刘 红,程 顺,李春侠,范先媛
(1. 武汉科技大学资源与环境工程学院,湖北 武汉,430081;2.武汉科技大学冶金矿产资源高效利用与造块湖北省重点实验室,湖北 武汉,430081)
砷是一种对人类健康有毒害作用的物质[1]。随着金属冶炼、硫铁矿制酸等工业的发展,砷对水环境的污染日益严重。砷在自然水系中主要以亚砷酸根[As(III)]和砷酸根[As(V)]的形式存在,其中As(III)的毒性约为As(V)毒性的60倍,且具有更强的流动性[2],因此,对含As(III)废水的处理尤为重要。
纳米级零价铁(nZVI)兼具强还原性、强吸附性及环境安全性等特点[3],且其表面活性相较于毫米、微米级零价铁更高,能更有效去除水中污染物,故而在废水处理与水体修复领域颇具应用潜力。Kanel等[4]和Zou等[5]的研究表明,nZVI主要通过吸附共沉淀作用去除水中的砷污染物。但nZVI在实际应用中仍存在易团聚、易钝化及电子选择性差等不足,限制了其反应活性的发挥。针对这一问题,众多研究者借助蒙脱石[6]、石墨烯[7]、树脂[8]等多孔材料负载来提高nZVI的分散性和稳定性。此外,利用硫化剂表面修饰nZVI,使其表面形成硫化层,可减少nZVI的钝化,同时由于硫化层的疏水性和电子传递效率均优于氧化层,在一定程度上抑制了nZVI与水反应并提高了其电子选择性,故而对污染物的亲和力更强、去除效率更高[9-10]。基于此,本文将多孔材料负载与硫化改性相结合,以价格低廉、比表面积大、吸附能力强的凹凸棒土(ATP)为载体,分别利用硫化钠、硫代硫酸钠、硫代硫酸铵、连二亚硫酸钠对nZVI进行硫化改性,制得凹凸棒土负载硫化纳米零价铁复合材料(S-nZVI@ATP),考察了凹凸棒土负载和硫化改性对nZVI形貌和结构的改变,确定了S-nZVI@ATP复合材料的最佳制备条件,分析了含As(III)溶液初始pH、溶解氧浓度、环境温度等因素对S-nZVI@ATP去除As(III)的影响,并探讨了S-nZVI@ATP去除As(III)的动力学机制。
小于400目凹凸棒土(ATP),比表面积为110.16 m2/g,购自安徽省明美矿物化工有限公司;七水合硫酸亚铁(FeSO4·7H2O)、硼氢化钠(NaBH4)、硫化钠(Na2S)、硫代硫酸钠(Na2S2O3)、硫代硫酸铵((NH4)2S2O3)、连二亚硫酸钠(Na2S2O4)、亚砷酸钠(NaAsO2),均为分析纯。
基于图1所示的样品制备流程,称取已烘干的凹凸棒土0.5584 g,放入盛有20 mL FeSO4溶液(浓度为1.0 mol /L)的三口烧瓶中并持续往瓶中通入氮气,机械搅拌30 min后,逐滴加入80 mL现配NaBH4溶液(浓度为0.5 mol /L),滴加完毕后加入2.5 mL浓度为1.0 mol /L的Na2S2O3溶液,将烧瓶置于超声清洗器超声处理30 min后,对溶液进行真空抽滤,用去离子水清洗所得固体物质3次,最后将其置于冷冻干燥机中干燥8 h,制得凹凸棒土负载硫化纳米零价铁复合材料(S-nZVI@ATP),其中nZVI与ATP质量比为2∶1,S与Fe摩尔比为1∶4。按照上述制备方法,不添加凹凸棒土情形下,未硫化处理可制得nZVI,硫化处理可制得S-nZVI,而分别改变凹凸棒土添加量、硫化剂种类及添加量,相应在不同nZVI/ATP质量比、不同硫化剂、不同S/Fe摩尔比条件下制得系列S-nZVI@ATP复合材料。
图1 制备流程示意图
Fig.1 Schematic diagram of preparation process
采用亚砷酸钠配制具有一定初始浓度的含As(III)溶液并调节其pH值,取该溶液200 mL置于容量为500 mL的具塞锥形瓶中,向其中投加一定量所制S-nZVI@ATP复合材料,设置恒温振荡器环境温度为25 ℃、转速为200 r/min,振荡至材料与溶液充分反应。按设定时间取样,所取样品经0.45 μm滤膜过滤后,采用氢化物发生-原子荧光光谱法[11]借助AFS-2202E型原子荧光光度计测定滤液中As(III)的浓度,以此计算出As(III)的去除率。
采用JEM-2100 UHRS型高分辨透射电镜(TEM)、Nava 400 Nano型扫描电镜(SEM)及其配备的能谱仪(EDS)观察分析样品的形貌及成分;采用ASAP 2020型比表面积分析仪对材料的BET比表面积进行测定;采用Zetasizer Nano ZS90型纳米粒度电位仪测定材料的Zeta电位;采用JPSJ-606L型溶解氧测定仪测量溶液溶解氧浓度。
图2所示为nZVI、S-nZVI样品的TEM照片。由图2(a)可见,nZVI间堆叠较为明显,形状接近于球形,并且外界面存在明显的氧化物壳层,符合nZVI的核壳结构特征[12]。nZVI经硫化后所得S-nZVI颗粒外界面呈絮状,且未观察到氧化物壳层(图2(b)),表明硫化处理降低了nZVI的氧化及钝化程度,对nZVI起到了一定保护作用。此外,nZVI经硫化后颗粒尺寸变大,这可能是因为硫化层密度低于氧化层密度所致,硫化层致密程度较低也更有利于污染物向材料内部扩散[13]。
(a)nZVI (b)S-nZVI
图2 nZVI 和S-nZVI 样品的TEM照片
Fig.2 TEM images of nZVI and S-nZVI samples
nZVI与nZVI/ATP质量比为2∶1、S/Fe摩尔比为1∶4条件下制备的S-nZVI@ATP复合材料样品SEM照片见图3。从图3(a)中可以看出,大小均一的nZVI球形颗粒因自身磁性及纳米尺寸效应,发生了明显的链状团聚,将其改性为S-nZVI@ATP后,可观察到nZVI链状长串变短甚至被分散为单个的球形颗粒(图3(b))。此外,nZVI与S-nZVI@ATP的BET比表面积测试结果分别为19.6、46.0 m2/g,表明nZVI的团聚状况因ATP负载及硫化改性而得到了较大程度的改善。这是因为分散吸附在ATP表面的Fe2+经液相还原成零价铁(ZVI)后,由于凹凸棒土的空间位阻作用,使得ZVI间较难团聚。S-nZVI@ATP样品EDS能谱分析显示其S原子百分含量为3.23%,进一步证实所制复合材料中的nZVI已发生一定程度的硫化。
(a)nZVI (b)S-nZVI@ATP
图3 nZVI、S-nZVI@ATP样品的SEM照片
Fig.3 SEM images of nZVI and S-nZVI@ATP samples
2.2.1 nZVI/ATP质量比
在以Na2S2O3为硫化剂、S/Fe摩尔比为1∶4的制备条件下,制得nZVI/ATP质量比不同的S-nZVI@ATP复合材料,利用所制材料对浓度为10 mg/L的含As(III)溶液(pH值为5.6)进行处理,反应时间为60 min时的测试结果如图4所示。由图4可见,当nZVI/ATP质量比分别为4∶1和2∶1时,相应复合材料对As(III)的整体去除效果优于其它样品,尤其当复合材料投加量不低于0.2 g/L时,二者对As(III)的去除效果相差无几,均在94%以上,考虑到制备材料耗铁量,选择nZVI/ATP质量比为2∶1更能节约成本。
图4 不同nZVI/ATP质量比下复合材料的除As(III)效果
Fig.4 Removal effect of As(III) by composites with different nZVI/ATP mass ratios
2.2.2 硫化剂及S/Fe摩尔比
在nZVI/ATP质量比为2∶1的条件下,分别采用不同硫化剂制备S-nZVI@ATP复合材料(S/Fe摩尔比为1∶4)以及以Na2S2O3为硫化剂在不同S/Fe摩尔比条件下制备S-nZVI@ATP复合材料,利用所制材料对浓度为20 mg/L的含As(III)溶液(pH为5.6)进行处理,反应时间为60 min时的测试结果如图5所示。由图5(a)可见,分别利用4种硫化剂改性的S-nZVI@ATP复合材料除As(III)能力相差不大,其中以Na2S2O3为硫化剂所制复合材料表现最佳,这一现象与汤晶等的研究报道[9]一致,硫化剂的种类对硫化后nZVI的反应活性影响较小。究其原因,当S/Fe摩尔比一定时,各硫化剂对nZVI的硫化程度相近,且均能使其表面形成硫化层,如Na2S2O4在酸性条件下会水解生成S2O32-,S2O32-(Na2S2O3、(NH4)2S2O3同理)又能发生歧化反应生成S0,进而与Fe0反应生成硫化亚铁,相应反应式见式(1)~式(3)。至于Na2S,其水解产物H2S和HS-可通过腐蚀nZVI表面形成硫化层[14]。
(1)
(2)
(3)
从图5(b)中可以看出,在以Na2S2O3为硫化剂制备S-nZVI@ATP复合材料情形下,当S/Fe摩尔比为1∶4时,所制复合材料对As(III)的去除效果最佳,S/Fe摩尔比高于或低于此值,相应复合材料除As(III)性能均下降。这是因为过度硫化会消耗大量nZVI并生成过多铁硫化物,导致nZVI的反应活性及吸附性能降低[15],而硫化改性程度偏低则不能充分发挥其削弱nZVI钝化层的作用。
(a)不同硫化剂
(b)不同S/Fe摩尔比
图5 不同硫化剂及不同S/Fe摩尔比条件下复合材料的除As(III)效果
Fig.5 Removal effect of As(III) by composites with different sulfiding reagents and S/Fe molar ratios
综合试验分析结果,确定S-nZVI@ATP复合材料的最佳制备参数:nZVI/ATP质量比为2∶1、以Na2S2O3为硫化剂、S/Fe摩尔比为1∶4。相应制备条件下所制复合材料以0.3 g/L的投加量,在25 ℃、浓度为10 mg/L的含As(III)溶液中对As(III)的去除率可达到99.2%。
2.3.1 溶液初始pH值的影响
将最佳制备参数下所制S-nZVI@ATP复合材料按0.3 g/L的量分别投入25 ℃、浓度均为20 mg/L但初始pH值不同的含As(III)溶液中,当反应时间为60 min时,复合材料的除As(III)效率如图6所示。由图6可见,当溶液初始pH值为2时,复合材料对As(III)的去除率较低(39.3%);当溶液初始pH值介于3~6时,复合材料的除As(III)能力明显提升,As(III)去除率稳定在77%左右;当溶液初始pH值升高至7~9时,As(III)去除率降至60%左右;当溶液初始pH值超过9以后,复合材料对As(III)的去除能力急剧下降,尤其当溶液初始pH值为11时,相应的As(III)去除率仅为7.0%。
图6 不同初始pH值下复合材料的除As(III)效果
Fig.6 Removal effect of As(III) by composites with different initial pH values
为进一步探究含As(III)溶液初始pH值对S-nZVI@ATP复合材料除As(III)性能的影响机制,测定了复合材料在溶液不同初始pH值条件下的Zeta电位如图7所示。从图7中可以看出,S-nZVI@ATP复合材料的零电荷点(pHpzc)约为3.8,且其Zeta电位随着溶液初始pH值的增大而降低,结合文献[16]所报道的不同pH值下As(III)在水溶液中的形态分布系数,推断含As(III)溶液初始pH值对S-nZVI@ATP复合材料除As(III)性能的影响机制为:当溶液初始pH值较低(如pH值为2)时,复合材料中的Fe0在强酸环境下迅速溶解,导致其除As(III)效果较差;当溶液初始pH值升至3~6时,复合材料的Zeta电位接近零电荷点,同时溶液中的As(III)主要以H3AsO3形态存在,二者之间的静电斥力微弱,因此复合材料除As(III)效率较高;当溶液初始pH值超过6以后,复合材料的Zeta电位为负值且下降明显,而此时H2AsO3-的分布系数迅速增大,导致二者之间静电斥力较大,复合材料对As(III)的去除率相应降低。此外,当溶液初始pH值介于7~9时,复合材料的Zeta电位变化不大,故相应的As(III)去除率稳定在60%左右;当溶液初始pH值超过9以后,随着pH值升高,复合材料Zeta电位持续下降且降幅较大,而H2AsO3-的分布系数不断增大,已成为As(III)在溶液中的主要存在形态,复合材料与H2AsO3-之间产生更强的静电斥力,从而导致As(III)去除率急剧下降。
图7 Zeta电位的变化
2.3.2 溶液初始溶解氧浓度的影响
为研究含As(III)溶液初始溶解氧浓度对S-nZVI@ATP复合材料除As(III)性能的影响,在25 ℃条件下,向浓度为2.0 mmol/L的含 As(III)溶液(pH值为5.6)中分别通入不同氧占比的O2、N2混合气体,控制气体流量为1 L/min,通气时长为20 min时,相应溶液的溶解氧浓度测试结果如表3所示,然后按0.5 g/L向溶液中加入最佳制备参数下所制S-nZVI@ATP复合材料并密闭振荡6 h,溶液初始溶解氧浓度对复合材料除As(III)效果的影响如图8所示。由图8可见,当溶液初始溶解氧浓度为12.9 mg/L时,相较其无氧状态,As(III)去除率由32.1%上升至70.5%,但随着溶液氧浓度继续升高,As(III)去除率不升反降。由此可见,适宜的溶液溶解氧浓度有利于S-nZVI@ATP复合材料对As(III)的去除,溶解氧浓度过低或过高都将弱化复合材料的除As(III)能力。这是因为nZVI在腐蚀生成铁氧化物/氢氧化物时会与As(III)形成共沉淀[4-5],该过程需要溶解氧的参与,但溶解氧浓度过高又会导致nZVI钝化造成其反应活性降低。
表1 溶解氧浓度
图8 不同初始溶解氧浓度下复合材料的除As(III)效果
Fig.8 Removal effect of As(III) by composites with different initial dissolved oxygen concentrations
2.3.3 环境温度的影响
在不同环境温度条件下,分别将最佳制备参数下所制S-nZVI@ATP复合材料按0.2 g/L的量投入浓度均为20 mg/L含As(III)溶液(pH值为5.6)中,当反应时间为120 min时,复合材料的除As(III)效率如图9所示。由图9可见,随着温度的升高,As(III)去除率不断增大,表明复合材料对As(III)的去除属于吸热反应,即升高温度有利于吸附反应的进行。同时注意到,当环境温度为10、20 ℃时,复合材料除As(III)效果较差,反应120 min时,相应的As(III)去除率分别为54.2%和55.6%。当环境温度升至30~60 ℃,相同反应时长下,As(III)去除率均在73%以上,复合材料对As(III)的去除能力相比温度较低时有明显提升。不过,当环境温度超过30 ℃后,进一步提高环境温度对As(III)的去除率影响不大。
图9 不同温度下复合材料的除As(III)效果
Fig.9 Removal effect of As(III) by composites with different temperatures
为探究S-nZVI@ATP复合材料除As(III)动力学以及环境温度对去除过程的影响机制,利用图9所示的测试结果,进行拟二级动力学模型及Weber-Morris颗粒内扩散模型拟合,其中,拟二级动力学模型表达式为
(4)
式中:Qt为t时间内的吸附量,mg·g-1;Qe为平衡吸附量,mg·g-1;k2为拟二级动力学速率常数,g·mg-1·min-1。Weber-Morris颗粒内扩散模型表达式为
Qt=kpt0.5+C
(5)
式中:kp为扩散速率系数,mg·(g·min0.5)-1;C是液膜厚度常数,mg·g-1。拟合结果如图10所示,因温度为40、50、60 ℃条件下的内扩散模型拟合曲线近乎重叠,故图10(b)中Weber-Morris模型仅列出40 ℃及以下温度条件下的拟合结果,相应拟合参数分别列于表2及表3,表中R为相关系数。由图10(a)及表2可知,拟二级动力学模型对各温度下的数据均有较高的拟合度(R2>0.96),表明S-nZVI@ATP复合材料对As(III)的吸附过程符合拟二级动力学方程[17],且温度不低于30 ℃时,不同测试温度下的Qe相差不大,表明复合材料对As(III)的吸附量已达到该测试条件下的饱和值;由图10(b)可见,吸附过程可分为3阶段,即外扩散、颗粒内扩散及吸附平衡阶段[18],根据表3所列拟合参数,当温度介于10~60 ℃时,外扩散阶段的kp随着温度的升高而增大,不过在不低于30 ℃时相应的增幅不大。这是因为随着温度升高,物质的布朗运动加快,增大了复合材料与As(III)的碰撞频率,从而提高了其外扩散阶段速率[19],但当温度超过30 ℃后,由于nZVI钝化加剧导致其活性下降,抵消了温度升高对复合材料除As(III)的促进作用。从整体来看,吸附过程3个阶段的kp依次减小,表明As(III)在外扩散阶段扩散较快,当其扩散到S-nZVI@ATP复合材料内部时,其扩散速率会因传质阻力的增大而降低,最终处于一个相对平衡的状态。此外,所有拟合曲线均不通过原点,表明该吸附过程受颗粒内扩散和膜扩散共同控制[20]。
(a)动力学模型
(b)Weber-Morris模型
Fig.10 Fitting curves of kinetics and Weber-Morris model
表2 动力学参数
表3 Weber-Morris模型拟合参数
(1)借助凹凸棒土负载及硫化改性制备了S-nZVI@ATP复合材料,最佳制备参数为:nZVI/APT质量比为2∶1、以Na2S2O3为硫化剂、S/Fe摩尔比为1∶4。在此条件下所制复合材料的比表面积可达到46.0 m2/g,为nZVI相应值的2.3倍,将其以0.3 g/L的投加量加入到浓度为10 mg/L含As(III)溶液中,反应60 min时,As(III)的去除率可达到99.2%。
(2)含As(III)溶液初始pH值介于3~6时,所制S-nZVI@ATP复合材料对As(III)有较好的去除效果;适量的含As(III)溶液初始溶解氧浓度有利于复合材料除As(III),但溶解氧浓度过高则会抑制复合材料的除As(III)能力;环境温度低于30 ℃时,复合材料的除As(III)效率较低,当环境温度为30 ℃时,复合材料的除As(III)效率明显提高,但进一步提高环境温度对As(III)的去除率影响不大。S-nZVI@ATP复合材料对As(III)的吸附符合拟二级动力学方程,环境温度主要影响外扩散阶段的扩散速率,吸附过程由颗粒内扩散和膜扩散共同控制。