器件
- 激基复合物有机发光二极管中平衡载流子增强电荷转移态的反向系间窜越过程*
设计高性能的光电器件.本文通过精确调控发光层(x m-MTDATA:y Bphen,x,y 为质量分数)中给体与受体的共混比例和流过器件的载流子密度,获得了载流子平衡与非平衡的激基复合物器件,采用特征磁电导(magneto-conductance,MC)响应曲线可视化了平衡激基复合物器件中CT 态间的RISC 过程,且相比于非平衡器件,该器件具有更高的电致发光效率.本工作不仅能加深对于激基复合物器件中给体/受体共混比例影响载流子平衡的理解,还为最优利用RI
物理学报 2023年17期2023-09-19
- 基于荧光材料的有机电致白光发光器件
。常见的OLED器件结构主要有两种，分别为多掺杂层发光器件和多重发光层器件。所谓多掺杂发光层器件是指将含有多种颜色发光材料的掺杂物共蒸镀于同一发光层中，利用不完全能量转换原理使电致发光呈现不同颜色混合而形成白光。而多重发光层器件是将不同颜色的发光材料分别掺混在各个发光层中，利用各单层发光再混合来实现多波段的发光。1.2 白色荧光OLEDs最早报道的荧光系统WOLED是美国柯达公司制备的双发光层的器件结构，主要是将黄光发光材料掺杂到NPB中，结合蓝色发光材料
电子测试 2022年12期2022-07-18
- InAlN/GaN/BGaN HEMT 的高温直流特性研究
管(HEMT) 器件的主要结构,因具有较强的自发极化效应,在高温、高频、高功率等领域得到广泛关注[1-6]。特别是在高温条件下,由于外部环境温度的升高以及器件本身的自热效应,传统的InAlN/GaN HEMT 器件仍然存在阈值电压漂移、饱和输出电流降低、器件关断困难等问题,这严重影响了器件的性能。因此,寻找提高InAlN/GaN HEMT 器件热稳定性的方法具有重要意义。纤锌矿结构的BGaN 材料具有较小的晶格常数[7-9],因压电极化效应在GaN/BGa
电子元件与材料 2021年10期2021-11-04
- 带浮空层的LDMOS 器件特性研究
言随着功率半导体器件的不断发展，功率器件逐渐成为人们研究的热门器件。而横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）作为常用的功率器件，因其制造工艺简单且易实现，一直是人们研究的重点[1]。导通电阻和击穿电压作为LDMOS 的重要参数，低导通电阻高击穿电压一直是研究学者研究的主要方向[2]。提高LDMOS 器件性能的技术有：超结技术[3]、场板技术[4]、降低器件表面电场[5]等技术。降低器件表面电场（Reduced Surface Field，RESURF）技
科技创新与应用 2021年10期2021-03-15
- Finding the Extraterrestrial
atus （敏感器件） to collect radio waves from the far reaches of space， hoping to discover in them some mathematical pattern （數学模式） indicating that the waves were sent out by other intelligent beings. The first attempt failed， but somed
考试与评价·高一版 2020年2期2020-10-29
- 在Liq中掺杂Yb作为电子注入层修饰电极Yb/Al
言有机电致发光器件(OLEDs)由于具有驱动电压低、发光亮度和效率高、响应速度快、视角宽、结构简单、重量轻和色彩丰富等优点，容易实现全彩色平板显示，已进入产业化阶段，广泛应用于小面积显示领域中[1-6]。为提高器件的光电性能，目前主要从3个方面入手：一是采用封装等工艺延迟其水氧老化速率[7]；二是研究新型有机发光分子材料[8]；三是采用微腔结构[9]、量子阱结构和超薄结构等。增加有效电子注入也可以显著提高器件性能。利用低功函数材料，例如镁(Mg)、钙(C
液晶与显示 2020年3期2020-06-10
- 微腔效应对顶发射串联蓝光有机电致发光器件性能的影响
传统有机电致发光器件, 串联有机电致发光器件的发光效率与寿命均得到明显提升.因此, 深入研究微腔效应对顶发射串联有机电致发光器件性能的影响具有重要意义.本文以蓝光器件为例, 通过光学仿真模拟与实际实验相结合的方法, 研究了顶发射串联蓝光器件的光学性能与电学性能变化规律.具体实验为:分别制备了顶发射串联蓝光器件, 使其两个发光层位置分别位于器件光学结构中的第一与第二反节点、第二与第三反节点、第三与第四反节点.分析并确定了顶发射串联蓝光器件的两个发光层位置分别
物理学报 2020年9期2020-05-16
- 一种阳极连接P型埋层的AlGaN/GaN肖特基二极管
来越多的关注。该器件具有关断速度快、击穿电压高、导通电阻小等特点，因而被业界广泛地认为是下一代功率器件的候选者[1-6]。但是，目前对AlGaN/GaN SBD器件的研究并不是很成熟，该器件仍然存在着众多尚未解决的问题，例如开启电压高、阳极泄漏电流严重、击穿电压低等问题。针对这些问题，国内外研究机构做了一系列研究，例如为了降低AlGaN/GaN SBD的开启电压，采用刻蚀阳极势垒层的技术[6]和选择性Si扩散的方法[7]等。为了抑制二极管的阳极泄漏电流，研
电子科技 2020年1期2020-01-07
- 高效叠层有机电致发光器件的研制
言有机电致发光器件(Organic light-emitting device，OLED)具有自发光、效率高、环境友好、可用作柔性显示以及可实现大面积全彩显示等优点，在下一代固态照明和大面积平板显示领域中备受关注[1-4]，近年来成为国际上的研究热点[5-12]。提升OLED的亮度、效率和寿命是人们一直研究的课题，为此，日本山形大学的Kido教授首先提出了叠层有机电致发光器件(Tandem organic light-emitting device，TO
发光学报 2019年10期2019-11-06
- 浮栅器件和普通NMOS器件总剂量效应对比研究
电路中的NMOS器件对这些效应比较敏感，在总剂量效应下，NMOS器件会出现漏电流增加以及阈值电压变化，严重影响器件特性，并使得集成电路的性能和功能出现异常，进而导致卫星系统无法正常工作[2]。普通集成电路中的器件以PMOS和NMOS器件为主，但对于Flash[3-5]产品来说，其主要组成单元是存放数据的浮栅器件，围绕浮栅器件的电路称为外围电路。外围电路主要包括用于算法控制的数字电路和用于高压擦写的高压电路，前者主要由低压MOS器件组成，后者主要由高压MOS
航天器环境工程 2018年5期2018-10-23
- 混合主体材料分布对白色磷光有机发光二极管器件光谱性能的影响
价值，WOLED器件在有机发光二极管（OLED）的研究领域得到了越来越多的关注。实现高效率、低成本和高颜色稳定性是WOLED器件能够获得更加广泛商业应用的前提条件。磷光材料可以同时俘获单重态和三重态激子，理论上可以得到近乎100%的内量子效率[1]，在高效率的WOLED器件中经常被作为发光材料使用[2-4]。例如，文献[5-7]在简单的WOLED器件结构中通过调整橙色磷光客体材料的比例，制备了高效率的WOLED器件。Chen等[8]在WOLED器件中通过采
上海理工大学学报 2018年4期2018-09-21
- 高效率N掺杂有机电致发光器件的研制
言有机电致发光器件(Organic light emitting-device,OLED)已经在照明和平板显示领域表现出了巨大的潜力。其自发光、低成本、低功耗等优势，使得有机电致发光器件成为目前学术界和工业界的研究热点[1-5]。高效率、低功耗无疑是有机电致发光器件研究者的共同目标。有机电致发光器件是电子和空穴同时存在的双载流子器件，电子和空穴的平衡是影响有机电致发光器件性能的主要原因之一。然而对于有机小分子材料而言，空穴传输材料的迁移率要远远大于电子传
发光学报 2018年3期2018-03-21
- 基于MEH-PPV/Ir(ppy)3聚合物电双稳器件
)3聚合物电双稳器件王 敏， 胡煜峰， 滕 枫*(北京交通大学光电子技术研究所 发光与光信息技术教育部重点实验室， 北京 100044)通过逐层旋涂的方法，利用MEH-PPV(Poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene]与Ir(ppy)3(tris(2-phenylpyridine)iridium(Ⅲ)))，制备活性层，实现了高性能的电双稳器件。通过改变MEH-PPV 的浓度，制备了不同
发光学报 2017年5期2017-06-01
- The Belt and Road Initiative: Charting a New Trajectory for Mankind
bit/s的速率器件，当前产业链不够成熟。NRZ+均衡和PAM4基于25 Gbit/s速率器件，器件相对成熟，是50 G PON调制技术的研究热点。Overcoming a Cold War MindsetThe Belt and Road Initiative represents much more than simply a needed development program. It is a key element in a new model
China International Studies 2017年1期2017-03-27
- P3HT/PMMA双层聚合物电双稳器件的研究
双层聚合物电双稳器件的研究彭 博， 曹亚鹏， 胡煜峰， 滕 枫*(北京交通大学光电子技术研究所 发光与光信息技术教育部重点实验室， 北京 100044)通过逐层旋涂的方法，制备了P3HT(poly(3-hexylthiophene))与PMMA(poly(methylmethacrylate))双层器件，并与二者的共混溶液制备的器件进行了性能对比。利用扫描电镜(SEM)表征了双层器件的横截面形貌；利用电流-电压(I-V)以及电流-读取次数(I-t)测试，测
发光学报 2016年9期2016-04-11
- 美国Holt公司推出小型军用双航空收发器件
型军用双航空收发器件据报道，美国Holt集成电路公司新近推出一种3.3 V双航空收发器HI-2579CG，它符合MIL-STD-1553/1760标准的要求，适用于PMC和XMC等高度受限的板卡式应用领域。该器件在同一封装中集成了双发射机，表面贴装后其尺寸小于4.6 mm；采用陶瓷LCC做衬底，进行了密封封装，从而保证了器件的工作温度范围可拓展至-5～125℃，潮湿敏感度等级 （MSL）达到1级。该器件特别适用于符合MIL-STD-1553/1760标准的
电子产品可靠性与环境试验 2015年2期2015-03-24
- 一种高电流密度下效率不降低的绿光有机电致发光器件
绿光有机电致发光器件田苗苗1*,贺小光1,祁金刚1,王 宁2(1.长春师范大学物理学院,吉林长春 130032; 2.新加坡南洋理工大学电气科学与电子工程学院,新加坡 639798)为了提高有机电致发光器件(OLED)在高电流密度下的发光效率,在以C545T掺杂Alq3为发光层的有机小分子绿光器件中的发光层与电子传输层之间插入超薄LiF绝缘层。结果表明,器件的外量子效率随着电流密度的增加始终没有降低,直至600 mA/cm2时达到最大值4.79％,是相同电
发光学报 2015年11期2015-03-11
- 基于LiF／Al／F4－TCNQ／NPB电荷产生层的叠层有机电致发光器件的特性研究
言有机电致发光器件（OLED：Organic Light Emitting Device），具有驱动电压低、效率高、能实现大面积全色显示等优点，在平板显示领域引起广泛的关注，近年来成为国际上的研究热点［1－8］。提高有机发光器件的效率和寿命一直是人们研究的课题，为此，日本的Kido等人首先提出了叠层OLED的概念，即垂直层叠两个或多个发光单元以构成一个器件，在各发光单元之间使用电荷产生层（CGL：Charge Generation Layer）连接，所以
液晶与显示 2014年6期2014-11-09
- 手动引线键合设备夹持台解决方案
术的发展，键合的器件的种类也不断增加，这就要求手动键合设备针对器件的改变进行相应的变化。1 夹持台夹持台是手动键合设备变化最为复杂的部件。针对需要键合器件的不同，夹持台需要进行相应的调整，来满足键合的需要。夹持台需要实现的基本功能是实现器件的牢固装夹，保证在键合过程中器件的牢固，以免影响焊接质量。根据压焊工艺的不同，夹持台分为热夹持台和冷夹持台两种。热夹持台主要应用于金丝球键合和金丝楔形键合；冷夹持台则主要应用于铝丝楔形键合。因为手动键合设备90%以上应用
电子工业专用设备 2014年6期2014-03-26
- 具有新型双空穴注入层的有机发光二极管*
高分子光电材料与器件研究所,广州 510640)2)(发光材料与器件国家重点实验室,广州 510640)(2012年11月30日收到;2012年12月17日收到修改稿)1 引言耗低、由于视有角机广发以光及二响极应管速度(O快LE等D优)具异有性亮能度[1高],、并功在显示和照明领域有广阔应用前景,受到学者和业界的广泛重视而成为研究热点.20多年来,众多的科研工作者为了提高OLED的性能,对OLED进行了大量的探索和研究[2-6].进一步提高效率、降低功获耗
物理学报 2013年8期2013-09-27
- 第三代在线电路维修测试仪
机技术并综合运用器件直接功能测试、端口阻抗测试等先进测试手段，直接针对电路板上器件进行测试，无需涉及电路原理和功能，普遍适用各种繁杂的电路板，节省维修电路板的时间和费用。目前通用型数字器件的发展趋势主要表现在以下方面：①管脚趋多，以前常用的74LS244 是8位驱动器，20管脚器件，现在多采用的74ABT16244 是16位驱动器，48管脚器件。②电压趋低，以前数字器件多为+5V 供电，某些CMOS 结构的数字器件为+12V 供电，现在逐渐形成主流3.3V
设备管理与维修 2013年3期2013-07-13
- 底发射OLED中阳极形状对器件性能的影响
研究者的注意.就器件本身而言，通过优化器件结构提高有机电致发光器件的效率、亮度、寿命等的研究已处于白热化状态.尤其是随着磷光材料的出现，使得OLED的内量子效率几乎达到100%，而外量子效率由于组成器件的功能层、电极层材料的吸收，以及很大一部分波导模态和衬底模态被限制，出光效率仅仅只有20%左右[1,2].大量的能量损耗在器件内部，因此如何提高OLED器件的外量子效率，减少内部损耗则成为目前OLED器件研究的热点.提高OLED出光效率经常使用的方法有散布微
陕西科技大学学报 2013年1期2013-01-29
- 0.6μm SOI NMOS器件ESD性能分析及应用
之一。由于SOI器件底部被厚厚的埋层氧化层隔离，器件四周也被SiO2进行了全介质隔离，理论分析与实际经验都显示，SOI器件与电路一方面对ESD应力非常敏感；另一方面，相比体硅器件而言，将SOI MOS器件应用于ESD设计的难度也更大了，因为SOI MOS器件存在的体区使NMOS器件的触发机制更复杂，由于结构所限，体硅技术中许多可以用于ESD保护的结构，如厚场氧器件、纵向PN结等都无法在SOI电路中使用[1]。因此，SOI电路的ESD设计是一个值得关注的重要
电子与封装 2011年11期2011-05-31
- p型结构的高效有机白光器件
构的高效有机白光器件王春雷 费 腾 李 峰*马於光*(吉林大学超分子结构与材料国家重点实验室,长春 130012)制备了一种高效的p型结构的红光有机发光器件.对比发现这种p型结构的器件在亮度、电流密度以及效率等方面都优于普通的器件.将这种p型结构应用到白光器件上,使用红、绿、蓝三种发光材料作为发光层,通过调节它们各自的发射强度来实现白光发射.优化条件后,制得白光器件的最大电流效率和功率效率分别为19.3 cd·A-1和12.1 lm·W-1,最大亮度可达到
物理化学学报 2010年2期2010-11-30
- 通过晶圆片检测MEMS器件
Axel Eschenburg,Taufiq Habib(Viscom AG,Germany)In semiconductor manufacturing,automatic wafer inspection is essential to detect defects in the early stage.At the back-end of processes where bonding joins two or more wafers,or a wa
电子工业专用设备 2010年2期2010-10-24