刘智辉, 王明伟, 李玉玲, 田 雷
(中国电子科技集团公司第四十九研究所,黑龙江 哈尔滨 150001)
微机电系统(micro-electro-mechanical system,MEMS)压阻加速度计具有性能高、体积小、成本低的特点,广泛应用于汽车、航天、航空、兵器等领域[1]。
加速度计的横向输出是指垂直于敏感轴方向的加速度引起的输出[2]。横向输出越小,加速度计测量精度越高。特别是在姿态控制、惯性导航领域的应用,横向输出会引起加速度方向的计算误差[3],所以要求加速度计的横向输出误差在1 %以内。
为降低MEMS加速度计的横向输出,国内外开展了大量研究。最早的MEMS加速度计采用单悬臂梁结构,在工作模态下,由于结构不对称,横向输出较大;随后出现了双端固支结构,比如美国ICSensors公司的3031系列产品,采用双端四梁固支结构,充分利用结构对称性抑制了横向输出,该系列产品已经实现量产,横向灵敏度小于3 %,最小值1 %[4]。双端固支四梁结构的敏感梁和力敏电阻器制作于质量块的上表面,敏感梁的中平面与质量块的质心不在同一个水平面上,当有横向加速度时,在力矩的作用下,力敏电阻值的变化不能通过电桥平衡[5]。
本文采用了自主设计的双端固支十二梁结构[6],建立了力学模型,分析了横向特性,通过仿真对分析结果进行验证。研制了MEMS加速度计,测得横向灵敏度比小于3 %,最小值达到了1 %。
双端固支十二梁结构由固支框、质量块、四条支撑梁和八条敏感梁组成,敏感方向(z轴)垂直于xoy平面,如图1(a)。MEMS加速度敏感芯片由硅上盖、硅敏感结构层、硅下盖组成,如图1(b)。敏感梁的尺寸为:长l,宽wb,高hb。支撑梁的尺寸为:宽wf,高hf。质量块长L,宽W,厚H。单晶硅的弹性模量E=1.7×1011Pa,密度ρ=2 328 kg/m3。重力加速度gn=9.8 m/s2,压阻系数π44=80×10-11Pa-1,力敏电阻器长度为lr。
图1 敏感结构和敏感芯片结构
当z轴有大小为a的加速度时,质量块m产生向下的惯性力为ma。质量块视为刚体,梁的质量忽略,可以认为惯性力作用在质量块的质心。由工程力学可知,电阻器上平均应力为[7,8]
(1)
由压阻效应原理,当供电电压为Vs时,灵敏度为
(2)
将8个力敏电阻器连接成如图2的惠斯通电桥,可以抵消x轴加速度和y轴加速度引起的扭转变形的交叉轴输出(表1)。y轴加速度引起质量块平动的交叉轴输出无法通过电桥连接抵消的,只能通过设计降低。
图2 惠斯通电桥
激励方向(运动方式)z轴x轴(平动)x轴(绕y扭转)y轴(平动)y轴(绕x扭转)R1+++--R2---++R3-++++R4+----R5+++-+R6---+-R7-+++-R8+---+
当y轴有大小为a的加速度时y轴平动位移
(3)
y轴平动引起的敏感梁上平均应力
(4)
(5)
优化后的敏感结构尺寸Wb为10 μm,hb为20 μm,Wf为150 μm,hf为10 μm,灵敏度S为0.48 mV/gn/5 VDC和y轴平动横向输出比TSRyx为0.458 %。
用ANSYS建立有限元模型如图3。
图3 有限元模型
给质量块施加1gn的z轴加速度载荷,得到的结构位移如图4(a)所示。在1gn的加速度作用下,应力在0.18 MPa左右,如图4(b)。
图4 z轴位移和应力分布
梁中线上平面应力Sxx(正应力),Syy(正应力),Sxy(剪切应力)的分布如图5。
图5 z轴1 gn载荷下梁上应力分布曲线
当y轴加载1gn加速度时,最大应力小于6 kPa,如图6,小于z轴加载1gn加速度时最大应力的3.3 %。通过电桥的合理连接,可以将电桥响应降低至1 %以下。
图6 y轴应力分布
从仿真结果可以发现,敏感梁上剪切应力Sxy与正应力Sxx的数值可比拟。但是由于力敏电阻器沿〈110〉晶向,压阻系数π'16=0,力敏电阻对剪切应力Sxy不敏感。
利用MEMS体硅工艺完成三层硅结构加速度芯片,如图7。工艺过程中,双面光刻的对准误差越大,敏感结构对称性就越差,惠斯通电桥的横向输出抑制效果就越差,通过加强双面对准的工艺的监测,将加工误差控制在1 μm以内。
图7 芯片和测试样品
加速度是矢量,对角度偏差非常敏感。封装和测试引入的敏感轴偏离会明显增加产品的横向输出。如边长3.5 mm的芯片,贴装时胶膜厚度差0.1 mm,偏轴角达到2°,引入交叉轴干扰2.8 %。芯片贴装时使用流淌性好、线膨胀系数小的贴片胶有助于控制贴装角度。测试时用到的各类夹具也应经过偏轴角度测定,才能保证测试的准确性。
样品在中航工业304所完成测试,依据JJF1116—2004《线加速度计的精密离心机校准规范》完成性能测试,测试结果如表2和图8。
表2 测试结果
图8 3#样品输入输出曲线
本文研究了加速度传感器的横向输出抑制技术,分析了十二梁结构的敏感轴特性和横向特性,通过合理排布力敏电阻,充分利用惠斯通电桥的抑制作用,抵消了x轴平动、x轴扭转、y轴扭转的横向输出。
分析了y轴平动引起的敏感轴输出,通过增强敏感结构的y轴刚度,成功将y轴平动引起的横向输出理论值降低到了0.458 %。
讨论了芯片加工、封装、测试中工艺误差、安装角度引起的横向输出以及解决方案。
制作了量程100gn的传感器样品,利用精密离心机完成x,y,z三轴的输入输出特性测试,测试结果表明,x轴的横向灵敏度比小于1 %,y轴的横向灵敏度比小于3 %,可以达到1 %。该传感器适用于军事、工业、消费电子等领域。