污秽成分对LXY4—160 绝缘子串交流闪络特性的影响

张志劲 张东东 刘小欢 蒋兴良 胡建林

（1.重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室 重庆 400044 2.湖北省荆门市电力局 荆门 448000）

1 引言

绝缘子污秽闪络事故威胁电力系统安全稳定运行并引起较大经济损失。鉴于污闪的危害，国内外学者进行了广泛的研究，我国电网的防污闪工作也取得了较大进展。然而污闪事故仍时有发生，对绝缘子污闪的研究仍需深入进行[1]。

不同地区的污秽成分有很大差异。国内的清华大学、中国电科院、东北电力试验研究院等单位通过对自然污秽点取样并进行污秽化学成分分析的研究表明[2-4]：沿海、内地的污物中均含有NaCl、CaSO4及其他成分，NaCl 所占百分比一般在10%～30%，CaSO4所占的百分比则可达20%～60%。G.Ramos N.等通过对前苏联7 个地区的污秽进行化学成分分析表明，不同地区的污秽化学成分及其所占比例是有所不同的，NaCl 所占百分比一般在2.1%～50.8%，CaSO4所占的百分比则可达5.4%～82.7%，其余成分如Ca(NO3)2、CaCl2、Mg(NO3)2等也占有少量比例[5]。

污秽成分的差异必然会对绝缘子的污闪电压造成影响。为此，文献[6-10]进行了不同化学成分下的绝缘子污秽闪络特性试验研究，试验结果表明：灰密的大小对绝缘子污秽闪络有影响，当灰密达1～2mg/cm2，绝缘子的污闪或耐受电压将达到最低值；不同盐类污秽下的绝缘子的污闪或耐受电压有所不同，一价盐如NaCl 对绝缘子污闪特性的影响要大一些。

同时也有研究表明：对于自然污秽中的可溶物成分，对绝缘子污闪耐受电压影响较大的是NaCl和CaSO4两种盐类，且实际线路上绝缘子自然积污的主要导电物质是CaSO4，NaCl所占比例并不大[11]；对于自然污秽中的不溶物成分，主要有SiO2、Fe2O3、CuO、Al2O3、Pb和CaO等，且其中SiO2含量较大，Fe2O3和Al2O3次之，且两者含量相当[12]。

目前，实验室普遍使用人工污秽试验法对绝缘子的闪络特性进行研究，其中可溶物主要采用NaCl来模拟，不溶物则主要采用硅藻土或高岭土来模拟，而并未考虑自然污秽所包含的成分的复杂性对污闪电压带来的影响。因此，有必要对不同污秽成分对绝缘子污闪特性的影响进行更深入的研究。

本文在重庆大学多功能人工气候实验室，以7片LXY4—160 绝缘子串为研究对象，分别进行了以NaCl 和CaSO4为可溶性物质（可溶性物质密度：Soluble Contaminant Density，SCD），硅藻土和SiO2、Fe2O3和Al2O3的混合物为不溶性物质（Non-Soluble Salt Deposit Density，NSDD）下的交流污闪试验，得到了不同盐密下LXY4—160 绝缘子的交流闪络特性，分析了污秽成分对其污闪电压影响的原因，研究结果对进一步揭示绝缘子放电特性和外绝缘选择具有重要参考意义。

2 试品、试验装置与试验方法

2.1 试品

试品采用普通玻璃绝缘子LXY4—160，其具体参数如表1 所示，绝缘子的具体外形如图1 所示。

表1 绝缘子主要结构参数Tab.1 Structure parameters of LXY4—160 insulator

图1 绝缘子具体外形结构Fig.1 Structure of LXY4—160 insulator

2.2 试验装置

试验是在重庆大学大型多功能人工气候室进行的，其内径7.8m，净空高11.6m，能够模拟雾、降雨、覆冰和高海拔等多种复杂气候环境，配套有1.5t专用锅炉，为其提供蒸汽雾进行污秽试验。试验工频电源由500kV/2 000kVA 交流无晕污秽试验变压器提供，最大短路电流为75A，满足污秽试验对电源的要求[13,14]，试验原理接线如图2 所示。

2.3 试验方法

参照相关标准，试验过程中具体步骤如下：

（1）试品的预处理：首先使用磷酸三钠溶液仔细清洗绝缘子各个部位，除去所有的污物和油脂痕迹，然后再用自来水彻底清洗，然后晾干。

图2 试验接线原理示意图B—调压器；T—变压器；R0—保护电阻；H—高压穿墙套管；S—试品；E—人工气候实验室；F—电容分压器；C—泄漏电流检测装置Fig.2 Test circuit

（2）试品染污方法：采用固体涂层法对绝缘子上/下表面分别进行染污。SCD 采用CaSO4和NaCl混合盐来模拟，NSDD 采用SiO2、A12O3和Fe2O3来模拟，选取SCD 为0.06mg/cm2、0.10mg/cm2、0.25mg/cm2表示污秽较轻、一般和严重三种状态，且每组试验均在该三种状态下进行，灰盐比取3.5，绝缘子上下表面均匀染污。

试验过程中分两组进行：第一组试验中，固定不可溶物的成分为硅藻土，在同一SCD 下，改变CaSO4和NaCl 的质量比，分别取NaCl 比例为100%、80%、50%、20%和0%，则CaSO4的对应比例为0%、20%、50%、80%和100%；第二组试验中，固定可溶物成分为NaCl，在同一NSDD 下，改变SiO2、Fe2O3和Al2O3的质量比，SiO2所占比例取100%、90%、75%、和60%，Fe2O3对应的比例为0、5%、12.5%和20%，Al2O3取值与Fe2O3相同。

（3）试品的阴干：将染污后的试品放置阴凉处自然阴干24h。

（4）蒸汽雾的产生：蒸汽雾由1.5t/h 锅炉产生，贴近地表面的蒸汽通过沿人工气候室底部周围均匀布置的多个放气孔使人工气候室产生均匀分布的雾，放气孔离试品的距离大于3.5m，放气孔雾气出口方向与试品绝缘子串轴心线成90°夹角，输入人工气候室的蒸汽雾速率为 (0.05±0.01)kg/h·m3。湿润开始时试品的温度与试验室内周围温度的差小于±2K，试验过程中雾室温度控制在35℃以下，如果温度过高，则采用制冷系统加以控制。

（5）加压方法：当试品湿润时间足够长，即待试品绝缘子表面污秽层充分湿润后，表面形成水膜以致边缘即将滴水时，立即采用均匀升压法对试品绝缘子施加电压进行闪络试验，每种污秽下选择3～5 支试品，每支试品闪络4～5 次，取其中与平均值误差低于10%的试验结果作为污闪电压Uf，即

式中，Uf为绝缘子的平均污闪电压（kV）；Ui为第i 次污闪电压（kV）；N 为试验次数；σ%为试验结果的相对标准偏差。

3 不同污秽成分下绝缘子串交流污秽闪络试验结果与分析

3.1 不同盐分比例下试验结果与分析

利用上述试验程序对7 片串LXY4—160 绝缘子开展CaSO4和NaCl 不同比例下交流污秽闪络试验研究（不溶性物质为硅藻土），试验结果见表2。

表2 不同盐分比例下绝缘子交流污秽闪络试验结果Tab.2 The results of contaminated insulator’s AC flashover under different compositions of mixture salts

由表2 结果可知：

（1）所有试验结果的相对标准偏差均在8%以内，表明采用本文的试验方法所得的试验结果分散性比较小。

（2）SCD 对所试验的绝缘子串交流污闪电压有影响，且随着SCD 的增加绝缘子的交流污闪电压均明显降低。例如在NaCl 和CaSO4各占一半时，当SCD 从0.06 mg/cm2增加到0.1mg/cm2和0.25mg/cm2后，绝缘子串的污闪电压从143.2kV 降到了114.5kV和78.8kV，分别下降了19.41%和35.59%。

（3）不同盐分对绝缘子串交流污闪电压有影响，且绝缘子的污闪电压随着NaCl 比例减小和CaSO4比例增加而升高。如当SCD 为0.06mg/cm2时，可溶性物质全为NaCl，其污闪电压为124.4kV，当NaCl比例下降到80%、50%、20%和0 时，其污闪电压分别为140.9kV、143.2kV、145.5kV 和155.0kV，污闪电压分别提高了13.26%、15.11%、16.96 和24.60%。

3.2 不同不溶性物质比例下试验结果与分析

利用上述试验程序对7 片串LXY4—160 绝缘子开展不溶性混合物SiO2、Fe2O3和Al2O3不同比例下交流污秽闪络试验研究（导电物质为NaCl），试验结果见表3。

表3 不同不溶性物质比例下绝缘子交流污秽闪络试验结果Tab.3 The results of contaminated insulator’s AC flashover test under different proportions of insoluble compositions

由表3 结果可知：

（1）所有试验结果的相对标准偏差均在8%以内，表明采用本文的试验方法所得试验结果的分散性比较小。

（2）不溶性物质成分对绝缘子串交流污闪电压有影响：当不溶性物质仅为SiO2时，绝缘子串交流污闪电压较高；当不溶性物质 SiO2的含量减少，Al2O3和Fe2O3出现时，绝缘子串的交流污闪电压将变小，但SiO2的含量从90%减至60%过程中，绝缘子串的交流污闪电压基本不变。

4 污秽成分对绝缘子交流污闪电压影响原因

4.1 可溶物的成分对污闪电压的影响

4.1.1 不同盐溶液电导率的测量结果与分析

由表2 结果可知，在SCD 一定时，绝缘子的闪络电压会随着NaCl 含量的减少或CaSO4的增加而呈上升趋势。为此，测得不同硫酸钙质量比下盐溶液的电导率，并换算到标准温度（20°C）下进行对比（为了排除摩尔电导率随浓度变化的影响，在较小的浓度下进行测量[15]）。

由图3 可以看出，盐溶液的电导率与盐的浓度有关，浓度越大，电导率越大；在一定的盐浓度下，随着NaCl 含量的减少和CaSO4的增加，电导率逐渐降低，且有饱和趋势，原因如下：

（1）CaSO4本身具有弱电解质特性，其溶于水后并不能完全电离，降低了其电导率。

图3 不同CaSO4比例下液体的电导率Fig.3 The liquid conductivity under different ratios of CaSO4

（2）当可溶物充分溶解时，污液里有Na+，Ca2+，Cl-，SO42-四种离子。离子的体积越大，相同浓度时离子相互碰撞的概率越高，造成离子在原轨道运动速度减慢，电导率也降低[16]。Ca2+和SO42-在体积上明显超出Na+和Cl-。因此CaSO4含量越高，污液的电导率越低。

（3）NaCl 的浓度对CaSO4的溶解度有影响：当盐溶液浓度低时，NaCl 浓度增加使其离子强度增大，活度系数降低，从而CaSO4溶解度增加[17]。

显然，绝缘子表面污层湿润的过程中，不同盐分对绝缘子表面污层电导率产生影响，即相同盐密值下，CaSO4含量越高，绝缘子表面污层电导率将越低，则相同作用电压下，流过绝缘子表面泄漏电流将减小，使得绝缘子表面不容易形成干燥带而产生局部电弧，从而使其污闪电压提高。

4.1.2 硫酸钙含量与等效盐密值的关系

目前污秽等级的划分是以绝缘子串的等值盐密为标准，等值盐密是根据绝缘子表面污秽的混合溶液电导率，折算成等价的NaCl 量[5]。

由于CaSO4对污层电导率的贡献不同于NaCl，试验中所拟定的SCD 值并不能表征混合盐对污层电导率的实际贡献。因此，根据电导率值可将CaSO4成分折算等价的NaCl 量，从而将试验中拟定的SCD 值，折算成盐分完全为NaCl 的等效盐密值SDD。不同浓度的CaSO4和NaCl 溶液的电导率如图4 所示。

图4 氯化钠和硫酸钙溶液的电导率曲线Fig.4 The conductivity curves of NaCl and CaSO4liquors

由图可得，对于较低浓度盐溶液，其电导率与盐浓度近似呈线性关系；相同浓度下，CaSO4对电导率的贡献约为NaCl 的0.485 倍，则试验中的SCD值与等效盐密值SDD 的关系可表示为

式中，β 为CaSO4含量所占百分比。

将本次试验中拟定的不同盐分的 SCD 值，按NaCl 电导率进行换算得到的SDD 值见表4。

表4 不同硫酸钙比例的SDD 值Tab.4 The effective SDD under different values of CaSO4

由表4 可知，如果仅考虑不同盐分对污层电导率的影响，CaSO4比例越大时SDD 值越小。

国内外的大量研究表明，绝缘子污闪电压（Uf，kV）与盐密的关系可表示为[18]

式中，a 为常数；n 为污秽影响特征指数。

则将表2 的结果按式（4）进行拟合，当盐分为100%氯化钠时，LXY4—160 绝缘子Uf与SDD 的关系为

式中的SDD 值是与污层电导率直接相关的。因此在利用式（5）计算不同污秽成分下的污闪电压值时，应将表4 中对应的SDD 值代入式（5）中进行计算，得到修正后的污闪电压值见表5。

表5 盐密修正后的污闪电压计算值与测量值的相对误差Tab.5 The relative error between calculated value after SDD correction and the value of flashover test

由表5 可知，计算所得的绝缘子交流污闪电压值与实测值的相对误差在-20%～39.3%之间波动，差异较大。可见，不同盐分对绝缘子污闪电压的影响并不仅仅体现在对污层电导率的影响，其影响因素主要还因为：CaSO4为难溶性盐，而标准悬式绝缘子每片的饱和附水量仅为10ml 左右。

经测试，10ml 纯CaSO4溶液标准温度（20℃）下的电导率随CaSO4含量的变化趋势如图5 所示。

图5 10ml 水中硫酸钙含量与电导率的关系Fig.5 The relationship between CaSO4content and its conductivity in 10ml of water

根据图5 可知，当CaSO4的含量大于20mg 时，溶液轻度饱和，曲线微微下降；当CaSO4含量继续增大至40mg 后，电导率上升趋势显著下降并最终持平。因此，硫酸钙的难溶性是电导率修正后的闪络电压与实际值仍不相符的原因之一。

同时，硫酸钙的存在影响了电弧的热电离过程，这是一个热电离产生带电粒子、弧头径向电场增大、带电粒子与表面碰撞加剧、弧头温度进一步升高、热电离加剧的正反馈过程[19]。钠原子的电离电位最低，钙原子的电离电位比钠原子高大约1eV[20]。当硫酸钙含量增大时，电弧等离子体中钠元素量减少，需要更高的电压来增大弧头温度及场强，导致热电离正反馈过程的延缓，从而影响电弧常数。

在进行绝缘子自然积污研究时，不能仅简单测量污秽物的电导率所等效NaCl 含量来表征绝缘子的污秽程度或进行污秽等级划分，必须综合考虑不同污秽成分的物理化学特性、内在影响关系、对实际污液电导率以及对电弧发展过程等诸多方面的影响。

4.2 不可溶物的成分对污闪电压影响的原因

由表3 结果可知，当不溶物成分中不含有金属氧化物时，绝缘子的污闪电压较高；而当不溶物成分中出现Al2O3和Fe2O3后，试品的污闪电压将减小，但金属氧化物成分的含量继续提高，污闪电压变化不显著，其原因可能是

（1）不同不溶物成分的附水能力不同。在本试验中，涂刷绝缘子时发现，当SiO2的含量为100%时，将污秽调和成悬浊液所需的水量相对较少。

（2）Al2O3和Fe2O3作为离子晶体，呈熔融态时表现出强电解质的特性。污秽绝缘子串闪络过程中的局部电弧具有强功率的放电现象。据文献[21]测量结果可知，在其发展过程中，局部电弧温度约为5 000～10 000K，而Al2O3和Fe2O3的熔点分别为2 303K 和1 838K[22]。因此，两者作为离子晶体，绝缘子串表面产生局部电弧时将呈熔融态而表现出强电解质的特性。从而增大绝缘子表面剩余污层电导率，导致泄漏电流增大，促使局部电弧的进一步发展。

（3）不同物质的游离电位不同，由文献[20]可知，Si、Al、Fe 的电离电位分别为8.151eV、5.986eV、7.870eV。当温度达到3 250K 后，Al2O3会气化分解成Al，Fe2O3高温下的分解产物Fe3O4与Al 发生置换反应生成Fe。弧根在电极上形成圆形明亮点叫斑点，此处的有很大的泄漏电流，且电流密度很大[19]，铁和铝将被迅速汽化，形成金属蒸气进入弧柱。因此，Al 和Fe 由于具有较低的电离电位而参与了热电离，加剧了电弧的稳定燃烧，使绝缘子污秽闪络更容易发生。

（4）绝缘子串闪络过程中从局部电弧产生发展至闪络的时间较短，一般仅为数秒至数十秒，导致金属氧化物熔融量有限，因此过多的Al2O3和Fe2O3对污闪电压不会产生很大影响。

（5）由于Al2O3和Fe2O3会明显降低污闪电压，因此污闪试验中简单地用硅藻土来代替灰密是有缺陷的，需结合实际情况考虑金属氧化物对污闪电压的影响。

4.3 污秽成分与临界泄漏电流的关系

泄漏电流是电压、湿润、污秽三个主要因素的综合反映和最终结果，信号中包含了丰富的能够体现绝缘子运行状态的信息量。据此，本试验选取临界泄漏电流ICR为特征量，分析了污秽成分对其的影响。图6 记录了绝缘子发生污闪时的泄漏电流波形，一般将绝缘子在闪络前半个周波的泄漏电流定义为临界泄漏电流ICR。

图6 绝缘子临界泄漏电流示意图Fig.6 Example for ICR

试验过程中对不同污秽试验条件下的泄漏电流进行了测试，可得到各种试验条件下绝缘子闪络时的临界泄漏电流值如图7 所示。

图7 绝缘子临界泄漏电流与污秽成分的关系Fig.7 Relationship between ICRand the composition of contamination

由图7 可知：

（1）绝缘子污秽闪络时，其临界泄漏电流值为0.3～1A 之间，且临界泄漏电流值与污秽度、污秽成分有关。

（2）盐密成分对绝缘子临界泄漏电流有影响，同一盐密下，ICR会随着NaCl 比例的减少和CaSO4含量的增加而降低。

（3）灰密成分对绝缘子临界泄漏电流有一定的影响，同一盐密下，灰密成分中含有Al2O3和Fe2O3的临界泄漏电流值均比纯 SiO2下的临界泄漏电流大，但Al2O3和Fe2O3的含量变化对其临界泄漏电流值的影响不大。

Obenaus 认为污闪过程的电路模型可用局部电弧与剩余污层电阻串联进行描述，如图8 所示，其中x 为局部电弧长度；L 为泄漏距离；HV 为高压端。

图8 污闪电路模型Fig.8 A model of pollution flashover circuit

其电路方程式可描述为

式中，Um和Im分别表示施加电压和泄漏电流的峰值；Uarc_m为电弧两端的电压；Up_m为剩余污层电阻两端的电压；A 和n 为反映电弧特性的常数；R(x)为剩余污层电阻。

文献[23]提出，为了实现交流污闪，除了最大弧长达到临界值外，还必须满足交流电弧的重燃条件和恢复条件，其中电弧恢复条件可以，表示为

式中，Ep为剩余污层电阻的电压梯度；Earc为电弧的电压梯度，而Ep和Earc可分别由下式求得[24]。

因此，对于具有相同电弧长度的绝缘子串，当表面污层电导率增大时，流过其表面的泄漏电流越大，电弧恢复条件越容易满足，电弧向前延伸的机会也会大大增加；而对于具有较低电导率的绝缘子串，电弧恢复条件不易满足，必须靠增大作用电压来增加泄漏电流使电弧得以发展。所以低NaCl 含量、高CaSO4含量的绝缘子串具有较高闪络电压，而且不溶物成分中Al2O3和Fe2O3的存在也会降低污闪电压。

5 结论

本文对7 片串LXY4—160 玻璃绝缘子在不同盐密和不同污秽成分的污闪特性进行了测试研究，通过分析得出以下结论：

（1）对于可溶物成分，随着NaCl 比例的减小和CaSO4比例的增加，绝缘子的污闪电压会有所提高，且当可溶物成分仅为NaCl 或CaSO4中一种时，绝缘子的污闪电压差别较大；硫酸钙含量过多时，其难溶特性是造成污闪电压变化的原因之一。

（2）对于不溶物成分，随着Al2O3和Fe2O3的出现，污闪电压将降低，但是当Al2O3和Fe2O3继续增加，污闪电压变化不明显。

（3）可溶物成分会对表面污层电导率产生明显的影响，从而影响泄漏电流。NaCl 含量越多，表面污层电导率越大，流过的泄漏电流越大，电弧越容易稳定发展，导致污闪容易发生。

（4）不溶物成分也会对表面污层电导率产生一定影响。电弧产生阶段，Al2O3和Fe2O3受热呈熔融态，表现出强电解质的特性，从而增大表面污层电导率，增大泄漏电流，使污闪更容易发生；但是由于污闪过程持续时间短，Al2O3和Fe2O3的熔融量有限，过多的Al2O3和Fe2O3并不会给污闪电压带来显著的影响。

（5）污秽成分对电弧的发展过程有一定的影响，从而影响电弧常数、影响污闪电压。钙原子的电离电位大于钠离子，CaSO4的增多会延缓热电离过程的产生；铝原子、铁原子的电离电位低于硅，Al2O3和Fe2O3的存在，会加剧电弧的热电离过程。

（6）在进行绝缘子自然积污研究时，不能仅简单测量污秽物的电导率所等效NaCl 含量来表征绝缘子的污秽程度或进行污秽等级划分，必须综合考虑不同污秽成分的物理化学特性、内在影响关系、对实际污液电导率以及对电弧发展过程等诸多方面的影响。

[1]张志劲,蒋兴良,孙才新.污秽绝缘子闪络特性研究现状及展望[J].电网技术,2006,30(2):35-40.Zhang Zhijing,Jiang Xingliang,Sun Caixin.Present situation and prospect of research on flashover characteristics of polluted insulators[J].Power System Technology,2006,30(2):35-40.

[2]张仁豫.绝缘污秽放电[M].北京:水利电力出版社,1994.

[3]梁曦东,陈昌渔,周远翔.高电压工程[M].北京:清华大学出版社,2003.

[4]顾乐观,孙才新.电力系统的污秽绝缘[M].重庆:重庆大学出版社,1990.

[5]蒋兴良,舒立春,孙才新.电力系统污秽与覆冰绝缘[M].北京:中国电力出版社,2009.

[6]Ramos N G,Campillo R M T,Naito K.A study on the characteristics of various conductive contaminants accumulated on high voltage insulators[J].IEEE Transactions on Power Delivery,1993,8(4):1842-1850.

[7]Matsuoka R,Kondo K.Influence of non-soluble contaminants on the flashover voltages of artificially contaminated insulators[J].IEEE Transactions on Power Delivery,1996,11(1):420-430.

[8]Sundararajan R,Gorur R S.Role of non-soluble contaminants on the flashover voltage of porcelain insulators[J].IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation,1996,3(1):113-118.

[9]Ishij M,Komatsubara M,Matsuoka R,Behavior of insoluble materials in artificial contamination tests[J].IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation,1996,3(3):432-438.

[10]Haseguwa Y,Naito K,Arakawa K.A comparative program on HVDC contamination tests[J].IEEE Transactions on Power Delivery,1988,3(4):1986-1995.

[11]宋云海,刘刚,李恒真.公路区与公路农田区绝缘子自然积污成分的对比分析[J].高压电器,2010,46(5):22-25.Song Yunhai,Liu Gang,Li Hengzhen.Comparative analysis of natural contamination composition on insulators at highway area and highway-farmland area[J].High Voltage Apparatus,2010,46(5):22-25.

[12]李文祥.输电线路积污的化学成分分析[J].广东输电与变电技术,2010,12(5):53-55.Li Wenxiang.Chemical composition analysis of transmission line pollution[J].Guangdong Power Transmission Technology,2010,12(5):53-55.

[13]IEC 60507-1991 Artificial pollution tests on high voltage insulators to be used on AC systems[S].1991.

[14]GB/T 16434-1996 高压架空线路和发电厂、变电所环境污区分级及外绝缘选择标准[S].1996.

[15]徐通训.盐量浓度与导电率关系的比较研究[J].高电压技术,1996,22(4):46-49.Xu Tongxun.The comparative study on the relation between the salt concentration and conductivity[J].High Voltage Engineering,1996,22(4):46-49.

[16]李恒真,刘刚,李立浧.自然污秽成分CaSO4对电力设备外绝缘沿面绝缘特性的影响综述[J].高电压技术,2011,3(35):140-145.Li Hengzhen,Liu Gang,Li Licheng.A review on influence of natural contaminant CaSO4 on surface insulation characteristics of external insulation of power equipment[J].High Voltage Engineering,2011,3(35):140-145.

[17]尹忠,赵晓东.硫酸钙在盐酸和氯化钠水溶液中的溶解度[J].油田化学,1994,11(4):345-347.Yin Zhong,Zhao Xiaodong.The solubility of CaSO4in the water solution of HCl and NaCl[J].Oilfield Chemistry,1994,11(4):345-347.

[18]Sun C,Tian Y,Jiang X,et al.Flashover perfor-mance and voltage correction of iced and polluted HV insulator string at high altitude of 4000m and above[C].7th Int.Conf.Properties and Applications of Dielectric Materials,Nagoya,Japan,2003,1:141-145.

[19]谢军.交流电压下染污绝缘子闪络过程动态电场计算及闪络机理研究[D].1987.

[20]Wolfgang Lotz.Ionization potentials of atoms and ions from hydrogen to zinc[J].Journal of the Optical Society of America,1967,57(7):873-878.

[21]李顺元,张仁豫,谈克雄.沿染污绝缘表面延伸的局部电弧温度测量[J].中国电机工程学报,1990,10(2):1-7.Li Shunyuan,Zhang Renyu,Tan Kexiong.Measurement of the arc temperature along the surface of polluted insulator[J].Proceedings of the CESS,1990,10(2):1-7.

[22]张思远.无机晶体的结构、组成和性质[M].北京:科学出版社,2012.

[23]关志成,张仁豫.染污绝缘子在交流电压下的污闪条件分析[J].清华大学学报,1986,26(3):30-38.Guan Zhicheng,Zhang Renyu.The pollution flashover conditions of polluted insulator under ac voltage[J].Journal of Tsinghua University,1986,26(3):30-38.

[24]Sima W,Yuan T,Yang Q,et al.Effect of nonuniform pollution on the withstand characteristics of extra high voltage(EHV) suspension ceramic insulator string[J].IET Generation,Transmission &Distribution,2010,4(3):445-455.