黄文源
和传统的硅功率半导体相比,GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)有着更高的电压能力、更快的开关速度、更高的工作温度、更低导通电阻、功率耗散小、能效高等共同的优异的性能,是近几年来新兴的半导体材料。但他们也存在着各自不同的特性,简单来说,GaN
的开关速度比SiC快,SiC工作电压比GaN更高。GaN的寄生参数极小,开关速度极高,比较适合高频应用,例如:电动汽车的DC-DC(直流-直流)转换电路、OBC (车载充电)、低功率开关电源以及蜂窝基站功率放大器、雷达、卫星发射器和通用射频放大器等;SiC MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)的高压高电流的能力以及易驱动特性,使其适合于大功率且高效的各類应用,例如:列车逆变器系统,工业电源、太阳能逆变器和UPS(不间断电源)高性能开关电源等等,可以大大提升效率,功率密度等性能。
东芝作为SiC和GaN产品早期研究开发者者之一,拥有自己独特的SiC和GaN产品技术。今年初,东芝推出了两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块——MG600Q2YMS3和MG400V2YMS3。这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅IGBT模块,低损耗特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求,适合于轨道车辆的逆变器和转换器、可再生能源发电系统、电机控制设备、高频DC-DC转换器等应用场景。在GaN方面,今年1月31日东芝发布了首个集成于半桥(HB)模块的分流式MOS电流传感器。当其用于氮化镓(GaN)功率器件等器件时,该传感器可使电力电子系统具有很高的电流监测精度,但功率损耗不会增加,并有助于减小此类系统和电子设备的尺寸。
全球推行碳中和,需要更高效的电子设备,尤其是小型的系统。然而,由于半桥模块和电流传感器必须安装在电感器的两侧,因此将他们集成在一块芯片上很困难。电流检测降低功耗(减少热量)的同时,也会降低的精度,因为这取决于分流电阻。虽然现今的技术可实现高精度电流传感器,但却无法降低损耗。东芝的新技术采用级联共源共栅,将低压MOSFET与GaN场效应晶体管相连用于电流传感,因此无需使用分流电阻,避免其产生功耗。此外,电路优化和尖端校准技术可保证10 MHz以上的带宽,可提高产品性能及测量精度。集成到半桥模块的这款新型IC不仅提高了开关频率,还缩小了电容器和电感器的尺寸有助于电子设备的小型化。
另外,就GaN器件技术而言,东芝的新型GaN共源共栅器件与传统的共源共栅器件有较大的不同,由于共源共棚型依靠硅MOSFET来驱动GaN HEMT,因此通常很难通过外部栅极电阻控制其开关速度。然而,东芝通过推出具有直接栅极驱动的器件解决了这一问题,驱动IC可直接驱动GaN HEMT,可像硅功率器件一样,改变其开关速度,进而有助于简化功率电子系统的总体设计。这种新型共源共栅器件的另一个优点是,由于GaN HEMT栅极是独立控制的,因此新器件不会因外部电压波动引起的硅MOSFET电压变化而导致误导通,从而有助于系统稳定运行。所以该新器件具有电源应用所需的可靠性,该产品实现了稳定的运行并简化了系统设计,能够有效降低因误导通而造成开关期间产生额外能量损失的风险,并可像硅一样,轻松调节开关速度,这是电力电子系统设计中需考虑的重要因素。