6体系具有拓扑Kondo绝缘体特性。本文主要对SmB6，GdB6和EuB6的DFT计算结果进行系统总结。

2.3.1 六硼化钐(SmB6)

SmB6是典型的混合价态重费米子Kondo绝缘体。与传统的d轨道金属LaB6不同，SmB6含有部分填充的局域f电子能级，这些能级位于费米面附近且与d电子产生杂化，从而在低温下出现一个窄带隙的绝缘体态，通常这类绝缘体被称为近藤Kondo绝缘体[43]。除此之外，SmB6也是重费米子体系，其费米能级附近的能带电子的有效质量很大，是普通化合物的100倍。

早在1992年，Yanase和Harima[44]就开始了对SmB6的研究。他们用局域自旋密度近似(LSDA)，考虑自旋轨道耦合(SOC)效应，首次对该体系的能带结构进行计算。计算发现如果不考虑4f能带电子，SmB6的能带结构与LaB6非常相似，但SmB6体系在费米能级附近具有约14 meV的能隙。随后，Antonov等[45]用LSDA+U的方法计算了SmB6的能带结构和光学性质，并且考虑了Sm正二价和正三价的情况，对应于X射线衍射实验上可测得的Sm3+和Sm2+的比例为7∶3或6∶4[46]。虽然LSDA+U方法提升了对4f能级平均位置的描述，但仍然无法精确描述费米能级以下5 eV能量区域中占据的f轨道的态密度，且该方法依赖于U的选取。为此，Gmitra等[47]使用杂化泛函PBE0的方法对该体系的电子结构进行了计算，如图3a所示。他们算得该体系f电子占据态和非占据态的间隙约为7 eV，与角分辨光电子谱实验结果吻合。PBE0泛函可以较好地描述Sm的4f电子态，但是由于其在费米能级附近的局域化能带在倒空间M点处向上弯曲并且达到最大值从而关闭能隙，因此PBE0方法对理解该体系中Kondo诱导的输运性质还尚显不足。尽管在理论和实验上进行了30多年的努力，人们对该体系的理解仍然十分有限。

物理学家预言了拓扑 Kondo 绝缘体这类不同于传统“金属”和“绝缘体”的材料，其体内是有能隙的绝缘态，而表面则是无能隙的金属态。这些存在于能隙中的金属态是受拓扑或时间反演对称性保护的，SmB6具有拓扑非平庸无能隙的表面态，其存在的强自旋轨道耦合作用是产生能带反转并打开能隙的重要原因。这些拓扑表面态具有线性色散关系，因此表现出较高的迁移率和不受非磁性杂质散射影响等特殊输运性质。Kim等[48]基于DFT的能带结构分析，研究了潜在的混合价拓扑绝缘体SmB6的表面态，随后很多理论计算[2, 48-53]都在体材料能隙区域获得了金属表面态。SmB6中金属表面态的存在已经得到了一系列实验的证实[2, 50, 52, 54]。这些丰富的表面电子态和关联效应使其在场发射应用方面有着较大的优势，特别是将自旋轨道耦合效应引入进来。进一步细分，根据狄拉克点的数目可以将体系分为强拓扑绝缘体和弱拓扑绝缘体。对于强拓扑绝缘体，其狄拉克点数目为奇数，而弱拓扑绝缘体则为偶数或零。Takimoto[2]计算表明SmB6有3个狄拉克点，因此该体系为强拓扑绝缘体，如图3b所示。反铁磁有序会破坏时间反演对称性，但是如果保持某些特定的对称性，仍然可以归类为Z2拓扑绝缘体[2]。最近的理论计算[55]表明， 在不加压(0 GPa)时，SmB6体系为无磁状态，加压8 GPa后体系表现为A型反铁磁态，因此SmB6体系可以作为反铁磁拓扑体系的一个候选材料。

图3 使用PBE0杂化泛函计算的SmB6的态密度，EF为费米能级，插图为SmB6的晶体结构(a)[47]；SmB6的能带结构图，其中红色代表5d电子的能带，蓝色表示4f电子的能带，黑色表示其杂化状态的能带(b)[2]；SmB6的弹性常数C11,C12,C44，体模量(B)，剪切模量(G)和杨氏模量(E)随着压强(0～20 GPa)的变化关系(c)[57]Fig.3 Density of states of SmB6 calculated using PBE0 hybrid functional, the energy is measured with respect to the Fermi level EF, the inset shows the crystal structure of SmB6(a)[47]; Energy bands of 5d (red), 4f (blue) and hybridized states (black) (b)[2]; Calculated elastic constants C11, C12, C44, bulk modulus (B), shear modulus (G) and Young’s modulus (E) of SmB6 with the fitted lines from 0 to 20 GPa (c)[57]

当前SmB6在理论凝聚态物理领域仍广受关注[49, 56]。以其可用作功能电子材料作为出发点，人们用DFT对SmB6的性质进行研究并报道了SmB6的力学、光学和电子学等性质[57, 58]，提供了SmB6材料设计和应用开发所需的理论数据。计算结果表明，SmB6具有半导体属性且比较脆，它吸收近红外光和可见光并且可被用作吸热涂层，以保护物体免受太阳热辐射。此外，Li等[57]利用DFT研究了极端条件下的SmB6体系性质，他们发现该体系的弹性系数对外部压强具有强烈的响应(图3c)，并且体系在5.5 GPa时候会出现绝缘体到金属的相变。由于SmB6是混合价化合物，Sm离子的价态对压力、温度和掺杂非常敏感[1]。因此，压力或其它条件诱导的价态变化、能隙的演化和磁有序等问题需要进一步的实验和理论研究跟进。

2.3.2 六硼化钆(GdB6)

早在20世纪80年代，人们就从电阻率和磁力矩的研究中发现GdB6在奈尔温度TN=15 K和T*=8 K会经历两个连续的反铁磁相变[22]。由于Gd和B元素存在较高的中子吸收横截面和复杂的电子和磁学性质，传统的中子衍射方法很难研究这些相的磁结构，所以GdB6的反铁磁基态一直是一个尚未解决的问题。Galera等[23]在1988年进行了X射线散射实验，观察到奈尔温度TN和T*之间存在(0, 0,1/2)反射，在T

GdB6的DFT研究主要集中在铁磁状态的电子结构和光学性质上(图4)[40, 62]。Li等[62]的DFT计算表明，GdB6是一种理想的近红外吸收/反射材料，可用作具有高可见光透射率窗户的太阳辐射屏蔽材料。计算结果表明，Gd的磁性4f电子与GdB6的重要光学性质无关。然而，以上研究既忽略了GdB6的反铁磁本质，又没有考虑电子关联作用，使得结果有待进一步讨论。Singh等[40]用LSDA +U的方法计算了铁磁GdB6的电子结构和光学性质，并计算了该体系的反射率和光电导谱，但是从之前Gd2O3的研究中直接借鉴来的U值的可靠性值得进一步验证。更重要的是，他们未考虑到GdB6的反铁磁本质。Grechnev等[63]结合实验用DFT就压强对EuB6和GdB6的磁性能和电子结构的影响进行了研究。

图4 利用密度泛函理论广义梯度近似(GGA)方法得到的GdB6电子态密度(a)[62]；利用GGA+U方法得到的GdB6能带结构，自旋向上和自旋向下的能带分别用实线和虚线表示(b)[40]Fig.4 Spin-projected densities of states of GdB6 from DFT GGA method (a)[62]; Spin polarized band structure of GdB6, majority spin (solid lines) and minority spin (dotted lines) from GGA+U method (b)[40]

综上可以发现，文献中的DFT理论研究目前较少且不系统，特别是缺乏确定磁性基态研究。于是，作者课题组对GdB6进行了系统的DFT计算[64]。研究发现：4f电子态，结构性质和磁性对U值有显著的依赖性。具体而言，当0 eV≤U≤3 eV时，该体系磁矩、体积和体模量值与实验结果吻合很好，此时基态磁构型是C型反铁磁，次基态为E型反铁磁。E型反铁磁和实验上观察到的(1/4, 1/4, 1/2)磁结构相吻合。然而，当5 eV≤U≤10 eV时，基态磁构型变成A型反铁磁。因此，结合小U值范围的DFT计算和先前的实验，作者课题组认为可能确实存在比E-AFM更低能量的磁状态，即C-AFM。这种C-AFM磁结构与散射实验中观测到(1/2, 1/2, 0)的磁结构一致。

2.3.3 六硼化铕(EuB6)

作为RB6家族中唯一的铁磁半金属，EuB6在自旋电子学等领域具有潜在的应用价值。EuB6的电子结构由于半填充的f轨道和其它RB6不同。Massidda[65]和Kuneš[66]等分别用局域宽度近似(LDA)和LSDA+U的方法研究了该体系的电子能带结构，发现体系在高对称点X附近的导带底和价带顶出现重叠并表现为半金属特征，这一理论预测被德哈斯-范阿尔芬通过实验验证[67]。之后，Kim等[68]也使用DFT计算结合非弹性X射线散射数据，再次表明低温下的EuB6的确出现了部分自旋极化的半金属特征。如图5所示， 他们还发现该体系的自旋极化的电子结构表现出对栅极电压、双轴应变和外磁场的可调性，由此提出了EuB6自旋半金属化(half-metal)的实现途径。众所周知，对于过渡金属和稀土化合物等强关联体系，简单的LDA是不足以较好地描述能隙等重要物理量的。考虑到电子结构与磁的相互作用，Ghosh等[69]使用全电子方法计算该体系的光学和磁光性质，结果认为磁矩和自旋轨道耦合效应对于解释该体系的磁光克尔效应(MOKE)是至关重要的。Shim等[70]用LDA+U的方法研究了压强和掺杂对EuB6电子结构和磁结构的影响，发现与SmB6体系类似，压力对电子结构和磁基态调节作用明显。随着压力的增加，X点处的带重叠增加，铁磁相的稳定性增强。而电子掺杂可以增强Eu原子之间的铁磁相互作用，相反地，空穴掺杂则会抑制铁磁。Grechnev等[63]的DFT研究同样得到了压力使铁磁相稳定性增强的结果。

对于EuB6体系的磁性来源，存在多种解释且一直颇具争议。实验上，该体系在居里温度Tc1=15.3 K和Tc2=12.5 K处发生铁磁相变，自旋方向从与[100]方向平行转变到与[111]方向同向[71]，其铁磁相变伴随有显著的光学、电学和输运性质的明显变化。当磁矩沿[001]方向排列时，EuB6是一种拓扑型的nodal-line半金属，当磁矩旋转到[111]方向时，EuB6变为具有3对Weyl点的Weyl半金属。有趣的是，当磁矩沿[110]方向时，nodal-line和Weyl点共存[72]。Cooley等[73]在加压条件下(0～16.9 GPa)测量单晶EuB6从1.2至300 K温度范围内的电阻率，发现室温电阻率随着压力的增加而急剧下降，同时铁磁有序的转变温度也大大增强。因此，他们认为该体系铁磁性是由局域Eu磁矩与非常稀少的传导电子之间的RKKY(Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida)相互作用所驱动产生的。不过，也有人认为其铁磁相变来自于自旋重取向[70]或自旋密度的长波长调制[71]。Kuneš等[66]认为用双带Kondo晶格模型描述EuB6的铁磁起源问题可能更为合适。因此，EuB6的磁性来源仍然是一个值得研究的问题。

图5 LDA+U (U=0.5 eV)方法计算的EuB6电子结构，蓝色和红色分别代表自旋向上和自旋向下(a)；每个原胞掺杂0.01电子情况下X点附近的能带结构(b).施加栅极电压可以将体系驱动到图5a所示的半金属状态,类似地，应力(c)和外加磁场(d)可用于调控EuB6的电子结构[68]Fig.5 The metallic spin-majority and gapped spin-minority bands are colored blue and red, respectively (a); Band structures near the X point under 0.01 electron doping per formula unit， which represents the realistic band structure of our sample at low temperatures (b). Applied gate voltage could drive the system into the half-metallic state shown in Fig.5a, likewise, the effects of stress (c) and external magnetic field (d) can be used to tune the electronic structure of EuB6. All tick marks in (a～d) are at every 0.2 eV step[68]

3 稀土六硼化物的应用

RB6用途十分广泛，已成功应用于雷达、航空航天、消费电子、仪表器械、核电等多个领域。例如，在军事领域中，LaB6单晶是雷达中大功率电子管的首选阴极材料；在航空航天领域，用LaB6制成的耐高温喷嘴和电子焊机被广泛应用[74]；在消费电子领域，LaB6单晶可作为等离子体超薄型电视机显像管的阴极材料[15]；在医疗环保领域里，具有强近红外辐射吸收的GdB6纳米颗粒可应用于透明隔热窗、癌症光热治疗[75-78]；在器械仪表领域，LaB6可作为大功率电子管的阴极材料[15]，被广泛用于等离子体发生器、强流离子源、电子显微镜、质谱仪、电子器件(真空规管、热电离变换器等)以及一些需要获得精密可控电子束的微细加工设备中[19, 79]；在核电领域，SmB6和GdB6可用于反应堆中的辐射防护屏和控制棒中[80]。

4 结 语

如今，RB6材料已经应用到了很多高科技领域，其广泛应用的重要性不可低估。本文总结了RB6的制备方法，着重讨论了RB6家族中SmB6，EuB6和GdB6表现出的新奇物理性质。特别是近年来，SmB6作为拓扑绝缘体的提出为推动量子材料的研发注入了活力。此外，由于含稀土元素的化合物往往会表现新奇的电学和磁学性质，所以对拓扑Kondo绝缘体的研究有望获得丰富的研究成果。因此，继续探索RB6体系中新奇的物理性质是一个有趣而重要的课题。