○ 课题组
党的十八大以来,习近平总书记先后三次考察武汉·中国光谷,对武汉光谷光电子信息产业提出殷切期望,肯定了光谷光电子技术的雄厚基础和独特优势。课题组认真学习领会习近平总书记考察光谷重要讲话精神,通过调查研究,对湖北省光电子信息产业国际竞争力和发展态势、特别是光电子信息“卡脖子”技术攻关存在的堵点和难点进行深入分析,提出了推动光谷光电子信息产业率先实现“卡脖子”技术突破的对策建议。
目前,武汉·中国光谷是我国最大的光纤光缆制造基地,光纤光缆占全球市场份额的25%;国内最大的光电器件生产基地,光电器件占全国市场份额的60%;国内最大的激光产业基地,激光设备占全国市场份额的50%;全国最大的中小尺寸显示面板基地,国内最大的光通信技术研发基地,国内最大的存储器芯片基地,集聚了中国信科集团、长飞光纤、长江存储、华工科技、华星光电等龙头企业。光谷不断涌现出一批具有标志性、引领性的重大创新成果,诞生了我国第一根光纤、第一个光通信国际标准,率先实现1.6T比特每秒的硅光收发芯片研制和验证,创造了国际上同类芯片的互连容量纪录;研制出我国首款面向光通信和数据中心应用的商用400G 硅光收发芯片与模块,打破国外垄断;自主研发的32层三维闪存芯片,实现了国内高端存储芯片“零”的突破。2021年年底,武汉·中国光谷光电子信息企业总收入近6000亿元,产业集群规模达到全国的50%。“中国光谷”已成为代表我国光电子信息产业发展的重要名片。
虽然湖北省光电子信息产业在激烈的国际竞争中脱颖而出,在部分细分领域具备了一定行业竞争力,但仍然面临“大而不强”的困境,核心技术对外依存度较高、支撑国家战略的自主创新能力不够、创新引领产业发展动力不足,加快光电子信息技术的科技自立自强迫在眉睫。
面向光电子信息技术的顶层战略设计,湖北缺乏“厚积薄发、久久为功”的规划理念,难以形成持续贯彻、高效组织的关键核心技术攻关的体制优势和创新能力。一是缺乏长期性、延续性的技术布局。对于重大瓶颈技术没有形成持续支持、滚动推进的技术布局,没有聚焦重点方向持续创新积累、攻关突破。如,光谷的激光产业,由于没有形成全链条的创新布局,导致十多年来一直没有攻克核心光源,致使超快激光器的核心器件技术被立陶宛垄断,产业受到严重影响。二是缺乏面向国际市场发展趋势的技术布局。科技创新与市场趋势结合不紧,没有紧跟国际市场及时进行技术布局。如,以光电子芯片技术为支撑的“消费光子”正逐渐成为全球信息产业的“主战场”,但目前光谷光电子信息产业中的光电芯片全球占比不到一成,高技术含量的高速光芯片及光电子模块仍依赖进口。三是缺乏应对外部环境加剧变化的技术布局。对照2018 年以来美国商务部出台的关键新兴和基础技术及相关产品出口管制技术清单,围绕光电子信息领域,湖北省在微处理器技术、集成电路EDA/ECAD 软件、超宽禁带半导体材料等领域都缺乏有效的技术应对。
一是优势资源整合力度不够。围绕重大关键核心技术攻关,湖北在光电子领域已先后组建多家省级以上创新平台,但各创新平台仍然各自为营,没有形成创新资源的优势整合,缺乏能够统筹资源的国家级、综合性创新平台——光电国家实验室。二是协同创新攻关机制不全。产学研合作仍处于浅层次的松散型水平,导致重大技术(产品)的协同突破难以实现。如,极紫外光刻机的突破需要从激光核心技术和器件到系统,需要整合多方资源进行协同攻关。三是技术成果的协同转化不足。在重大攻关项目结题后,大部分攻关内容只停留在实验室,并未实现成果转化,高校与科研院所依然“重论文轻转化”,科研成果评价体系与科研经费管理制度仍不完善。四是研-产快速转化通道不畅。科研人员在高校院所与企业之间的流动不畅,科技人员更多局限在原有体制下,高校院所的科研人员创办企业的积极性较过去显著下滑。
一是人才知识结构不优。光电子信息“卡脖子”技术攻关涉及科学、技术、工程,但能够将科学理论转化为科技成果并真正实现产业化的工程技术人才严重不足。二是人才梯队建设不足。光谷的光电子信息产业面临人才引进吸引力不足和人才流出诱惑力加剧的双向挤压,长三角、珠三角的光电子相关企业待遇更高,光谷光电子生产制造企业待遇偏低,难以招到高层次人才,自主培养的人才又容易被高薪挖走。三是金融服务技术攻关动力不强。金融支持科技创新发展在技术价值评估等方面依然存在一些难点、堵点问题,风险投资人仍然把盈利作为核心的考量指标。四是市场应用拉动不够。政府在推动“卡脖子”技术产品应用推广的作用还不够突出,还没有专门针对“卡脖子”技术创新产品的倾斜采购政策,导致“卡脖子”技术成果的转化周期过长。
依托华中科技大学、武汉大学、中科院武汉分院等科创资源,以湖北光谷实验室为主体,整合武汉光电国家研究中心、光纤光缆制备技术国家重点实验室等优势研究平台,以及中信科、海思光电子、长飞光纤、高德红外、锐科激光、长江存储、华星光电、联影医疗等行业领军企业研发力量,以脉冲强磁场、高端生物医学影像设施、集成电路产教融合创新平台等重大科技设施为支撑,联合组建光电子国家实验室,力争解决我国高端光电芯片、器件及装备“卡脖子”问题,助推我国光电子产业加速迈向全球第一方阵。
未来,随着人工智能、物联网、AR/VR、大数据中心等新兴产业的崛起,光计算、光传感、光显示、光存储等技术需求将迎来爆发式增长,必须用发展的眼光超前布局,建议国家与湖北联合出资设立“光电子科技创新专项”,共同研究确立光电子技术创新路线图,共同发布光电子技术创新指南,重点攻关突破计算领域的AI光子计算芯片、传感领域的激光雷达、手机3D感测VCSEL芯片、存储领域的全息光存储、显示领域的AR 光波导芯片、超高速率超大容量超长距离光传输技术、超宽灵活超强智能组网技术等。专项采取“赛马制”“定向委托”等方式进行遴选突破,实行立“军令状”考核制度,建立研究任务定期报告制、重大突破即时报告制。
做大做强武汉国家光电子产业基地,加快推动人才、资金、企业向光电子产业基地集聚,打造全国领先的光电子信息万亿产业集群。一是支持光电子信息企业兼并重组及科研机构转制,加快培育千亿级“产业航母”企业、百亿级行业龙头企业及一批国际领先企业,加强产业创新链整体谋划布局,分层培育一批“专精特新”中小企业群体。二是依托长江经济带产业引导基金设立“光电子信息产业投资基金”,发挥政府资金引导作用,吸引社会资金投入光电子信息产业,加快光谷光电子产业投资建设和产业智能化升级。三是省市区联合设立“光电子信息产业人才专项”,持续推进国际、国内优秀人才引进工作,打造人才引进高速通道,面向全球挖掘科创人才、中高层管理型人才和技术性人才;围绕光电子信息制造业企业的人才需求,支持高校与企业联合创建人才联合培养机制;健全人才支撑配套机制,全面实行股权激励分红制度、人才考核评价机制、股权激励和科技成果转化奖励机制。四是推动光电子信息技术成果试验示范,畅通光电子信息技术研发与产品工程化、商业化之间的转移转化通道,建设一批国家级生产应用示范平台和新技术试验场景,推进创新产品应用示范。