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在葛南直流输电工程是国内一个500kV直流输电工程,相关设备由BBC公司生产。1986年投入使用至今已运行近30年。近几年葛南工程大量进行改造,部分设备实现国产化,包括阀基电子(VBE)、可控硅、TE板等换流阀核心设备都已完成国产化改造。原有的可控硅测试仪已不能满足新设备的要求。新仪器的研制,使得可控硅级试验项目更加完善、试验流程更简洁,对提高换流阀可靠性有着重要意义。
现有直流工程,单阀是由若干个可控硅串连组成。可控硅的特性就决定了阀的特性。可控硅应只具有单向导通的性能;在可控硅不导通时,能够承受正向和反向的阻断电压;若可控硅两侧有正向电压,同时门极有足够大的触发电流(大约 8A)时,则可控硅导通。只有流过阀的电流降为零时才关断;
如图所示,每个可控硅均配有一套TCU、阻尼回路、分压回路、取能回路,共同组成一个可控硅级。R11/R12/R13/R14、C11/C12构成阻尼回路,使串连的可控硅级电压均匀分布,同时防止可控硅被陡波冲击。R41/R42构成分压回路,用于TE板对可控硅两侧电压的测量。C3和R3分别为暂态充电电容和电阻,构成TE板取能回路。TE板用于接收触发脉冲信号,对可控硅发出触发电流,向阀控发出回检信号,TE板还带有 BOD等保护功能。原有的可控硅测试仪仅完成了可控硅的正向导通测试,不仅不能全面检测可控硅的性能,也不能测试可控硅级其他元件性能。
根据可控硅的特点试验仪需要检测可控硅以下几点特性:
1.阻断特性
在可控硅不导通时应具有正、反向耐压能力。在一个单阀内可控硅两端的电压分布是由可控硅的阻断电阻决定。但由于可控硅的阻值及阻尼回路阻抗值不可能完全一致,势必存在误差,导致阀段上电压分布不均,此时可控硅的阻断特性将保证阀的运行稳定性。在最不均匀的情况下,单一可控硅的承受电压为:1.05*400/ [(15-1)*8]=3.75kV.
其中1.05:不均匀系数;400kV:直流耐压水平;8:阀单元数;15:每个阀段可控硅数
在正常情况可控硅泄露电流值小于1.5mA,阻尼回路在直流电压作用下产生的电流为:3.75/500=7.5mA。此时最差的情况是一个可控硅没有泄漏电流,此时电流从它并联的阻尼回路流过,该可控硅的承受电压为:(7.5+1.5)*500=4.5kV。
所以测试仪设计的正向、反向电压应为4.5kV。在可控硅关断后,检测反向耐压,可验证可控硅恢复阻断功能。
2.正向导通性
当TE板取能回路充电达到22V,并且可控硅两侧电压超过约32V时,TE板收到阀控制单元(VBE)来的触发脉冲信号,此时TE板会向可控硅发出触发电流。葛南工程改造后,极控可以通过试验模式,在阀未解锁的条件下,使阀控制单元向TE板发出触发脉冲。此时试验仪只需在可控硅测量施加足够大的正弦半波电压,即可导通。通过测量导通电流,可判断可控硅导通正常
除了可控硅本身的检测外,可控硅级其他元件的好坏同样也关系到阀的稳定运行。
1、阻尼回路
在可控硅不导通的情况下,施加不同频率的交流电压后测量电流值。计算阻尼回路的阻抗值,其阻抗值不应超过额定的5%。
2、TE板
当可控硅被导通时,TE板会自动发送回检信号。所以通过试验仪监视TE板的回检信号可判断TE板工作是否正常。TE板的回检信号是通过光发射器产生连续高电平信号,试验仪通过光接收器检测该信号的宽度可判断TE板工作状态。
新的可控硅试验仪采用单片机作为核心,键盘、显示屏、通讯接口作为外围设备。硬件部分主要包括模数转换器、采样回路、存储器、交直流电源回路、主机电路、人机联系部件等。通过外部的把手实现对可控硅两侧加压和测量正向电流。
图4 .1 试验仪硬件结构图
人机接口可用于选择单一试验项目或连续试验项目的选择,试验结果的显示。通讯接口应可将试验数据、结果调出,方便查看。此外可控硅试验时,可能会对可控硅两侧施加高电压,所以,把手应采用好的绝缘材料,试验仪应安装停止按钮,保证试验的安全。
可控硅试验仪的软件应包含监控程序和接口管理程序两部分。监控程序是面向操作面板、显示器的管理,包括操作输入,存储设置功能与工作参数。通过控制I/O接口采集数据,对数据进行分析、处理。显示相关状态信号和处理结果。接口管理程序主要是对通信接口。分析来自通信接口总线的信息,输出仪器的状态信息和测量数据等。
以可控硅导通试验为例,其工作过程为:操作面板发出启动试验信号,单片机命令驱动单元控制电源输出正弦半波电压。通过把手电压加在可控硅两侧。再由把手采集正向电流,经A/D转换送入单片机。单片机对数据进行计算分析将运算结果存入RAM中,判断可控硅是否正常导通,同时将结构显示于显示器上,停止电源输出终止试验,测试仪复位至初始状态。
由于单片机的使用,可大大提高试验仪的扩展功能和运算功能,能完成很复杂的信号处理工作。大大提高了可控硅试验仪的功能性和智能化程度。为直流工程的稳定运行提供了有力的技术支撑。