非晶硅
- a-Si:H（p）/c-Si（n）异质结太阳电池的模拟优化
晶硅衬底上沉积非晶硅薄膜形成的一种高效硅基太阳电池，具有转换效率高、开路电压高、温度系数低、低温工艺制备及抗衰减等优势[3]，在行业内备受关注[4]～[6]。目前，硅异质结电池效率的世界纪录是由日本Kaneka公司于2016年创造的，其研发的叉指背接触硅异质结电池效率达到26.63%[7]。在硅异质结电池的研发中，由于涉及众多的结构变量诸如功函数、光学带隙和非晶硅的掺杂浓度等等，从实验上透彻地研究各参数对电池性能的影响是比较困难的，因而需要借助模拟软件对一
可再生能源 2022年3期2022-03-21
- 非晶硅光电池光谱特性研究
。因此，本文将非晶硅光电池作为视网膜假体感光单元，代替视网膜上的感光细胞，除了需要其对光亮度敏感，还需要对其光谱敏感特性进行测量。进一步，我们搭建了测量光路来测量非晶硅光电池的光谱敏感度曲线。关键词：非晶硅;光电池;光谱1.光谱敏感度曲线测量系统搭建人眼的视觉与环境亮度密切相关。一般认为，环境亮度在10-3×104 cd/m2的视觉称为明视觉;当环境亮度在10-3 cd/m2以下时的视觉称为暗视觉。非晶硅光电池的光电效应已预示其具有很好的人眼明视觉效应。光
江苏广播电视报·新教育 2021年21期2021-10-25
- 低温多晶硅薄膜晶体管的专利技术
要的元件。由于非晶硅薄膜晶体管的漏电流较小，因此早期的液晶显示技术大多采用非晶硅薄膜晶体管，但是非晶硅薄膜晶体管普遍存在载流子迁移率低下的问题，这极大的影响了显示技术的发展。因此，急需研究一种可以改善载流子迁移率低下问题的薄膜晶体管器件。由于多晶硅薄膜晶体管（TFT）相较于非晶硅薄膜晶体管（TFT）具有功率损耗小、载流子迁移率大，且能够在较低温条件(如低于600℃)下制备而成、基底的选择很灵活、制作成本低等优势。低温多晶硅薄膜晶体管(Low Tempera
电子世界 2021年16期2021-09-26
- 非晶硅薄膜太阳能电池分析与研究
热点之一。二、非晶硅薄膜太阳能电池目前国际上研究较多的薄膜太阳能电池主要分为：硅基薄膜太阳能电池、砷化镓薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池、碲化镉薄膜太阳能电池等。在这些薄膜电池中，硅基薄膜太阳能电池以其特有的优势快速发展，硅基薄膜太阳能电池又分为：非晶硅、微晶硅、纳米硅薄膜太阳能电池以及他们相互合成的叠层电池等。（一）非晶硅薄膜电池基本特点与晶硅材料相比，非晶硅薄膜材料具有以下特性。1.生产耗能少。非晶硅薄膜太阳能电池的制作需要200℃左右的温度条件
安徽电子信息职业技术学院学报 2021年2期2021-05-08
- 非晶硅太阳能光伏/光热空气集热器性能对比实验研究
生变形或断裂。非晶硅光伏电池功率温度系数较低，可达到-0.1%/℃，并具有柔性高和热应力低的特性，能够减少自身的光致衰减缺陷，进而防止光伏组件出现破坏和中断的现象[6]，[7]。因此，将非晶硅光伏电池与空气集热器相结合能有效解决晶硅电池热应力大的问题，同时，也避免了冬季管道发生霜冻的情况。基于此，本文提出了由非晶硅光伏电池集成的太阳能PV/T空气集热器（以下简称为非晶硅太阳能PV/T空气集热器），并通过实验对比研究了该集热器与传统太阳能空气集热器和单独非晶
可再生能源 2021年4期2021-04-21
- 半导体显示两种硅岛干法刻蚀方式对比
阻覆盖之大面积非晶硅刻蚀，形成TFT关键硅岛②有源层沟道半曝光区域的光阻去除，使沟道内的金属露出，在第二次WET刻蚀时去除，形成源漏电极。故第一次DRY刻蚀工艺流程也据此一般包含两部分：大面积非晶硅刻蚀（即主蚀刻，又叫Main Etching，ME）與沟道半曝光区域去光阻（即Half-ton Ashing，又叫Etch Back，EB）。因刻蚀对象膜层不同，主蚀刻与烧光阻刻蚀工艺差异明显。刻蚀非晶硅时，一般需要使用含CL，F气体，形成挥发性的SiFx和Si
科学与生活 2021年29期2021-03-24
- 非晶态纳米硅粉制备方法综述
体硅相比，尽管非晶硅的电子电导率和热导率较差[8]，但非晶硅在充放电过程中体积膨胀明显缓解[9]。非晶硅嵌锂时体积膨胀呈现各向同性(晶态硅呈各向异性)，因此，在充放电过程中非晶硅具有更好的结构可逆性[9]。此外，非晶硅具有更好的机械稳定性，其结构破裂的临界尺寸达到870 nm，相比之下晶态硅临界尺寸仅有150 nm[10]。Lin等[11]制备的非晶硅材料以1 A/g大电流进行充放电，150 次循环后克容量可保持在1500 mA·h/g，与晶态硅相比循环稳
储能科学与技术 2021年2期2021-03-19
- 掺杂层对非晶硅异质结太阳电池特性影响的研究
多分支。其中，非晶硅/单晶硅异质结太阳电池由于其工艺温度低、温度系数小、转换效率较高等优点而受到广泛关注。从1990年起，三洋公司（现已被松下收购）便一直通过所谓的HIT太阳电池结构体现着这种技术潜在的优势，并于1997年实现HIT太阳电池的产业化。对于高效率异质结太阳电池，晶体硅的表面钝化是非常重要的参数。通过减少电池的厚度而降低太阳电池成本势必会使电池表面积与体积比值的增加，因此，为了有效地钝化PN结，需要在晶体硅基片的正反两面都使用较高质量的氢化非晶
江西电力 2020年6期2020-06-29
- SiO2晶态物性对高温水泥石力学性能的影响
.1 晶体硅与非晶硅的理化性能差异晶体硅（如石英砂，SiO2含量>98%）和非晶硅（如硅灰，SiO2含量为88%～98%）的结晶程度完全不同（见图1）。在更复杂的结构（硅酸盐）中，其主要由硅氧四面体三维网络结构组成，四面体通过顶点的氧原子（桥氧）连接，形成硅氧烷键（≡Si—O—Si≡），矿物中的其他金属元素也会与氧原子连接。图1 非晶硅与晶态硅的晶相特征可以看出，石英砂表现出很高的结晶程度而硅灰的结晶程度低（呈现弥散峰），原因在于硅氧四面体中O—Si—O
钻井液与完井液 2020年6期2020-05-07
- 光子芯片使用可编程光子新材料 可加快集成电路研发
学材料——氢化非晶硅，能够加快光子集成电路的研发和生产。该研究项目的负责人Oded Raz表示，这是第一个可编程的光子电路，研发人员可以对光子材料本身进行编程和重新设置，且不需要任何电力依然可保持自身的编程状态，将在一定程度上帮助工程师加速开发光子器件。据介绍，这种材料名为氢化非晶硅，目前主要用于薄膜硅太阳能电池。研究人员在一个被称为“Staebler-Wronski效应”的研究中发现，光或热会改变氢化非晶硅的光学和电学性质，但当它在黑暗中缓慢冷却后，可以
中国计算机报 2020年13期2020-04-26
- 光照强度对三种硅太阳能电池特性影响的实验研究
硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池。本文用实验方法对比研究了单晶硅、多晶硅、非晶硅太阳能电池的特性与光照强度之间的关系。1 实验装置太阳能电池的实验装置如图1所示，该装置由成都世纪中科仪器有限公司研制，包括太阳能电池特性试验仪、可变负载(电阻箱)、导轨、光源(含支架)、滑动支架、太阳能电池、光强探头。2 实验内容与方法实验过程中光照强度的大小由光强探头测量。考虑到温度以及其它光源可能对实验构成影响，实验时选择了一个背光的、室温相对稳定的暗室。2.1 按照图1所
延安大学学报（自然科学版） 2020年1期2020-04-09
- GZO厚度对非晶硅电池中复合背电极的影响
的光电利用中，非晶硅太阳能电池以其价格低廉、制备工艺简单、衬底选择灵活等特点，成为薄膜太阳能电池的重点研究方向[7-9].1976年，美国RCA实验室的Carlson等成功研制出转换效率为2.4%的p-i-n结构非晶硅太阳能电池[10].Villar等人利用HWCVD在温度低于150 ℃的条件下制备出效率为4.6%的非晶硅薄膜电池[11].随后，日本的Takeuchi进一步改进了非晶硅太阳能电池的制备工艺，推动了非晶硅电池的批量生产[12].目前，虽然非晶
材料科学与工艺 2019年5期2019-11-13
- CIGS薄膜太阳能电池结构分析
，包括硅基类（非晶硅、多晶硅、微晶硅）、无机化合物类（碲化镉、铜铟硒、砷化镓）、有机类、染料敏化（二氧化钛、氧化锌）等，并从材料、工艺和转换效率等方面比较和讨论了它们各自性能的优劣，最后展望了这些薄膜太阳能电池材料未来的研究方向及应用前景。关键词：薄膜太阳能电池引言近年来，环境污染和能源衰竭等问题与全球经济发展之间的矛盾越来越突出，加上人类对可再生能源的不断需求，这样就促使人们致力于开发新的能源。太阳能作为一种可再生能源有着其它能源不可比拟的优势，因此，合
中国电气工程学报 2019年19期2019-10-21
- 低温铝诱导非晶硅晶化的热力学机理研究*
TA)的铝诱导非晶硅晶化(AIC)因其能实现低温晶化，且制备出的微晶硅具有结晶性能良好、晶化率可控等优点，已成为非晶硅晶化的重要方法之一.AIC的动力学过程已较为清晰，即在温度的作用下原非晶硅中的Si-Si键断裂，并通过扩散的方式进入Al膜，形成非稳定态的硅铝化合物；在适当的温度下退火，达到异质形核条件，成核长大.非稳定态的硅铝化合物不断地形成稳定态的晶态硅，最后形成稳定的晶硅层和包裹着多余Al的非晶硅层[1].但铝诱导非晶硅晶化不仅包括动力学过程，还包括
云南师范大学学报（自然科学版） 2019年5期2019-10-10
- 不同类型平板探测器的DQE测量比较
S）闪烁材料的非晶硅平板探测器是最为主流的数字X射线影像设备。近三十年来，间接式的基于闪烁材料+非晶硅TFT面板的平板探测器已经获得了长足的发展，技术已经十分的成熟、稳定，形成了从传感器面板到探测器设计、制造商，再到平板DR制造商的完整的产业链。在X射线影像设备领域，间接式平板探测器已经成为主流，在世界各地所有的医学影像和工业检测领域，都已占据市场主导地位。如何比较多年以来先后出现的不同的X射线影像技术呢？一个较客观且被广泛DR厂家及影像学家所接受的方法是
中国医疗器械信息 2019年9期2019-06-17
- 硅基薄膜太阳能电池研究进展
太阳能电池分为非晶硅（α－Si）、微晶硅（μ－Si）、纳米晶硅（nc－Si）薄膜电池。 硅薄膜电池相比于单晶硅太阳能电池，有着价格低廉、制作工艺相对简单的优点。1.1 非晶硅薄膜太阳能电池非晶硅薄膜太阳能电池的制备方法有等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）、反应溅射法和低压化学气相沉积法（LPCVD）。国内外在此项技术上的研究也日趋成熟。我国河北工业大学采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF—PECVD)技术，在 P型晶化硅层沉积时间12.5分钟。N层
科技视界 2018年22期2018-07-12
- 非晶硅薄膜太阳能电池的p/i和i/n界面插入缓冲层对电池性能影响研究
于pin型结构非晶硅薄膜太阳能电池，采用数值模拟的方法，通过模拟分析表明，在电池的p/i、i/n界面插入缓冲层可以得到电池转化效率为7.474%，比没有缓冲层电池提高0.305%。关键词：非晶硅 缓冲层 转化效率中图分类号：O469 文献标识码：A 文章编号：1674-098X（2017）09（a）-0073-02由于非晶硅材料的原子结构是一种共价无规的网络原子结构，不受周期性结构的约束，具有短程有序、长程无序的结构。无序结构导致多种结构缺陷和微空洞的形成
科技创新导报 2017年25期2017-11-07
- 限电条件下光伏方阵改造方案分析
量比例。限电，非晶硅，单晶硅，发电量计算目前先期(2010年)投产的非晶硅组件的发电量比同期多晶硅组件的发电量低30%，非晶硅组件转换率低下，致使该发电系统长期无法满负荷工作，造成大量的资源浪费。同时，随着技术的进步，单晶硅的转换效率在不断提高，价格逐步下降，通过用单晶硅组件替代非晶硅组件可以充分的利用场地资源，提高发电效率，达到良好的经济效果。1 太阳能资源分析及发电量计算1)站址概述。电站场址距离格尔木市中心29 km，距离南侧的109国道约1.5 k
山西建筑 2017年26期2017-10-21
- 低应力非晶硅薄膜的制备
206）低应力非晶硅薄膜的制备王剑敏(上海华虹宏力半导体制造有限公司，上海，201206）本文研究了三种降低非晶硅材料应力的手段:优化工艺参数。通过N2退火，将非晶硅的压应力变为张应力。通过额外的掺杂硼来改变非晶硅的应力。最初加入硼掺杂后应力会发生突变，但随着同步掺杂的浓度增加，最终的应力变化会趋向缓和。通过综合利用以上三个手段，最终的实际结果达到了预定的低应力目标。低应力；非晶硅；微机械；半导体制造0 引言非晶硅材料被广泛运用在微电子和微机械的工艺制作中
电子测试 2017年10期2017-08-07
- 载流子选择性接触:高效硅太阳电池的选择∗
结硅太阳电池、非晶硅薄膜硅异质结太阳电池和氧化物薄膜硅异质结太阳电池结构进行数值模拟,三者的器件结构分别如图2(a)、图2(b)和图2(c)所示.图2 (网刊彩色)模拟器件结构 (a)扩散同质结硅太阳电池;(b)非晶硅薄膜硅异质结太阳电池;(c)氧化物薄膜硅异质结太阳电池Fig.2.(color online)Structures of silicon solar cell:(a)Diffused homojunction solar cell;(b)si
物理学报 2017年15期2017-04-26
- 非晶硅薄膜和结晶硅薄膜的拉曼光谱
01620)非晶硅薄膜和结晶硅薄膜的拉曼光谱马希文， 杨玉庆， 张 坤， 何 佳， 张 霞(上海工程技术大学 材料工程学院，上海 201620)以玻璃为衬底，利用等离子体增强化学气相沉积工艺制备了非晶硅(α-Si)薄膜，然后通过准分子激光晶化方式获得结晶硅(nc-Si)薄膜，采用激光显微拉曼光谱仪对非晶硅薄膜、结晶硅薄膜这两类薄膜的拉曼光谱效应和结晶质量等进行了定量分析。结果表明：当激光功率达到某一阈值时，非晶硅样品发生了晶化，即由非晶硅转化成了结晶硅，
实验室研究与探索 2016年8期2016-12-21
- 非晶/微晶相变区硅基薄膜太阳能电池研究进展
/微晶相变区的非晶硅一侧，其相比于非晶硅具有更高的中程有序性和更低的光致衰退特性.低缺陷密度的窄带隙纳米晶硅薄膜处于非晶/微晶相变区的微晶硅一侧，有效钝化的纳米硅晶粒具有较高的载流子迁移率和较好的长波响应特性.基于上述相变区硅薄膜材料的叠层电池已经达到13.6%的稳定转换效率.掺锗制备的硅锗薄膜可进一步降低薄膜的带隙宽度，引入相变区硅锗合金薄膜后，三结叠层电池初始效率已经达到16.3%，四结叠层太阳能电池理论效率可以超过20%.非晶/微晶相变区；中程有序性
河北大学学报（自然科学版） 2016年5期2016-12-15
- 替代型非晶硅薄膜标准太阳电池的研制
徐正元替代型非晶硅薄膜标准太阳电池的研制中国电子科技集团公司第十八研究所 ■ 王金玉*伊纪禄 袁明翰 徐正元通过在单晶硅标准太阳电池上安装合适的滤光片作为替代型非晶硅薄膜标准太阳电池，减小非晶硅薄膜标准太阳电池与非晶硅薄膜太阳电池的光谱响应失配引起的测量误差。实验证明，替代型非晶硅薄膜标准太阳电池的相对光谱响应曲线与非晶硅薄膜太阳电池基本一致。替代型非晶硅；薄膜；标准太阳电池；光谱响应；光谱失配0 引言采用等离子体增强型化学气相沉积法，以玻璃、不锈钢、聚
太阳能 2016年9期2016-11-30
- 光伏电站中箱式变电站对低压防雷器的要求
710032)非晶硅薄膜电池的负极接地设计在光伏发电系统中非常重要，文章根据非晶薄膜电池对地负偏压时腐蚀较大的缺点，论述了与非晶薄膜电池相配合的逆变器直流侧负极需接地的主要原因。根据逆变器负极接地时电压的特点，得出结论：箱式变电站低压侧防雷器耐压须大于逆变器的直流输入电压与输出相电压峰值之和。光伏发电；非晶硅薄膜电池；逆变器接地；防雷器耐压0 前 言光伏发电作为一种可再生的清洁能源，已成为发电系统的重要组成部分[1-3]。大规模并网光伏发电系统的产生使太阳
西北水电 2016年5期2016-11-30
- 一种用于BIPV的半透明非晶硅薄膜太阳能电池的研究
IPV的半透明非晶硅薄膜太阳能电池的研究陈宇(广东志成冠军集团有限公司， 广东东莞523718)利用一种半透明非晶硅薄膜太阳能电池采用高导电性能的透明银(Ag)薄膜和TCO薄膜组成透明的背电极代替了普通的不透明铝背电极，通过ZnO/TiO2薄膜组成复合增透膜提升入射光能，弥补透明背电极的背反射减弱问题。实验采用磁控溅射法制备厚度为10～15 nm的银薄膜与200～300 nm厚度AZO薄膜为透明背电极，采用厚度为65 nm的ZnO薄膜和50 nm的TiO2
东莞理工学院学报 2016年3期2016-10-13
- 液相混合辅助低温制备Ca2Si5N8：Eu2+荧光粉
-氨溶液，原料非晶硅悬浮于溶液中，通过液氨挥发使金属-氨溶液产生过饱和，并以金属酰胺形式沉析在非晶硅表面，将这种液相混合处理的原料在常压1100 ℃保温6 h合成Ca2Si5N8：Eu2+荧光粉。采用XRD、SEM和PL光谱仪分别表征了产物的晶体结构、微观颗粒形貌以及发光性能。结果表明：这种液相混合降低了荧光粉合成温度，在常压下1100 ℃保温6 h合成了结晶良好的Ca2Si5N8：Eu2+荧光粉；合成的荧光粉颗粒呈类球形且分散性较好；合成的Ca2Si5N
浙江理工大学学报(自然科学版) 2016年7期2016-09-29
- 非晶硅薄膜表面微纳结构制备及抗反射性能研究
130022）非晶硅薄膜表面微纳结构制备及抗反射性能研究吴杰（长春理工大学电子信息工程学院，长春130022）为了对非晶硅薄膜表面改性，使其具有更好的抗反射性，将采用激光干涉光刻的方法，在非晶硅薄膜表面制备具有抗反射性能的微纳结构。首先搭建三光束激光干涉系统，使用波长为1064nm的Nd：YAG激光光源，使其在空间分布上接近旋转对称的三束光，对非晶硅薄膜进行干涉实验，然后用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）对激光刻蚀后的非晶硅薄膜表面结构特征
长春理工大学学报（自然科学版） 2016年3期2016-09-16
- 可用于可穿戴设备的透明非晶硅薄膜太阳能电池的研究
穿戴设备的透明非晶硅薄膜太阳能电池的研究陈 宇 （广东志成冠军集团有限公司，广东省东莞市塘厦镇田心工业区，523718）摘要：一种可用于可穿戴设备屏幕表面的透明非晶硅薄膜太阳能电池，采用激光刻蚀高密度微纳光通道阵列、TCO薄膜作为透明导电背电极，并减薄I层厚度来提升光线透过率。实验表明随着光刻密度增加或I层厚度的减少，光电转换效率会降低，光线透过率会增加，当I层厚度300nm，光刻孔隙直径30m，阵列间隔55m以内时，可获得50%以上的透过率（最高59%）
电子测试 2016年13期2016-08-04
- 宽光谱高效硅基薄膜太阳电池的基础研究报告
明导电薄膜用作非晶硅太阳电池前电极、非晶硅太阳电池BZO/p-a-SiC：H接触特性改善、非晶硅界面缓冲层对非晶硅锗电池性能的影响以及非晶硅锗电池性能的调控等方面的研究内容及结果。 首先我们将自行研制的具有优异陷光效果的掺硼氧化锌 BZO 用作 p-i-n 型非 晶硅太阳电池的前电极，并且将传统商业用 U 型掺氟二氧化锡 FTO 作为对 比电极。结果表明相对 FTO 电池，尽管 BZO 电池的电流优势明显，但当本征 层厚度较薄时其 Voc 和 FF 却较差
科技资讯 2016年6期2016-05-14
- 小型汽车太阳能补电装置
晶硅、多晶硅、非晶硅三类。单晶硅太阳能电池的光电转换率为15%左右，多晶硅太阳能电池的制作工艺与单晶硅太阳能电池差不多，光电转换率约为12%。非晶硅太阳能电池是1976年出现的新型薄膜式太阳能电池，它与单晶硅和多晶硅太阳能电池的制作方法完全不同，硅材料消耗少，电耗更低。虽然目前光电转换效率偏低（国际先进水平为10%左右），但在弱光下有较好的表现。在强光下，单晶体式太阳能电池板较非晶体式虽能转化多达一倍以上的太阳能，但价格要贵两三倍以上，且阴天时非晶体式反而
发明与创新 2015年14期2015-12-25
- 非晶硅锗薄膜太阳电池的模拟研究
2］。近年来，非晶硅薄膜太阳电池以其较低的生产成本，在市场上所占份额有所增加，但其转换效率不高且在长时间光照下易出现光致衰退现象［3］。近期发展起来的非晶硅锗薄膜材料因带隙在1.1～1.8 eV可调，且随着锗含量的增加使其对长波区太阳光的吸收系数增大，因而越来越受到重视。然而，与非晶硅薄膜太阳电池相比，非晶硅锗单结薄膜太阳电池的工作机理及影响效率的因素尚不明确，文献报道的此种电池的转换效率都较低［3］，故可以通过计算机模拟的方法进行分析研究，以便进一步提高
重庆理工大学学报(自然科学) 2015年6期2015-12-06
- TFT栅极绝缘层和非晶硅膜层的ITO污染对电学特性影响的研究
T栅极绝缘层和非晶硅膜层的ITO污染对电学特性影响的研究王守坤∗，袁剑峰，郭会斌，郭总杰，李升玄，邵喜斌（北京京东方显示技术有限公司，北京100176）本文对TFT在栅极绝缘层和非晶硅膜层沉积过程中，透明电极ITO成分对膜层的污染和TFT电学性质的影响进行分析研究.通过二次离子质谱分析和电学测试设备对样品进行分析.ITO成分会对PECVD设备、栅极绝缘层和非晶硅膜层产生污染，并会影响TFT的电学特性.建议采用独立的PECVD设备完成ITO膜层上面的栅极绝缘
液晶与显示 2015年6期2015-10-22
- 小型汽车太阳能补电装置
晶硅、多晶硅、非晶硅三类。单晶硅太阳能电池的光电转换率为15%左右，多晶硅太阳能电池的制作工艺与单晶硅太阳能电池差不多，光电转换率约为12%。非晶硅太阳能电池是1976年出现的新型薄膜式太阳能电池，它与单晶硅和多晶硅太阳能电池的制作方法完全不同，硅材料消耗少，电耗更低。虽然目前光电转换效率偏低（国际先进水平为10%左右），但在弱光下有较好的表现。在强光下，单晶体式太阳能电池板较非晶体式虽能转化多达一倍以上的太阳能，但价格要贵两三倍以上，且阴天时非晶体式反而
发明与创新·中学生 2015年4期2015-04-09
- 埋弧焊钢管焊缝DR检测机理及应用
R探测器主要为非晶硅（α－Si）辐射探测器［2］。1.2 埋弧焊钢管焊缝非晶硅DR探测器构成及射线转换原理1.2.1 非晶硅辐射探测器构成非晶硅辐射探测器是间接转换型半导体辐射探测器。包括：闪烁体层、非晶硅层（光电二极管阵列）、薄膜晶体管阵列（TFT）、电路，结构如图1所示。其中闪烁体层、非晶硅层是影响数字射线成像品质的重要组成部分。图1 非晶硅平板探测器结构闪烁体层一般由铯碘化物组成，铯碘化物是较理想的材料。碘化铯闪烁层是一种吸收X射线并把能量转换为可见
无损检测 2014年10期2014-10-27
- 电致发光技术在非晶硅组件量产中的应用
作流程等。由于非晶硅电池的生产工艺与晶体硅电池完全不同，鲜有文献报道EL用于非晶硅电池缺陷的检测和在产线上应用。本文利用EL设备对非晶硅电池进行检测，有效检测电池中存在的各类缺陷，进一步研究缺陷对电池功率、FF等各项电学参数的影响，指出EL技术在晶体硅与非晶硅电池检测中的差别，以及如何进行非晶硅电池EL测试的优化，并指导在产线上的应用。1 电致发光原理电致发光(Electroluminescent)，简称EL。在太阳电池中，少子的扩散长度远远大于势垒宽度，
太阳能 2014年6期2014-10-22
- 中低阶高分辨率智能手机将于2018年达到所有智能手机的78%
代线a-Si（非晶硅）产能生产中低阶智能手机显示屏，由于未来低阶4G LTE智能手机对于显示屏的分辨率要求以HD（1280x720）为主，也就表示以五代线生产能够取得面板规模生产的经济效益，也有利于成本下降。同时面板厂也会更快速的增加On-Cell与In-Cell的开发进度，虽然近年来面板厂也积极投入外挂式触控面板的生产，但是仍不敌专业触控面板厂大规模生产所带来的降价，因此On-Cell与In-Cell的开发会帮助面板厂具有更多的竞争优势，包括价格与产品整
消费电子 2014年9期2014-09-23
- 铁路客站光伏并网发电项目太阳能电池选型比对
所示。1.2 非晶硅薄膜太阳电池非晶硅薄膜太阳电池的生产成本较低，便于大规模生产，所以受到了人们的普遍重视，从而得到迅速的发展。非晶硅太阳能材料虽然是一种很好的电池材料，但它的光学带隙为1.7 eV，转化效率一般较低，在5%～9%左右。随着技术的不断改进，原先非晶硅电池存在的光致衰降的S—W效应(即太阳电池的光电转换效率会随着光照时间的延续而衰减)问题得到了明显的改善，光致衰降的比率从最初的20%～30%下降到10%～15%左右。非晶硅薄膜太阳电池具有较低
山西建筑 2014年2期2014-08-21
- 铝分层诱导晶化非晶硅的研究
晶硅薄膜具有比非晶硅薄膜更高的载流子迁移率和更优良的光电性能,因而被广泛应用于薄膜晶体管、有源矩阵液晶显示器和薄膜太阳能电池等领域[1-2]．铝诱导晶体(AIC)可以在玻璃等廉价衬底上低温制备大晶粒、高结晶质量的多晶硅薄膜,以此为基础制作太阳能电池等器件,既具有晶硅器件效率高、性能稳定等优点,又能大大降低生产成本,因而引起广泛的研究．Oliver等[3]在玻璃衬底上用AIC制备多晶硅膜并进行研究,提出了AIC制备多晶硅薄膜的机理模型:低于硅铝共熔温度的退火
厦门大学学报（自然科学版） 2014年5期2014-08-07
- 金属光栅用于增强非晶硅薄膜太阳能电池光吸收率研究
题。而其中提高非晶硅对太阳光的吸收效率与缩减光电池设备的成本成为了人们研究的热点。提高非晶硅光电转换效率的主要机理是通过延长光子在非晶硅中的传播路径，以此增加光吸收效率。研究发现，介电光栅、光子晶体［1－6］等微米或纳米尺寸的介电结构可以用于提高非晶硅的光电转换效率。此外，适当地增加非晶硅的电磁场，可以有效地提高非晶硅的光吸收效率［7－11］。电介质结构由于其共振宽度非常狭窄，不能有效地增加非晶硅的电磁场，因此对非晶硅的光吸收效率作用不明显。而金属纳米结构
应用光学 2014年3期2014-06-01
- 热压通风在铝蜂窝板光伏构件中的应用研究
光立面幕墙，由非晶硅电池夹胶玻璃、隔热材料、铝型材、铝蜂窝板等构成，其中，非晶硅电池是以TCO导电玻璃为基底的p-i-n单结非晶硅薄膜电池。普通铝蜂窝板光伏构件在应用于有保温性能要求的非采光立面幕墙时，非晶硅电池夹胶玻璃在工作时会产生热量，一方面要阻止铝蜂窝板光伏构件产生的热量过多传到室内，导致室内温度过高；另一方面要避免热量囤积于空腔内部，导致非晶硅电池夹胶玻璃表面温度过高，从而降低非晶硅电池夹胶玻璃的发电效率。现对图1中普通铝蜂窝板光伏构件进行改进，以
太阳能 2014年11期2014-01-01
- 两种平板探测器成像系统在泌尿系造影中的对比研究
硒和间接转换型非晶硅两种，从功能上有动态刷新和静态刷新两种探测器，本文就非晶硅和非晶硒两种探测器在泌尿系摄影中的性能进行比较。材料与方法1.病例资料从近期我院行静脉肾盂和逆行造影病例中选取200例分别作不同数字化设备检查，非晶硅DR、非晶硒成像系统各100例，两组均行静脉肾盂造影60例，逆行肾盂造影25例，逆行膀胱造影15例，其中非晶硅DR 组男64例，女36例，中位年龄46岁；非晶硒成像组男61 例，女39 例，中位年龄44 岁，两组病例在性别、年龄上差
放射学实践 2013年5期2013-11-03
- 第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会优秀论文选登（十）PECVD法非晶硅薄膜对太阳能级n型直拉单晶硅片钝化效果的研究
引言异质结氢化非晶硅/晶硅太阳电池的关键技术之一是在氢化非晶硅/晶硅异质结界面内插入一层高质量的本征氢化非晶硅薄膜(i-a-Si:H)，以减少硅片表面复合速率和界面态密度，提高太阳电池的转换效率。掺杂非晶硅薄膜的隙态密度高达1018cm−3，与晶体硅片形成界面的悬挂键和缺陷态密度高，具有较高的复合电流，可增加暗隧穿泄漏电流。本征a-Si:H层的隙态密度仅为1015～1016cm−3，能极大地抑制隧穿电流[1]；相对掺杂非晶硅薄膜，高质量的本征非晶硅薄膜与晶
太阳能 2013年1期2013-09-13
- 应用于低成本非晶硅薄膜太阳能电池组件生产的大批量并行生产工艺
本、高效率生产非晶硅薄膜组件的特定生产工艺，即紧凑集成单室、多片的大规模并行处理工艺，在真空室里利用PECVD实现a-Si的沉积。作为集成生产系统的一部分，这种工艺已经在CGSOLAR的威海非晶硅薄膜电池组件生产线上使用。这套生产设施生产的组件：单节/双节，面积0.79m2，在标准测试条件下稳定转换效率达到7.5%。本文通过生产成本的分析以及表现出的良好生产统计数据和组件性能说明了非晶硅薄膜电池组件集成生产系统的性能。1 生产工艺1.1 工艺选择相比晶体硅
江苏陶瓷 2013年1期2013-08-29
- 非晶硅与晶硅太阳电池发电比较分析
晶硅、多晶硅和非晶硅三种。其中，非晶硅太阳电池的光电转换效率相对较低，但因具有制造成本低、能源消耗回收期短[2]、年发电量高等优点，其应用倍受青睐。用户购买太阳电池时，额定输出功率成为考查电池的指标，但该指标是指在标准测试条件下的额定输出功率，即在标准光强下的测试数据，AM1.0(1000W/m2)。实际上，在户外使用太阳电池时，光照并非都能达到标准条件，随着天气的变化，太阳电池的输出功率也随即变化。只以额定功率判断电池好坏，并不能如实地反映其性能。在室外
太阳能 2013年7期2013-05-12
- 超高浓度钛掺杂硅薄膜的制备及光电特性研究
浓度掺钛的氢化非晶硅薄膜，实现杂质的均匀分布和掺杂层厚度的控制，并初步研究薄膜的光电特性。该研究工作对要求高浓度均匀掺杂的新概念中间带太阳电池、稀磁半导体[5,6]等具有重要意义。二 实验掺钛非晶硅薄膜采用热丝化学气相沉积和直流磁控溅射相结合的技术制备。热丝化学气相沉积的气源方向与直流磁控溅射靶材表面法线位于相互垂直的两个方向。衬底表面法线与热丝气源方向的夹角为8¡，与直流磁控溅射靶材表面法线夹角为82¡，以尽量减少溅射损伤。非晶硅薄膜通过热丝化学气相沉积
太阳能 2013年1期2013-03-10
- 天津市光伏发电小区、公建将陆续并网
最大的建筑屋顶非晶硅并网发电站，也是天津市首家公建实现并网的光伏发电站。站内铺设了总面积36000平方米的近4万块非晶硅光伏组件。在进入商业试运行后，该站发电量为30多万千瓦时。小区：位于西青区张家窝镇的家贤里小区。采用太阳能光伏发电系统在楼顶安装8780余平方米太阳能电池板，年发电量可达159万千瓦时，如果经转换后并入国家电网，相当于每年可节约原煤724吨，减排二氧化碳1300余吨。个人：电力部门正式接受了滨海新区的一名居民申请并实地进行了勘察，业主已经
资源节约与环保 2013年3期2013-01-28
- 拆机电池与非晶硅太阳能电池板的组合应用
，将拆机电池与非晶硅太阳能电池板结合，并使用菲涅尔透镜，制作成高效便携式充电器，满足人们在无市电的情况下，对手机、MP3等常用小电器充电的需求。2 整体方案设计与电池介绍2.1 整体方案简述整体方案设计分为3个模块，即电池管理模块、DC－DC升压模块和太阳能充电管理模块。2.2 18650拆机电池介绍笔记本电脑中常用的18650可充电电池具有以下一些特性。单节标称电压一般为：3.7V；最小放电终止电压一般为：2.75V；最大充电终止电压：4.20V；容量：
绿色科技 2012年9期2012-11-16
- 薄膜光伏组件发电特性实证性研究
太阳电池相比，非晶硅薄膜太阳电池具有生产成本低、制造温度低(200℃以下)、原材料消耗少[1]等优点，同时，由于其材料与电池可以同步完成，因此便于大规模生产[2]。此外，由于非晶硅薄膜电池良好的延展性，应用范围更加广泛，适合于大型荒漠电站以及与建筑结合的光伏发电系统[3]。当然，与晶体硅组件相比，非晶硅薄膜电池组件的稳定转换效率低，为7%～9%[4]，因此，相同容量的晶体硅发电系统和非晶硅薄膜发电系统相比，薄膜发电系统所需要的太阳辐照面积更大，因此需要占用
太阳能 2012年13期2012-05-12
- 大功率太阳能建筑一体化光伏并网电站发电数据分析研究
要采用单晶硅和非晶硅光伏组件。工业园内还安装了部分多晶硅光伏组件，总计约为10kWp，但并未并网发电。本文分析了电站自2010年11月项目建成投产至2011年10月单晶硅及多晶硅光伏组件在一年时间内的发电情况。图1 武汉日新工业园各主要楼宇图二 并网光伏电站系统本系统中太阳电池板均由武汉日新科技股份有限公司生产。单晶硅光伏组件总面积2389.87m2，组件功率总计336.96kWp；非晶硅光伏组件总面积7454.78m2，组件功率总计453.99kWp。单
太阳能 2012年13期2012-05-12
- 硅基薄膜太阳电池(四)
的拉曼峰。对于非晶硅的拉曼谱中，多种振动模式都会被激活。波数从高到低，480cm−1的峰位是对应横光学模(TO)的峰位，其峰位的宽窄以及移动反映非晶硅膜内的无序程度。若谱峰加宽并向低波数位移，则表示无序度在增加。410cm−1的峰位对应纵光学模(LO)，而300～310cm−1的峰位则对应纵声学模(LA)，LO和LA模式描述膜中的缺陷态情况；峰位在150～170cm−1附近的对应横声学模(TA)，它描述薄膜中有序度的情况，其强度越低有序度越高，尤其是与横光
太阳能 2012年9期2012-05-12
- 355 nm YAG皮秒脉冲激光晶化非晶硅薄膜的研究*
晶层的制备，以非晶硅为前驱物的低温晶化技术如选区激光晶化和金属诱导晶化是非常有潜力的低成本晶化技术，同时也是研发和生产多晶硅薄膜电池的最佳选择。金属诱导晶化具有价格低廉、易实现大面积均匀制备多晶硅的优点，但由残余金属和其它原因造成的晶体缺陷较多，所以晶粒尺寸通常小于激光晶化法制备的[5-6]。激光晶化具有独特的优点，主要表现在：激光晶化属于硅熔体的再结晶，所获得的多晶硅薄膜的结晶质量较好[7-8]；晶化时间短，对衬底的热冲击小，可以使用玻璃或塑料等廉价衬底
中山大学学报(自然科学版)(中英文) 2012年3期2012-05-09
- 硅基薄膜太阳电池(五)
阳的强度去光照非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池，进行加速老化的实验(图21b)，结果发现，非晶硅电池的转换效率随光照时间的增长而明显下降，强光照100h后，效率下降近一半。而微晶硅电池的稳定性则较好，这应该与微晶硅的结构有序及其内H含量较少有关。② H与S-W效应的关系光照产生新悬挂键的机制，已有好几种模型被提出予以解释，但至今尚没有一个统一的模型能够涵盖所发表过的实验现象。关于新生悬挂键的形成，一个最易于理解的模型，即是Si-Si弱键断裂模型[24]。弱键断裂
太阳能 2012年11期2012-03-10
- 我国非晶硅平板探测器全产业链建成投产
我国首首条非晶硅平板探测器全产业链已由坐落于的张江医疗器械园的上海奕瑞光电子科技有限公司建成并正式投产。2012年9月12日举行了闪烁体项目投产剪彩仪式和新产品发布会。科技部社发司医药处处长张兆丰，中国医疗器械行业协会副理事长、中国医疗器械产业创新战略联盟理事长姜峰，上海张江（集团）有限公司副总经理叶千军，中华医学会上海影像技术学会顾问曹厚德教授，上海市科学技术委员会副主任徐祖信等领导分别致辞。对奕瑞公司跟踪国际新技术，大胆创新，勇攀高峰，建成数字影像的关
中国医疗器械杂志 2012年5期2012-01-26
- 非晶硅太阳电池边绝缘设备研究
自从1976年非晶硅太阳电池诞生以来,到现在已经有30多年的历史，非晶硅太阳电池是薄膜类太阳电池中最成熟，并已大规模生产的电池品种，单条生产能力从1MW提高到25MW～30MW，低成本的非晶硅在市场上占据着一定的优势。随着太阳电池的质量不断提高，人们对电池的要求越来越规范，非晶硅电池的工艺技术和封装技术不断在进步。二、非晶硅电池的边绝缘工艺技术一般传统方式是采用喷砂或者砂轮磨的方式来实现，将电池周边活性薄膜清除的目的，使电池薄膜与玻璃边缘之间有约10mm～
资源节约与环保 2011年5期2011-08-22
- 薄膜太阳能电池在荒漠电站的应用前景分析
可获取性较低，非晶硅薄膜电池原材料易得、光电转换效率相对较低，但弱光响应相对较好，生产成本和生产能耗均远低于晶硅电池，最近一两年发展势头强劲。太阳能电池分类见表1。表1 太阳能电池分类2 非晶硅/微晶硅薄膜电池非晶硅薄膜太阳能电池是一种以非晶硅化合物为基本组成的薄膜太阳能电池，光电转换效率较低而且随光照时间的延续衰减较快；随着科技发展和技术进步，叠层太阳能电池技术解决了非晶硅薄膜电池的光电转换效率低和光致衰退效应快的问题。非晶硅/微晶硅双结叠层太阳能电池就
电力勘测设计 2011年4期2011-05-31
- 薄膜太阳能电池的研究现状 与 分析
阳能电池1%的非晶硅薄膜太阳能电池，从而非晶硅成为突破原料瓶颈的出路，太阳能电池薄膜化是降低成本的主要发展方向。1 薄膜太阳能电池在国外的发展1969年Chitick等人阐述了硅烷辉光放电方法制备的a-Si:H薄膜的半导体性质。随后，Spear和LeComber于1975年报道了a-Si:H薄膜的掺杂特性，获得了n型和p型的薄膜材料，1976年美国RCA公司的Carlson和Wronski宣告了a-Si:H薄膜太阳电池的诞生。此后，薄膜太阳能电池成为太阳能
资源节约与环保 2011年4期2011-02-16
- 非晶硅薄膜太阳能电池稳定性技术研究
晶硅、多晶硅、非晶硅薄膜以及化合物太阳能电池均已被研制开发，众多研究机构的高转换效率太阳能电池的相关报道经常出现.在各种太阳能电池中，综合考虑转换效率成本、长期经济效益以及技术因素等，非晶硅薄膜太阳能电池优势凸显，其材料丰富、电池成本低、有利于大规模生产，目前已有众多非晶硅薄膜太阳能电池生产线在我国投入使用[2]，如无锡尚德、江西赛维、新奥，以及近期在北京、洛阳、重庆和杭州等地投入的大型非晶薄膜太阳能电池生产线.目前，国内硅薄膜电池的研究工作虽然并不落后，
湖北民族大学学报(自然科学版) 2011年3期2011-01-18
- 非晶硅薄膜电池在MWP级光伏电站的应用
010020)非晶硅薄膜电池在MWP级光伏电站的应用张燕娜(内蒙古电力勘测设计院,呼和浩特 010020)结合中节能阿拉善盟孪井滩 10MW p光伏并网发电项目工程,光伏组件分别采用多晶硅与非晶硅薄膜电池各5MW p,通过设计计算,对比多晶硅,综合考虑组件价格,阵列占地面积,年发电量等经济指标得出,非晶硅薄膜电池在MW P级光伏电站的应用发展前景可观。非晶硅;薄膜电池 ;光伏电池;发电量1975年 Spear和Lecom ber用辉光放电法制备出性能优良的
重庆与世界 2010年11期2010-12-25
- 冉冉升起的薄膜太阳能光伏产业
召开了沈阳汉锋非晶硅薄膜太阳能光伏板产业化示范项目推介会。国务院研究室、科技部、环保部、国家发改委等部门的有关司局，国家能源专家咨询委员会、国家发改委宏观院、能源研究所、辽宁省发改委、北京市发改委、全国人大法工委经济室、中国资源综合利用协会、资源节约与代用专委会、北京百瑞律师事务所等有关单位专家领导和企业代表参加了会议。会议听取了沈阳汉锋新能源技术有限公司董事长李杰、总工程师赖勇建关于非晶硅薄膜太阳能光伏板专有工艺技术、成套设备引进、消化、吸收、创新、国产
中国经贸导刊 2009年8期2009-06-16
- 硅薄膜晶体管液晶显示器的发展
T)中的一种，非晶硅用于制作薄膜晶体管液晶显示器技术的成熟，使非晶体薄膜晶体管液晶显示器在薄膜晶体管液晶显示器的市场中占据了主导地位，而非晶硅薄膜晶体管由于其低迁移率、电导率等性能，严重制约了薄膜晶体管液晶显示器的发展，寻找合适的替代品，追求高迁移率和高电导率一直是研究人员关注的焦点，在此基础上，多晶硅、微晶硅相继发展，虽然在一定程度上暂时解决了迁移率、电导率低的问题，但因多晶硅、微晶硅的价格昂贵、材料短缺，因而未能动摇非晶硅的主导地位，随后的纳米硅薄膜晶
物理 2009年3期2009-05-21