影响引线框架镀锡的塑封胶渣的去除

微电子产品电镀锡时，必须把封装工序在引线框架上产生的胶渣清除干净，否则在电镀过程中会造成露铜，镀层发花，焊接性能不好等缺陷，影响微电子产品电性能参数的漂移。除塑封胶渣是微电子镀锡中重要的工序。胶渣的形成是在塑封工序中，引线框架与塑封模具之间有缝隙，由于环氧树脂模塑料须在加温加压下固化，注进的压力过大，合模的压力过小，环氧模塑料从缝隙中与模具的缺陷处挤出来，在引线框架上形成“胶渣”或称“溢料”。

目前清除塑封胶渣有机械喷砂法、碱性溶液电解法、自动化高效激光法和化学软化剂浸煮高压水刀清除法。

1)机械喷砂法。即专用高压喷砂机，将磨料喷打在引线框架的表面，打磨去掉胶渣，该法成本低，缺点是塑封体同时也遭到攻击，起毛，失去光泽，电镀后产品外观不好，该方法基本淘汰。

2)碱性溶液电解法。即引线框架与电解设备传送带阴极相连，浸在碱性溶液中，在碱液和电流的作用下，引线脚与胶渣间产生大量气泡，空隙便于碱液渗入，有利胶渣的软化，然后用高压水把胶渣打掉。该法成本低，时间短，缺点是电解过程中析氢，使塑封体性能受到影响，该方法用的比较少。

3)激光除胶渣法。激光法是专用设备，一般针对931系列二级管产品，有两个激光头同时工作，自动上下料，效率快，精度高(5～20μm)，设备造价太高，导致电镀工序成本过高。

4)化学软化剂浸煮高压水刀去除法。即在60～120℃软化剂中浸煮30min，胶渣软化，再用高压水刀专用设备去掉胶渣。目前市场有酸碱两种胶渣软化剂，作用机理是胶渣在酸性或碱性软化剂浸煮下被有机溶剂泡软，或溶胀降低胶渣与框架间的结合力，使引线框架与胶渣间产生微小缝隙，使胶渣松动，再用水刀清除干净。二者不同点:碱性软化剂是由于引线框架大部分是铜基体，铜在碱液和空气氧的作用下生成铜的碱式盐，在溶剂、络合剂和乳化剂作用下进入溶液，有时也形成钝化膜浮在铜基体表面，影响电镀质量。另外环氧模塑料固化时产生大量的化学酯键、醚键，而酯键、醚键不耐水解，尤其是在碱的作用下水解更严重，所以碱性软化剂浸煮温度不能过高，时间不能过长，否则影响塑封体性能。

酸性软化剂。铜引线框架在塑封过程中加热，表面形成氧化铜膜，此膜遇到酸性软化剂直接反应生成铜离子进入溶液，铜表面光洁，胶渣与框架间产生间隙，有利溶剂的渗入、胶渣的软化和分离。铜在酸性软化剂中，不形成钝化膜，有利镀锡。

国外大型封装企业进入国内，直接拉动国内封装业快速发展。胶渣软化剂CWT2218、CWT3118就是在封装市场突飞猛进的形势下研究的新产品，性能好，用户多。优点是1)绿色环保，溶剂的沸点高，挥发性小，无味，对人体无害，自主生产，成本低。2)浸煮温度低，60℃，时间短，10～20min，火灾危险性小。3)不攻击引线框架基材，铁、镍、铜及合金。对塑封体不腐蚀，不失光泽。电镀前不用除油，除氧化皮工序。是比较理想的除胶渣软化剂。