陈顺生,何红伟,张婷婷,王 健,胡守远
(湖北理工学院 数理学院,湖北 黄石 435003)
当前,环境污染和能源匮乏问题日益突出。光催化技术作为一种有效的解决途径被广泛研究。在众多光催化剂中,TiO2因具有无毒、催化活性高、氧化能力强、稳定性好等特点而备受关注[1-2]。然而,TiO2带隙较宽(锐钛矿3.2 eV,金红石相3.0 eV),只能吸收太阳光谱中波长小于386 nm的部分紫外光,而紫外光在太阳光谱中的占比不到5%,使得TiO2对太阳光的利用率较低。因此,开发可见光响应的新型光催化剂材料成为了新的研究焦点。
与传统的金属氧化物材料相比,金属硫化物因禁带宽度窄、可见光吸收能力强等特点受到国内外学者的广泛关注。研究结果表明,调节多元金属硫化物光催化剂的化学组成,能够调控其能带结构,使其吸收边发生红移,从而有效提高多元金属硫化物对太阳光的利用率,提高光催化效率和光催化性能[3]。三元硫化物ZnIn2S4作为AB2C4族的唯一带有层状结构的光催化材料,具有合适的带隙结构(2.1~2.8 eV)、稳定的化学性质、优异的光电化学性能等特点。Shang等[4]以多元醇介导高温注入法合成了由超薄介孔纳米片组成的微球状ZnIn2S4光催化剂。Li等[5]通过甲醇溶剂热法制备了一系列具有六方晶相和微球、微管和微带结构的ZnS-ZnIn2S4光催化剂。Chen等[6]制备了六方晶系的ZnIn2S4微米球和立方晶系的ZnIn2S4纳米颗粒。
CaIn2S4作为另一个典型的三元金属硫化物,自然离不开研究者的视线。作者前期已对不同硫源或不同锌源合成的ZnIn2S4光催化剂的结构、形貌及光催化性能进行了探讨[7-9]。王宜萍等[10]、李旭力[11]、李杰[12]都对CaIn2S4光催化剂的合成进行了研究。
众所周知,影响光催化剂性能的一个重要因素是光生电子-空穴对的复合程度。将不同带隙半导体进行复合,构建异质结,既可以达到可见光响应的目的,又可以利用异质结内部结构有效分离光生电荷,从而提高半导体材料的光催化性能[13-14]。基于此,本研究制备了不同比例的CaIn2S4/ZnIn2S4复合光催化剂,并进行甲基橙(MO)光催化降解实验,旨在进一步提高半导体材料的光催化性能。
硫源为硫代乙酰胺 (TAA,CH3CSNH2),铟源为水合硝酸铟 (In(NO3)3·4.5H2O),锌源为水合硝酸锌 (Zn(NO3)2·6H2O),钙源为水合硝酸钙 (Ca(NO3)2·4H2O),均为分析纯。溶剂为去离子水。
分别将适量的Zn(NO3)2·6H2O,Ca(NO3)2·4H2O,In(NO3)3·4.5H2O,硫代乙酰胺(双倍过量)混合于80 mL 去离子水中,磁力搅拌120 min后转移到100 mL反应釜中。将反应釜置于电炉中加热到160 ℃,保温12 h后自然冷却到室温。取出反应釜中的混合物并离心分离(离心速度4 000 r/min),得到的沉淀物用蒸馏水和乙醇分别洗涤3次,并于60 ℃烘箱中烘干10 h,得到的粉末即为CaIn2S4/ZnIn2S4复合光催化剂。实验样品配方见表1。
表1 实验样品配方
实验用电炉为上海精宏DHG-9011A型电热恒温炉。采用X-射线衍射仪(Bruker D8, Cu-Kα辐射)分析样品的相组成,采用扫描电子显微镜(JSM-7610FPlus型)观测样品的微观结构,采用荧光光谱仪(Perkin Elmer LS55)分析光生电子-空穴对,采用紫外-可见漫反射光谱仪(Cary 500,Varian)测量样品的漫反射数据(以硫酸钡为标准)。
通过降解相同浓度的MO来测试样品的光催化性能。称取50 mg粉末样品,置于50 mL 20 mg/L的MO溶液中,超声10 min,磁力搅拌并暗反应30 min,使样品达到吸附平衡。然后,放置于350 W氙灯前20 cm处,灯源电压恒为10 kV,用420 nm的滤波片滤掉紫外光,实现可见光照射。每隔10~20 min取出混合液,离心并检测其吸光度。为了对比,将适量的CaIn2S4和ZnIn2S4机械混合,命名为MC3Z7,在相同测试条件下降解MO。
样品的XRD图谱如图1所示。从图1中可以看出,随着钙盐减少和锌盐增加,CaIn2S4相的最强峰的衍射强度逐渐降低,且逐渐宽化,峰位也逐渐向低角度偏移。与立方相ZnIn2S4的标准图谱(JCPDS-00-0048-1778)及立方相CaIn2S4的标准图谱(PDF#31-0272)对比,样品中没有发现其他明显的杂峰,说明合成样品中的主要成分为CaIn2S4和ZnIn2S4。
图1 样品的XRD图谱
MO降解实验结果如图2所示。从图2中可以清楚地看到,经30 min暗反应后,所有样品对MO有近10%的吸收,此为物理吸附过程。在可见光照射下,各样品对MO的降解速率有较大区别。由图2(a)可知,降解40 min后,样品对MO的降解率接近90%,且样品C3Z7的降解率达95%以上;而单相CaIn2S4和ZnIn2S4样品的降解率只有80%左右;样品MC3Z7对MO的降解率最低,仅为58%。从图2(b)中可以观察到,在30 min暗反应后,MO降解达到了一个物理吸附平衡过程,在可见光照射10 min后,MO的特征吸收峰下降了30%左右,照射20 min后下降50%以上,而在照射40 min后接近完全降解,降解率超过95%。
(a) 可见光下MO的光催化降解情况
样品C0Z10,C3Z7及C10Z0的漫反射图谱如图3所示。从图3中可以看出,3个样品在可见光范围内都有较宽的吸收,CaIn2S4样品的吸收阈值在630 nm附近,而ZnIn2S4样品的吸收阈值在550 nm附近,样品C3Z7则介于前两者之间。内插图是3个样品的αhν-hν拟合曲线,其能带间隙分别为2.0 eV,2.12 eV和2.2 eV, 与文献报道基本一致[7-9,12,15]。
图3 样品C0Z10,C3Z7及C10Z0的漫反射图谱
样品C0Z10,C10Z0和C3Z7的SEM图如图4所示。
(a) C0Z10 (b) C10Z0
从图4中可观察到,相同条件合成的ZnIn2S4和CaIn2S4具有不同的形貌,前者具有花片状结构,薄薄的花片紧密簇拥,而后者没有明显的花片结构,呈团聚的粒状结构。样品C3Z7中既有花片状结构,又有颗粒状结构,表明复合相样品C3Z7由ZnIn2S4和CaIn2S4致密结合形成。这种结合为光生电荷的有限分离提供了条件。
为了考察样品中光生电荷的复合情况,对单相ZnIn2S4,CaIn2S4和复合相样品C3Z7进行了光致发光光谱测量。众所周知,光致发光光谱可以反映光生电子-空穴对在半导体中的复合程度和寿命,其峰的强弱则意味着光生电荷复合率的高低[16]。样品C0Z10,C10Z0和C3Z7的光致发光光谱如图5所示。从图5中可以看出,样品C10Z0,C0Z10和C3Z7在560 nm处出现尖峰,峰位略有红移。此外,样品C3Z7的峰强最弱,样品C0Z10次之,而样品C10Z0的峰强最强,表明复合相样品C3Z7的光生电荷复合率最低。这可能与复合相样品致密结合有效转移光生电荷有关。
图5 样品C0Z10,C10Z0和C3Z7的光致发光光谱(激发波长为400 nm)
因此,可以通过界面电子转移行为合理地解释光催化降解MO的机理。样品C3Z7的光催化机理如图6所示。
图6 样品C3Z7的光催化机理
在可见光照射下,CaIn2S4和ZnIn2S4价带上的电子被激发产生光生电子和空穴。而由于ZnIn2S4和CaIn2S4致密接触形成异质结,ZnIn2S4导带上的光生电子转移到CaIn2S4的导带上,CaIn2S4上的空穴则转移到ZnIn2S4的价带上,有效地实现了光生电子-空穴对的分离,从而大大提高了体系的光催化性能。
采用水热法合成了一系列复合相Ca1-xZnxIn2S4光催化材料,并对样品的可见光光催化性能进行了测试,发现复合相样品比单相CaIn2S4或ZnIn2S4具有更高的光催化性能,当Ca,Zn摩尔比为3∶7时样品C3Z7的催化活性最高。这与复合相样品中2种成分致密结合形成异质结有关。