薄膜

镓硒(CIGS)薄膜太阳电池具有较高的光电转换效率、较好的太阳光光谱响应、较容易的光吸收层禁带宽度调节，以及潜在的低制造成本等优势，是具有广阔商业应用前景的太阳电池技术之一。常见的CIGS薄膜太阳电池制备方式是采用真空技术，根据光吸收层制备方式的不同可分为多元共蒸发法和后硒化法两种不同制备路线。目前在小面积CIGS薄膜太阳电池最高光电转换效率方面，采用多元共蒸发法制备的已达到22.6%[1]，采用后硒化法制备的已达到23.35%[2]，众多研究团队正携手向

ples表1制备薄膜样品的工艺参数The optical reflectance and transmittance of the prepared samples were measured over the wavelength range 300-850 nm by using a TU-1901 UV-Vis double beam spectrophotometer，and the reflection and transmission spec

统采用单一ITO薄膜为触控电极的方案[1-2]，由于触控面板尺寸变大，电极电阻增加，难以满足大尺寸触控面板的应用要求，因此急迫需要发展低电阻率的ITO透明导电薄膜[3-4]。现有ITO薄膜通过复合电极形成ITO/metal/ITO(IMI)结构的透明导电薄膜技术得以快速发展，如ITO/Ag/ITO薄膜由于光电性能优异，是大尺寸触控面板应用的理想透明导电材料。近年来，为优化ITO/Ag/ITO薄膜，使该薄膜的光学性能、电学性能和力学性能等各方面性能不断满足当

44）功能性金属薄膜因具有优良的物理化学特性，在航空航天、微机电系统和电子等领域有着良好的应用前景［1］。化学镀具有工艺简单、成熟稳定、镀层均匀且厚度可控等优点，相比于电镀技术，在制备功能性金属薄膜方面受到更多的关注。目前，化学镀制备Ni 基薄膜（如Fe-P薄膜、Co-Fe 薄膜、Ni-W-P 薄膜等）和 Co 基薄膜（如Co-P 薄膜、Co-Ni-P 薄膜等）并对它们的性能进行研究，已有较多报道［2-8］，主要集中在镀液主要成分、工艺条件和后处理对薄膜结

ITO)透明导电薄膜的光电性能优异，应用广泛，但In是稀有金属，其资源少、价格昂贵。ⅢA元素(Al，Ga，In)掺杂ZnO薄膜，因原料丰富、性能优越、无毒等优点成为最有可能取代ITO的透明导电材料[1]。与ⅢA阳离子掺杂相比，F作为阴离子掺杂，其离子半径(0.131 nm)与O离子半径(0.138 nm)相近[2]，而且Zn-F的结合能大于Zn—O键[3]，所以F替代O后，ZnO晶格畸变较小且稳定高。另外，F掺杂不仅会释放一个自由电子，而且不会像阳离子掺杂

les图1 所有薄膜样品的透射谱Fig.2 Average visible transmittanceof all the samples图2 所有薄膜样品的可见光平均透过率Using the transmittance spectra, the optical band gap (Eg) of the deposited films was evaluated using the following relationship[26,30]:(α·E)p=

ide，TCO）薄膜具有宽禁带、低电阻率、可见光范围内高透光率和红外光谱区高反射率等光电特性，且导电性能优良，耐摩擦性和化学稳定性好，广泛应用于平板显示器件、气体敏感器件、太阳能电池及Low-E玻璃［1-3］等器件中。在已有的TCO薄膜体系中，氧化镉（CdO）、氧化锌（ZnO）、氧化锡（SnO2）和氧化铟（In2O3）这四种单体TCO薄膜已得到广泛应用和发展。然而，随着各种器件的不断出现，对TCO薄膜的性能要求也更加严格。为开发更多性能可调的TCO薄膜，研

异光电性能的导电薄膜，维持显示界面的清晰度。在此背景下，研究人员提出在现有的ITO 薄膜的基础上，应用Ag 材料，联合制备Ag-ITO 纳米颗粒复合薄膜，从而借助该薄膜，强化各类显示器件的功能架构。1 Ag-ITO纳米颗粒复合薄膜概述Ag-ITO 纳米颗粒复合薄膜中的Ag 是指某种金属材料，其在可见光范围内反射率较高，光电性能优异，可作为可见光波段中应用价值较高的反射材料。不仅如此，Ag 电阻率通常为10-6Ω·cm，导电性能突出，可同时作为电极材料。IT

mples表1 薄膜样品的制备工艺参数The transmittance(T) and absorbance (A) spectra of the deposited samples were measured at room temperature with a double-beam ultraviolet-visible spectrophotometer (TU-1901) in the wavelength (λ) region of 300-8

粒掺杂对YBCO薄膜性能影响的研究王雅, 索红莉, 刘敏, 王田田, KAUSAR Shaheen, 徐燕, 马麟(北京工业大学 材料科学与工程学院, 新型功能材料教育部重点实验室, 北京 100124)利用低氟MOD工艺制备了Ba2YTaO6(BYTO)单一纳米颗粒掺杂及BYTO和LaAlO3(LAO)双纳米颗粒共掺杂的YBCO复合薄膜。研究表明BYTO在YBCO薄膜中的最优掺杂量为6mol%, 此时薄膜的自场c为1.25 MA/cm2, 在1.2 T下

d NPB图2 薄膜AlQ, BAlQ和NPB的透射谱Fig.3 Absorbance of the thin films AlQ, BAlQ and NPB图3 薄膜AlQ, BAlQ和NPB的吸光度Fig.3 shows the optical absorbance spectra of all the thin films as a function of wavelength. The absorption coefficientαwas calc

热塑性薄膜和包装该发明涉及一种具有增强的撕裂和抗穿刺性能的热塑性薄膜。该热塑性薄膜具有多元的压花区域，包含很多平行和线性凸起。该多元的压花区域可使直线在热塑性薄膜中横穿时至少和一个多元压花区域进行交叉，从而防止其继续延伸。（Poly-America，L.P.）/US 20150191599 A1，2015-07-09

闵乐诚收 薄膜育苗后应及时收集，揭膜时应小心轻揭。特别是地膜比较薄，不要用力过猛，以免扯破，造成不应有的损失。洗 把揭开的薄膜集中放在冷水里浸泡，及时清洗，忌用手揉搓和用棒捶打。晾 洗净后，应敞开摊放在阴凉通风处晾干，不要暴晒，并防止风吹刮破薄膜或内湿外干。补 晾干后储藏前，将薄膜进行一次全面检查，如有破损的地方及时补好。方法是剪一块稍大破损面的同质地的薄膜或地膜，加垫后互相补平，压紧，粘合，以提高利用率。卷 用一圆滑木棒作卷心，把薄膜铺平捆卷，每卷一层撒

氧化物（TCO）薄膜被广泛应用于光电子器件，如液晶平板显示、触摸屏、太阳能电池薄膜等.锡掺杂氧化铟（ITO）薄膜是一种应用最广的TCO透明导电薄膜[1].随着人们对显示技术要求的提高，显示器的柔韧性、可弯曲等性能提出了更高的要求，这就要求ITO薄膜要在弹性的聚合物基底上低温制备（50～150°C）.这对ITO薄膜的光学和电学性能提出了挑战，因为ITO薄膜优异的光学和电学性能需要经过高温（100～350°C）的退火之后才能得到[2-3].为了优化ITO薄膜的