高热惊厥患儿额颞叶区脑电图特点与癫痫的发生及神经发育不良的关系*

师海玲 陈红敏 贾 静

河南省儿童医院 郑州儿童医院 郑州大学附属儿童医院 郑州市儿童感染与免疫重点实验室，河南省郑州市 450018

小儿高热惊厥(Febrile Seizure，FS)是目前临床中常见小儿惊厥性疾病[1]，有研究结果显示，FS的临床中持续时间低于10～15min时，潜在的癫痫发作及智能损害与FS无明显关系[2]。但也有学者指出，临床中FS持续时间低于10～15min患儿仍可能发展为反复发作或癫痫，甚至可能导致患儿出现性格异常、智能低下等后遗症[3]。临床中若患儿出现热性惊厥后不及时进行干预和治疗，则可能导致患儿病情恶化出现癫痫[4-5]。脑电图(Electroencephalogram，EEG)是临床中常见的FS发作后常规检查项目，得到儿科临床医师的共识[6]。虽然美国FS临床工作指南中不建议使用EEG对单纯性FS患儿进行常规检查，但也有学者认为FS患儿出现癫痫后会出现脑部额叶区EEG异常等[7]。因此热性惊厥后患儿EEG检查分析探讨EEG异常的热性惊厥与癫痫发生的关系具有十分重要的意义[8]。因而本研究以我院收治的高热惊厥患儿作为研究对象，探讨高热惊厥患儿额颞叶区脑电图特点与癫痫的发生及神经发育不良的关系。

1 资料与方法

1.1 一般资料 经我院伦理委员会审议并批准，将我院2017年1月—2019年12月间收治的100例符合入组标准的FS患儿作为研究对象，将所有患儿分为EEG正常组(n=63)和EEG异常组(n=37)。选择标准：(1)符合热性惊厥相关的诊断标准[9]；(2)所有患儿均采取EEG扫描检查；(3)确诊高热惊厥；(4)符合惊厥判定标准[10]；(5)患儿家属知情并签署知情同意书。排除标准：(1)存系统性代谢性紊乱的患儿；(2)合并中枢系统感染患儿；(3)合并严重肝肾功能障碍患儿；(4)合并有电解质紊乱患儿；(5)临床资料缺失或主动申请退出本研究。

1.2 方法 所有患者均在入组后住院期间FS后1周内采用脑电图仪对患者进行EEG检查1次，16导镀银盘状电极依照10-20国际系统进行安放和记录，参考电极为双侧耳电极，电极使用火棉胶或电极膏涂抹并固定，对受试者睡眠状态及事件进行详细标记和记录，采用多种导联方式对数据进行转换和分析。检查时间至少为1个完整睡眠周期，时间4～6h，所有操作和分析均由儿科EEG医师独立完成。EEG异常的特征分类主要包括背景活动异常(两半球间不对称、低电压、电静息、中央区正相尖波、暴发—抑制、弥漫性δ波等)、阵发性异常(多灶性发作期图形、局灶性发作期图形、低电压背景低频放电、单一节律发放)、睡眠结构异常(睡眠结构改变、睡眠周期异常、成熟性异常、脑电活动成熟延迟)。对患儿进行为期1年的随访，详细记录癫痫发作情况，并在随访1年时行CT扫描检查，依照三脑室宽度、哈氏值、侧脑室体部指数、脑室指数、前角指数、侧脑室宽度指数等参数，参照《中国修订韦氏儿童智力量表手册》[11]认知功能评定标准对患儿的神经发育功能进行评估。

2 结果

2.1 EEG正常组和EEG异常组临床资料比较 EEG正常组和EEG异常组两组患儿性别、热性惊厥持续时间、热性惊厥再发次数、热性惊厥再发、惊厥类型、热性惊厥家族病史、发病年龄、癫痫家族病史例等临床资料无明显差异(P>0.05)，两组受试者临床资料具有可比性。见表1。

2.2 癫痫患儿EEG异常发生情况调查结果 癫痫组FS患儿EEG异常发生率明显高于无癫痫组，差异有统计学意义(P<0.05)，见表2。

表2 癫痫患儿EEG异常发生情况调查结果

2.3 神经发育不良EEG异常发生情况调查结果 神经发育不良组 EEG异常发生率明显高于神经发育正常组，差异有统计学意义(P<0.05)，见表3。

表3 神经发育不良EEG异常发生情况调查结果

2.4 EEG异常与FS患儿癫痫和神经发育不良关系 EEG异常与FS患儿癫痫和神经发育不良均存显著正相关关系(r=0.732、0.691，P=0.031、0.023<0.05)。

2.5 EEG异常影响癫痫的发生及神经发育不良的作用 EEG异常是影响FS患儿癫痫和神经发育不良发生的独立性威胁因素(P<0.05)，见表4。

表4 EEG异常影响癫痫的发生及神经发育不良的作用

3 讨论

FS是目前临床中较为常见的小儿时期惊厥性疾病，其临床研究发现FS患儿极可能导致出现无热惊厥或癫痫[12]。FS属于常见的小儿惊厥类型之一，多数FS患儿均具较好预后，一般情况下FS主要出现在上呼吸道感染或其他类型感染性疾病初期，且FS临床发病机制尚未揭示[13]。目前相关研究显示，感染、遗传、发热、年龄因素均是导致FS发生和发展的重要因素[14]。FS患儿主要临床表现为突发全身性或局限性肌群强直性或阵挛性抽搐，患者常伴随出现意识障碍，但一般情况下发作时间较短，且发病前可能伴随出现咳痰、发热、咳嗽等呼吸道症状或急性感染症状[15]。

临床上FS患儿发作后常采用血生化、脑电图等检查方案分析，并尽可能排除导致惊厥发生的疾病，其中EEG是最为常见也十分准确的诊断癫痫的方法，并对指导临床中抗癫痫药的应用具有明确的指导意义[16]。有研究指出，FS可能导致长期增强脑内海马神经元兴奋性，导致海马硬化、损伤、萎缩导致患者出现癫痫[17]。研究资料显示，FS患儿发作后EEG异常率波动性大，且目前临床中并未将EEG作为单纯性FS发作后常规检查方法[18]。虽然目前临床中EEG异常与癫痫出现的相关性存较大争议，但EEG异常与患儿长期预后质量的关系也未见报道。研究表明，癫痫样放电和局灶性慢波均是FS患儿出现癫痫的主要威胁因素，其中额叶区EEG异常是患儿临床长期预后出现不良事件的重要威胁因素之一[19]。

本组研究结果显示，癫痫组FS患儿EEG异常发生率明显高于无癫痫组，神经发育不良组FS患儿EEG异常发生率明显高于神经发育正常组。进一步分析FS患儿EEG异常与癫痫和神经发育不良的关系发现，EEG异常与FS患儿癫痫和神经发育不良均存显著正相关关系，且多因素分析发现，EEG异常是影响FS患儿癫痫和神经发育不良发生的独立性威胁因素。额颞叶区EEG异常多提示FS患儿出现脑损伤，且可能伴随出现急性海马损伤，导致海马萎缩，进而引起癫痫发作或神经发育不良。此外，动物实验研究结果表明，EEG异常的FS大鼠模型其脑内神经元减少情况并不明显，但海马区神经元超微结构细胞皱缩，嗜银深染且电子密度增高，因而可能出现急性神经元损伤，导致长期增强海马神经元兴奋性，进而诱发癫痫发作和神经发育不良。

综上所述，高热惊厥患儿额颞叶区脑电图异常与癫痫和神经发育不良均存显著正相关关系，且是影响FS患儿癫痫和神经发育不良发生的独立性威胁因素。但本研究随访周期较短，且未对患儿出现癫痫及神经发育不良的深入机制进行系统性探讨，有待后续深入追踪和分析。