正泰PDM 1KW-Ⅲ型中波发射机非常见故障及处理

2017-09-21 08:32姜若琦
数字传媒研究 2017年6期
关键词:广电局可控硅发射机

姜若琦

内蒙古新闻出版广电局赤峰广播发射中心台762台 内蒙古 赤峰市 025250

正泰PDM 1KW-Ⅲ型中波发射机非常见故障及处理

姜若琦

内蒙古新闻出版广电局赤峰广播发射中心台762台 内蒙古 赤峰市 025250

本文结合笔者工作实际,就正泰PDM 1KW-Ⅲ型中波发射机在运行中出现的非常见故障进行分析,提出故障处理方法。

PA盒 可控硅 电容 A1板

随着“西新工程”逐步推进,内蒙古新闻出版广电局局属中波发射台十几年前投入使用的PDM 1KW(或3KW)发射机,逐步步入老化以及故障高发和多发期。维护和检修工作量日益加大。笔者现将在检修和抢修过程中遇到的非常见故障以及维修过程进行逐一阐述。

1 故障一

1.1 故障现象

发射机输出功率为零,PA盒调制封锁报警灯亮,低压供电及低频部分工作正常。

图1 PA盒单片功放板中的A1、A2板电路

1.2 故障处理

如图1所示,PA盒单片功放板中A1板与A2板电路。

首先,判断调制输出部分继电器是否有动作声。开机,调制器小盒有继电器吸合的动作声,证明调制器调制信号输出正常。PA盒单元,PA板被强制封锁。经测量A2板上2Q3、2Q4两个三极管无损坏。经上机验证,此板电流放大集成电路(2U1)7667无损坏。调制驱动MOSFET管(IRF140)无击穿短路。阻尼二极管CR1无损坏。上述一系列的测试结果表明:调制驱动板A2及调制驱动电路并无故障元器件存在。在后续的检查中,经查看单元功放板A1板电路,怀疑高频激励输入部分存在故障。

用数字万用表电容档测量高频激励,输入电路容量符合标称值且无击穿短路故障存在。开关整流管1CR1亦无击穿短路。1C3无故障。当测量至可控硅1Q1(MCR100-8)阴极与阳极两端时,发现此可控硅已被击穿短路。可控硅1Q1属于功放电路,电流不平衡,检测部分器件,它的击穿等于把A2板传输过来的调制驱动信号直接短路入地,触发保护电路,造成调制封锁。调制封锁引起的直接结果即是高频末级PA电路被禁止功率输出。一系列的连锁反应,导致整部发射机不能正常工作。更换损坏的可控硅1Q1(MCR100-8),并将所有部件恢复原状,加电,开机,发射机恢复正常工作。

2 故障二

2.1 故障现象

与故障一相同,调制封锁故障灯亮。发射机无功率输出,其他部分低压供电及低频部分正常。

2.2 故障处理

重点检查单元PA板上的A1板,经检查所有元器件均无损坏,A2板无异常。对A1板上的元器件(电容及半导体元件)逐一进行数据测量。当把A1板射频驱动端的输入电容1C1、1C2取下测量数据时(标称5600PF或3900PF),发现两支电容的标称容量有很大的差距。一支容量正常(5600PF或3900PF),另一支电容的容量则由5600PF变为2200PF或3900PF变为1600PF左右。仔细分析A1板电路,判断此故障是由功放电路存在电流不平衡而引发的保护故障。究其原因,由于射频输入电容容量的差异,导致输入到PA盒由功放单元的桥式功放的激励信号不一致,正半周或负半周输入的激励信号正常,负半周或正半周输入的激励信号异常(欠激励),从而造成流过A1板上的变压器1T1的初级绕组的电流不相同,次级绕组产生感应电压。经由1CR1半波整流,1C3滤波后形成一个正电压,触发可控硅1Q1导通,将调制信号封锁所致。将1C1、1C2按标称值换新后,恢复PA盒及所有外部连通电缆,加电开机,发射机恢复正常工作,故障检修完毕。

事后总结分析电容容量缺失的原因:一是电容的温度系数差,即所处环境使用温度较高;二是使用的时间周期久远,自然老化。更换此类电容,建议使用热稳定性好,容量蜕变小的优质电容。

以上两起故障看似故障现象相同,其实所发生的故障部位不同,分析处理时一定要冷静思考,仔细甄别,才能少走弯路,以免误判造成维修或抢修时间上的延迟。

审稿人:严志刚 内蒙古新闻出版广电局包头广播发射中心台 正高级工程师

责任编辑:王学敏

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姜若琦 内蒙古新闻出版广电局赤峰广播发射中心台762台 助理工程师

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