一种用于场发射的二氧化钛纳米尖阵列薄膜的制备方法

专利名称:一种用于场发射的二氧化钛纳米尖阵列薄膜的制备方法

专利申请号:201210488574.9

公开号:CN102995091A

申请日:2012.11.26 公开日:2013.03.27

申请人:北京大学

本发明提供了一种用于场发射的二氧化钛纳米尖阵列薄膜的制备方法.其步骤主要包括:首先将摆洗好的钛片进行第一次阳极氧化,完毕之后,利用超声去掉附着在钛片上的二氧化钛纳米管薄膜;然后,将钛片重新装入电极,进行第二次阳极氧化,完毕之后,取出钛片进行摆洗;最后即可获得二氧化钛纳米尖阵列薄膜.本发明的方法实现了适合于场发射的二氧化钛纳米尖阵列的制备.与传统的微电子场发射针尖阵列相比,本发明方法简单,制备参数容易控制,且阵列的尖端比较尖锐,有利于场发射的获得.并且,经高温退火后的二氧化钛纳米尖阵列薄膜,具有更低的开启与阈值场强,特别是在450 ℃下退火的样品具有最小的开启与阈值场强,场发射性能明显提高.