半导体激光应用于瘘道型根管再治疗的临床研究

郑媛，吴洁，林冬梅

(韶关市口腔医院牙体牙髓科，广东 韶关 512026)

根管治疗是牙髓病、根尖周病患者常用的治疗方法，随着临床口腔材料、新技术的研发与应用，该治疗方法成功率明显提高[1]。但是，部分患者治疗失败后发生瘘道型根尖周炎，影响患者预后[2]。激光被生物组织吸收后瞬间产生高强度光化学、光热作用，能引起组织瞬间汽化、熔融及凝固，达到快速、有效杀灭深层细菌的目的。因此，本文以前牙需要根管再治疗的瘘道型根尖周炎患者为研究对象，探讨半导体激光在瘘道型根管再治疗中的临床效果，报道如下。

1 资料与方法

1.1 临床资料

选择2021年1月至2021年8月本院收治的前牙需要根管再治疗的瘘道型根尖周炎患者124例，随机分为观察组和对照组各62例。对照组男35例，女27例，年龄24～62岁，平均(46.39±5.81)岁；病程1～7月，平均(3.49±4.51)月；观察组男33例，女29例，年龄23～64岁，平均(46.53±5.88)岁；病程1～8月，平均(3.52±4.58)月。两组一般资料比较差异无统计学意义(P>0.05)，具有可比性。

1.2 入选标准

纳入标准：(1)均为单根管前牙患者；(2)根管治疗后出现瘘道或伴有自发痛、叩痛；(3)具有完整的临床资料及随访资料；(4)X线牙片显示恰充，根尖周区具有透光影，但是直径<5mm。排除标准：(1)精神异常、牙周炎、牙根吸收或由于牙根折断引起的根管治疗失败；(2)欠充、超充等原因引起的治疗失败。

1.3 方法

治疗前向患者及家属讲解根管治疗流程、治疗期间注意事项等，提高患者治疗配合度。所有患者经筛查后均由医院统一研究人员操作。常规上橡皮障，显微镜辅助下去除原填充物，借助protaper镍钛再治疗锉将根管内填充物取出，超声荡洗根管，并根据患者情况完成工作长度测量。采用M3 pro镍钛锉完成根管预备，并根据患牙根尖孔直径大小常规预备P1或P2，利用浓度为1%次氯酸钠溶液超声荡洗根管。上述操作完毕后，采用浓度为0.9%生理盐水完成根管冲洗，并采用纸捻干燥。

观察组：采用半导体激光处理后行常规热牙胶充填。采用DenLase-980/7半导体激光对患者进行治疗，设定为根管灭菌模式，光纤缓慢地、螺旋式从根尖贴壁上升到根管口，尽可能将激光光纤置入根尖端较深的部位，保证四周照射均匀，每次10s，每次根管消毒20s。完成操作后选择龈切除术模式，光纤从瘘管底部逐步向外消毒，常规完成热牙胶充填。对照组：采用氢氧化钙糊剂进行消毒封药，不使用激光处理。叮嘱患者1周后复诊，对于无急性炎症患者常规热牙胶充填，否则换药，直到无急性炎症后常规热牙胶充填，两周、1个月，3 个月、6个月后复查。

1.4 观察指标

(1)瘘道愈合时间、根尖阴影变化值。两组治疗后两周、1个月、3 个月、6个月叮嘱患者复查，记录患者瘘道愈合时间、根尖阴影变化值。(2)成功率。评估两组治疗后两周、1个月、3 个月、6个月成功率。成功：瘘道愈合，术后未见症状，X线显示根充严密恰当、尖周透射影消失或患者未见症状，但是X线片可见根尖周透射影缩小；失败：瘘道未愈合，且患者咬合不适，X线下根尖周透射区变化不明显或存在明显症状，不能正常咀嚼，X线片可见根尖周头摄影变大[3]。

1.5 统计学方法

2 结果

2.1 瘘道愈合时间、根尖阴影变化值

两组治疗后3个月、6个月瘘道愈合时间、根尖阴影变化值差异无统计学意义(P>0.05)；观察组治疗后两周、1个月患者瘘道愈合时间、根尖阴影变化值均短(少)于对照组(P<0.05)；不同时间点比较差异有统计学意义(P<0.05)。见表1。

表1 两组瘘道愈合时间、根尖阴影变化值比较

2.2 成功率

两组治疗后3个月及6个月治疗成功率差异无统计意义(P>0.05)；观察组治疗后两周、1个月患者治疗成功率均高于对照组(P<0.05)。见表2。

表2 两组成功率比较[n(%)]

3 讨论

研究表明[4]，粪肠球菌是影响根管治疗患者预后的主要病原菌，该菌是一种革兰氏阳性兼厌氧菌，能侵入牙本质小管，且耐受机械预备与化学预备的清理，对于氢氧化钙亦具有较强的耐受力。因此，根管消毒对提高根管治疗成功率具有重要的作用[5]。由于根管解剖结构的复杂性及根管感染的特殊性，常用的根管预备器械及技术难以达到预期的治疗效果，增加根管内感染率，造成窦道口经久不愈，亦成为治疗失败的主要原因。近年来，半导体激光作为一种新的根管消毒方法广泛用于根管的灭菌中，且效果理想。与传统根管冲洗剂相比，半导体激光能更好地渗入牙体组织，杀灭根管系统中传统方法难以达到的部位的细菌[6]。同时，半导体激光能更深入到牙本质小管中，有助于减少根管内细菌的数量，在电镜下可见大量的牙本质小管熔融封闭，引起玷污层消失。半导体激光能发挥良好的生物刺激作用，其生物学效应有助于减少炎性渗出，降低血管壁的通透性，从而减少患者术后水肿、充血，使得瘘管内肉芽组织发生气化，达到抗感染的目的，发挥消炎、改善组织血液循环作用，从而促进瘘管内炎性肉芽组织愈合[7]。本文观察组治疗后两周、1个月患者瘘道愈合时间、根尖阴影变化值均短(少)于对照组，治疗成功率高于对照组(P<0.05)，说明半导体激光用于瘘道型根管再治疗中能缩短患者瘘道愈合时间，缩小根尖阴影范围，可获得较高的成功率。

综上所述，半导体激光用于瘘道型根管再治疗中能缩短操作及瘘道愈合时间，成功率较高，半导体激光根管消毒比氢氧化钙根管消毒更具有临床意义，值得推广应用。