掺氮碳量子点的制备及在涤纶织物上的抗静电应用

2020-07-20 02:25鲁译夫宋希桐李一飞常朱宁子李丽艳
印染助剂 2020年6期
关键词:抗静电半衰期涤纶

鲁译夫,郑 敏,钟 珊,宋希桐,李一飞,常朱宁子,李丽艳

(苏州大学纺织与服装工程学院,江苏苏州 215006)

涤纶纤维属于疏水性纤维,分子中缺少亲水基团,导致其吸湿性差,易产生静电,在低湿度环境下更易积聚静电荷。在纺织品使用中,静电荷的积聚易使人产生不适感,直接危害人体健康。此外,在特种工作场所,当化纤或织物带上静电后,会在其周围产生静电场,这些静电力学作用正是产生生产障碍、火灾、爆炸和电击等灾害的根源[1]。因此,研制具有抗静电功能的涤纶织物具有十分重要的意义。目前,提高纤维导电性能、加快电荷泄露的方法有3 种:(1)采用抗静电纤维、导电纤维与普通合成纤维混纺、交编、交织或嵌织提高纤维集合体的导电能力,克服静电干扰;(2)从材料学的角度来看,纺织品抗静电技术的关键在于低阻、长效、普适新型导电纤维的研制和应用技术[2];(3)纺织品抗静电整理,重点是选择合适的抗静电整理剂。碳纳米材料凭借其本身的稳定性以及低(无)毒性等优点,在纳米材料科学以及商业领域都得到了广泛的研究与应用。而碳量子点至今无人应用在纺织品抗静电领域,本研究将改性碳量子点引入涤纶纤维的抗静电领域,在已有碳量子点制备技术的基础上,通过缺陷设计制备N 掺杂新型碳量子点(N-CQDs),用其对涤纶进行抗静电整理。N-CQDs 整理涤纶由于表面有大量的亲水基团,加快了涤纶面料的电荷泄漏,使涤纶织物的抗静电性显著提高。

1 实验

1.1 材料及仪器

织物:涤纶织物,平纹组织,35 根/cm×53 根/cm,106 g/m2。试剂:一水合柠檬酸,乙二胺,硫酸奎宁,硫酸,葡萄糖,L-抗坏血酸。

设备:KQ-800TDB 型高频数控超声波清洗器(昆山超声仪器有限公司),DF-101S 型集热式恒温加热磁力搅拌器(河南予华仪器有限公司),JJ200 型精密电子天平、TGL-16L 型高速台式离心机(上海安亭科学仪器厂),DHG-9070A 型电热恒温鼓风干燥箱(上海精宏实验设备有限公司),冷冻干燥机(北京博医康实验仪器有限公司),D/max-ⅢC 型X 射线粉末衍射仪(日本理学电机株式会社),FEI Tecnai G20 型透射电子显微镜(美国FEI 公司),紫外可见分光光度计(日本岛津公司),F2500 荧光分光光度计(株式会社日立制作所),TM3030 台式扫描电镜(日本日立公司),VECTOR22型红外光谱仪(瑞士Bruker公司)。

1.2 N-CQDs 的制备

通过水热法一步制备N-CQDs。分别取碳源(柠檬酸、葡萄糖或L-抗坏血酸)0.01 mol 放入30 mL 去离子水中,超声分散10 min,以乙二胺为氮源,缓缓滴入其中,调节pH 为8~9,常温搅拌15 min 后放入100 mL 聚四氟乙烯内衬中并采用不锈钢外套密封,在160 ℃下反应8 h。将反应产物离心5 min,除去不溶杂质后放入透析袋透析48 h,干燥提纯。

1.3 浸渍法整理涤纶织物

取涤纶织物,用净洗剂洗涤0.5 h,除去纤维表面杂质,烘干。N-CQDs 具有尺寸小、分散性好的特点,采用高温高压浸渍工艺对涤纶织物进行整理。在一定温度下,涤纶纤维的大分子链运动剧烈,分子间空隙较大,N-CQDs 可进入涤纶无定形区。通过单因素变量控制法,探讨涤纶织物抗静电整理优化工艺。

1.4 测试

静电半衰期和毛细效应:将织物在温度(35±5)℃、相对湿度(20±2)%条件下平衡24 h,根据标准[3-4]进行测试。XRD:将样品滴在石英片上烘干,利用X 射线衍射仪测试。荧光量子产率:采用参比法测试吸光度,以0.1 mol/L 硫酸奎宁溶液(硫酸为溶剂)为参比,将3 种碳源制备的N-CQDs 和硫酸奎宁溶液稀释至吸光度分别为0.02、0.04、0.06、0.08、0.10。再用3 种N-CQDs 的最大激发波分别激发对应溶液,求出积分面积并且进行线性拟合。用下式计算荧光量子产率:

式中,Φx、Φst分别为待测物、标准物荧光量子产率;Gradx、Gradst分别为待测物、标准物线性拟合梯度;ηx、ηst分别为待测物、标准物溶剂折光率。

2 结果与讨论

2.1 N-CQDs 的表征

2.1.1 XRD

由图1 可知,样品均在2θ=21°~25°处有一个明显宽化的峰,与无定形碳的峰相吻合,证明了样品均为碳量子点,且为无定形结构[5-6]。

图1 不同碳源样品的XRD 图谱

2.1.2 FT-IR

不同碳源样品的FT-IR 图谱见图2。

图2 不同碳源样品的FT-IR 图谱

由图2 可以看出,3 个样品在3 440 cm-1附近的峰主要是O—H 和N—H 的振动吸收峰,3 172 cm-1处出现强的CO—NH 弯曲振动峰,1 631 cm-1处出现强的N—H 弯曲振动峰,1 400 cm-1处出现C—N 伸缩振动峰,1 095 cm-1处出现C—O 伸缩吸收峰。证明氮元素掺杂到了制备的碳量子点上,并且有氨基、羟基等亲水基团存在,所以制备的碳量子点为N-CQDs。

2.1.3 TEM 和粒径

由图3 可知,虽为3 种不同碳源,但N-CQDs 形状没有太大变化,为近似球形,且分布均匀。

图3 不同碳源N-CQDs 的电镜图

由图4 可知,以柠檬酸、L-抗坏血酸和葡萄糖为碳源制备的N-CQDs 粒径分别为1.0~3.7、1.0~4.0 和2.0~4.0 nm,平均粒径分别为2.30、2.35、2.86 nm。

图4 不同碳源N-CQDs 的粒径大小及分布情况

2.2 荧光量子产率

由图5 可以看出,通过线性拟合,得出在365 nm波长激发下柠檬酸碳源N-CQDs 与硫酸奎宁的线性拟合梯度分别为610 544、88 274,在370 nm 波长激发下L-抗坏血酸碳源N-CQDs、葡萄糖碳源N-CQDs、硫酸奎宁的线性拟合梯度分别为34 233、26 606、594 797。通过计算得出柠檬酸、L-抗坏血酸、葡萄糖碳源N-CQDs 的荧光量子产率分别为78.1%、3.1%、2.4%,表明以柠檬酸为碳源制备的N-CQDs 具有相对最佳的荧光量子产率。

图5 硫酸奎宁(a)与不同碳源N-CQDs(b)的线性梯度拟合图

2.3 整理工艺优化

2.3.1 整理温度

由图6 可以看出,当整理温度为110、120、130、140、150 ℃时,整理涤纶的静电半衰期分别为0.52、0.45、0.12、0.20、0.23 s,根据GB/T 12703.1—2008《纺织品静电性能的评定第1 部分:静电压半衰期》评级均为A 级(静电半衰期小于等于2 s),当整理温度为130 ℃时,静电半衰期最小,表面电压为0.31 kV。当整理温度从110 ℃升高到130 ℃时,纤维对N-CQDs 的吸附量逐渐提高,N-CQDs 进入纤维的无定形区,使织物的抗静电效果达到最佳;高于130 ℃时可能会引起N-CQDs 活性提高,发生团聚或者结构变化,导致抗静电效果变差。

图6 整理温度对涤纶静电半衰期的影响

2.3.2 整理时间

由图7可知,整理时间为40、45、50、55、60 min时,整理涤纶织物的静电半衰期分别为0.06、0.09、0.12、0.19、0.18 s,静电半衰期评级均为A 级。整理时间为40 min 时静电半衰期最小,表面电压为0.29 kV,具有最佳的抗静电效果。

图7 整理时间对涤纶静电半衰期的影响

2.3.3 N-CQDs 用量

由图8 可看出,N-CQDs 用量为10、20、30、40、50 g/L 时,整理涤纶织物的静电半衰期分别为1.29、0.92、0.34、0.07、0.03 s,静电半衰期评级均为A 级。NCQDs 用量为50 g/L 时静电半衰期最小,表面电压为0.17 kV,具有最佳的抗静电效果。

图8 N-CQDs 用量对涤纶静电半衰期的影响

由表1 可以看出,随着整理液中N-CQDs 用量的增加,涤纶织物的吸水性提高。说明N-CQDs 是通过提高涤纶织物的亲水性进而提高抗静电性的。

表1 N-CQDs 用量对整理前后涤纶织物吸水性的影响

2.4 抗静电整理涤纶织物的EDS

由图9a 可以看出,织物上除了本身具有的碳、氧元素外还有N-CQDs 中的氮元素,说明N-CQDs 已整理到涤纶织物上,并且从纤维横截面(图9b)上可以看到N-CQDs 进入了纤维内部;图9c、9d、9e 分别表示碳、氧、氮元素在织物上的分布情况,通过氮元素分布图可知N-CQDs 在涤纶织物上分布较均匀。

图9 N-CQDs 整理涤纶织物的EDS 能谱图

3 结论

(1)以柠檬酸、L-抗坏血酸、葡萄糖为碳源,乙二胺为氮源,通过水热法制备了N-CQDs,可发出蓝色且稳定的荧光。

(2)与葡萄糖、L-抗坏血酸碳源N-CQDs 相比,柠檬酸碳源N-CQDs 具有较高的荧光量子产率,平均粒径为2.30 nm,且分布均匀。

(3)N-CQDs 整理提高了涤纶织物的亲水性,进而使之具有极好的抗静电性能。优化整理工艺:温度130 ℃、时间40 min、N-CQDs 用量50 g/L,此时涤纶织物的静电半衰期从大于60 s 降低到0.03 s,抗静电等级达到A 级,具有优良的抗静电性能。

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