离子注入
- N离子不同注入能量对镁合金表面钛膜性能的影响
行化学转化、离子注入等，可以提升其耐腐蚀和耐摩擦性能。肖泽辉等［2］对镁合金表面进行激光处理，改变了表面合金成分，细化了表面晶粒，从而提高了合金的耐腐蚀和耐摩擦性能。谭雪霏等［3］对AZ3l 镁合金表面进行钛离子注入试验，结果表明，经过钛离子注入之后，镁合金表面硬度有所提高，但是镁合金改性层摩擦因数并没有降低，耐摩擦性能有所提高。刘洪喜等［4］在AZ31 镁合金基体的表面进行N、Ti 离子注入试验，发现经过处理后的镁合金表层显微硬度提高了近50%。Zhu
河南科技 2023年16期2023-10-10
- 氮离子注入对金莲花种子发芽率及幼苗生理特性的影响
品种［9］。离子注入装置的示意图如图1 所示。与传统的X、γ 射线等辐射技术相比，离子束诱变具有作用效应局部、可控［10］、损伤轻、存活率和突变率高等特点［11-12］，已越来越多地应用于谷物［13］、经济作物［14］、花卉［15］等植物的诱变育种。图1 离子注入装置示意图Fig.1 Schematic diagram of ion implantation machine前人研究表明，一定剂量的离子注入可刺激植物的生长发育。例如，张红等［16］研究发现，
核农学报 2023年10期2023-09-06
- 离子注入剂量对镁合金表面钛膜的性能影响
化、离子镀、离子注入、激光表面处理等方法［2］。王成龙等［3］提出采用真空多弧离子镀膜技术对镁及镁合金的表面进行防护，结果显示制备的多层膜拥有良好的摩擦耐蚀性能。林波等［4］采用单离子注入和双离子注入的方法对AZ91镁合金进行试验，发现经不同离子注入后试样表面形成了AlN、Cr和CrN等新的物相，试样的腐蚀电位较基体和试样显微硬度都有所提高。陶学伟等［5］通过注入Ti、N、Cr、Al离子发现，Ti、N单离子注入后镁合金表面硬度提高最为明显。任志华等［6］利
河南科技 2023年4期2023-03-13
- 180 nm 嵌入式闪存工艺中高压NMOS器件工艺加固技术
STI）场区离子注入工艺对180 nm 嵌入式闪存工艺中的高压NMOS 器件进行加固,实验结果表明该加固器件存在两个主要问题: 1)浅槽刻蚀后进行离子注入,后续热工艺较多,存在显著的杂质再分布效应,导致STI 侧壁离子浓度降低,经过1×105 rad (1 rad=10–2 Gy)(Si)辐照后,器件因漏电流增大而无法关断;2)加固离子注入降低了漏区PN 结击穿电压,不能满足实际应用需求.为解决上述问题,本文提出了一种新型部分沟道离子注入加固方案.该方案调
物理学报 2022年23期2022-12-14
- N离子注入改善2195铝锂合金的耐磨和腐蚀性能
耐腐蚀性能。离子注入技术使离子与材料表面发生相互作用，导致材料表面的成分、结构和性能会发生变化，使得表面性能变得更好［10-12］。Savaloni等［13］发现氮离子注入铝合金后可以通过降低腐蚀速率和增加疲劳循环次数来提高耐腐蚀性能。陈勇忠等［14］将氮离子注入铝的表面，离子注入剂量增大到一定程度，铝的表面会有AlN出现，这将加强铝表面的耐腐蚀性。郭红伟等［15］采用渗氮工艺提升了不锈钢基体的耐磨性能。离子注入技术是提高合金表面性能的有效手段，本文对21
电镀与精饰 2022年11期2022-11-15
- 碳离子注入金刚石制备氮空位色心的机理*
方法,低能碳离子注入具有要求金刚石纯度低、不引入新的杂质原子等优点,但其氮空位色心的形成机理尚不明确.本文采用低能碳离子注入和真空退火工艺在金刚石浅表层创建氮空位色心,并通过拉曼光谱、X 射线光电子能谱以及正电子湮没分析,揭示了碳离子注入金刚石制备氮空位色心的机理.结果表明: 碳离子注入金刚石在950 ℃真空退火后呈现出显著的氮空位色心发光.碳离子注入后金刚石浅表层表现出晶格畸变与非晶碳的损伤区,并产生了碳-空位簇缺陷(包裹碳原子的空位簇).在真空退火过程
物理学报 2022年18期2022-09-30
- Eu3+离子注入β-Ga2O3单晶的应力变化和发光性质研究
大的挑战性。离子注入不受离子固溶度的限制，而且可以根据需要进行选区掺杂，从而受到了研究者的重视。目前，关于Eu3+离子注入β-Ga2O3单晶的研究还比较少，特别在离子注入后造成的结构应力变化，以及缺陷影响稀土离子发光性能方面仍相对比较欠缺，因此需要进一步探究。本文采用离子注入法，将不同剂量的Eu3+离子注入到β-Ga2O3单晶中，然后在空气中进行退火处理。通过拉曼散射和X射线衍射研究了不同Eu3+离子注入剂量及退火前后对β-Ga2O3结构的变化。最后，利用
人工晶体学报 2022年4期2022-05-17
- Ni-C离子注入316L不锈钢表面硬度与耐蚀性能的研究
[16]采用离子注入手段，将碳元素注入到316L不锈钢基体，其中，不锈钢中铬元素能够提高其耐蚀性，C与Cr会由于强烈的化学亲和力而反应生成复杂的碳化物，所以碳元素的存在会降低不锈钢材料固溶体中的铬元素含量。不锈钢的耐蚀性会随着碳元素含量的增加而降低，因为上述结论的前提条件时保持物相状态的平衡，所以采用离子注入进行表面改性在很大程度上解决了这一问题，前面曾提到可以在非平衡状态下使碳元素富集于不锈钢表面。石墨材料的导电性优良而且化学惰性高，有研究表明，当碳元素
现代交通与冶金材料 2022年2期2022-03-29
- 基于全球离子注入机行业现状探析中国离子注入机突破之路
1）0 引言离子注入决定着半导体芯片内部结构器件的最基础性能，是集成电路制造工艺中十分重要的环节。离子注入环节是仅次于光刻工艺的重要环节，离子注入效果决定了芯片内部结构中器件的最基本、最核心性能。离子注入机在晶圆制造工艺设备市场规模中占比3%左右，据赛迪顾问统计，2020年离子注入机市场规模达18亿美元，未来将达到30亿～40亿美元。离子注入机的市场高度集中，全球离子注入机主要被美国、日本企业垄断。1 离子注入机原理及其产业链1.1 工作原理在集成电路制造
电子元器件与信息技术 2022年1期2022-03-26
- 离子注入技术在n型太阳电池中的应用研究
较多。本文将离子注入技术引入n-PERT电池制备过程中，离子注入技术较常规扩散技术具有掺杂均匀性好，可实现低浓度掺杂，提高光电转换效率等优势，同时将BBr3热扩散和磷离子注入后的热退火相结合，一步高温过程同时完成发射极和背场掺杂，简化工艺步骤，降低制造成本。本文主要研究内容有：第一，离子注入N-PERT的电池结构及制备过程。第二，分析离子注入技术对n-PERT太阳电池背场掺杂均匀性和电池参数的影响。1 样品制备N-PERT电池是一种典型的双面电池，如图1所
科学与信息化 2021年17期2021-06-28
- 高效率N型离子注入太阳电池技术的研究
英叶 陈志军离子注入技术已经成功的从IC(集成电路)制造中延伸到了太阳能池的制造过程中，并且成为N型单晶太阳能池的研究热点。我们在电阻率为1-3Ω.cm的N型硅片基底上，采用离子注入技术工业化生产的太阳能电池的最高效率达到12.2%，平均转化效率为20.9%。我们还进行了离子注入掺杂技术对方块电阻的掺杂曲线、均匀性、及电池参数的影响研究。1 研究背景与内容高效率低成本是太阳能电池技术的发展方向，电池效率的提升将依赖于新材料，新结构，新工艺的建立。目前P型硅
电子世界 2021年6期2021-04-11
- 基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列
备手段当中，离子注入是一种常用的隔离工艺，具有大尺寸、重复性高、均匀性好和易于控制等适用于大规模工业化生产的优点，常用于氮化镓基高迁移率晶体管[16]。也有研究人员将该方法用于垂直结构Micro-LED阵列的制备[17]，但暂没有采用离子注入的新颖方法进行横向结构超小尺寸Micro-LED阵列的制备研究。因而我们选择在LED外延片上通过引入特定区域的高阻态以隔离出所需要的器件工作区域，从而实现基于离子注入隔离的微型发光二极管的制备。同时，常规ICP干法蚀刻
发光学报 2021年2期2021-03-05
- 离子注入对聚四氟乙烯覆铜板黏结性能的影响
。杨峰等将镍离子注入PTFE 表面，使其表面接触角由104°下降至67°，浸润性提高[10]。国内对于特种环境用纯PTFE 覆铜板的相关研究报道较少，基本没有通过离子注入结合磁过滤等离子体沉积制备改性PTFE 覆铜板的报道。相比磁控溅射技术，磁过滤沉积技术所产生的等离子体具有更高的能量，有利于离子沉积，可以在基材表面沉积纳米级的金属薄膜[11]。与MEVVA离子注入技术相结合，可以使沉积膜的原子与基体原子混合，在界面上形成混合层，进一步改善膜与基体间的黏结
航天器环境工程 2020年2期2020-10-31
- 离子注入对红小豆农艺性状及产量的影响
本试验拟通过离子注入诱变技术，加快旱地红小豆新品种的选育，不断优化红小豆品种以达到农业生产中稳产、高产的目的。国内农业科研人员对红小豆品种的选育、施肥量、施肥方式、栽培方式、除草剂的使用等进行了大量的研究[5-11]。关于离子注入对红小豆产量因素的影响研究很少，离子注入处理种子技术是一项农业物理新技术，它具有一定的重复性和方向性的特点[12]。离子注入已被广泛应用于作物品种的选育与改良[13-14]，红小豆播种前用离子注入机对种子进行处理，目的是改变植株农
山西农业科学 2020年10期2020-10-16
- 离子注入技术在材料表面改性中的应用及研究进展
涛摘 要：离子注入技术是在固体中引入掺杂剂离子的一种材料改性方法，它能有效改善材料的表面性能。本文分析了离子注入技术在材料表面改性中的应用及发展趋势。关键词：离子注入;表面改性;发展趋势离子注入技术是通过加高电压将工件（金属、合金、陶瓷等）放入离子注入机的真空靶室中，将所需元素的离子注入工件表面的过程。离子注入后，在材料表层增加注入元素及辐照损伤，以使材料的物理化学性能发生显著变化。一、离子注入技术的应用1、离子注入金属材料。带MEVVA（金属蒸汽真空弧
科学导报·学术 2020年24期2020-07-10
- 氮化镓中铬含量的二次离子质谱分析方法研究
氮化镓材料中离子注入Cr的浓度，使用相对灵敏度因子法对氮化镓中Cr含量定量分析，为相关生产工艺和实验研究提供参考。关键词：氮化镓;二次离子质谱;离子注入;相对灵敏度因子氮化镓材料禁带宽度较大，是宽禁带半导体之一，被广泛用作微波功率晶体管和蓝色光发光器件的生产制造原材料。氮化镓材料的探究与使用是目前全世界半导体领域的创新和重点，是制造微电子器件和光电子器件的新一代半导体材料，并与碳化硅等半导体材料一并被称为是继第一代硅、锗半导体材料、第二代砷化镓、磷化铟化合
科技风 2020年10期2020-04-10
- 基于离子注入隔离的微缩化发光二极管阵列性能*
09)基于F离子注入隔离技术实现一种新型微缩化发光二极管(micromicro-LED)阵列器件,并系统研究注入能量及发光孔径对micro-LED阵列器光电性能的影响.研究结果表明:相比于F离子50 keV单次注入器件,50/100 keV两次注入器件具有更好的光电性能,器件反向漏电降低8.4倍,光输出功率密度提升1.3倍.同时,在不同的发光孔径 (6,8,10 μm)条件下,器件反向漏电流均为 3.4×10–8 A,但正向工作电压随孔径增大而减小,分别为
物理学报 2020年2期2020-02-18
- 低能N+离子注入诱变选育金耳多糖高产菌株的研究
的理想材料。离子注入微生物是通过离子注入诱变出发菌株，通过对目标性状的生物效应分析，筛选获得高产、高效的突变菌株[4]。此方法在金耳人工诱变育种中尚未见报道，笔者进行了低能氮离子注入诱变选育金耳的试验，旨在为金耳选育提供参考。1 材料与方法1.1 供试材料供试金耳菌株:金耳酵母状分生孢子菌株TA08，由江苏省苏微微生物研究有限公司分离得到，改良PDA培养基4℃保存。培养基:改良PDA培养基为马铃薯200 g煮汁，葡萄糖20 g，KH2PO41 g，MgSO
食用菌 2019年5期2019-10-08
- 离子注入红芸豆种子生物效应分析
30031）离子注入已被广泛应用于作物品种的选育与改良[1-3]，它在植物育种和改良应用中表现出损伤轻、正突变率高、突变谱广、有一定的重复性和方向性等特点[4]。红芸豆是我国的一种主要杂粮作物，主要分布在北方和西南高寒冷凉地区，种植面积较广[5]，其中，山西省是我国红芸豆主产地之一。红芸豆为食用豆中普通菜豆矮生直立型的一个品种，营养价值和经济价值较高，近年来种植面积逐步增加[5]。为提高红芸豆产量，国内科研人员已在品种、生长环境、栽培方式及施肥技术等方面进
山西农业科学 2019年6期2019-06-19
- 锗(Ge)材料中砷(As)离子注入掺杂和退火激活的实验研究*
中原位掺杂和离子注入是Ge材料常用的两种掺杂手段．原位掺杂虽然引入的位错比离子注入的低，但是原位掺杂对生长的条件要求比较苛刻，不易获得高掺杂浓度，且不易形成平整的表面；对于离子注入方法，如何在锗中形成高的n型杂质激活浓度及n型浅结，同时避免掺杂损耗仍是目前研究的重点及难点．近年来，实验上也通过采取不同的退火激活条件来改善掺杂原子的扩散问题[4-6]．目前对于n型掺杂原子的激活，主要有两种退火方式：快速热退火及激光退火．由于激光退火的退火时间很短，只有几个纳
材料研究与应用 2019年4期2019-02-27
- 低能离子注入介导的异常汉逊酵母菌基因组重复序列的突变研究∗
0 引言低能离子注入到生物细胞内，可参与细胞的生理、生化反应，并影响生物的进化，其相互作用是一个极为复杂的物理学、化学和生物学过程[1,2]．低能离子注入生命体的方法和技术已广泛应用于植物和微生物的品种改良、生命起源与进化、环境辐射与防护以及人类健康等领域[3−8]．重复序列是真核生物基因组中的重要组成部分，主要分为串联重复序列和散在重复序列两类[9]．基因组中的串联重复序列包括卫星DNA[10]、小卫星DNA[11]和微卫星DNA[12]．其中，微卫星D
新疆大学学报(自然科学版)（中英文） 2018年4期2018-11-16
- 等离子体基低能氮离子注入金属钛的耐点蚀性能
光表面处理、离子注入等表面改性技术相继用以提高其耐磨性能[1- 5].作为一种新型的低温、低压表面改性方法，等离子体基低能氮离子注入技术可在金属表面形成高氮面心相或化合物，从而使其具有耐磨损腐蚀复合性能[6- 8]，对钛及其钛合金进行氮离子注入表面改性可以显著提高它的耐磨性[9]，但是关于表面改性层的耐点蚀性能的研究较少.本文采用等离子体基低能氮离子注入技术对纯Ti试样在700℃进行表面渗氮处理，时间为4 h，同时采用电化学交流阻抗(EIS)测试技术和Zs
大连交通大学学报 2018年5期2018-10-31
- 低能离子注入对丛枝菌根真菌及其与蒺藜苜蓿共生的影响
组首先将低能离子注入技术应用于农作物的诱变育种，发现低能离子注入作为一种新的生物诱变源具有损伤轻、突变率高、突变谱广的特点。该技术关联度高、影响面广，用于农作物和微生物育种取得一系列成果，是一种行之有效的诱变方法[1-4]。与此同时，低能离子注入的当代刺激效应也能够促进微生物和植物生长，这些作用对于物种的改良都十分重要。然而，关于低能离子注入对植物根部微生物影响的研究很少，限制它的应用。丛枝菌根真菌(ArbuscularMycorrhizalfungi，A
安徽农业科学 2018年26期2018-09-19
- 采用离子注入法对铁和铝合金表面改性专利技术发展趋势
文分析了采用离子注入法对金属表面改性的国内外专利申请文献，梳理了该领域的技术发展路线，归纳出国内外核心专利特点以及研发热点，同时对该领域未来发展趋势进行了预测。关键词：离子注入；表面改性；核心专利中图分类号：TG174.445 文献标识码：A 文章编号：1003-5168（2018）21-0055-03Patent Overview of Metal Surface Modification by Ion ImplantationYU Huize ZHAO
河南科技 2018年21期2018-09-10
- 采用离子注入法对金属表面改性专利技术综述
于慧泽摘要：离子注入技术属原子级表面加工技术，其具备改性效果明显、效率高、可控性和可操作性强、无污染等优点，在金属材料、半导体器件、医用抗菌等众多领域应用广泛。本文分析了采用离子注入法对金属表面改性的国内外专利申请文献，分析了该领域的专利申请量，归纳出申请人国别和应用领域分布，同时对该领域未来发展趋势进行了预测。关键词：离子注入；金属；表面改性；核心专利中图分类号：TG174.44 文献标识码：A 文章编号：1003-5168（2018）24-0052-0
河南科技 2018年24期2018-09-10
- Eu掺杂GaN薄膜的阴极荧光特性
进一步研究。离子注入是一种可精确控制掺杂浓度的方法，在本工作中，我们采用离子注入方法在GaN基质中进行了Eu离子的掺杂，退火后，Eu离子得到了活化。我们采用阴极荧光对Eu掺杂GaN的发光特性进行了表征，对其中的能量传递机制进行了深入分析。2 实 验采用MOCVD方法生长的氮化镓[0001]方向的薄膜作为Eu离子注入的基质，离子注入的能量为200 keV，注入方向与表面成10°夹角，注入剂量为1×1015atom/cm2。注入后，对样品在常压流动氨气下进行了
发光学报 2018年9期2018-09-10
- 离子注入对杉木幼苗光合生理的影响
种选育周期。离子注入的生物效应最早发现于20世纪80年代，近年来随着离子注入技术的提高，在生物材料领域特别是农业和林业领域取得了大量的成果[12]，研究发现离子注入种子、芽等材料后，不仅能提高作物的产量、品质，而且结果具有高突变率和广突变谱的特点，是比太空辐射和放射性同位素辐射更为安全经济的诱变新途径。由于氮元素也是生物材料的重要组成元素，且氮离子容易获得，因此氮离子注入是多年来主要采用的离子源；同时研究发现，同氮离子相比，钛离子的诱变效果更佳[13-14
江西农业大学学报 2018年2期2018-05-04
- 半导体与多种异质结构的磁性与调控
磁性调控 离子注入1 材料的铁磁性半导体材料中，要遵守两个原则，才能选出最佳的自旋性质的材料。（1）铁磁性因为300k的居里温度，也就是室温下依然具有磁性。（2）因为材料的众多应用广泛性所以可以作为自旋电子材料的最佳选择，比如激光器领域，都曾使用砷化铟、砷化镓以及砷化锰，而且比如砷化镓也都广泛使用在数字电子领域，红外发光的二极管等，可见之前的研究都集中于此。两大体系（In，Mn）As（居里温度等于35k）和（Ga，Mn）As（居里温度等于110），就是重
电子技术与软件工程 2018年9期2018-02-25
- MEVVA源离子注入机控制系统的实现
改性技术通过离子注入方法改变金属材料表面层的物理结构和化学成分，改善其耐磨性和耐腐蚀性，增加表层接触疲劳寿命。离子注入技术具有不改变零件尺寸、注入层不会剥落以及可控性好等优点，广泛应用于各类精密零件加工。我们曾研制了双元素离子注入机，使工件的摩擦系数、硬度、耐腐蚀性均有显著提高，额定寿命提高到了5.83倍[1]。为了提高注入质量和工作效率，我们又研发了更大电流的多工位双元素离子注入机，并使用可编程控制器和上位组态软件来实现自动化控制、实时监控和数据存储。双
制造业自动化 2017年9期2018-01-18
- 离子注入对杉木种子发芽质量及保护酶活性的影响
间［47］。离子注入作为一种新的育种手段，跟航天育种相比具有成本低、效率高的优点，近年来得到了广泛的应用，并在农作物及林木育种上取得了一定的成功［811］。将离子注入杉木的研究表明，离子注入对杉木苗木生长具有明显的促进作用，但对于杉木种子发芽及发芽生理的研究未见报道，以杉木种子为试材，探索不同离子注入处理对种子发芽率及种子萌发过程中生理酶活性的影响，其结果为杉木良种选育及遗传改良提供了新的途径。1 材料与方法1.1 实验材料杉木种子采自湖南攸县2代杉木种子
种子 2017年9期2018-01-17
- 埋氧离子注入对P型部分耗尽SOI电学与低频噪声的影响
640）埋氧离子注入对P型部分耗尽SOI电学与低频噪声的影响陈海波1，刘 远2,3，吴建伟1，恩云飞2（1.中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡214072；2.工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室，广州510610；3.华南理工大学微电子学院，广州510640）针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究，分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响，并预测其稳定性的变化。首先，对离
电子与封装 2017年10期2017-10-24
- 离子注入不动杆菌的降解特性
行诱变，测量离子注入前后不动杆菌对石油烃的降解率，并研究其降解能力和降解机理。[结果]当N+的注入能量和注入剂量分别为15 keV和8.0×1015 ions/cm2时，不动杆菌的降解率可提高至95.03%；利用该注入参数对出发菌种a8进行3次连续诱变后，获得1株能有效降解59种烷烃的突变菌株AQ-15；结合分子生物学技术，对AQ-15降解长链石油烷烃的酶AlmA基因进行分析，发现酶结合位点之一的47th氨基酸由原来的天冬氨酸（Asp，D）变为甘氨酸（Gl
安徽农业科学 2017年7期2017-08-13
- 钟表行业先进离子镀膜技术发展趋势
离子镀技术、离子注入化学沉积技术、离子注入与磁过滤复合技术和高功率磁控溅射技术四大新兴先进离子镀膜技术的技术工艺特点及其在钟表行业和表面处理改性行业内的应用前景。关键词：钟表；离子镀；磁过滤；离子注入；镀膜1 概述现代钟表产品愈加青睐新材质的应用与设计，这也是现代钟表产品顺应市场需求和客户体验的直观表现。不锈钢表面纳米薄膜涂层具有低摩擦、高耐磨、高耐蚀和高生物相容性等技术特点，因此在国外中高端手表产品已广泛应用。然而，当前钟表行业广泛采用的离子镀膜材料所面
科技创新与应用 2017年8期2017-04-26
- Gd离子注入对固溶态Mg-Nd-Sr-Zr合金生物腐蚀行为的影响
董强胜Gd离子注入对固溶态Mg-Nd-Sr-Zr合金生物腐蚀行为的影响陶学伟1, 2，王章忠1, 2，章晓波1, 2，巴志新1, 2，董强胜1, 2(1. 南京工程学院材料工程学院，南京211167；2. 南京工程学院江苏省先进结构材料与应用技术重点实验室，南京211167)对固溶态Mg-Nd-Sr-Zr合金进行了钆(Gd)离子注入改性处理；采用SRIM 2008软件对Gd离子注入过程进行了模拟分析；采用光学显微镜(OM)观察了镁合金的显微组织，并利用X
中国有色金属学报 2016年11期2016-12-13
- 氮离子注入表面改性PBO薄膜及其性能
0237）氮离子注入表面改性PBO薄膜及其性能涂先兵， 徐雨强， 林家豪， 季已捷， 庄启昕 （华东理工大学材料科学与工程学院，特种功能高分子材料及相关技术教育部重点实验室，上海200237）利用70 ke V能量的氮离子对聚苯并二噁唑（PBO）薄膜进行常温下离子注入表面改性，注入剂量（每平方厘米注入的氮离子数）从1×1015N+/cm2到5×1016N+/cm2。采用红外（FTIR）、拉曼（Raman）、光电子能谱（XPS）及原子力显微镜（AFM）对其表
功能高分子学报 2016年2期2016-10-26
- 离子注入技术在n型电池p-n结制备中的应用
张治 郭灵山离子注入技术在n型电池p-n结制备中的应用黄河水电光伏产业技术有限公司■ 郑璐*何凤琴 卢刚 张治 郭灵山介绍了离子注入制备n型电池p-n结的工艺原理及工艺特点，通过对n型硅片和p+发射极主要参数进行模拟分析，得到高效n型电池性能参数的范围及趋势；并对比不同离子注入剂量对n型电池p-n结方阻、implied Voc及J0e的影响，确定了制备高质量n型电池p-n结的离子注入剂量。离子注入；n型硅片；n型电池；p-n结0 引言随着全球能源消费的不断
太阳能 2016年7期2016-09-23
- Mo离子注入对纯铜表面纳米层稳定性的影响
44)Mo离子注入对纯铜表面纳米层稳定性的影响郗旸1，张淇萱1，李才巨1，谭军1，朱心昆1，王刚2，易健宏1(1 昆明理工大学 材料科学与工程学院，昆明 650093；2 上海大学 微观结构实验室，上海 200444)采用表面机械研磨处理(SMAT)对纯铜进行表面改性，通过金属蒸汽真空弧离子注入技术在纳米表层注入Mo离子。利用光学显微镜(OM)、X射线衍射分析仪(XRD)和扫描电镜(SEM)观察SMAT处理效果，表面存在纳米层和变形层，通过原子力显微镜(
材料工程 2016年8期2016-09-02
- 平行束磁透镜的研究
11）摘要：离子注入机单纯的静电扫描造成注入角度的不一，已经不能满足器件性能的一致性要求，所以产生平行的离子束就很重要，为此介绍一种均匀磁场下的平行束磁透镜，可以产生近似平行的离子束；获得离子束的平行度小于0.43°，满足大规模集成电路制造生产线的使用要求。关键词：磁透镜；平行束；离子注入离子注入是现代集成电路制造中的一种非常重要的技术。离子注入的工艺要求主要包括：均匀性、可重复性、能量纯度、注入角度准确性、杂质污染等。注入角度准确性是衡量注入工艺质量的一
电子工业专用设备 2016年7期2016-08-05
- Ti离子注入SiO2合成TiO2纳米颗粒及其光学性质
75）Ti离子注入SiO2合成TiO2纳米颗粒及其光学性质刘晓雨1穆晓宇1贾光一1刘昌龙1,2,31（天津大学理学院 天津 300072） 2（天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室 天津 300072） 3（北京师范大学射线束与材料改性教育部重点实验室 北京 100875）摘要将105 keV的Ti离子注入到SiO2玻璃至1´1017、2´1017cm‒2，并在氧气气氛下进行热处理，借助紫外可见分光光度计、掠入射X射线衍射光谱仪、透射电子显微镜、原
辐射研究与辐射工艺学报 2016年2期2016-05-13
- 离子注入机的辐射防护措施在环评与验收阶段的可行性分析
可新1 概述离子注入机是通过控制不同离子的注入来实现不同离子与物质的作用从而改变材料成份的仪器。某大学能源学院由于科研需要，拟在学院二楼的静电实验室新建一座离子注入机，由学校自筹资金从美国国家静电公司（NEC）定制一台高能、中束流型离子注入机，用于辐照环境下材料的辐照损伤模拟实验。离子注入机的使用在国内尚未大范围普及，而此台离子注入机还是定制的。因此，该机构在离子注入机安装前进行了环境影响评价预测，安装试运行后进行验收监测。设备在试运行的验收阶段，根据实际
海峡科学 2016年6期2016-02-08
- 离子注入技术与设备常见故障分析
50051)离子注入技术与设备常见故障分析曹健(中国电子科技集团公司第十三研究所，河北石家庄050051)介绍了离子注入技术的特点及其原理，在分析介绍其设备种类的基础上，简要概述了离子注入设备的基本结构，详细分析了影响注入工艺的各种因素，根据多年的设备维护经验，总结归纳了离子注入机的常见故障，并提出了各种故障的处理措施。离子注入；离子束；束流；聚焦与扫描离子注入是现代集成电路制造中的一种非常重要的掺杂技术，它以离子加速的方式将掺杂元素注入到半导体晶片内部，
电子工业专用设备 2015年5期2015-07-18
- 硬质合金表面改性研究现状与展望
面涂层技术、离子注入技术、载能束辐照技术等表面改性技术在硬质合金表面强化方面的研究现状，并展望了硬质合金表面改性技术的发展趋势。[关键词]硬质合金；表面改性；表面涂层；离子注入；载能束辐照技术[文章编号]1673-2944(2015)03-0008-06[中图分类号]TG142收稿日期：2014-12-12基金项目：陕西省教育厅科学研究计划项目(14JK1149)；陕西理工学院科研基金资助项目(SLGQD14-12)作者简介：张锋刚(1982—)，男，陕西
陕西理工大学学报(自然科学版) 2015年3期2015-04-10
- 平面PN结InSb红外焦平面探测器的研究
究了基于Be离子注入技术的平面型和Cd扩散技术的台面型锑化铟红外焦平面阵列(IRFPA)探测器芯片工艺流程。并进行了芯片I-V、成像结果等对比测试,Be离子注入平面型器件和扩散台面型芯片的性能水平相当,具备一定的工程应用水平。锑化铟,离子注入,红外焦平面阵列探测器,平面结1 引 言InSb焦平面红外探测器技术在近20年以来取得了飞速发展,已经进入了成熟应用期,目前正向着高分辨率、小尺寸、数字化等方向发展[1-4]。在器件结构上通常采用台面型和平面型两种方式
激光与红外 2015年7期2015-04-06
- 上海微系统所在层数可控石墨烯薄膜制备方面获进展
体系，并利用离子注入技术引入碳源，通过精确控制注入碳的剂量，成功实现了对石墨烯层数的调控。研究人员围绕石墨烯层数的控制问题，结合Ni和Cu在化学气相沉积（CVD）法中制备石墨烯的特点，利用2种材料对碳溶解能力的不同，设计了Ni/Cu体系（即在25μm厚的Cu箔上电子束蒸发1层 300nm的Ni），并利用半导体产业中成熟的离子注入技术将碳离子注入到Ni/Cu体系中的Ni层中，通过控制注入碳离子的剂量（即4×1015个原子/cm2剂量对应单层石墨烯，8×101
军民两用技术与产品 2015年15期2015-03-09
- 离子注入表面改性
离子注入属于物理气相沉积范围，是将所需物质的离子在电场中加速后高速轰击工件表面，并使之注入工件表面一定深度的真空处理工艺。离子注入将引起材料表层成分和结构发生变化，以及原子环境和电子组态等微观状态的扰动，因而导致了材料的各种物理、化学和力学性能的变化。离子注入表面改性特征如下:1)采用离子注入法可能获得不同于平衡结构的特殊物质，是开发新型材料的非常独特的方法。2)离子注入温度和注入后的温度可以任意控制，且在真空中进行，不发生氧化，不变形，不产生退火软化现象
制造技术与机床 2015年3期2015-01-27
- 离子注入技术在高效晶硅太阳电池中的应用
情况等方面对离子注入技术进行分析。图2 晶硅太阳电池的效率损失机理图1 离子注入工艺原理当真空中有一束离子束射向一块固体材料时，受到固体材料的抵抗而速度慢慢减低，并最终停留在固体材料中，这一现象称为离子注入[4]。在硅片中注入相应的杂质原子(如硼、磷、砷等)，可改变其表面电导率或形成p-n结。常规晶硅电池通过高温扩散的方式制备p-n结。高温扩散是热化学反应和热扩散运动的结合，p-n结质量受化学结合力、扩散系数和材料固溶度等因素的限制，且长时间的高温过程会对
太阳能 2014年5期2014-05-12
- 批处理离子注入机台锥角效应及注入角度对产品的影响
03）批处理离子注入机台锥角效应及注入角度对产品的影响朱红波1，周祖源2，何永根2，秦宏志1（1. 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，北京 100176；2. 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，上海 201203）研究主要聚焦在批处理离子注入机台的沟道效应和锥角效应，以及阐述由于这些效应导致的晶圆片上的均匀性问题和产品上的良率损失。对于高能量离子注入，如果离子注入角度设定为0°会导致严重的沟道效应，但是大角度设定又会导致光刻胶的阴影效应，所以对于注
电子与封装 2014年12期2014-03-22
- 离子注入对伞树种子发芽的影响
和Ti 2种离子注入的不同处理，测定其发芽率的变化，从而探索离子注入与伞树种子发芽率之间的关系，为栽培实践提供参考。1 材料与方法1.1 材 料伞树种子(采自埃塞俄比亚)、细河沙、珍珠岩、红土。1.2 仪 器LZD-1000型离子注入机(成都同创材料表面新技术工程中心)、恒温培养箱、培养皿等。1.3 方 法1.3.1 离子注入离子注入试验在中南林业科技大学离子注入实验室进行。选取大小一致、颗粒饱满的伞树种子，用LZD-1000型离子注入机进行处理。注入能量
经济林研究 2014年2期2014-01-22
- 离子注入对伞树幼苗叶绿素含量的影响
测定N和Ti离子注入的不同处理中伞树幼苗叶绿素含量的变化，研究离子注入与伞树叶绿素含量之间的变化关系，旨在为生产实践提供参考。1 材料与方法1.1 试验材料伞树种子(采自埃塞俄比亚)、80％丙酮、石英砂、碳酸钙粉。1.2 试验仪器LZD-1000型离子注入机(成都同创材料表面新技)、755型紫外可见光光度计、电子天平(感量0.01g)、研钵、棕色容量瓶、小漏斗、定量滤纸、吸水纸、擦镜纸、滴管等。1.3 试验方法1.3.1 试验材料的处理离子注入处理在中南林
经济林研究 2014年1期2014-01-19
- 高能氧离子注入LN晶体光波导的色心形成
薄膜沉积以及离子注入等。离子注入法对衬底材料结构的选择性较低，可在光学晶体、玻璃等光学材料上形成了光波导，成为制备光波导的有效手段。由于材料的吸收、散射，在波导内传播的光的强度会逐渐减弱，即波导材料的吸收损耗。这主要由导波层、包层和衬底对于导模的吸收引起，是材料中杂质离子的吸收、色心以及材料的本征吸收。吸收损耗与波导的各层材料的缺陷有关，包括体材料缺陷与波导制备过程中引入的缺陷，这些缺陷会导致光在波导传播过程中的散射引起的损失[1]。注入离子与材料中的电子
核技术 2012年5期2012-10-16
- Ta离子注入Ti6Al4V合金的抗腐蚀性能
是膜基结合。离子注入对解决这一问题有独特优势，注入元素与基体溶为一体，不形成新界面，不存在膜脱落问题。能在原子级范围内调整材料表面的成分和结构，从而精确控制材料表面和界面特性。Steve等[10–13]用 Y、Rh、Hf、Pt、Pd、Ir、Au离子注入改善 Ti6A14V的耐腐蚀性，但仍存在非完全生物相容性的问题。钽有很好的生物相容性，尤其是优良的血液相容性，具有优异的化学稳定性与抗生理腐蚀性，成为制作外科植入物的理想材料[14,15]。但价格昂贵，广泛应
核技术 2012年2期2012-10-16
- N+离子注入对辣椒生长特性的影响
032）N+离子注入对辣椒生长特性的影响蔡长龙，梁海锋，马睿，严一心（西安工业大学离子束生物工程与生物多样性研究中心，710032）采用生物改性离子注入设备对辣椒干种子进行了N+离子注入，研究了N+离子注入工艺参数及其对辣椒种子出苗时间、生长特性的影响。试验结果表明，离子注入能量和注入剂量是影响辣椒种子出苗时间的重要工艺参数，并且对辣椒后期的生长特性如茎高、叶片大小及外形有重要影响，另外，研究获得了使辣椒产生变异的基本工艺参数及其变化规律。N+离子注入；辣
长江蔬菜 2012年20期2012-03-29
- Co离子注入对ZnO纳米棒物理性质的影响
011)Co离子注入对ZnO纳米棒物理性质的影响吕 健，许 磊(华北水利水电学院 数学与信息科学学院 河南 郑州 450011)采用离子注入方法对ZnO纳米棒阵列进行Co离子掺杂，对比分析未掺杂的和Co离子注入后的微观结构的变化．通过室温光致发光测试比较发现两类样品具有显著不同的结果，分析得出与离子注入后氧空位缺陷的增加有关．同时磁学性能的测试结果表明富含氧空位缺陷的掺杂后的样品有利于实现铁磁性．氧化锌； 光致发光； 铁磁性0 引言Ⅱ-Ⅵ族重要的氧化物半导
郑州大学学报（理学版） 2011年3期2011-12-02
- 子莲种子离子注入诱变效应的初步观察
所）子莲种子离子注入诱变效应的初步观察唐记平1，杨良波2，邹东旺1，刘凰1，徐金星2，欧阳冬梅1，刘春华2，谢克强1（1.江西广昌县白莲产业发展局，344900；2.广昌县白莲科学研究所）自2000年以来，江西省广昌白莲科研所多次开展子莲离子注入诱变育种试验，以第3次离子注入试验为背景，以京广1号、风卷红旗、太空莲36号3个品种的313粒种子为诱变对象，对用离子束诱变育种中出现的变异和生物效应进行了初步观察。试验结果表明，离子注入对子莲种子萌发、胚芽生长和
长江蔬菜 2011年16期2011-03-22
- 第十一届等离子基离子注入与沉积国际会议征稿通知
一届等离子基离子注入与沉积国际会议(The 11th International Workshop on Plasma-based Ion Implantation & Deposition, PBII&D 2011)将于2011年9月8～12日在黑龙江省哈尔滨市举行，同时举行产品展览。欢迎大家积极投稿，同时欢迎各参展单位联系展览。会议组织单位为哈尔滨工业大学和先进焊接与连接国家重点实验室等。会议的主要内容包括：等离子基离子注入与沉积（PBII&D）；高功
中国有色金属学报 2011年3期2011-02-14
- 氦离子注入对Ti6Al4V合金组织和力学性能的影响
4109)氦离子注入对Ti6Al4V合金组织和力学性能的影响陈善华1,吴 勇2,G.Schumacher3(1成都理工大学材料与化学化工学院,成都610059;2成都理工大学地质灾害防治与地质环境保护国家重点实验室,成都610059; 3亥姆霍兹材料与能源研究中心,德国柏林14109)在室温和400～700℃条件下,采用1×1017ions/cm2注入剂量和200keV加速电压对Ti6Al4V合金进行了氦离子注入。分别采用纳米硬度仪和X射线衍射方法对Ti6
材料工程 2010年5期2010-09-04
- 离子注入结合航天搭载对莲的诱变效应
合作，开展了离子注入结合航天搭载诱变育种试验，并获得一些有益变异，试验结果如下。1 材料与方法1.1 试验材料搭载材料有完全成熟的莲种子（包括子莲、花莲品种及育种单株种子）或进行离子束注射预处理种子，共计20个样品材料，314粒种子，其中有16个处理的168粒种子，在2004年春由北师大核物理所进行离子注入预处理，处理品种及剂量见表1。1.2 试验方法2004年9月27日将上述种子搭载我国第20颗返回式卫星，在轨道运行18 d，种子回收后常温保存。2005
长江蔬菜 2010年14期2010-06-19
- 国产65nm大角度离子注入机进入晶圆生产线
5nm大角度离子注入机进入中芯国际 (北京)集成电路制造有限公司，开始接受国际主流生产线的技术测试与器件工艺检验，为这一国产集成电路制造装备实现重大技术跨越作最后的冲刺。据了解，这是国产高端离子注入机首次进入300mm主流生产线，表明国内的离子注入机研制已经逐步达到世界主流技术水平。北京中科信公司研制的65 nm大角度离子注入机以满足大规模生产线65nm制程工艺需求为目标，以提升产品工艺性能、整机可靠性及降低成本消耗为设计理念。在不到两年的时间里，北京中科
电子工业专用设备 2010年11期2010-04-04
- 离子注入技术及其在籽莲育种上的应用研究
物理研究所）离子注入技术及其在籽莲育种上的应用研究刘凰 邹东旺 唐记平 刘春华 张香莲 杨良波 徐金星 谢克强 苏颖 张涛（1.广昌县白莲科学研究所，江西广昌，344900；2.北京师范大学低能核物理研究所）简要介绍了离子注入的方法、作用机理及特点，并利用离子注入籽莲种子为诱变源，分析了用离子束诱变育种中出现的变异和生物效应，初步探讨了籽莲通过离子诱变处理获得改良新品种（系）的方法，并对选育的籽莲品种进行了简述。离子注入 籽莲 生物学效应 品种改良离子注入
长江蔬菜 2009年16期2009-04-06