孙易桀 马 妍 王周福 刘 浩 何 健 吕戌生 王玺堂
1)武汉科技大学 省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室 湖北武汉 430081
2)江苏晶鑫新材料股份有限公司 江苏宜兴 225000
氮化硅(Si3N4)是一种重要的耐火原料。但目前市售氮化硅价格较高,一定程度上限制了其在耐火材料中的应用。而采用廉价原料通过自蔓延燃烧法合成的耐火级Si3N4虽然物相纯度相对较低,但其制备工艺简单,成本较低,是一种有潜力的耐火原料,可应用于铁沟浇注料、炮泥、功能涂料等[1-2]。
Si3N4是一种非氧化物。制备含Si3N4的耐火浇注料时,要求关注浆料的稳定性和流变特性。高技术陶瓷领域的研究表明,不同工艺生产的Si3N4粉的表面基团有很大区别[3-5],对浆料的流变特性产生影响[6-10]。
本工作中,以自蔓延燃烧合成法合成的耐火级Si3N4粉为研究对象,研究了氧化处理温度、分散剂种类对Si3N4浆料分散稳定性和黏度的影响。
试验用Si3N4粉是采用燃烧法合成的耐火级Si3N4粉。其化学组成(w)为:Si3N494.62%,SiO25.13%,单质Si 0.01%,Fe2O30.05%,灼减0.19%;其d50=6.794μm,d90=23.783μm,比表面积为1.693 m2·g-1。试验用分散剂有聚丙烯酸钠(SPA)、六偏磷酸钠(SHP)、三聚磷酸钠(STPP)、木质素磺酸钙(CAS),均为分析纯化学试剂。
取部分燃烧法合成的Si3N4原粉,在马弗炉中在空气气氛下以5℃·min-1的速率分别升温至400、600、800℃并保温3 h氧化处理。
取Si3N4原粉和分别经400、600、800℃氧化后Si3N4粉,在40 mL试管中用去离子水配制成Si3N4粉含量为2.44%(w)的稀浆料。与氧化温度相对应,分别标记为J1-0(原粉浆料)、J1-400、J1-600、J1-800。
取Si3N4原粉,在40 mL的试管中用去离子水配制成Si3N4粉含量为2.44%(w),分别含0.24%(w)的SPA、SHP、STPP、CAS的稀浆料。与添加的分散剂种类相对应,分别标记为J1-SPA、J1-SHP、J1-STPP、J1-CAS。
配制好的浆料充分摇匀后,静置24 h,每隔6 h测量一次澄清液的高度,计算其相对沉降高度(浑浊液液面高度与总液面高度之比),绘制相对沉降高度-时间曲线。
取Si3N4原粉和分别经400、600、800℃氧化后的Si3N4粉,用去离子水配制成Si3N4粉含量为7%(w)的浆料。与氧化温度相对应,分别标记为J2-0(原粉浆料)、J2-400、J2-600、J2-800。
取Si3N4原粉,用去离子水配制成Si3N4粉含量为7%(w),分别含0.021%(w)的SPA、SHP、STPP、CAS的浆料。与添加的分散剂种类相对应,分别标记为J2-SPA、J2-SHP、J2-STPP、J2-CAS。
用ZetaProbe型Zeta电位分析仪检测浆料ζ电位随pH(用0.5 mol·L-1的HCl和0.5 mol·L-1的NaOH调节)的变化,用MCR 92型旋转流变仪检测浆料黏度随切变速率的变化。
在确定最佳分散剂种类后,取Si3N4原粉,用去离子水配制成Si3N4粉含量为7%(w),分散剂添加量(w)分别为0、0.007%、0.014%、0.021%、0.028%、0.035%的浆料,并分别标记为J2-0、J2-07、J2-14、J2-21、J2-28、J2-35,按上述方法检测其ζ电位随pH的变化以及黏度随切变速率的变化。
Si3N4原粉及经不同温度氧化后Si3N4粉的XRD图谱见图1,其半定量分析结果见表1。可以看出:分别经400和600℃氧化后Si3N4粉的物相组成与Si3N4原粉的很相似;经800℃氧化后,其Si3N4含量减少,Si2N2O含量增加。
图1 Si3 N4原粉及经不同温度氧化后Si3 N4粉的XRD图谱Fig.1 XRD patterns of Si3 N4 raw powder and Si3N4 powder after oxidation treatment at different temperatures
表1 Si3N4原粉及经不同温度氧化后Si3N4粉的XRD半定量分析结果Table 1 XRD semi-quantitative analysis results of Si3N4 raw powder and Si3N4 powder after oxidation treatment at different temperatures
用Si3N4原粉和经不同温度氧化后Si3N4粉制备的Si3N4粉含量为2.44%(w)的稀浆料J1-0、J1-400、J1-600、J1-800静置24 h过程中的相对沉降高度-时间曲线如图2所示。可以看出:浆料的抗沉降性随Si3N4粉氧化温度的升高而增大。这可能是因为,氧化处理后Si3N4颗粒表面生成了一部分SiO2,SiO2表面水合后再电离生成HSiO-3,使Si3N4颗粒带负电荷,一定程度上抑制了颗粒的团聚聚沉,提高了浆料的稳定性。
图2 用Si3 N4原粉和经不同温度氧化后Si3N4粉制备的浆料的相对沉降高度-时间曲线Fig.2 Relative sedimentation height(RSH)-time curves of slurries prepared with Si3N4 raw powder and Si3N4 powder after oxidation treatment at different temperatures
用Si3N4原粉和经不同温度氧化后Si3N4粉制备的Si3N4粉含量为7%(w)的浆料J2-0、J2-400、J2-600、J2-800的ζ电位-pH曲线见图3。
图3 用Si3 N4原粉和经不同温度氧化后Si3 N4粉制备的浆料的ζ电位-pH曲线Fig.3 Zeta potential-p H curves of slurries prepared with Si3 N4 raw powder and Si3 N4 powder after oxidation treatment at different temperatures
由图3可以看出:随着体系pH的增大,浆料ζ电位绝对值均呈先增大后减小的变化趋势,并且均在pH=11附近达到最大;pH相同时,浆料J2-0的ζ电位绝对值最小,J2-800的ζ电位绝对值最大或次大。文献[11]指出,Si3N4粉在水中的胶体特性强烈依赖于其颗粒表面的氧含量。而加热氧化是提高Si3N4粉表面氧含量最行之有效的办法[12-13]。结合沉降试验可知,ζ电位绝对值大是导致浆料J1-800稳定性(抗沉降性)好的主要原因。
浆料J2-0、J2-400、J2-600、J2-800的黏度-切变速率曲线见图4。可以看出:随着切变速率的增大,浆料的黏度均呈先减小后增大的变化趋势,并且基本上在10~100 s-1段达到最小;切变速率相同时,浆料黏度从大到小的顺序基本上为J2-0、J2-400、J2-600、J2-800,表明浆料黏度随Si3N4粉氧化温度的升高而减小。
图4 用Si3 N4原粉和经不同温度氧化处理后Si3 N4粉制备的浆料的黏度-切变速率曲线Fig.4 Viscosity-shear rate curves of slurries prepared with Si3 N4 raw powder and Si3N4 powder after oxidationtreatment at different temperatures
综上所述,采用800℃氧化处理后的Si3N4粉制备的浆料抗沉降性最好,ζ电位绝对值较大,黏度最小。因此,Si3N4粉的最佳氧化温度为800℃。
用Si3N4原粉和用Si3N4原粉分别添加0.24%(w)SPA、SHP、STPP、CAS制备的Si3N4粉含量为2.44%(w)的稀浆料J1-0、J1-SPA、J1-SHP、J1-STPP、J1-CAS静置24 h过程中的相对沉降高度-时间曲线见图5。可以看出:稀浆料J1-SPA的抗沉降性最好,J1-SHP的次之,J1-STPP的最差。
图5 用Si3 N4原粉和用Si3 N4原粉添加不同分散剂制备的浆料的相对沉降高度-时间曲线Fig.5 RSH-time curves of slurries prepared with Si3 N4 raw powder and Si3 N4 powder added with different dispersants
用Si3N4原粉和用Si3N4原粉分别添加0.021%(w)SPA、SHP、STPP、CAS制备的Si3N4粉含量为7%(w)的浆料J2-0、J2-SPA、J2-SHP、J2-STPP、J2-CAS的ζ电位-pH曲线见图6。可以看出:随着体系pH的增大,浆料的ζ电位绝对值均呈先增大后减小的变化趋势,并且均在pH为11附近达到最大值。pH相同时,浆料J2-SHP的ζ电位绝对值与J2-STPP的相近并且较大,其他浆料ζ电位绝对值从大到小的顺序为J2-SPA、J2-0、J2-CAS。
图6 用Si3 N4原粉和用Si3 N4原粉添加不同种类分散剂制备的浆料的ζ电位-pH曲线Fig.6 Zeta potential-p H curves of slurries prepared with Si3 N4 raw powder and Si3 N4 powder added with different dispersants
浆料J2-SPA的ζ电位绝对值虽然比浆料J2-SHP的小,但是聚丙烯酸钠(SPA)的空间位阻效应大于六偏磷酸钠(SHP)的,总的效果大于六偏磷酸钠(SHP)的,因此浆料J-SPA的稳定性大于浆料JSHP的。
浆料J2-0、J2-SPA、J2-SHP、J2-STPP、J2-CAS的黏度-切变速率曲线见图7。
图7 用Si3 N4原粉和用Si3 N4原粉添加不同分散剂制得浆料的黏度-切变速率曲线Fig.7 Viscosity-shear rate curves of slurries prepared with Si3 N4 raw powder and Si3N4 powder added with different dispersants
由图7可以看出:随着切变速率的增大,浆料的黏度均呈先减小后增大的变化趋势,并且基本上在10~100 s-1段达到最小;切变速率相同时,浆料J2-0的黏度最大,浆料J2-SHP的基本上最小。
综上所述,添加六偏磷酸钠制备的Si3N4浆料的抗沉降性较大,ζ电位绝对值最大,黏度最小,添加六偏磷酸钠的综合效果最佳。为此,在分散剂添加量试验中选用六偏磷酸钠。
添加不同量六偏磷酸钠制备的Si3N4粉含量为7%(w)的浆料J2-0、J2-07、J2-14、J2-21、J2-28、J2-35的ζ电位-pH曲线见图8。可以看出:随着体系pH的增大,浆料的ζ电位绝对值呈先增大后减小的变化趋势,并且基本上在pH=11附近达到最大。在pH=11附近,随着六偏磷酸钠添加量(w)从0增加到0.021%,浆料的ζ电位绝对值逐渐增大;但随着六偏磷酸钠添加量(w)从0.021%继续增加到0.035%,浆料的ζ电位绝对值又呈减小趋势。
图8 添加不同量六偏磷酸钠的浆料的ζ电位-pH曲线Fig.8 Zeta potential-pH curves of slurries with different SHP additions
浆料J2-0、J2-07、J2-14、J2-21、J2-28、J2-35的黏度-切变速率曲线见图9。
图9 添加不同量六偏磷酸钠的浆料的黏度-切变速率曲线Fig.9 Viscosity-shear rate curves of slurries with different SHP additions
由图9可以看出:随着切变速率的增大,浆料的黏度均呈先减小后增大的变化趋势,并且基本上在10~100 s-1段达到最小;切变速率相同时,浆料黏度从大到小的顺序为J2-0、J2-07、J2-14、J2-35、J2-28、J2-21。
综上所述,添加0.021%(w)六偏磷酸钠制备的Si3N4粉含量为7%(w)的浆料的ζ电位绝对值最大,黏度较小,因此六偏磷酸钠最佳添加量为0.021%(w)。
(1)在空气气氛下于800℃保温3 h氧化处理后,Si3N4粉中Si2N2O的含量增多;用其制得的浆料的稳定性最好,ζ电位绝对值较大,黏度最小。
(2)以六偏磷酸钠作为分散剂制备的Si3N4浆料的稳定性较好,ζ电位绝对值最大,黏度最小。
(3)添加0.021%(w)六偏磷酸钠制备的Si3N4浆料的ζ电位绝对值最大,黏度较小。