刘 锐,赵建国,潘启亮,2,邢宝岩,2
(1.山西大同大学炭材料研究所,山西 大同 037009;2.太原理工大学材料科学与工程学院,山西 太原 030024)
光催化提供了一条非常重要的从太阳能到化学能的转换途径[1]。具有纳米结构的催化剂,其光催化性能取决于组成和结构[2]。在过去的几十年里,一系列传统金属氧化物,如TiO2、ZnO 和SnO2,已经成为光催化降解有机污染物的重要催化剂。其中,SnO2是一种宽带隙半导体(Eg=3.6 eV),具有优异的光电性能、气敏性能和优越的化学稳定性,使其成为一种有前景的光催化材料。相比于TiO2和ZnO,SnO2具有优越的化学稳定性,耐酸碱腐蚀,无毒性,使其成为光催化材料研究的热点。然而SnO2的一些缺点严重限制了其在光催化领域的应用,例如,载流子-空穴对的快速复合,低的光转化效率,低的可见光响应。一些报道表明,N、F等元素的掺杂能有效提高氧化物半导体材料在可见光区域的吸收[3-4]。罗菲菲[5]等人以钛酸四丁酯为前驱体,氢氟酸为氟源,采用水热反应法制备了具有氟掺杂二氧化钛。将其用作光催化剂,在可见光照射下催化降解甲基橙(MO),其光催化性能优于多孔TiO2和商用P25催化剂,150 min可以将10 mg/L的 MO 完全降解。将 SnO2与 TiO2、ZnO、Fe2O3复合,也可以提高其光催化性能。Zhang[6]等人利用静电纺丝法制备得到了SnO2/ZnO纳米纤维,纳米纤维长度约为250 ~300 nm。将其用于降解10 mg/L的罗丹明6G 水溶液,只需30 min 即可完全降解。SnO2/ZnO 纳米纤维的光催化性能优于单一的SnO2或者ZnO纳米纤维。
石墨烯作为一种二维纳米材料,在物理、化学和材料领域有着巨大的应用潜力。由于其比表面积大,导电性好,吸附性好,化学性质及热稳定性高,石墨烯作为催化剂的载体一直备受关注[7-8]。石墨烯能接受和传导半导体材料产生的电子,从而增强半导体材料的光催化性能。An XQ[9]等人利用氧化石墨烯和Na2WO4·2H2O为前驱体,水热合成法制备了WO3纳米棒/石墨烯复合材料,将其用于降解25 mg/L的R6G水溶液,在可见光的照射下,180 min即可完全降解。
为了克服SnO2作为光催化剂时,存在的载流子-空穴对的快速复合、低的光转化效率、低的可见光响应等缺点,我们利用水热合成法,将F 掺杂SnO2纳米颗粒负载在石墨烯表面。方法简单、低成本的合成得到SnO2/石墨烯复合材料。将所制备的复合材料用于在可见光照射下催化降解R6G 水溶液,研究其光催化性能。
氧化石墨烯的合成:实验中使用的氧化石墨烯来自于炭材料研究所自制,利用改进的Hummers法将石墨反应为氧化石墨,然后利用超声将氧化石墨剥离、分散得到氧化石墨烯。
F 掺杂SnO2/ 石墨烯复合材料的合成:取3.71 mg/ mL 氧化石墨烯(GO)10 mL、SnCl2100 mg、NH4F 20 mg、乙二胺(EDA)100 μL,将以上物质加入50 mL 聚四氟乙烯反应釜中,搅拌使其充分混合均匀,放入烘箱中,加热至180 ℃,反应24 h。所得样品通过去离子水反复清洗,再用离心机在5 000 r/min 的转速下,离心2 min,沉淀物在60 ℃干燥12 h。
SnO2/石墨烯复合材料的合成:和上述的F 掺杂SnO2/石墨烯复合材料的合成方法相同,只需要不添加F源NH4F。
将100 mg 制备得到的SnO2/石墨烯复合材料,加入到装有50 mL 罗丹明6G(R6G,10 mg/L)的试管中,在磁力搅拌下使其分散均匀。将试管在500 W 氙灯(λ>400 nm)下照射。随不同的反应时间取样(间隔20 min),将样品在10 000 r/min转速下离心2 min,去除溶液中的纳米粒子,取出上层清液用721 分光光度计进行测试。溶液的吸收峰值为526 nm,对应于R6G染色剂的吸收峰。
采用SEM 对产物进行观察,考察样品的形貌。图1给出了制备得到的F 掺杂SnO2/石墨烯复合材料的 SEM 图。图1a、b、c和d分别表示不同倍率下所得样品的SEM图。从图中可以观察到,SnO2纳米颗粒均匀的分散在石墨烯二维结构的表面,SnO2的纳米颗粒的尺寸约为20 nm。
图1 F掺杂SnO2/石墨烯复合材料的SEM图
图2为EDX 图,表明制备得到的F 掺杂SnO2/石墨烯复合材料含有C、F、Sn、O元素,其中C、F、Sn、O 的含量分别为 22.20%、18.37%、15.20%、44.23%。Sn与O 元素的原子比接近1∶2,可以说明所得到的产物为SnO2。
图2 F掺杂的SnO2/石墨烯复合材料EDX图
图3给出了含F 掺杂SnO2/石墨烯复合材料的XRD 图。从图中可以看到,样品衍射峰非常明显,表明SnO2的结晶度较高,晶粒尺寸较大。图中衍射峰的位置和强度都与JCPDS-NO.41-1445卡片基准峰一致,所有衍射峰对应金红石结构SnO2的(110)、(101)、(200)晶面。图中没有任何杂质峰出现,证明所得SnO2样品有很高的纯度和结晶度。
图3 F掺杂SnO2/石墨烯复合材料的XRD图
图4给出了不同催化剂在可见光照射下催化降解R6G时,一定时间后R6G的浓度与起始浓度的比值(C/C0)随反应时间的变化关系。在相同条件下,降解相同浓度的R6G,F 掺杂SnO2/ 石墨烯复合材料降解速度最快,需要60 min将其完全降解,而不含F 的SnO2/石墨烯复合材料在60 min 时降解率为37%。含F 的SnO2/石墨烯复合材料的光催化性能优于不含F 的SnO2/石墨烯复合材料,是由于F-的参杂SnO2时取代了部分O2-,使得SnO2具有较高的导电性,导电率可以高达103S/cm,而较高的导电率有利于电子的快速传导,加速载流子-空穴对的分离。复合材料中石墨烯的加入,由于其优异的导电性能,能进一步传导半导体产生的电子,从而提升SnO2的光催化性能。
图4 不同催化剂在可见光照射下对R6G的降解曲线
通过水热合成法,以SnCl2、氧化石墨烯为前驱体,NH4F 为F 源,在180 ℃,加热24 h 的条件下合成得到了F掺杂SnO2/石墨烯复合材料。将所制备的复合材料在可见光照射下,光催化降解10 mg/L的R6G 溶液,只需60 min 可将其完全降解。F 掺杂SnO2/石墨烯复合材料中,由于F 的掺杂和石墨烯的复合,二者的协同作用使得催化剂在可见光照射下具有较高的催化效率。