伴中央颞区棘波的自限性癫痫脑电图特征及睡眠中癫痫电持续状态危险因素分析*

2023-12-21 09:58毛云青刘龙芳杨萍萍
罕少疾病杂志 2023年12期
关键词:中央区脑电图癫痫

毛云青 刘龙芳 杨萍萍

新乡医学院第一附属医院功能检查科 (河南 新乡 453100)

伴中央颞区棘波的自限性癫痫(SeLECTS)是儿童期较为常见的局灶性癫痫,主要临床表现为口、咽部和一侧面部阵性抽搐,常伴有舌部僵直感,言语和吞咽困难,目前临床上需依靠脑电图等方式对伴中央颞区棘波的自限性癫痫进行诊断,一般预后效果良好[1-2]。睡眠中癫痫电持续状态(ESES)是指由睡眠诱发的接近持续棘慢波发放的一种特殊脑电波现象,在SeLECTS发作期出现频率较高[3]。相关研究认为[4],SeLECTS出现ESES现象最终会导致患儿出现不同程度的认知倒退及精神行为异常等情况,为分析SeLECTS患儿出现ESES现象的危险因素,本文做了以下研究。

1 资料与方法

1.1 一般资料回顾性分析2021年2月至2022年9月收入本院进行治疗的SeLECTS患儿100例。

纳入标准:经符合SeLECTS临床诊断依据者[5];年龄≤12岁;至少发生一次典型症状者;头颅MRI和头颅CT正常者。排除标准:存在抗癫痫药物过敏史者;存在先天性认知功能障碍者;其他原因导致癫痫发作者。最后将选取的100例,根据患儿是否发生ESES将其分为观察组和对照组,其中观察组纳入44例,对照组纳入56例。

1.2 检测方法所有患儿均进行采用脑电图仪(日本光电1200C)进行24h视频脑电图监测检查,依据10-20国际标准导联系统确定电极安放位置,对电极进行记录,至少记录两个完整的清醒-睡眠周期,依据电极安放位置确定矢状线和冠状线。

1.3 观察指标比较两组患儿的一般资料,包括年龄等临床信息。比较两组患儿的睡眠中放电侧别和部位,根据脑电图放电侧边比较单侧还是双侧放电,根据脑电图放电部位比较左侧、右侧、高位中央区以及低位中央区。

1.4 统计学方法本文所有数据的均采用SPSS 22.0软件进行统计分析,计数资料采用百分比(%)表示,采用χ2检验,计量资料采用平均数±标准差以(±s)形式表示,采用t检验。采用多因素Logistic回归分析患儿睡眠中癫痫电持续状态的危险因素,均以0.05为划分标准。

2 结 果

2.1 一般资料比较两组患儿的年龄、性别、首发年龄、高热惊厥史以及癫痫家族史均无显著统计学意义(P>0.05),观察组患儿治疗后复发比例显著高于对照组,差异有统计学意义(P<0.05),见表1。

表1 两组患儿的一般资料比较[例(%)]

2.2 睡眠中放电侧别和部位分析观察组双侧放电人数和低位中央区放电人数均显著高于对照组(P<0.05),两组患儿脑部左右侧无显著统计学意义(P>0.05),见表2。

表2 两组患儿睡眠中放电侧别和部位比较[例(%)]

2.3 多因素Logistic回归分析Logistic回归分析显示,治疗后复发和脑电图放电侧边与ESES的发生具有显著相关性(P<0.05),脑电图放电低位中央区不是ESES的发生的独立危险因素(P>0.05),见表3。

3 讨 论

SeLECTS是儿童期常见的特发性癫痫综合征,在青春期可自行缓解,被临床认为是预后较好的儿童癫痫综合征之一[6-7]。临床上一般通过脑电图协助诊断,中央颞区棘波是SeLECTS患儿的典型脑电图,在病情发作过程中,脑电图背景活动不会出现明显异常,且具备正常的睡眠结构,部分患儿会出现ESES,ESES是大脑神经元放电引起的中枢失常,由于异常放电的传递方式或起始部位不同,导致对患者的临床表现也不同[8-10],且相关研究证实,ESES可影响神经突触的建立和形成,损坏神经环路,影响儿童语言表达、警觉性等能力,对患儿造成不同程度的认识倒退等不良结局[11]。本次研究结果显示,观察组患儿治疗后复发比例显著高于对照组,差异有统计学意义,且Logistic回归分析显示,治疗后复发和ESES的发生具有显著相关性,这是因为:(1)SeLECTS患儿治疗后复发会导致中央颞区棘波持续发放形成ESES,导致正常的睡眠波受到干扰,正常睡眠波多以慢波活动为主,慢波活动长时间受到干扰会影响脑代谢及生化活动,对患儿的认识行为和神经系统的发育产生不利影响[12-14]。

本次研究还发现,脑电图放电侧边与ESES的发生具有显著相关性,脑电图放电低位中央区不是ESES的发生的独立危险因素,分析其原因:(1)SeLECTS患儿致痫区和远程网络中,疾病发作期间,双侧大脑均放电会进一步加重了组织结构的紊乱,因此产生ESES现象[15-16];(2)高位中央区放电主要与局限性手的症状有关,而低位中央区主要与口咽部等症状有关,而部分伴有ESES的SeLECTS患儿的临床症状中并无典型的手或者口咽部的症状出现,由此可见SeLECTS患儿出现ESES的发生与放电的高低位区无显著关系[17-18]。

综上所述,治疗后复发和脑电图放电侧边是SeLECTS患儿发生ESES的独立危险因素,临床上可针对患儿的病情采取不同的措施进行治疗,以达到减少ESES发生的目的,可有效减少患儿认知功能受到损伤。

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