碳化硅纳米颗粒的吸波性能研究

2013-11-01 08:26
渭南师范学院学报 2013年9期
关键词:吸波碳化硅介电常数

梁 飞

(渭南师范学院化学与生命科学学院,陕西渭南714000)

吸波材料广泛应用于电磁兼容、电子仪器设备、高频设备、屏蔽箱等领域.随着现代科学技术的发展,研究和开发电磁吸波材料已经成为人们关注的焦点[1].纳米吸波材料不仅具有良好的吸波性能,同时具备质量轻、宽频带、兼容性好及厚度薄等特点,因此其正成为研究的热点[2].纳米材料的吸波性能与材料特性、形貌、结构等许多因素有关.为此人们制备了不同结构的纳米吸波材料,如Ni/Ag核壳纳米颗粒[3]、Ni-Co-P 包裹的 SiC 粉末[4]、碳纳米弹簧[5]、Fe纳米线[6]和不同的 ZnO 纳米结构[7].

SiC纳米材料具有热稳定性高、高硬度、耐腐蚀、抗氧化、热传导率高等特点,能够实现轻质、薄层、宽频带和多频段吸收的目的,所以很适宜用作高温电磁吸波材料[8].尽管人们已经合成了一系列不同结构的SiC纳米材料,如SiC纳米颗粒[9]、SiC纳米线[10]、SiC纳米管等[11],但对纳米碳化硅的吸波性能研究还比较少.本文主要采用废弃塑料为碳源,正硅酸乙酯为硅源,硝酸铁为催化剂,通过溶胶—凝胶和碳热还原法制备碳化硅纳米颗粒,并研究其吸波性能.

1 实验部分

1.1 试剂与仪器

正硅酸乙酯、乙醇、硝酸铁、草酸、六次甲基四胺、盐酸和氢氟酸均为分析纯;废弃塑料瓶(矿泉水瓶).

相结构测试:采用Rigaku Dmax-rA型X射线衍射仪.(CuKα辐射,入射波长λ=0.154 nm,金属Ni滤波,管电压40 kV,管电流100 mA,扫描速率2°/min,扫描步长为0.02°).微观结构表征:采用日本JEOL-1011型透射电子显微镜上观察样品的微观结构.具体方法为:将少量样品放入称量瓶中,用乙醇作为分散剂,超声波振荡10 min后,用洁净的滴管取1~2滴于铜网上,干燥后进行观察.吸波性能分析:采用Agilent-N5230A网络分析仪.测量样品在2~18 GHz的复合介电常数和复合磁导率以计算样品吸波性能.将样品与熔融石蜡进行混合放在铜质环形模具进行测量,模具外径为7 mm,内径为3 mm,高2 mm.

1.2 碳化硅纳米颗粒的制备

采用文献[12]的方法制备.将塑料瓶清洗、干燥,将切碎后的塑料瓶在800℃,氩气气氛下碳化3 h.在100 mL乙醇中溶解1 g硝酸铁,待完全溶解后再加入12 g碳化产物和50 mL正硅酸乙酯,在强力搅拌下,逐滴加入3.4 wt%草酸溶液8 mL,促进正硅酸乙酯水解形成溶胶.强力搅拌24 h后,加入35.8 wt%六次甲基四胺溶液8 mL,促进溶胶的凝固.待凝胶凝固后,在110℃下干燥12 h得到干凝胶.干凝胶放入高温管式炉中,在氩气气氛保护下1350℃反应6 h.待炉温冷却到室温时,将收集到的样品先在空气中700℃反应3 h,除去未反应的碳,然后用盐酸和氢氟酸的混合酸洗去可溶性杂质,所得样品记为SiC.

2 结果与讨论

2.1 X射线衍射分析

图1为样品的粉末X射线衍射(XRD)图.从图1中可以看出,5个衍射峰分别对应于立方结构β-SiC的(111)、(200)、(220)、(311)和(222)晶面.在2θ为33.6°处有一个较小的衍射峰,一般认为是由于堆积缺陷所形成的超结构引起的衍射而形成的[13].没有其他物质衍射峰的出现.XRD结果表明样品是纯β-SiC且具有较好的晶形.

图1 碳化硅样品的XRD图

图2 碳化硅样品的TEM图

2.2 透射电镜分析

采用透射电镜进一步表征样品的形貌和结构,如图2所示.从图2中可以看出,所得β-SiC样品主要由一种近似球形的纳米颗粒组成,颗粒之间相互衔接,并且具有较窄的粒径分布,颗粒尺寸在10~60 nm之间.

2.3 吸波性能

碳化硅属于介电损耗性吸波材料,介电常数的虚部一定程度上代表了物质对电磁波损耗能力的大小.图3为碳化硅纳米颗粒的介电常数谱图,其中ε'表示介电常数实部,即静电场下介质的相对介电常数.ε″表示介电常数的虚部,一定程度上代表了物质对电磁波损耗能力的大小.从图中可以看出,所制备的碳化硅纳米颗粒,其ε'处于7.1~8.9之间呈降低趋势,其原因是:材料在低频下极化响应快而高频下极化响应慢,从而使介电常数实部降低;ε″处于1.2~1.6之间,整体呈增大趋势,其原因为频率增大交变电场的变化更快,但是极化的速度始终不能与之同步形成驰豫,所以频率越大造成的滞后越大、介电损耗也越大,故频率增大ε″增大.图4为碳化硅纳米颗粒不同厚度时的微波吸收谱图.从图中可以看出,当样品厚度为0.5 mm和1 mm时,谱线没有太大变化,表明SiC纳米颗粒的微波吸收能力很弱.当样品厚度增加到1.5 mm时,碳化硅纳米颗粒的反射衰减在16~18 GHz可达到-5 dB.当样品厚度增加至3 mm,碳化硅纳米颗粒在8~13GHz的反射衰减在-5 dB以上,带宽为5 GHz,其反射衰减的最大值为-8.91 dB.结果表明材料厚度对材料的吸波性能有着明显的影响,厚度增加,材料的吸收率提高,但是每种材料都有一个最佳匹配厚度,因此过度增加厚度也不会无限提高材料的吸波性能.

图3 碳化硅样品的介电常数谱图

图4 SiC样品的微波吸收性能

3 结论

(1)采用废弃塑料作为碳源,通过溶胶—凝胶和碳热还原法可以制备碳化硅纳米颗粒,其直径约为10~60 nm.

(2)碳化硅纳米颗粒的吸波性能随着样品厚度的增加而增强,当样品厚度为3 mm时,在8~13 GHz的反射衰减在-5 dB以上,其最大值为-8.91 dB.

(指导教师:王冬华)

[1]Xu J,Zou H,Li H,et al.Influence of Nd3+substitution on the microstructure and electromagnetic properties of barium W-type hexaferrite[J].J.Alloys.Compd,2010,490:552-556.

[2]李海燕,张世珍,桂林,等.新型纳米吸波材料研究进展[J].现代涂料与涂装,2010,13(7):25-28.

[3]Lee C C,Chen D H.Ag nanoshell-induced dual-frequency electromagnetic wave absorption of Ni nanoparticles[J].Appl.Phys.Lett,2007,90:193102-193104.

[4]Li Y J,Wang R,Qi F M,et al.Preparation,characterization and microwave absorption properties of electroless Ni-Co-P-coated SiC powder[J].Apl.Surf.Sci,2008,254:4708-4715.

[5]Tang N J,Zhong W,Au C T,et al.Synthesis microwave electromagnetic and microwave absorption properties of twin aarbon nanocoils[J].J.Phys.Chem.C,2008,112:19316-19323.

[6]Liu J R,Itoh M,Terada M,et al.Enhanced electromagnetic wave absorption properties of Fe nanowires in gigaherz range[J].Appl.Phys.Lett,2007,91:93101-93103.

[7]Chen Y.J,Cao M.S,Wang T.H,et al.Microwave absorption properties of ZnO nanowires-polyester composites[J].Appl.Phys.Lett,2004,84:3367-3370.

[8]范跃农,龚荣洲.陶瓷吸波材料的研究进展[J].陶瓷学报,2010,31(1):538-541.

[9]Kamlag Y,Goossens A,Colbeck I,et al.Formation of nano SiCparticles by laser-assisted CVD[J].Chem.Vapor.Depos,2003,9(3):125-129.

[10]Liang C H,Meng G W,Zhang L D,et al.Large-scale synthesis of β-SiC nanowires by using mesoporous silica embedded with Fe nanoparticles[J].Chem.phys.lett,2000,329:323-328.

[11]Keller N,Pham-Huu C,Ehret G,et al.Synthesis and characterization of medium surface area silicon carbide nanotubes[J].Carbon,2003,41:2131-2139.

[12]王冬华.废弃塑料制备碳化硅纳米颗粒[J].应用化工,2011,40(9):1544-1546.

[13]朱小燕,李培刚,王顺利,等.碳热还原法制备SiC纳米线及其结构表征[J].浙江理工大学学报,2012,29(2):245-248.

猜你喜欢
吸波碳化硅介电常数
钠盐添加剂对制备碳化硅的影响
碳化硅复合包壳稳态应力与失效概率分析
SiC晶须-ZrO2相变协同强韧化碳化硅陶瓷
多壁碳纳米管对SiC/SiC陶瓷基复合材料吸波性能影响
聚碳硅烷转化碳化硅陶瓷吸波性能的研究进展
示踪剂种类及掺量对水泥土混合浆液的电学行为影响研究
太赫兹波段碲化镉介电常数的理论与实验研究
无铅Y5U103高介电常数瓷料研究
CoFe2O4/空心微球复合体的制备与吸波性能
低介电常数聚酰亚胺薄膜研究进展