ＲＦ磁控溅射法在Ｓｉ衬底上生长ＺｎＯ薄膜界面的ＸＰＳ研究

李万程　张源涛　杜国同　杨树人　王　涛

提要：采用RF磁控溅射方法在Si衬底上生长ZnO薄膜．XRD测量结果表明，ZnO薄膜为c轴择优取向生长的．对ZnO薄膜进行了XPS深度剖析及测试．测试结果表明，在未达到界面时ZnO均符合正化学计量比，是均匀的单相膜，表明该方法具有较好的成膜特性．在界面处，Zn的俄歇修正型的化学位移及俄歇峰峰型的变化、Zn_2p3/2与ZnLMM峰积分面积比值的变化、Si_2P峰的非对称性，均表明Si与ZnO的界面处有明显的成键作用．在界面处，n型Si反型为p型．

关键词：薄膜；XPS；界面

中图分类号：078l

文献标识码：A

文章编号：167l—5489(2003)04—0493—04