金立奎
(珠海方正科技高密电子有限公司,广东 珠海 519175)
目前高端移动电子设备大部分都配有触控显示屏,显示屏的尺寸也从之前的2 in逐渐加大到了4 in ~6 in,显示屏的加大造成了耗电量的成倍增加。为了增加电子产品的待机时间,厂商在设计时都最大限度减小线路板的尺寸,以加大了电池的容量;目前高端电子产品的线路板尺寸,已从之前与产品等大减小到产品尺寸的50%以下。线路板的功能增加而面积减小,必然使得HDI电路板的设计越来越多地向三阶、四阶及ELIC发展。HDI板功能增加有以下几个趋势:一是高阶层,基本为三阶HDI结构,部分甚至需要四阶的HDI结构;二是缩小线宽间距,小的线宽间距50 μm/50 μm左右,更小的为40 μm/50 μm;三是减小盲孔尺寸,小的盲孔已达到50 μm左右;四是ELIC设计。随着电子产品的持续发展,ELIC设计必然成为未来线路板采用的主流。
HDI板为了各层间的互通,通常采用通孔及盲孔进行层间导通;但通孔占用板面积大且生产有局限性,不利于高密度设计;同样的层数,ELIC设计比一般HDI层间导通方式多30%以上(图1)。
图1 一般HDI与ELIC盲孔层间导通设计示意图
另外,一般的HDI板盲孔底层需要设PAD,层间导通所占用的板面积大,影响布线;而ELIC直接在盲孔上叠孔,比一般HDI约减少50%的层间导通占用面积(如图2)。
图2 一般盲孔与ELIC盲孔设计示意图
任意层互连为了达到高密度、厚度薄及尺寸小等指标,通常会采用厚度0.05 mm ~ 0.076 mm的基板,介层采用106、1037或1027等型号的薄PP;生产时采用逐层压合及打孔进行增层,主要会遇到下列问题:
目前许多HDI制造工厂在生产薄基板盲孔时,通常采用先经图形转移开窗,然后镭射的作业流程;薄基板在图形转移压膜时会造成卷板,蚀刻时对机台的生产薄板要求高且容易卡板。
为了满足电子产品轻、薄化发展的趋势,对线路板厚度的要求也越来越高;为了达到成品板厚,通常会选用薄的PP。介层厚度的降低造成阻抗减小,当线宽距设计为50 μm/50 μm时,通过减小线宽来增加阻抗的传统方法已无法满足客户的要求。
ELIC采用逐层打孔方式进行任意层互连,多次的图形转移有激光造成层间对准度变差,加上生产过程中板料的涨缩,造成开、短路不良。
ELIC采用逐层压合的方式增层,基板薄且压合次数多,同料号涨缩R值大且成品尺寸难以管控。
受垂直黑化挂架能力的限制,激光DLD生产前使用水平棕化线对基板进行表面处理(因水平棕化线需对待压合的板子表面进行粗化处理,所以一般的生产线都具备生产0.05 mm薄板的能力);然后同黑化DLD一样进行激光打孔及除胶作业。
随着线路板介厚设计越来越薄、线宽的要求已接近制程能力极限(50 μm),用普通材料较难达到客户特殊的阻抗要求;这时需要使用到Dk值较低的材料——LOW Dk材料,LOW Dk材料的Dk值约为3.3~3.6之间,各基材厂商都有生产(一般材料Dk值约为3.8~4.2之间)。在同样线宽及铜厚条件下,LOW Dk材料可降低约4 μm单层介厚。
图3 影响阻抗值的主要因素及关系图
目前业内通常将压合内靶设在前一层图形上,压合时使用X-R钻靶机钻出后制程的定位孔;此类型设计在压合次数超过3次或涨缩较严重时,层间会出现累计偏移,造成对准度不良;为了改善多次压合后层间偏移,在基板层制作全部层别的压合内靶,各层别以基板为标准来进行对位,防止偏移不良。
图4 层间偏移图片与较好的盲孔叠孔图片对比
随着BGA尺寸从0.5 mm pitch减小到目前的0.4 mm pitch,涨缩已变成高阶HDI最主要品质指标之一;SET成品光学点尺寸要求已从之前的±75 μm变为±50 μm,以SET尺寸200 mm为例,成品比例需在99.98%~100.02%之间,生产较困难;为了确保成品尺寸,建议管控方式如下:
①对来料的基板,使用前进行烘烤。
基板具有吸水性,长时间的放置后基板吸水,压合后会造成涨缩不均现象;建议基板使用前进行烘烤,减小压合后产品涨缩的R值。
②裁板时方向一致。
基板是由玻布、树脂及铜箔组成,压合时玻布的经、纬向涨缩不一致,造成产品尺寸不良;建议裁板时每片板的X、Y轴对应基板的经、纬向一致;
③在线对异常批比例进行调整。
在生产过程中,对已知比例偏小的异常批适当加大比例后生产;反之,对比例偏大的异常批适当减小比例后生产。
任意层互连是HDI高密度化发展的方向,在降低板厚、方便布线等方面有等极大的优势,目前在高端电子产品中已开始批量使用;此类产品单价高、毛利好,且生产时无需额外新增设备。通过对ELIC板的工艺难点制程做相关的改善及流程优化,成功解决了薄板ELIC板的加工、对准度、涨缩等难点。任意层互连板作为一种趋势性的高端产品,任意层互连工艺将进一步得到应用。
[1]刘亚辉. 板材补偿系数浅谈,第四届全国青年印制电路学术年会论文集[C]. 2010.11.